JPS6171630A - パタ−ンの欠陥検査装置に用いるパタ−ンの判定方法 - Google Patents
パタ−ンの欠陥検査装置に用いるパタ−ンの判定方法Info
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- JPS6171630A JPS6171630A JP59192701A JP19270184A JPS6171630A JP S6171630 A JPS6171630 A JP S6171630A JP 59192701 A JP59192701 A JP 59192701A JP 19270184 A JP19270184 A JP 19270184A JP S6171630 A JPS6171630 A JP S6171630A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はパターンの欠陥検査装置、特に半導体集積回路
の製造に使用するレチクルパターンの欠陥検査装置に用
いるパターンの判定方法に関するものである。
の製造に使用するレチクルパターンの欠陥検査装置に用
いるパターンの判定方法に関するものである。
(従来の技#i)
従来、シリコンウェハーに対してホトエツチングする際
に用いられるホトマスクの作成に用いられるレチクルパ
ターンの欠陥を検査り゛るために、本願人は特開昭58
−46636号公報において、マスク原版を作成すると
きに使用するPG(pattern Qenerat
ion )テープに記憶された基準情報と、このテープ
に基づいて製作された実際のパターンを走査して得た走
査情報とを比較することによって信頼度の高い欠陥検査
をすることができる装置を開発している。
に用いられるホトマスクの作成に用いられるレチクルパ
ターンの欠陥を検査り゛るために、本願人は特開昭58
−46636号公報において、マスク原版を作成すると
きに使用するPG(pattern Qenerat
ion )テープに記憶された基準情報と、このテープ
に基づいて製作された実際のパターンを走査して得た走
査情報とを比較することによって信頼度の高い欠陥検査
をすることができる装置を開発している。
上述した装置においては、パターンはPGテープから各
単位走査領域(1mmx 1 mm)毎のパターンに分
割して、その単位走査領域njにレチクルT−1中に矩
形要素の集合として記憶されている。
単位走査領域(1mmx 1 mm)毎のパターンに分
割して、その単位走査領域njにレチクルT−1中に矩
形要素の集合として記憶されている。
一方、レチクルパターンは、単位走査領域の一辺の良さ
を受光できる長さのリニアイメージセンサ−を用い、レ
チクルパターンを載せたステージをイメージセンサ−と
直交する方向に移動させて撮像している。
を受光できる長さのリニアイメージセンサ−を用い、レ
チクルパターンを載せたステージをイメージセンサ−と
直交する方向に移動させて撮像している。
(発明が解決しようとする問題点)
従来これら矩形要素の数は単位走査#A11i!当り子
側以下で、十分にデータをビデオ信号に変換する時間的
余裕があり上述して装置で欠陥検査可能であったが、最
近の高密度化したパターンではこれら矩形要素の数が数
千にものぼり、単位走査領域全体のデータをビデオ信号
に変Mkするのに時間がかかる欠点が顕著になってきた
。
側以下で、十分にデータをビデオ信号に変換する時間的
余裕があり上述して装置で欠陥検査可能であったが、最
近の高密度化したパターンではこれら矩形要素の数が数
千にものぼり、単位走査領域全体のデータをビデオ信号
に変Mkするのに時間がかかる欠点が顕著になってきた
。
これに対処するため、変換にかかる時間を考えC従来の
ステージ移tIJ速度を遅くすることも考えられるが、
ステージを一定の遅い速度で移動させるのは困難である
と共にそれに伴なう制(社)が難しい欠点があった。さ
らに上述したように構成しようとすると、既存の制御を
そのまま利用できない欠点もあった。
ステージ移tIJ速度を遅くすることも考えられるが、
