JP5268659B2

JP5268659B2 - 基板収納方法及び記憶媒体

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Publication number: JP5268659B2
Application number: JP2009001690A
Authority: JP
Inventors: 清仁飯島; 真一村田; 充宏川野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2009-01-07
Filing date: 2009-01-07
Publication date: 2013-08-21
Anticipated expiration: 2029-01-07
Also published as: JP2010161157A

Description

本発明は、基板収納方法及び記憶媒体に関し、特に、基板処理室で処理された基板を基板収納容器に収納する基板収納方法に関する。

半導体デバイスの製造工程では、複数の基板処理システム相互間において半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）がクリーンルーム内で搬送される。このとき、クリーンルーム内に浮遊する塵芥がウエハに付着するのを防止するために、ウエハは、該ウエハを外界から隔離する基板収納容器としてのＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）（以下、「フープ」という。）に収容される。

図４は、基板収納容器としてのフープの一例を示す説明図である。図４（Ａ）は、斜視図、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＡ―Ａ線に沿った断面図である。

図４（Ａ）に示すように、フープ９０は上面視が、例えばＵ字状であり、該上面から押出した形状を呈する容器であって、湾曲した側面とこれに対向する平板状の前面が開口する本体９１と、該本体９１の前面開口部に設けられ、該開口部を開閉する蓋体９２とを備える。蓋体９２は、本体９１と接触する周縁部において、例えばＮＢＲ等からなるシールゴムを有し、シールゴムを介して本体９１に密着する。本体９１及び蓋体９２は、例えばＡＢＳ等の樹脂からなる。また、本体９１は、内壁面から本体９１の中心部へ向けて突出する平板状の複数の担持部９４を有し、各担持部９４は互いに平行に設けられている（図４（Ｂ））。担持部９４は、それぞれウエハＷを把持する。

基板処理システムにおいて、基板収納容器としてのフープには複数のウエハが収納されており、所定の処理、例えば反応性イオンエッチング（以下、単に「ＲＩＥ」という。）処理が施されたウエハは、同一のフープに戻されて収納されるが、フープ内雰囲気によっては、ウエハが汚染（二次汚染）され、処理後のウエハの歩留まり率が低下するという問題がある。ウエハがフープ内で二次汚染するメカニズムは明らかではないが、以下のように考えられる。すなわち、基板処理システムの基板処理室において、所定のＲＩＥ処理が施されたウエハの表面には、基板処理室内の雰囲気ガス（ハロゲン系残留ガス）、ハロゲン系反応生成物等（以下、単に「異物」という。）が付着しており、これがウエハと共にフープ内に持ち込まれる。このとき、１枚のウエハに付着する異物は少量であっても、閉ざされた狭い空間であるフープ内に、多数のウエハが搬入されることによって、フープ内が異物によって汚染され、これに基づいて未処理のウエハ又は処理後のウエハが二次汚染するものと考えられる。

このようなフープ内汚染に伴うウエハの歩留まり率の低下を防止するための従来技術が開示された公知文献として、例えば特許文献１及び２が挙げられる。

特許文献１には、フープ内に収容されたウエハに付着した汚染物質を除去するために、いわゆるＦＩＭＳ（Front-Opening Interface Mechanical Standard）内部における開口部の上部に、ガス供給パイプを配置し、このパイプからフープ内に収納されたウエハの上面に対して清浄ガスを吹き付ける技術が開示されている。

また、特許文献２には、基板としてのウエハが収納される収納容器としてのフープ内を所望の気体雰囲気に保つために、フープ内の気体を清浄な気体に置換する気体置換機構を設ける技術が開示されている。

特開２００６−１２８１５３号公報特開２００６−３５１６１９号公報

しかしながら、上記従来技術は、いずれも既存の設備に新たな設備を追加するものであり、稼働中の装置を停止させることによる稼働率の低下を招くだけでなく、限られたスペース内に新たな設備を追加することによる装置構成の煩雑化、及び設備コストの高騰を招くことにもなる。

本発明の目的は、新たな設備を追加することなく、既存の設備を利用して基板収納容器内を清浄化し、これによって、基板収納容器内に収納される基板の汚染を防止して歩留まり率を向上させることができる基板収納方法及び記憶媒体を提供することにある。

上記目的を達成するために、請求項１記載の基板収納方法は、基板に所定の処理を施す基板処理室と、前記基板を収納する基板収納容器と、前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法であって、前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、前記待機ステップにおける前記遅延時間は、前記搬入ステップにおいて、前記基板収納容器に収納される最後の基板が収納された後、計測開始されることを特徴とする。

請求項２記載の基板収納方法は、基板に所定の処理を施す基板処理室と、前記基板を収納する基板収納容器と、前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法であって、前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、前記遅延時間は、前記基板収納容器に収納される前記基板の種類に応じて変更されることを特徴とする。

請求項３記載の基板収納方法は、基板に所定の処理を施す基板処理室と、前記基板を収納する基板収納容器と、前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法であって、前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、前記遅延時間は、前記基板収納容器に収納される前記基板に施される処理内容に応じて変更されることを特徴とする。

