JP2011209271A - 検査装置及び欠陥分類方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明では、微分干渉光学系を含む走査装置を用いて、炭化珪素基板の表面又はエピタキシャル層の表面を走査する。炭化珪素基板からの反射光はリニアイメージセンサ(23)により受光され、その出力信号は信号処理装置(11)に供給する。信号処理装置は、炭化珪素基板表面の微分干渉画像を形成する2次元画像生成手段(32)を有する。基板表面の微分干渉画像は欠陥検出手段(34)に供給されて欠陥が検出される。検出された欠陥の画像は、欠陥分類手段(36)に供給され、欠陥画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥が分類される。欠陥分類手段は、特有の形状を有する欠陥像を識別する第1の分類手段(50)と、点状の低輝度欠陥像や明暗輝度の欠陥像を識別する第2の分類手段(51)とを有する。
【選択図】図2
Description
また、本発明は、炭化珪素基板又はエピタキシャル層の表面の微分干渉画像を撮像し、得られた微分干渉画像に基づいて欠陥を判別する欠陥分類方法に関するものである。
本発明の別の目的は、SiC基板及びエピタキシャル層に形成されたマイクロパイプ欠陥を他の欠陥から区別して検出できる検査装置を実現することにある。
本発明の別の目的は、マイクロパイプ欠陥及び基底面内欠陥を他の欠陥から区別して分類できる欠陥分類方法を提供することにある。
照明ビームを発生する光源装置と、検査すべき炭化珪素基板を支持すると共に第1の方向及び第1の方向と直交する第2の方向に移動可能なステージと、前記照明ビームを、ステージ上に配置した炭化珪素基板に向けて投射する対物レンズと、前記炭化珪素基板又はエピタキシャル層の表面で反射した反射光を受光する光検出手段とを有し、前記ステージを第1及び第2の方向に移動させることにより炭化珪素基板又はエピタキシャル層の表面を照明ビームにより走査する走査装置、
前記光学装置の対物レンズと光検出手段との間の光路中に選択的に配置され、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第1及び第2のサブビームに変換すると共に、前記炭化珪素基板又はエピタキシャル層の表面で反射したサブビーム同士を合成し、炭化珪素基板又はエピタキシャル層の表面高さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系、及び、
前記光検出手段からの出力信号を受け取り、前記炭化珪素基板又はエピタキシャル層表面の微分干渉画像を形成する画像形成手段と、形成された微分干渉画像に基づいて欠陥検出を行う欠陥検出手段と、検出された欠陥の微分干渉画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥を分類する欠陥分類手段とを有する信号処理装置を具えることを特徴とする。
微分干渉光学系を含む走査装置を用い、炭化珪素基板又はエピタキシャル層の表面の微分干渉画像を撮像する工程と、
撮像された微分干渉画像に基づいて欠陥を検出する欠陥検出工程と、
検出された欠陥の微分干渉画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥を分類する欠陥分類工程とを有することを特徴とする。
[マイクロパイプ欠陥]
マイクロパイプは中空孔の形態をした欠陥である。従って、走査ビームがマイクロパイプ欠陥上を走査した際、孔の底面からの反射光がリニアイメージセンサに入射せず又は微少光量の反射光しか入射しないため、点状の低輝度画像として検出される。
[異物付着]
表面に異物が付着した場合、金属等の反射率の高い異物が付着した場合点状の高輝度画像として検出され、反射率の低い異物が付着した場合点状の暗い低輝度画像として検出される。
[ダウンフォール]