ステージを一定の遅い速度で移動させるのは困難である
と共にそれに伴なう制(社)が難しい欠点があった。さ
らに上述したように構成しようとすると、既存の制御を
そのまま利用できない欠点もあった。
本発明の目的は上述した不具合を解消して、既存の制御
をそのまま利用してステージ移動速度も変えることなく
多聞のパターンの存在づ−るレチクルマスクの欠陥を検
査することのできるパターンの欠陥検査方法を提供しよ
うとり−るものである。
をそのまま利用してステージ移動速度も変えることなく
多聞のパターンの存在づ−るレチクルマスクの欠陥を検
査することのできるパターンの欠陥検査方法を提供しよ
うとり−るものである。
(問題点を解決するための手段)
本発明のパターンの判定方法は、被検体のパターンの欠
陥、特に半導体集積回路の製造に用いるマスクのパター
ンの欠陥を、前記被検体のパターンに対応した基準情報
を蓄積した記録媒体から読み出した基準情報と前記被検
体のパターンを実際に走査して得た走査情報とを比較す
ることにより自動的に検出する欠陥検査方法において、
前記記録媒体への記録を単位領域を複数領域に分割した
サブ領域毎に行ない、副走査としてのステージの移動に
よる走査をサブ領域の数だけくり返し行ない、複数のく
り返し走査毎に走査対重のサブ領域に対する欠陥検査を
行なうことを特徴とするものである。
陥、特に半導体集積回路の製造に用いるマスクのパター
ンの欠陥を、前記被検体のパターンに対応した基準情報
を蓄積した記録媒体から読み出した基準情報と前記被検
体のパターンを実際に走査して得た走査情報とを比較す
ることにより自動的に検出する欠陥検査方法において、
前記記録媒体への記録を単位領域を複数領域に分割した
サブ領域毎に行ない、副走査としてのステージの移動に
よる走査をサブ領域の数だけくり返し行ない、複数のく
り返し走査毎に走査対重のサブ領域に対する欠陥検査を
行なうことを特徴とするものである。
(作 用)
本発明のパターン判定方法によれば、各単位領域を例え
ば4つのサブ領域に分割し、先ず一回目のステージ移動
ですべての単位領域の第1のナブ領賊を検査し、二回目
のステージ移動で再びすべての単位領域の第2のサブ領
域を検査し、以下同様の検査を合馴4回行うことにより
パターン全体の検査を行うことができる。このような方
法では各単位領域のサブ領域の個数に等しい回数だけ走
査を、繰返し?1なうことにより各検査におけるステー
ジ移動方法、データ読出方法などをまったく共通とりる
ことができ、したがってサブ領域の個数ら1(意とする
ことができる。すなわら、矩形要素の数が多いときには
多数のサブ領域に分割し、少ない場合には少数のサブ領
域に分割することによりパターンに応じた最適の検査を
行なうことがでさるようになる。また・、1回のステー
ジ移動の動作は既存の装置ど殆んど同じであるから、既
存の装置を殆/しどそのまま用いることができ、安価に
実施できる。
ば4つのサブ領域に分割し、先ず一回目のステージ移動
ですべての単位領域の第1のナブ領賊を検査し、二回目
のステージ移動で再びすべての単位領域の第2のサブ領
域を検査し、以下同様の検査を合馴4回行うことにより
パターン全体の検査を行うことができる。このような方
法では各単位領域のサブ領域の個数に等しい回数だけ走
査を、繰返し?1なうことにより各検査におけるステー
ジ移動方法、データ読出方法などをまったく共通とりる
ことができ、したがってサブ領域の個数ら1(意とする
ことができる。すなわら、矩形要素の数が多いときには
多数のサブ領域に分割し、少ない場合には少数のサブ領
域に分割することによりパターンに応じた最適の検査を
行なうことがでさるようになる。また・、1回のステー
ジ移動の動作は既存の装置ど殆んど同じであるから、既
存の装置を殆/しどそのまま用いることができ、安価に
実施できる。
(実施例)
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明のパターンの判定方法を実施するパター
ンの欠陥検査装置の全体の構成を示すブロック図である
。全体の構成は大きく分類してステージユニット10.