請求項４記載の基板収納方法は、基板に所定の処理を施す基板処理室と、前記基板を収納する基板収納容器と、前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法であって、前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、前記遅延時間は、前記基板収納容器が複数の場合は、各基板収納容器に対応する前記開閉扉毎に設定されることを特徴とする。

請求項５記載の基板収納方法は、請求項１の基板処理方法において、前記遅延時間は、前記基板収納容器に収納される前記基板の種類に応じて変更されることを特徴とする。

請求項６記載の基板収納方法は、請求項２又は５記載の基板処理方法において、前記基板収納容器に収納される基板がダミー基板又はテスト基板である場合は、前記遅延時間を「０」に設定することを特徴とする。

請求項７記載の基板収納方法は、請求項１記載の基板収納方法において、前記遅延時間は、前記基板収納容器に収納される前記基板に施される処理内容に応じて変更されることを特徴とする。

請求項８記載の基板収納方法は、請求項３又は７記載の基板収納方法において、前記基板収納容器に収納される基板がハロゲン系処理ガスによるプラズマ処理後の基板、パージ処理後の基板又は冷却処理後の基板である場合は、前記遅延時間を「０」以外の任意の時間に設定することを特徴とする。

請求項９記載の基板収納方法は、請求項２乃至３及び５乃至８のいずれか１項に前記搬入ステップ開始前又は前記搬入ステップ開始後且つ前記待機ステップ開始前に、前記遅延時間の設定又は変更を行うことを特徴とする。

請求項１０記載の基板収納方法は、請求項９記載の基板収納方法において、前記搬入ステップ開始後且つ前記待機ステップ開始前における前記遅延時間の設定又は変更には、前記遅延時間を「０」に設定することが含まれることを特徴とする。

請求項１１記載の基板収納方法は、請求項１乃至３及び５乃至１０のいずれか１項に記載の基板収納方法において、前記遅延時間は、前記基板収納容器が複数の場合は、各基板収納容器に対応する前記開閉扉毎に設定されることを特徴とする。

請求項１２記載の基板収納方法は、請求項４又は１１に記載の基板収納方法において、前記遅延時間は、前記基板収納容器が複数配列されている場合は、前記大気搬送室における中央部の基板収納容器に対応する開閉扉ほど短く、前記大気搬送室における両端の基板収納容器に対応する開閉扉ほど長く設定されることを特徴とする。

請求項１３記載の基板収納方法は、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の基板収納方法において、前記基板処理システムは、状況表示部を有し、前記待機ステップである旨の表示及び／又は前記待機ステップにおける前記遅延時間の経過状況が前記状況表示部に表示されることを特徴とする。
請求項１４記載の基板収納方法は、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の基板収納方法において、前記基板収納容器は、容器の前面が開放可能に設けられたフープであることを特徴とする。
上記目的を達成するために、請求項１５記載の記憶媒体は、基板に所定の処理を施す基板処理室と、前記基板を収納する基板収納容器と、前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納したコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板収納方法は、前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、前記待機ステップにおける前記遅延時間は、前記搬入ステップにおいて、前記基板収納容器に収納される最後の基板が収納された後、計測開始されることを特徴とする。
請求項１６記載の記憶媒体は、基板に所定の処理を施す基板処理室と、前記基板を収納する基板収納容器と、前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納したコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板収納方法は、前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、前記遅延時間は、前記基板収納容器に収納される前記基板の種類に応じて変更されることを特徴とする。
請求項１７記載の記憶媒体は、基板に所定の処理を施す基板処理室と、前記基板を収納する基板収納容器と、前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納したコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板収納方法は、前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、前記遅延時間は、前記基板収納容器に収納される前記基板に施される処理内容に応じて変更されることを特徴とする。
請求項１８記載の記憶媒体は基板に所定の処理を施す基板処理室と、前記基板を収納する基板収納容器と、前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納したコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、前記基板収納方法は、前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、前記遅延時間は、前記基板収納容器が複数の場合は、各基板収納容器に対応する前記開閉扉毎に設定されることを特徴とする。

請求項１記載の基板収納方法によれば、基板を基板搬送ユニットによって基板収納容器内に搬入し、その後、所定の遅延時間が経過するまで開閉扉を開放状態のまま保持して待機するので、新たな設備を追加することなく、既存の設備である排気ユニットによって形成される下降気流を利用して基板収納容器内を清浄化することができ、これによって基板の汚染を防止して歩留まり率を向上させることができることに加え、待機ステップにおける遅延時間は、搬入ステップにおいて、基板収納容器に収納される最後の基板が収納された後、計測開始されるので、最後に収納された基板のみならず、それ以前に収納された基板に伴って基板収納容器内に持ち込まれた異物を確実に排出して基板の歩留まり率を向上させることができる。