ダウンフォールは、エピタキシャル層の成長中に塊がエピタキシャル層上に付着することにより形成され、上向き及び下向きの2つの傾斜面を有する形態をとる。よって、微分干渉画像として撮像した場合、明るい画像部分と暗い画像部分とが結合した明暗の輝度画像として検出される。
[刃状転位欠陥]
刃状転位欠陥は、SiC基板又はエピタキシャル層の表面上においてピット構造として出現する。従って、下向き及び上向きの2つの傾斜面を有する形態であり、微分干渉画像においては低輝度の画像部分と高輝度の画像部分とが結合した明暗の輝度画像として検出される。
[螺旋転位欠陥]
螺旋転位は、刃状転位欠陥と同様にSiC基板及びエピタキシャル層の表面においてピット構造として出現し、明暗の輝度画像として検出される。
[基底面内欠陥]
基底面内欠陥は、SiC基板の表面及びエピタキシャル層の表面において、ピット構造として出現する。従って、微分干渉画像において、明暗の輝度画像として検出される。
[バンプ]
バンプは、突起状の欠陥であり、下向きの斜面と上向きの斜面を有するので、明暗の輝度画像として検出される。
[スクラッチ]
基板の研磨処理中にスクラッチが形成される場合がある。このスクラッチは、線状の凹部構造であるので、共焦点微分干渉画像上線状の明暗の輝度画像として検出される。
2 光ファイバ
3 フィルタ
4 集束性レンズ
5 スリット
6 偏光子
7 ハーフミラー
8,12,13 リレーレンズ
9 振動ミラー
10 駆動回路
11 信号処理装置
14 ノマルスキープリズム
15 対物レンズ
16 ステージ
17 SiC基板
18 モータ
19 駆動回路
20 位置検出センサ
21 検光子
22 ポジショナ
23 リニアイメージセンサ
24 増幅器
30 A/D変換器
31 制御手段
32 2次元画像生成手段
33 第1の画像メモリ
34 欠陥検出手段
35 第1の欠陥メモリ
36 欠陥分類手段
37 3次元形状情報取得手段
38 断面形状情報取得手段
Claims (11)
- 炭化珪素基板又はエピタキシャル層が形成された炭化珪素基板について欠陥検査を行う検査装置であって、
照明ビームを発生する光源装置と、検査すべき炭化珪素基板を支持すると共に第1の方向及び第1の方向と直交する第2の方向に移動可能なステージと、前記照明ビームを、ステージ上に配置した炭化珪素基板に向けて投射する対物レンズと、前記炭化珪素基板又はエピタキシャル層の表面で反射した反射光を受光する光検出手段とを有し、前記ステージを第1及び第2の方向に移動させることにより炭化珪素基板又はエピタキシャル層の表面を照明ビームにより走査する走査装置、
前記光学装置の対物レンズと光検出手段との間の光路中に選択的に配置され、入射した照明ビームを、互いに干渉性を有する第1及び第2のサブビームに変換すると共に、前記炭化珪素基板又はエピタキシャル層の表面で反射したサブビーム同士を合成し、炭化珪素基板又はエピタキシャル層の表面高さと関連する位相差情報を含む干渉ビームを出射させる微分干渉光学系、及び、
前記光検出手段からの出力信号を受け取り、前記炭化珪素基板又はエピタキシャル層表面の微分干渉画像を形成する画像形成手段と、形成された微分干渉画像に基づいて欠陥検出を行う欠陥検出手段と、検出された欠陥の微分干渉画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥を分類する欠陥分類手段とを有する信号処理装置を具えることを特徴とする検査装置。 - 請求項1に記載の検査装置において、前記欠陥分類手段は、検出された欠陥の微分干渉画像の形状に基づき、特有の形状を有する欠陥像を識別する第1の分類手段と、微分干渉画像の輝度分布に基づき、点状の低輝度欠陥像、点状の高輝度欠陥像及び明暗輝度の欠陥像を識別する第2の分類手段とを有することを特徴とする検査装置。
- 請求項2に記載の検査装置において、前記第1の分類手段は、特有の形状を有する欠陥像として識別された欠陥を、キャロット欠陥、トライアングル欠陥、コメット欠陥、ハーフムーン欠陥、スクラッチを含む形状欠陥として分類し、