ビデオ信号変換ユニット30゜制御ユニット40の3つ
のユニットから成っている。
ンの欠陥検査装置の全体の構成を示すブロック図である
。全体の構成は大きく分類してステージユニット10.
ビデオ信号変換ユニット30゜制御ユニット40の3つ
のユニットから成っている。
以下上述した順に各部の動作を簡単に説明する。
まずステージユニット10においては、被検体18のパ
ターン(例えばレチクルパターン等)に光源11よりの
光を照射し、その透過光をビットアレイよりなるイメー
ジセンサ−23に入射して1ライン分の走査データを得
た後、その走査データを制仰部40へ出力している。自
動焦点機構14を具えた対物レンズ17は透過光を例え
ば25倍に拡大して、イメージセンサ−23のビットア
レイに投影するのに使用されている。本例で使用する自
動焦点の機構は、本願人による特公昭54−31348
号公報で提案されている瀘構と同一である。走り領域の
選択および走査はXテーブル15.Yテーブル16を駆
動機構13.12によって駆動することで実行している
。X、Yチーブルミs、 ieの制御は、それらの動き
をリニアエンコーダ19.20により検知してステージ
ポジションコレクター21に供給することによって行な
われる。ここで、X、Y方向のずれが検知され、そのず
れより1qられる補正信号が駆動Il!構13.42に
供給されて補正が行なわれる。また、この補正だけでは
精度の面で問題があるため、特にX7’i向に対しては
、ステージポジションコレクター21からのX方向のず
れ醇に対する補正信号をイメージセンサ−ドライバー2
2に供給してイメージセンサ−23中のビット7レイに
入射する光のうら、左端、右端の余りの12個のビット
を使用して、誤差に対してずらして1000点での走査
データを得るようにづ゛る。
ターン(例えばレチクルパターン等)に光源11よりの
光を照射し、その透過光をビットアレイよりなるイメー
ジセンサ−23に入射して1ライン分の走査データを得
た後、その走査データを制仰部40へ出力している。自
動焦点機構14を具えた対物レンズ17は透過光を例え
ば25倍に拡大して、イメージセンサ−23のビットア
レイに投影するのに使用されている。本例で使用する自
動焦点の機構は、本願人による特公昭54−31348
号公報で提案されている瀘構と同一である。走り領域の
選択および走査はXテーブル15.Yテーブル16を駆
動機構13.12によって駆動することで実行している
。X、Yチーブルミs、 ieの制御は、それらの動き
をリニアエンコーダ19.20により検知してステージ
ポジションコレクター21に供給することによって行な
われる。ここで、X、Y方向のずれが検知され、そのず
れより1qられる補正信号が駆動Il!構13.42に
供給されて補正が行なわれる。また、この補正だけでは
精度の面で問題があるため、特にX7’i向に対しては
、ステージポジションコレクター21からのX方向のず
れ醇に対する補正信号をイメージセンサ−ドライバー2
2に供給してイメージセンサ−23中のビット7レイに
入射する光のうら、左端、右端の余りの12個のビット
を使用して、誤差に対してずらして1000点での走査
データを得るようにづ゛る。
次に第1図中のビデオ変換ユニット30について説明す
る。CADシステム等により作成されたPGテープは、
本システムのフォーマットを持つ検査用レチクルテープ
31に変換され、ビデオ変換ユニットに供給される。こ
のレチクルチー731は、テープユニット32に取り付
けられた後、制御ユニット40中のCPUの制御により
磁気テープ制wi36を介してステージ部10で検査さ
れているレチクルマスク18に対応する場所をレチクル
テープ31から読み出し、2つ設けである磁気テープメ
モリーのうちの一方へ記憶する。この磁気テープメモリ
ーに記憶されたレチクルテープ31よりの点の座標群よ
り、磁気テープ制御部36からの同期信号の制御のもと
にビデオ信号変換部35により画像に変換された後、2
つ設けであるビデオメモリーのうらの一方に記憶される
。画像としてビデオメモリーに記憶されたデータは、磁
気テープ制御部36の制御によりステージ部10のイメ
ージセンサ−23で走査された部分に対応してビデオ信
号出力制御部39より読み出され、制御ユニット40の
比較器45に出力される。
る。CADシステム等により作成されたPGテープは、
本システムのフォーマットを持つ検査用レチクルテープ
31に変換され、ビデオ変換ユニットに供給される。こ
のレチクルチー731は、テープユニット32に取り付