請求項２又は請求項５記載の基板収納方法によれば、基板を基板搬送ユニットによって基板収納容器内に搬入し、その後、所定の遅延時間が経過するまで開閉扉を開放状態のまま保持して待機するので、新たな設備を追加することなく、既存の設備である排気ユニットによって形成される下降気流を利用して基板収納容器内を清浄化することができ、これによって基板の汚染を防止して歩留まり率を向上させることができることに加え、遅延時間が、基板収納容器に収納される基板の種類に応じて変更されるので、収納する基板に適した遅延時間によって基板収納容器内の異物を確実に置換、排出することができる。
請求項３又は請求項７記載の基板収納方法によれば、基板を基板搬送ユニットによって基板収納容器内に搬入し、その後、所定の遅延時間が経過するまで開閉扉を開放状態のまま保持して待機するので、新たな設備を追加することなく、既存の設備である排気ユニットによって形成される下降気流を利用して基板収納容器内を清浄化することができ、これによって基板の汚染を防止して歩留まり率を向上させることができることに加え、遅延時間が、基板収納容器に収納される基板に施される処理内容に応じて変更されるので、基板に施された処理内容に応じた適正遅延時間を確保して、基板に付着して基板収納容器内に持ち込まれた異物を確実に置換、排出することができる。
請求項４又は請求項１１記載の基板収納方法によれば、基板を基板搬送ユニットによって基板収納容器内に搬入し、その後、所定の遅延時間が経過するまで開閉扉を開放状態のまま保持して待機するので、新たな設備を追加することなく、既存の設備である排気ユニットによって形成される下降気流を利用して基板収納容器内を清浄化することができ、これによって基板の汚染を防止して歩留まり率を向上させることができることに加え、遅延時間は、基板収納容器が複数の場合は、各基板収納容器に対応する開閉扉毎に設定されるので、各基板収納容器毎に適正な遅延時間を設定して異物を確実に排出することができる。

請求項６記載の基板収納方法によれば、基板収納容器に収納される基板がダミー基板又はテスト基板である場合は、遅延時間を「０」に設定するので、無駄な遅延時間をなくしてスループット（単位時間当たりの処理能力）が向上する。

請求項８記載の基板収納方法によれば、基板収納容器に収納される基板がハロゲン系処理ガスによるプラズマ処理後の基板、パージ処理後の基板又は冷却処理後の基板である場合は、遅延時間を「０」以外の任意の時間に設定するので、収納される基板に適した遅延時間によって基板収納容器内の異物を確実に置換、排出することができる。

請求項９記載の基板収納方法によれば、搬入ステップ開始前又は搬入ステップ開始後且つ待機ステップ開始前に、遅延時間の設定又は変更を行うので、処理開始後に遅延時間を確認し、変更することによるユーザの利便性が向上する。

請求項１０記載の基板収納方法によれば、搬入ステップ開始後且つ待機ステップ開始前における遅延時間の設定又は変更には、遅延時間を「０」に設定することが含まれるので、その後の基板の使用目的に応じて無駄な遅延時間をなくしてスループットを向上させることができる。

請求項１２記載の基板収納方法によれば、遅延時間は、基板収納容器が複数配列されている場合は、大気搬送室における中央部の基板収納容器に対応する開閉扉ほど短く、大気搬送室における両端の基板収納容器に対応する開閉扉ほど長く設定されるので、両端に配置された基板収納容器へも下降気流を確実に流入させて異物を排出することができる。

請求項１３記載の基板収納方法によれば、基板処理システムは、状況表示部を有し、待機ステップである旨の表示及び／又は待機ステップにおける遅延時間の経過状況が状況表示部に表示されるので、ユーザは、現在の装置状況及び／又は遅延時間の経過状況を容易に把握することができる。

請求項１４記載の基板収納方法によれば、基板収納容器は、容器の前面が開放可能に設けられたフープであるので、既存の設備を利用した下降気流によって、フープ内の気体を置換、清浄化し、これによってフープ内に収納される基板の汚染を防止して歩留まり率を向上させることができる。

本発明の実施の形態に係る基板収納方法が適用される基板処理システムの概略構成を示す平面図である。図１における線II−IIに沿う断面図である。本発明の実施の形態に係る基板収納方法における基板収納処理を示すフローチャートである。基板収納容器としてのフープの一例を示す説明図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳述する。

図１は、本発明の実施の形態に係る基板収納方法が適用される基板処理システムの概略構成を示す平面図である。

図１において、基板処理システム１０は、被処理基板としてのウエハＷにＲＩＥ処理を施す基板処理室としての２つのプロセスシップ１１と、２つのプロセスシップ１１がそれぞれ接続された矩形状の共通搬送室としての大気搬送室（以下、「ローダーモジュール」という。）１３とを備える。

ローダーモジュール１３には、上述したプロセスシップ１１の他、例えば２５枚のウエハＷを収容する基板収納容器としてのフープ１４ａ〜１４ｃがそれぞれ載置される３つのフープ載置台１５ａ〜１５ｃと、フープ１４から搬出されたウエハＷの位置をプリアライメントするオリエンタ１６と、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷに対してパージ処理又は冷却処理を行うもう一つの処理室１７とが接続されている。