前記第2の分類手段は、点状の低輝度欠陥像、点状の高輝度欠陥像及び明暗輝度の欠陥像として識別された欠陥を、マイクロパイプ欠陥、異物付着欠陥、突起欠陥、又はピット欠陥として分類することを特徴とする検査装置。 - 請求項1から3までのいずれか1項に記載の検査装置において、前記信号処理装置は、さらに、前記画像形成手段により形成された微分干渉画像を記憶する画像メモリ、及び、検出された欠陥のアドレスを記憶するアドレスメモリを有し、検出された欠陥の微分干渉画像を欠陥画像情報として出力することを特徴とする検査装置。
- 請求項4に記載の検査装置において、前記信号処理装置は、エピタキシャル層が形成される前の炭化珪素基板の検査において撮像された欠陥の微分干渉画像を記憶する第1の画像メモリと、同一の炭化珪素基板についてエピタキシャル層が形成された後の検査において撮像された欠陥の微分干渉画像を記憶する第2の画像メモリと、エピタキシャル層が形成される前の炭化珪素基板の検査において検出された欠陥のアドレスを記憶する第1のアドレスメモリと、同一の単結晶についてエピタキシャル層が形成された後の検査において検出された欠陥のアドレスを記憶する第2のアドレスメモリとを有し、エピタキシャル層が形成される前後の欠陥の微分干渉画像を欠陥画像情報として出力することを特徴とする検査装置。
- 請求項5に記載の検査装置において、前記信号処理装置は、さらに、エピタキシャル層が形成される前の検査において検出された欠陥のアドレスとエピタキシャル層が形成された後の検査において検出された欠陥のアドレスとを用いて、ピット欠陥として検出された欠陥が基底面内欠陥であるか否かを判別する分類手段を有することを特徴とする検査装置。
- 請求項1から6までのいずれか1項に記載の検査装置において、前記光源装置は、一方向に延在するライン状の照明ビーム又はライン状に配列された複数の照明ビームを発生し、前記光検出手段は、ライン状に配列された複数の受光素子を有するリニアイメージセンサにより構成され、前記走査装置は共焦点走査装置として構成されていることを特徴とする検査装置。
- 炭化珪素基板又は単結晶上に形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出し、検出された欠陥を分類する欠陥分類方法であって、
微分干渉光学系を含む走査装置を用い、炭化珪素基板又はエピタキシャル層の表面の微分干渉画像を撮像する工程と、
撮像された微分干渉画像に基づいて欠陥を検出する欠陥検出工程と、
検出された欠陥の微分干渉画像の形状及び輝度分布に基づいて欠陥を分類する欠陥分類工程とを有することを特徴とする欠陥分類方法。 - 請求項8に記載の欠陥分類方法において、前記欠陥分類工程は、検出された欠陥の微分干渉画像の形状に基づき、特有の形状を有する欠陥像を識別する第1の分類工程と、
検出された欠陥の微分干渉画像の輝度分布に基づき、点状の低輝度欠陥像、点状の高輝度欠陥像及び明暗輝度の欠陥像を識別する第2の分類工程とを含むことを特徴とする欠陥分類方法。 - 請求項9に記載の欠陥分類方法において、前記第1の分類工程において、特有の形状を有する欠陥像として識別された欠陥は、キャロット欠陥、トライアングル欠陥、コメット欠陥、ハーフムーン欠陥、スクラッチを含む形状欠陥として分類され、
前記第2の欠陥分類工程において、点状の低輝度欠陥像、点状の高輝度欠陥像及び明暗輝度の欠陥像として識別された欠陥は、マイクロパイプ欠陥、異物付着欠陥、突起欠陥、又はピット欠陥として分類されることを特徴とする欠陥分類方法。 - 請求項8から10までのいずれか1項に記載の欠陥分類方法において、前記欠陥検出工程は、エピタキシャル層が形成される前の炭化珪素基板に存在する欠陥及びそのアドレスを取得する第1の検出工程と、
前記炭化珪素基板にエピタキシャル層を形成し、形成されたエピタキシャル層に存在する欠陥を検出する第2の検出工程とを含むことを特徴とする欠陥分類方法。
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