けられた後、制御ユニット40中のCPUの制御により
磁気テープ制wi36を介してステージ部10で検査さ
れているレチクルマスク18に対応する場所をレチクル
テープ31から読み出し、2つ設けである磁気テープメ
モリーのうちの一方へ記憶する。この磁気テープメモリ
ーに記憶されたレチクルテープ31よりの点の座標群よ
り、磁気テープ制御部36からの同期信号の制御のもと
にビデオ信号変換部35により画像に変換された後、2
つ設けであるビデオメモリーのうらの一方に記憶される
。画像としてビデオメモリーに記憶されたデータは、磁
気テープ制御部36の制御によりステージ部10のイメ
ージセンサ−23で走査された部分に対応してビデオ信
号出力制御部39より読み出され、制御ユニット40の
比較器45に出力される。
上述のようにして作成されたステージユニット10、ビ
デオ変換ユニット30からの両出力は、制御ユニット4
0に供給される。制御ユニット40においては、その欠
陥部分を検知するために百出力信号を比較器45により
比較しCいる。本装置のレチクルテープには後述する方
法によりサブ領域毎に画像データが記憶されそのためサ
ブ領域毎に画像となるため、単位走査領域の幅全体の長
さをもつイメージセン(J“−23の走査情報は全部使
用する必要はなく、比較の対雫としてビデオ変換ユニッ
ト30から供給される特定のIナブ領域に対応する部分
の走査情tF1だ(プが必要となる。そのため、本実施
例では、比較の終了した比較結果信号に対してデータ処
理部47の制御のもとに欠陥マスク回路49により処理
を行ない、必要な部分の比較結果情報を得ている。
デオ変換ユニット30からの両出力は、制御ユニット4
0に供給される。制御ユニット40においては、その欠
陥部分を検知するために百出力信号を比較器45により
比較しCいる。本装置のレチクルテープには後述する方
法によりサブ領域毎に画像データが記憶されそのためサ
ブ領域毎に画像となるため、単位走査領域の幅全体の長
さをもつイメージセン(J“−23の走査情報は全部使
用する必要はなく、比較の対雫としてビデオ変換ユニッ
ト30から供給される特定のIナブ領域に対応する部分
の走査情tF1だ(プが必要となる。そのため、本実施
例では、比較の終了した比較結果信号に対してデータ処
理部47の制御のもとに欠陥マスク回路49により処理
を行ない、必要な部分の比較結果情報を得ている。
比較器、+5を介して比較操作の終了した信号は、デー
タ処理部47に供給され各種の処理が行なわれる。デー
タ処理部47は各種I10インターフェース、RAM、
ROM、CPU、表示部から構成され、処理されたデー
タはプリンター48より出力される。ざらに、モニター
41〜44によって各画像を映出し、その処理を確認で
きる。
タ処理部47に供給され各種の処理が行なわれる。デー
タ処理部47は各種I10インターフェース、RAM、
ROM、CPU、表示部から構成され、処理されたデー
タはプリンター48より出力される。ざらに、モニター
41〜44によって各画像を映出し、その処理を確認で
きる。
第2図は本発明のパターンの判定方法を説明するための
線図である。第2図の実施例では、−例として各単位走
査領域をY方向にA−Dの4つのサブ領域に分割し、X
方向にはngA、Y方向にはml[jilの単位走査領
域が存在する例を示している。
線図である。第2図の実施例では、−例として各単位走
査領域をY方向にA−Dの4つのサブ領域に分割し、X
方向にはngA、Y方向にはml[jilの単位走査領
域が存在する例を示している。
上述した実施例に対しては、第3図に示すサブ領域のパ
ターン毎に矩形要素のデータを記憶したレチクルテープ
を準備して実際の欠陥検査を?1なう。
ターン毎に矩形要素のデータを記憶したレチクルテープ
を準備して実際の欠陥検査を?1なう。
すなわち、本実施例では既存の欠陥検査を4回くり返し
て以下の用に実施する。まず第1回目の走査ではA +
−’+ 、 A 2−1・・・An−+ 、 A I−
2、A 2−2・・・八〇−…のサブ領域の欠陥検査を
この順に行ない、2回目の走査ではB + −+ 、
−821、−・Bn l 。
て以下の用に実施する。まず第1回目の走査ではA +
−’+ 、 A 2−1・・・An−+ 、 A I−
2、A 2−2・・・八〇−…のサブ領域の欠陥検査を
この順に行ない、2回目の走査ではB + −+ 、
−821、−・Bn l 。
B I−2、B 2−z −3n−mを、3回目にはC
+−+。
+−+。