２つのプロセスシップ１１は、ローダーモジュール１３の長手方向における側壁に接続されると共にローダーモジュール１３を挟んで３つのフープ載置台１５ａ〜１５ｃと対向するように配置され、オリエンタ１６はローダーモジュール１３の長手方向に関する一端に配置され、もう一つの処理室１７はローダーモジュール１３の長手方向に関する他端に配置される。

ローダーモジュール１３は、内部に配置された、ウエハＷを搬送する基板搬送ユニットとしてのスカラ型デュアルアームタイプの搬送アーム機構１９と、各フープ載置台１５に対応するように側壁に配置されたウエハＷの投入口である３つのフープ接続口としてのロードポート２０ａ〜２０ｃとを有する。ロードポート２０ａ〜２０ｃには、それぞれ開閉扉が設けられている。搬送アーム機構１９は、フープ載置台１５ａ〜１５ｃに載置されたフープ１４ａ〜１４ｃからウエハＷをロードポート２０ａ〜２０ｃ経由で取り出し、該取り出したウエハＷをプロセスシップ１１、オリエンタ１６やもう一つの処理室１７へ搬出入する。

プロセスシップ１１は、ウエハＷにＲＩＥ処理を施す真空処理室としてのプロセスモジュール２５と、該プロセスモジュール２５にウエハＷを受け渡すリンク型シングルピックタイプの搬送アーム２６を内蔵するロード・ロックモジュール２７とを有する。

プロセスモジュール２５は、円筒状の処理室容器（以下、「チャンバ」という。）と、該チャンバ内に配置された上部電極及び下部電極を有し、該上部電極及び下部電極の間の距離はウエハＷにＲＩＥ処理を施すための適切な間隔に設定されている。また、下部電極はウエハＷをクーロン力等によってチャックするＥＳＣ２８をその頂部に有する。

プロセスモジュール２５では、チャンバ内部に処理ガス、例えば、ＨＢｒガスやＣｌ_２ガスを導入し、上部電極及び下部電極間に電界を発生させることによって導入された処理ガスをプラズマ化してイオン及びラジカルを発生させ、該イオン及びラジカルによってウエハＷにＲＩＥ処理を施し、ウエハＷ上の、例えばポリシリコン層をエッチングする。

プロセスシップ１１では、ローダーモジュール１３の内部の圧力は大気圧に維持される一方、プロセスモジュール２５の内部圧力は真空に維持される。そのため、ロード・ロックモジュール２７は、プロセスモジュール２５との連結部に真空ゲートバルブ２９を備えると共に、ローダーモジュール１３との連結部に大気ゲートバルブ３０を備えることによって、その内部圧力を調整可能な真空予備搬送室として構成される。

ロード・ロックモジュール２７の内部には、略中央部に搬送アーム２６が設置され、該搬送アーム２６よりプロセスモジュール２５側に第１のバッファ３１が設置され、搬送アーム２６よりローダーモジュール１３側には第２のバッファ３２が設置される。第１のバッファ３１及び第２のバッファ３２は、搬送アーム２６の先端部に配置されたウエハＷを支持する支持部（ピック）３３が移動する軌道上に配置され、ＲＩＥ処理が施されたウエハＷを一時的に支持部３３の軌道の上方に待避させることにより、ＲＩＥ未処理のウエハＷとＲＩＥ処理済みのウエハＷとのプロセスモジュール２５における円滑な入れ換えを可能とする。

もう一つの処理室１７は、例えばプラズマ処理後であって、基板収納容器に戻す前のウエハに対してパージ処理を行う。ここで、パージ処理とは、処理室内でプラズマ処理されたウエハに付着した異物を積極的に除去するための処理であって、プラズマ処理後のウエハを基板収納容器に戻す前に、もう一つの処理室１７としてのパージ処理室内に搬送し、高温水蒸気によって異物を洗浄したり、ランプ過熱などによってハロゲン系反応生成物を気化させて除去する処理をいう。

また、もう一つの処理室１７は、例えばプラズマ処理後であって、基板収納容器に戻す前のウエハを冷却する冷却処理を行う。ここで、冷却処理とは、処理室で高いパワーのプラズマ処理が行われたウエハをそのまま基板収納容器に戻した場合、高温のウエハによって基板収納容器が溶ける等の問題が発生することがあるので、このような問題の発生を未然に防止するために行われる処理であり、プラズマ処理されたウエハを基板収納容器に戻す前に、もう一つの処理室１７としての冷却処理室内に搬送し、温度を低下させる処理をいう。

また、基板処理システム１０は、プロセスシップ１１、ローダーモジュール１３、オリエンタ１６及びもう一つの処理室１７（以下、まとめて「各構成要素」という。）の動作を制御するシステムコントローラ（図示しない）と、ローダーモジュール１３の長手方向に関する一端に配置されたオペレーションコントローラ６０を備える。