C2−+ ・Qn−1、CI−2、CC2−2−Cn−
を、そして最後の4回目の走査ではD+−J・・・[)
nmの各単位サブ領域の欠陥検査をして、全単位走査領
域の欠陥検査を終了する。
を、そして最後の4回目の走査ではD+−J・・・[)
nmの各単位サブ領域の欠陥検査をして、全単位走査領
域の欠陥検査を終了する。
このとき、単位走査領域の幅に対応してY方向に並んで
いるラインセンナ−の全センサーからの出力に基づく比
較結果の出力を取り出すことばできず、例えば第1同目
の走査ではA領域に対応り−る位置からだけ比較結末の
出力を得る必要がある。
いるラインセンナ−の全センサーからの出力に基づく比
較結果の出力を取り出すことばできず、例えば第1同目
の走査ではA領域に対応り−る位置からだけ比較結末の
出力を得る必要がある。
そのため、データ処理部47の制御のもとに第4図に示
す欠陥マスク回路49を一比較器45とデータ処理部4
71Jに設置ノで、13号処理によって比較結果のうち
出力を取り出す必要のない部分、この場合は8゜C,D
領域に対応する比較結果の出力をブランクにして、A領
域に対応する比較結果信号だけを得ている。
す欠陥マスク回路49を一比較器45とデータ処理部4
71Jに設置ノで、13号処理によって比較結果のうち
出力を取り出す必要のない部分、この場合は8゜C,D
領域に対応する比較結果の出力をブランクにして、A領
域に対応する比較結果信号だけを得ている。
その制御用は、第4図に示すANDゲート5oに比較器
45からの比較結果信号と第5図(a、)〜(d )に
示す出力制御回路51よりのラインセンサー出力制御信
号を供給して行なっている。すなわち、ラインセンサ゛
−のライン方向の比較結果信号に同期して、例えば第1
回目の走査時には第5図<a )に示す信号をラインセ
ンサー出力制御信号としてANDゲート50に供給して
、A領域に対応する位置だけから比較結果情報を得てい
る。同様に2回月の走査時には第5図(b)に示す信号
を、3回目の走査時には第5図(C)に示す信号を、そ
して4回月の走査時には第5図(fl)に示す信号をラ
インセンサー出力制御信号として供給して、B。
45からの比較結果信号と第5図(a、)〜(d )に
示す出力制御回路51よりのラインセンサー出力制御信
号を供給して行なっている。すなわち、ラインセンサ゛
−のライン方向の比較結果信号に同期して、例えば第1
回目の走査時には第5図<a )に示す信号をラインセ
ンサー出力制御信号としてANDゲート50に供給して
、A領域に対応する位置だけから比較結果情報を得てい
る。同様に2回月の走査時には第5図(b)に示す信号
を、3回目の走査時には第5図(C)に示す信号を、そ
して4回月の走査時には第5図(fl)に示す信号をラ
インセンサー出力制御信号として供給して、B。
C,Dfa域に対応する比較結果情報を得ている。
なお、各領域に対する第5図(a )〜(d)に示づラ
インセンサー出力制御信号の切換は、データ処理部41
で自動的に行なっても良いし、また手動で切換えるよう
構成しても良い。
インセンサー出力制御信号の切換は、データ処理部41
で自動的に行なっても良いし、また手動で切換えるよう
構成しても良い。
本発明は上jホした実施例にのみ限定されるものではな
く、幾多の変形、変更が可能である。例えば、上述した
実施例ではサブ領域の分割方向を第2図中X方向とした
が、Y方向でも可能である。
く、幾多の変形、変更が可能である。例えば、上述した
実施例ではサブ領域の分割方向を第2図中X方向とした
が、Y方向でも可能である。
ただしこの場合には第5図に示す出力制御信号を1単位
領域の走査rR間を4分割したものとする必要がある。
領域の走査rR間を4分割したものとする必要がある。
また分割数も4個に限定されるものではなく、任意の個
数に分割することができる。
数に分割することができる。
さらに、上述した例では欠陥マスク回路49を比較器4
5の出力側に設け、誤った比較判定結集を出力しないよ
うにしたが、同様の欠陥マスク回路を比較器45の入力
側、すなわち比較器45とビデオ増幅器46との間また
はこれに加えて比較器45とビデオ信号出力制御部との
間に設け、検査中のサブ領域以外のサブ領域からの画像
信号が比較器45に入力されないように構成することも
できる。
5の出力側に設け、誤った比較判定結集を出力しないよ
うにしたが、同様の欠陥マスク回路を比較器45の入力
側、すなわち比較器45とビデオ増幅器46との間また
はこれに加えて比較器45とビデオ信号出力制御部との