システムコントローラは、ＲＩＥ処理やウエハＷの搬送処理に対応するプログラムとしてのレシピに応じて各構成要素の動作を制御し、オペレーションコントローラ６０は、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）からなる状態表示部を有し、該状態表示部は各構成要素の動作状況を表示する。

図２は、図１における線II−IIに沿う断面図である。なお、図２では、図中上方を「上側」と称し、図中下方を「下側」と称する。

図２において、ローダーモジュール１３は、その内部において、上側に配置された排気ユニットとしてのＦＦＵ（Fan Filter Unit）３４と、フープ載置台１５に載置されたフープ１４に対応する高さに配置された搬送アーム機構１９と、下側に配置されたダクトファン３６とを備える。また、ＦＦＵ３４の上側におけるローダーモジュール１３の側面には複数の貫通穴からなる大気導入口４１が配置される。

ＦＦＵ３４は、上側から順に配置される、ファンユニット３７、除塵ユニット４０とから主として成る。

ファンユニット３７は下側に向けて大気を送出するファンを内蔵し、除塵ユニット４０はファンユニット３７を通過した大気中の塵芥を集塵するフィルタ（図示しない）を内蔵する。

ＦＦＵ３４は、以上の構成により、大気導入口４１を介してローダーモジュール１３の内部の上側に導入された大気を除塵して、ローダーモジュール１３の内部の下側に供給する。これによってダウンフローを形成する。また、これにより、ローダーモジュール１３の内部の大気は清浄化された大気と置換される。

搬送アーム機構１９は、屈伸可能に構成された多関節状の搬送アーム腕部４２と、該搬送アーム腕部４２の先端に取り付けられたピック４３とを有し、該ピック４３はウエハＷを載置するように構成されている。また、搬送アーム機構１９は、屈伸可能に構成された多関節腕状のマッピングアーム４４を有しており、該マッピングアーム４４の先端には、例えば、レーザ光を発してウエハＷの有無を確認するマッピングセンサ（図示しない）が配置されている。これらの搬送アーム腕部４２とマッピングアーム４４の各基端は、搬送アーム機構１９の基部４５から立設されたアーム基端部支柱４６に沿って昇降する昇降部４７に連結されている。また、当該アーム基端部支柱４６は旋回可能に構成されている。

フープ１４に収容されているウエハＷの位置及び数を認識するために行うマッピング操作では、マッピングアーム４４が延伸された状態で、該マッピングアーム４４が上昇或いは下降することにより、フープ１４内におけるウエハＷの位置及び枚数を確認する。

搬送アーム機構１９は、搬送アーム腕部４２によって屈曲自在であり、アーム基端部支柱４６によって旋回自在であるため、ピック４３に載置したウエハＷを、フープ１４、プロセスシップ１１、オリエンタ１６やもう一つの処理室１７の間において自在に搬送することができる。

ダクトファン３６は、ローダーモジュール１３の底面に穿孔された複数の貫通穴である大気排出口４９に対向して配置され、ローダーモジュール１３の内部の大気を大気排出口４９を介してローダーモジュール１３の外部へ排出する。

以下、このような構成の基板処理システム１０において実行される本発明の実施の形態に係る基板収納方法について説明する。本処理は、プロセスシップ１１のプロセスモジュール２５において、例えばＨＢｒガスやＣｌ_２ガスに基づくプラズマによってウエハＷにＲＩＥ処理が施された後に、基板収納用プログラムである基板収納レシピに応じて上記システムコントローラが実行する。

図３は、本発明の実施の形態に係る基板収納方法における基板収納処理を示すフローチャートである。

図３において、基板収納処理を開始すると、まず、ロード・ロックモジュール２７から、例えばＲＩＥ処理済みのウエハＷを搬送アーム機構１９によって受け取り、ローダーモジュール１３内に搬入する（ステップＳ１）。

次いで、搬送アーム機構１９によって、ウエハＷをロードポート２０ｂを介して開閉扉が開かれたフープ１４ｂ内に搬入し、例えば最も下方の把持部上にウエハＷを載置する（ステップＳ２）。以下、ステップＳ１とステップＳ２の操作を順次繰り返し、ウエハＷをフープ１４ｂ内に順次搬入して下部の把持部から順に載置、収納する。このような搬入ステップを、ウエハＷが最後のウエハ、例えば２５枚目のウエハＷになるまで繰り返し（ステップＳ３）、最後のウエハＷを搬入した後、待機ステップに移行する（ステップＳ４）。待機ステップでは、予め設定された遅延時間の計測が開始され、その後、遅延時間が経過するまでの間、フープ１４ｂに対応するロードポート２０ｂに設けられた開閉扉が解放状態のまま保持される。

次いで、予め設定された遅延時間が経過したか否かの判定を行い（ステップＳ５）、遅延時間が経過した後、フープ１４ｂに対応するロードポート２０ｂに設けられた開閉扉を閉じ（ステップＳ６）、本処理を終了する。

本実施の形態によれば、フープ１４ｂにウエハＷを搬入する搬入ステップ（ステップＳ３、ステップＳ４）の後、直ちに開閉扉を閉じることなく、所定の遅延時間が経過するまで開閉扉を開放状態に保持する待機ステップ（ステップＳ５）を設けたので、フープ１４ｂの内部雰囲気の汚染に起因するウエハＷの二次汚染を防止してウエハＷの歩留まり率の低下を回避することができる。

本実施の形態において、フープ１４ｂ内に収納されたウエハＷの二次汚染を防止して歩留まり率の低下を回避できるメカニズムは、必ずしも明らかではないが、ウエハＷのフープ１４ｂへの搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間フープ１４ｂに対応する開閉扉を開放状態にしておくことによって、ローダーモジュール１３に設けられたＦＦＵ３４に基づくダウンフローがフープ１４ｂ内に流入し、これによってウエハＷに付着して持ち込まれた異物がフープ１４ｂから排出され、清浄空気によって置換されるためと考えられる。

本実施の形態において、待機ステップにおける遅延時間は、フープ１４ｂ内の大気が、ＦＦＵ３４によって形成されたダウンフローによって置換されるまでの時間に設定される。遅延時間は、フープ１４ｂ内に搬入される最後のウエハＷが搬入された後、計測開始される。これによって、最後に収納されたウエハＷのみならず、それ以前にフープ１４ｂ内に収納されたウエハＷに対しても十分な遅延時間を確保することができ、ウエハＷの二次汚染を防止することができる。

本実施の形態において、遅延時間、すなわちウエハＷが収納されたフープ１４ｂ内の空間を清浄空気で置換するのに要する時間は、ウエハＷと共にフープ内に搬入される異物量に依存し、この異物量は、ウエハＷの種類に依存する。

フープ１４ｂに収納するウエハＷがダミーウエハ又はテストウエハである場合は、待機ステップを省略する。これらの基板には、異物が付着しておらず、フープ１４ｂ内を汚染する虞がないからである。待機ステップを省略することによって、スループットが向上する。ここで、ダミーウエハとは、製品ウエハにプラズマ処理を施す前に、基板処理室内の温度調整や処理室内部の堆積物の安定化のためにプラズマ処理するウエハをいい、テストウエハとは、製品ウエハの処理の合間に、テストとしてプラズマ処理特性の例えばエッチングレートや面内均一性などを確認するためのウエハをいう。これらのウエハは、汚染による歩留まりとは関連性が低いので、遅延時間を「０」に設定する。

フープ１４ｂに収納するウエハＷがＲＩＥ処理されたものである場合は、待機ステップを設け、遅延時間を、例えば４０分〜１２０分に設定する。ＲＩＥ処理後のウエハＷには、ＲＩＥ処理における雰囲気ガス、又は反応生成物を主体とするパーティクル等が付着していると考えられるからである。経験上、ＲＩＥ処理後のウエハＷをフープ内に２５枚収納する場合、最後（２５枚目）のウエハＷを収納した後、直ちに開閉扉を閉じると、２１枚目以降のウエハＷにおいて汚染（異常）が見られるというデータがある。従って、ウエハＷ１枚をフープ１４ｂから取り出して処理室で処理し、その後、またフープに搬入するまでの時間を、例えば１０ｍｉｎと仮定した場合、２０枚目のウエハＷを搬入した後であって２５枚目のウエハＷが搬入されるまでの時間、例えば５０分を遅延時間として設定することによって、２５枚面のウエハＷがフープ１４ｂ内に搬入された後、２１枚目から２５枚目のウエハＷが搬入されるまでの時間に匹敵する時間だけ、開閉扉を開放状態に保持することができるので、２５枚目のウエハＷだけでなく、２４枚目以前のウエハＷの搬入に伴ってフープ１４ｂ内に持ち込まれた異物を、効率よくフープ１４ｂから排出することができ、これによって、フープ１４ｂ内に搬入されたウエハＷの二次汚染を防止して歩留まり率の低下を抑制することができる。

この場合、遅延時間はウエハＷに対する処理内容、例えば適用される処理ガスの種類等に基づいて適宜変更される。フープ１４ｂに搬入されるウエハＷが、パージ処理後のウエハ、又は冷却処理後のウエハである場合も待機ステップが設けられる。但し、パージ処理によってウエハに付着した異物はある程度除去されているので、パージ処理後の待機ステップにおける遅延時間は、ＲＩＥ処理後のウエハＷの場合よりも短い、例えば２０分〜６０分に設定される。

なお、パージ処理において巻き上げられた反応生成物を主体とするパーティクルがウエハＷに再付着したり、冷却処理において残留ガス（ＨＢｒガス等）が凝固してウエハＷに付着することがあるので、これらの異物による影響をなくすためにも、パージ処理又は冷却処理後にも待機ステップは必要である。

本実施の形態において、基板処理システム１０は、待機ステップ（ステップＳ５）における遅延時間が有効か否かの切替手段を有することが好ましい。この切替手段は、例えば遅延時間の有効又は無効を選択する選択ボタンであり、ユーザによって、フープ１４ｂに搬入するウエハＷの種類、ウエハＷに施された処理内容に基づいて、搬入ステップ開始前又は搬入ステップ開始後且つ待機ステップ開始前に選択される。ユーザは、待機ステップの有効を選択した場合は、さらに遅延時間を設定する。

本実施の形態において、遅延時間の設定又は変更は、搬入ステップ開始前又は搬入ステップ開始後且つ待機ステップ開始前に行われる。遅延時間は、「０」に設定又は変更できるものとし、遅延時間として「０」を設定もしくは「０」に変更した場合、又は遅延時間の無効を選択した場合は、待機ステップの無効を選択した場合と同様の効果を生じる。これによって、ユーザは、ウエハＷのフープ１４ｂ内への搬入ステップを開始した後であっても、その後のウエハＷに対する処理内容等を考慮して待機ステップにおける遅延時間を「０」に設定して実質上、待機ステップの省略を選択することができるようになり、利便性が向上する。

本実施の形態において、ウエハＷを収納するフープ１４が複数（１４ａ〜１４ｃ）の場合、各フープに対応する開閉扉毎に、遅延時間を設定できるようにすることが好ましい。これによって、フープに収納されるウエハＷのロット毎に適正な遅延時間を設定してウエハＷの二次汚染を確実に防止することができる。また、フープ１４ａ〜１４ｃがロードポート１３の、例えば一側面に一列に配置されている場合は、ロードポート１３における中央部のフープ１４ｂに対応する開閉扉ほど遅延時間を短く、ロードポート１３における両端のフープ１４ａ及び１４ｃに対応する開閉扉ほど遅延時間を長く設定することが好ましい。これによって、ＦＦＵ３４に基づくダウンフローがショートパスし易い両端のフープ１４ａ及び１４ｃ内にも効果的にダウンフローを流入させることができ、これによって、全てのフープ１４ａ〜１４ｃ内を清浄空気によって確実に置換してウエハＷの二次汚染を防止することができる。

本実施の形態において、基板処理システム１０に、状態表示部を設けることが好ましい。状態表示部を設けることによって、基板収納方法における待機ステップである旨の表示及び／又は待機ステップにおける遅延時間の経過状況だけでなく、例えば現在のステップ又は、各ステップにおける経過時間等を表示することができるようになり、ユーザは、現在、のステップ、又は当該ステップにおける経過時間等を一目で確認できるようになり、利便性が向上する。

本実施の形態において、基板処理システム１０として、ローダーモジュール１３に対して複数のプロセスシップ１１が平行に配列されたシステムを適用したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各プロセスシップ１１が放射状に設けられたクラスター型の基板処理システムにも同様に適用することができる。

上述した実施の形態において、フープに収納される基板は半導体デバイス用のウエハに限られず、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＦＰＤ（Flat Panel Display）等に用いる各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等であってもよい。

また、本発明の目的は、上述した実施の形態の機能を実現するソフトウェアのプログラムコードを記憶した記憶媒体を、システム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ等）が記憶媒体に格納されたプログラムコードを読み出し実行することによっても達成される。

この場合、記憶媒体から読み出されたプログラムコード自体が上述した実施の形態の機能を実現することになり、そのプログラムコード及び該プログラムコードを記憶した記憶媒体は本発明を構成することになる。

また、プログラムコードを供給するための記憶媒体としては、例えば、フロッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ等の光ディスク、磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用いることができる。または、プログラムコードをネットワークを介してダウンロードしてもよい。

また、コンピュータが読み出したプログラムコードを実行することにより、上述した実施の形態の機能が実現されるだけではなく、そのプログラムコードの指示に基づき、コンピュータ上で稼動しているＯＳ（オペレーティングシステム）等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。

さらに、記憶媒体から読み出されたプログラムコードが、コンピュータに挿入された機能拡張ボードやコンピュータに接続された機能拡張ユニットに備わるメモリに書き込まれた後、そのプログラムコードの指示に基づき、その拡張機能を拡張ボードや拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の一部または全部を行い、その処理によって上述した実施の形態の機能が実現される場合も含まれる。

１０基板処理システム
１１プロセスシップ
１３ローダーモジュール
１４ａ〜１４ｃ、９０フープ
１５ａ〜１５ｃフープ載置台
１７もう一つの処理室
１９搬送アーム機構
２０ａ〜２０ｃロードポート
２５プロセスモジュール
２６搬送アーム
３４ＦＦＵ
３６ダクトファン
３７ファンユニット
４０除塵ユニット
４１大気導入口

Claims

基板に所定の処理を施す基板処理室と、
前記基板を収納する基板収納容器と、
前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、
前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、
前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、
を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法であって、
前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、
前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、
前記待機ステップにおける前記遅延時間は、前記搬入ステップにおいて、前記基板収納容器に収納される最後の基板が収納された後、計測開始されることを特徴とする基板収納方法。
基板に所定の処理を施す基板処理室と、
前記基板を収納する基板収納容器と、
前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、
前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、
前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、
を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法であって、
前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、
前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、
前記遅延時間は、前記基板収納容器に収納される前記基板の種類に応じて変更されることを特徴とする基板収納方法。
基板に所定の処理を施す基板処理室と、
前記基板を収納する基板収納容器と、
前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、
前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、
前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、
を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法であって、
前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、
前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、
前記遅延時間は、前記基板収納容器に収納される前記基板に施される処理内容に応じて変更されることを特徴とする基板収納方法。
基板に所定の処理を施す基板処理室と、
前記基板を収納する基板収納容器と、
前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、
前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、
前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、
を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法であって、
前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、
前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、
前記遅延時間は、前記基板収納容器が複数の場合は、各基板収納容器に対応する前記開閉扉毎に設定されることを特徴とする基板収納方法。
前記遅延時間は、前記基板収納容器に収納される前記基板の種類に応じて変更されることを特徴とする請求項１記載の基板収納方法。
前記基板収納容器に収納される基板がダミー基板又はテスト基板である場合は、前記遅延時間を「０」に設定することを特徴とする請求項２又は５記載の基板収納方法。
前記遅延時間は、前記基板収納容器に収納される前記基板に施される処理内容に応じて変更されることを特徴とする請求項１記載の基板収納方法。
前記基板収納容器に収納される基板がハロゲン系処理ガスによるプラズマ処理後の基板、パージ処理後の基板又は冷却処理後の基板である場合は、前記遅延時間を「０」以外の任意の時間に設定することを特徴とする請求項３又は７記載の基板収納方法。
前記搬入ステップ開始前又は前記搬入ステップ開始後且つ前記待機ステップ開始前に、前記遅延時間の設定又は変更を行うことを特徴とする請求項２乃至３及び５乃至８のいずれか１項に記載の基板収納方法。
前記搬入ステップ開始後且つ前記待機ステップ開始前における前記遅延時間の設定又は変更には、前記遅延時間を「０」に設定することが含まれることを特徴とする請求項９記載の基板収納方法。
前記遅延時間は、前記基板収納容器が複数の場合は、各基板収納容器に対応する前記開閉扉毎に設定されることを特徴とする請求項１乃至３及び５乃至１０のいずれか１項に記載の基板収納方法。
前記遅延時間は、前記基板収納容器が複数配列されている場合は、前記大気搬送室における中央部の基板収納容器に対応する開閉扉ほど短く、前記大気搬送室における両端の基板収納容器に対応する開閉扉ほど長く設定されることを特徴とする請求項４又は１１記載の基板収納方法。
前記基板処理システムは、状況表示部を有し、前記待機ステップである旨の表示及び／又は前記待機ステップにおける前記遅延時間の経過状況が前記状況表示部に表示されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の基板収納方法。
前記基板収納容器は、容器の前面が開放可能に設けられたフープであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の基板収納方法。
基板に所定の処理を施す基板処理室と、
前記基板を収納する基板収納容器と、
前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、
前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、
前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、
を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納したコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、
前記基板収納方法は、
前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、
前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、
前記待機ステップにおける前記遅延時間は、前記搬入ステップにおいて、前記基板収納容器に収納される最後の基板が収納された後、計測開始されることを特徴とする記憶媒体。
基板に所定の処理を施す基板処理室と、
前記基板を収納する基板収納容器と、
前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、
前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、
前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、
を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納したコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、
前記基板収納方法は、
前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、
前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、
前記遅延時間は、前記基板収納容器に収納される前記基板の種類に応じて変更されることを特徴とする記憶媒体。
基板に所定の処理を施す基板処理室と、
前記基板を収納する基板収納容器と、
前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、
前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、
前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、
を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納したコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、
前記基板収納方法は、
前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、
前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、
前記遅延時間は、前記基板収納容器に収納される前記基板に施される処理内容に応じて変更されることを特徴とする記憶媒体。
基板に所定の処理を施す基板処理室と、
前記基板を収納する基板収納容器と、
前記基板処理室と前記基板収納容器とを連結する大気搬送室及び該大気搬送室内に設けられた基板搬送ユニットと、
前記大気搬送室内に下降気流を形成して前記大気搬送室内の異物を底部から排出する排気ユニットと、
前記大気搬送室と前記基板収納容器との連結部に設けられた開閉扉と、
を有する基板処理システムにおける前記基板収納容器への基板収納方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納したコンピュータで読み取り可能な記憶媒体であって、
前記基板収納方法は、
前記基板収納容器に収納された複数の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板処理室に搬入して処理し、処理後の基板を前記基板搬送ユニットによって順次前記基板収納容器内に搬入する搬入ステップと、
前記搬入ステップが終了した後、所定の遅延時間が経過するまで前記開閉扉を開放状態のまま保持する待機ステップと、を有し、
前記遅延時間は、前記基板収納容器が複数の場合は、各基板収納容器に対応する前記開閉扉毎に設定されることを特徴とする記憶媒体。