間に設け、検査中のサブ領域以外のサブ領域からの画像
信号が比較器45に入力されないように構成することも
できる。
〈発明の効果)
以十詳細に説明したところから明らかなように、本発明
のパターンの判定方法によれば、既存の装置の制御及び
ステージ移動速度を変更することなく、従来の装置では
処理できなかった多回のパターンを含むレチクルマスク
の欠陥を検査することができる。また、サブ領域に対応
するラインセンサーの部分をラインセンサー出カ制御信
号により電気的に選択しているので、簡単に単位領域中
のサブ領域の故を増減することができる。
のパターンの判定方法によれば、既存の装置の制御及び
ステージ移動速度を変更することなく、従来の装置では
処理できなかった多回のパターンを含むレチクルマスク
の欠陥を検査することができる。また、サブ領域に対応
するラインセンサーの部分をラインセンサー出カ制御信
号により電気的に選択しているので、簡単に単位領域中
のサブ領域の故を増減することができる。
第1図は本発明のパターンの判定方法を実7!するパタ
ーンの欠陥検査装置の全体の構成を示すブロック図、 第2図は本発明のパターンの判定方法を説明するための
線図、 第3図は本発明に用いるレチクルテープの−を施例のフ
ォーマットを示す線図、 第4図は本発明のパターンの判定方法を実施する制御回
路の一実施例を示すブロック図、第5図(a)〜(d
)は本発明のラインセンサー出力信号の一実施例を示す
波形図である。 10・・・ステージユニット 30・・・ビデオ変換ユニット 40・・・制御ユニット 49山欠陥マスク回路。 特許出願人 日本山8制御株式会社第2図 第3図 第4図 第5図 手続補正1月二c方式) illイイl+oイ12月1211 1、事件の表示 昭和59年 特 許 願第192701、発明の名称 パターンの欠陥検査装置に用いるパターンの゛閏定方法
3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 日本自動制御株式会社 7、補正の内容(別紙のil+!l) 図面中、「第5図」を別紙訂正図の通りに訂正する。 (訂正図つ 第5図
ーンの欠陥検査装置の全体の構成を示すブロック図、 第2図は本発明のパターンの判定方法を説明するための
線図、 第3図は本発明に用いるレチクルテープの−を施例のフ
ォーマットを示す線図、 第4図は本発明のパターンの判定方法を実施する制御回
路の一実施例を示すブロック図、第5図(a)〜(d
)は本発明のラインセンサー出力信号の一実施例を示す
波形図である。 10・・・ステージユニット 30・・・ビデオ変換ユニット 40・・・制御ユニット 49山欠陥マスク回路。 特許出願人 日本山8制御株式会社第2図 第3図 第4図 第5図 手続補正1月二c方式) illイイl+oイ12月1211 1、事件の表示 昭和59年 特 許 願第192701、発明の名称 パターンの欠陥検査装置に用いるパターンの゛閏定方法
3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 日本自動制御株式会社 7、補正の内容(別紙のil+!l) 図面中、「第5図」を別紙訂正図の通りに訂正する。 (訂正図つ 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、被検体のパターンの欠陥、特に半導体集積回路の製
造に用いるマスクのパターンの欠陥を、前記被検体のパ
ターンに対応した基準情報を蓄積した記録媒体から読み
出した基準情報と前記被検体のパターンを実際に走査し
て得た走査情報とを比較することにより自動的に検出す
る欠陥検査方法において、 前記記録媒体への記録を、単位領域を複数領域に分割し
たサブ領域毎に行ない、副走査としてのステージの移動
による走査をサブ領域の数だけくり返し行ない、複数の
くり返し走査毎に走査対象のサブ領域に対する欠陥検査
を行なうことを特徴とするパターンの欠陥検査装置に用
いるパターンの判定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59192701A JPS6171630A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | パタ−ンの欠陥検査装置に用いるパタ−ンの判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59192701A JPS6171630A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | パタ−ンの欠陥検査装置に用いるパタ−ンの判定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6171630A true JPS6171630A (ja) | 1986-04-12 |
JPH058822B2 JPH058822B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=16295609
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59192701A Granted JPS6171630A (ja) | 1984-09-17 | 1984-09-17 | パタ−ンの欠陥検査装置に用いるパタ−ンの判定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6171630A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002357071A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Nippon Sharyo Seizo Kaisha Ltd | 振れ止め装置 |
JP5278783B1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-09-04 | レーザーテック株式会社 | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、及び欠陥検査プログラム |
CN110517969A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-29 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 晶圆缺陷监测方法及***和计算机存储介质 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5846636A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-18 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査装置 |
-
1984
- 1984-09-17 JP JP59192701A patent/JPS6171630A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5846636A (ja) * | 1981-09-16 | 1983-03-18 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002357071A (ja) * | 2001-06-01 | 2002-12-13 | Nippon Sharyo Seizo Kaisha Ltd | 振れ止め装置 |
JP5278783B1 (ja) * | 2012-05-30 | 2013-09-04 | レーザーテック株式会社 | 欠陥検査装置、欠陥検査方法、及び欠陥検査プログラム |
US9240041B2 (en) | 2012-05-30 | 2016-01-19 | Lasertec Corporation | Defect inspection device, defect inspection method, and defect inspection program |
CN110517969A (zh) * | 2019-08-27 | 2019-11-29 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 晶圆缺陷监测方法及***和计算机存储介质 |
CN110517969B (zh) * | 2019-08-27 | 2022-09-02 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 晶圆缺陷监测方法及***和计算机存储介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH058822B2 (ja) | 1993-02-03 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |