JP5901978B2

JP5901978B2 - 基板処理装置、基板処理装置制御プログラム、及び半導体装置の製造方法

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Publication number: JP5901978B2
Application number: JP2012008958A
Authority: JP
Inventors: 真人白川
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2011-04-11
Filing date: 2012-01-19
Publication date: 2016-04-13
Anticipated expiration: 2032-01-19
Also published as: US20120258570A1; CN102738042A; JP2012231117A; KR20120115948A; KR101353148B1; US9443748B2; CN102738042B

Description

本発明は、ウェハ等の基板を処理する基板処理装置、基板処理装置制御プログラム、及び半導体装置の製造方法に関し、例えば、半導体集積回路（以下、ＩＣという。）が作り込まれる半導体基板（例えば、半導体ウェハ）に成膜等の処理を行うものであり、特に、複数の基板を収容した基板収容器を複数備え、例えば、第１の基板収容器内の基板を１枚ずつ順に処理室へ搬送して処理し、第１の基板収容器内の基板の処理が終了すると、次に、第２の基板収容器内の基板を１枚ずつ順に処理室へ搬送して処理する基板処理装置、基板処理装置制御プログラム、及び半導体装置の製造方法に関する。

従来は、複数の基板収容器を基板処理装置のロードポートに載置し、該載置した複数の基板収容器のうち、例えば、第１の基板収容器の蓋を開けて基板収容器内に収容したウェハの有無や位置を確認し枚数をカウントするウェハマッピングを行った後、第１の基板収容器内の基板を１枚ずつ順に処理室へ搬送して処理する。また、第１の基板収容器に対しウェハマッピングを行った後、第２の基板収容器の蓋を開けて、第２の基板収容器に対しウェハマッピングを行う。ウェハマッピングを終了した第２の基板収容器は蓋を開けた状態で待機し、第１の基板収容器内の全ての基板の処理が終了した後、第２の基板収容器内の基板の処理が開始される。
下記の特許文献１には、ロードポートに載置した複数の基板収容器から、順次、基板を取り出して処理室に搬送して処理を行う基板処理装置が開示されている。

特開２０１０−９８２４７号公報

従来の基板処理装置においては、複数の基板収容器、例えば、第１の基板収容器の蓋を開けてウェハマッピングを行った後、第１の基板収容器内の基板処理を開始するとともに、第２の基板収容器の蓋を開けてウェハマッピングを行い、ウェハマッピング終了後も、第２の基板収容器は蓋を開けた状態で待機している。このため、待機中において第２の基板収容器内のウェハが、基板処理装置内の空気に晒され、ウェハ表面にパーティクルが付着する等の恐れがある。

上述の課題を解決するため、本発明においては、基板収容器の蓋を開けてウェハマッピング等の処理を行った後、待機中の基板収容器の蓋を閉じ、基板収容器内の基板の処理開始に合わせて、再び基板収容器の蓋を開けるものである。
本明細書において開示される基板処理装置に関する発明のうち、代表的なものは、次のとおりである。すなわち、
基板を複数収容した基板収容器を複数載置する載置台と、
前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開閉する蓋開閉部と、
蓋を開けられた基板収容器内の基板の有無又は位置を確認する基板確認を行う基板確認部と、
基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構により搬送された前記処理室内の基板に対して処理を行う基板処理部と、
前記蓋開閉部と前記基板確認部と前記基板処理部と前記基板搬送機構を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記載置台に載置された第１の基板収容器内の基板を対象として前記基板処理部が基板処理中に、第２の基板収容器が前記載置台に載置された場合、前記第２の基板収容器の蓋を開けて、前記第２の基板収容器内の基板に対して前記基板確認部による基板確認を行い、該基板確認が終了すると、前記第２の基板収容器の蓋を閉じるよう制御する基板処理装置。

上記のように基板処理装置を構成すると、ある基板収容器内の基板が処理されている間に、次の基板収容器が搬送されてウェハマッピング等の処理後、蓋を自動的に閉めることができるため、次の基板収容器内の基板に付着するパーティクルが低減される。

本発明の実施形態に係る基板処理装置を、上面から見た断面図である。本発明の実施形態に係る基板処理装置を、側面から見た断面図である。本発明の実施形態に係るコントローラの説明図である。本発明の実施形態に係る処理部を、側面から見た断面図である。本発明の実施形態に係る基板収容器の蓋開閉動作フローチャートである。所定の前工程を行った場合に図５の蓋開閉動作を実行する構成例における制御部の動作フローチャートである。

本発明の実施形態に係る基板処理装置について、図１及び図２を用いて説明する。図１は、基板処理装置を上面から見た図であり、図２は、基板処理装置を側面から見た図である。
本発明が適用される基板処理装置においては、ウェハなどの基板を搬送するキャリヤ（基板収容器）として、ＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）が使用される。ポッドは、例えばウェハを２５枚収容でき、ウェハを出し入れする開口部を閉塞する蓋を備える。この蓋により、ポッド内の雰囲気をポッド外の雰囲気と分離し、ポッド内のウェハがポッド外の雰囲気により悪影響を受けないようにするものである。
なお、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、前方向とは、第１搬送室１１０から見て、第２搬送室１２０の方向である。後方向とは、第２搬送室１２０から見て、第１搬送室１１０の方向である。左方向とは、第１搬送室１１０から見て、処理部１５０の方向である。右方向とは、第１搬送室１１０から見て、処理部１５３の方向である。

図１および図２に示されているように、基板処理装置は、第１搬送室１１０を備えている。第１搬送室１１０は、真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐え得る構造である。第１搬送室１１０の筐体１１１は、平面視（上側から見た形）が五角形で、閉塞された箱形状に形成されている。第１搬送室１１０には、第１のウェハ移載機１１２が設置されている。第１のウェハ移載機１１２は、負圧下において、２枚のウェハ２００を同時に移載可能である。第１のウェハ移載機１１２は、第１搬送室１１０の気密性を維持した状態で、エレベータ１１３によって、昇降できるように構成されている。

第１搬送室の筐体１１１の５枚の側壁のうち、前側の１枚の側壁には、ロードロック室（Load Lock Chamber）１３１と１４１が、それぞれ、ゲートバルブ１３４、１４４を介して連結されている。ロードロック室１３１と１４１は、それぞれ、負圧に耐え得る構造である。ロードロック室１３１には、基板を一時的に載置する基板置き台１３２、１３３が設置され、ロードロック室１４１には、基板置き台１４２、１４３が設置されている。

ロードロック室１３１およびロードロック室１４１の前側には、略大気圧下で用いられる第２搬送室１２０が、ゲートバルブ１３０、１４０を介して、連結されている。第２搬送室１２０には、第２のウェハ移載機１２２が設置されている。第２のウェハ移載機１２２は、２枚のウェハ２００を同時に移載可能である。第２のウェハ移載機１２２は、第２搬送室１２０に設置されたエレベータ１２３によって昇降されるとともに、リニアアクチュエータ１２４によって左右方向に移動される。
主に第１のウェハ移載機１１２と第２のウェハ移載機１２２から、基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送機構が構成される。

図１に示されているように、第２搬送室１２０内の左側部分には、ノッチ合わせ装置１０７が設置されている。また、図２に示されているように、第２搬送室１２０の上部には、クリーンエアを供給するクリーンユニット１０６が設置されている。

図１および図２に示されているように、第２搬送室１２０の筐体１２１には、ウェハ２００を第２搬送室１２０に対して搬入搬出するためのウェハ搬入／搬出口１０４と、ウェハ搬入／搬出口１０４を閉塞するためのドア１０５と、ポッドオープナ１０３が設置されている。
ポッドオープナ１０３は、Ｉ／Ｏステージ（ロードポート）１００に載置されたポッド１０１のキャップ（蓋）を開閉するキャップ開閉機構１０２を備えている。主にＩ／Ｏステージ１００から、基板収容器を複数載置する載置台が構成される。主にキャップ開閉機構１０２から、載置台に載置された基板収容器の蓋を開閉する蓋開閉部が構成される。キャップ開閉機構１０２は、ポッド１０１のキャップとともに、ウェハ搬入／搬出口１０４を閉塞するドア１０５を開閉する。Ｉ／Ｏステージ１００に載置されたポッド１０１のキャップ、及びドア１０５を開けることにより、ポッド１０１内のウェハ２００の出し入れが可能となる。また、ポッド１０１は、図示しない工程内搬送装置（ＡＧＶ：Automatic Guided Vehicle／ＯＨＴ：Overhead Hoist Transfer）によって、Ｉ／Ｏステージ１００に供給され、また、Ｉ／Ｏステージ１００から排出される。

図１に示されているように、第１搬送室１１０の筐体１１１の５枚の側壁のうち、左右及び後側に位置する４枚の側壁には、ウェハ２００に所望の処理を行う第１の処理部１５０、第２の処理部１５１、第３の処理部１５２、第４の処理部１５３が、それぞれ、ゲートバルブ１６０、１６１、１６２、１６３を介して連結されている。
１０８は、基板処理装置を制御する制御部（コントロ−ラ）であり、キャップ開閉機構１０２、ノッチ合わせ装置１０７、第１のウェハ移載機１１２等、基板処理装置を構成する各構成部を制御するものである。
各処理部１５０、１５１、１５２、１５３は、同一種類の基板処理を行う処理部であっても良いし、また装置の目的に応じて、それぞれ異なる種類の基板処理を行う処理部としても良い。
本実施例においては、同一処理部として、以下に説明する。また、処理部の詳細は後述する。

以下、前記した構成をもつ基板処理装置を使用する基板処理工程を説明する。この基板処理工程においては、基板処理装置の各構成部を、制御部１０８が制御するものである。
まず、未処理のウェハ２５枚を収納したポッド１０１が、工程内搬送装置によって、基板処理装置へ搬送されて来る。図１および図２に示されているように、搬送されてきたポッド１０１は、Ｉ／Ｏステージ１００の上に、工程内搬送装置から受け渡されて載置される。
Ｉ／Ｏステージ１００上のプレートに載置されたポッド１０１は、クランプ（不図示）によりプレートに固定され、該ポッド１０１のＩＤがＩＤ読取装置（不図示）により読取られて認証される。その後、ポッド１０１を載せたプレートが、ポッド１０１のキャップを開閉できるドック位置へ移動する。

ドック位置において、ポッド１０１のキャップ及びウェハ搬入／搬出口１０４を閉塞するドア１０５が、キャップ開閉機構１０２によって取り外され、ポッド１０１のウェハ出し入れ口１０４が開放される。キャップを開放されたポッド１０１に対し、ウェハマッピング装置（不図示）により、該ポッド１０１内のウェハ２００の有無や枚数や位置、つまりウェハマッピング状態が調べられ確認される。ウェハマッピング装置は、ウェハ２００のウェハマッピング状態を調べると、その内容を、コントローラ１０８へ報告する。主にウェハマッピング装置から、蓋を開けられた基板収容器内の基板の有無又は位置又は基板枚数を確認する基板確認を行う基板確認部が構成される。

ウェハマッピング状態の調査、確認が終了すると、他のポッド１０１内のウェハ２００が処理室で処理中の場合は、ポッド１０１のキャップ及びウェハ搬入／搬出口１０４を閉塞するドア１０５が、キャップ開閉機構１０２によって取り付けられ、ポッド１０１のウェハ出し入れ口１０４が閉塞される。ウェハマッピング状態調査終了後のポッド１０１のキャップ閉塞動作の詳細については、後述する。
ウェハマッピング状態調査終了後のポッド１０１は、処理室における処理タイミングが近づくと、ポッドオープナ１０３により開放される。

ウェハ処理のためにポッド１０１がポッドオープナ１０３により開放されると、第２搬送室１２０に設置された第２のウェハ移載機１２２は、ポッド１０１からウェハ２００を１枚ピックアップして、ノッチ合わせ装置１０７へ載置する。

ノッチ合わせ装置１０７は、載置されたウェハ２００を、水平の縦横方向（Ｘ方向、Ｙ方向）及び円周方向に動かして、ウェハ２００のノッチ位置等を調整する。
ノッチ合わせ装置１０７で１枚目のウェハ２００の位置調整実施中に、第２のウェハ移載機１２２は、２枚目のウェハ２００を、ポッド１０１からピックアップして、第２搬送室１２０内に搬出し、第２搬送室１２０内で待機する。

ノッチ合わせ装置１０７により前記１枚目のウェハ２００の位置調整が終了した後、第２のウェハ移載機１２２は、ノッチ合わせ装置１０７上の前記１枚目のウェハ２００をピックアップする。第２のウェハ移載機１２２は、そのとき第２のウェハ移載機１２２が保持している前記２枚目のウェハ２００を、ノッチあわせ装置１０７へ載置する。その後、前記２枚目のウェハ２００に対して、ノッチ合わせが行なわれる。

次に、ゲートバルブ１３０が開けられ、第２のウェハ移載機１２２は、前記１枚目のウェハ２００を、第１のロードロック室１３１に搬入し、基板置き台１３３上に移載する。この移載作業中には、第１搬送室１１０側のゲートバルブ１３４は閉じられており、第１搬送室１１０内の負圧は維持されている。

前記１枚目のウェハ２００の基板置き台１３３への移載が完了すると、ゲートバルブ１３０が閉じられ、第１のロードロック室１３１内が、排気装置（図示せず）によって、負圧になるよう排気される。
第１のロードロック室１３１内の雰囲気の排気と並行して、第２のウェハ移載機１２２は、ノッチ合わせ装置１０７から前記２枚目のウェハ２００をピックアップする。そして、ゲートバルブ１４０が開けられると、第２のウェハ移載機１２２は、前記２枚目のウェハ２００を第２のロードロック室１４１に搬入し、基板置き台１４３に移載する。そしてゲートバルブ１４０が閉じられ、第２のロードロック室１４１内が、排気装置（図示せず）によって、負圧になるよう排気される。

以下、第２のウェハ移載機１２２は、以上の動作を繰り返す。このとき、第１のロードロック室１３１および第２のロードロック室１４１が負圧状態の場合は、第２のウェハ移載機１２２は、第１のロードロック室１３１及び第２のロードロック室１４１へのウェハ２００の搬入を実行せず、第１のロードロック室１３１または第２のロードロック室１４１の直前位置で停止して待機する。

ロードロック室１３１が、予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ１３４が開かれる。続いて、第１搬送室１１０の第１のウェハ移載機１１２は、基板置き台１３３から、前記１枚目のウェハ２００をピックアップする。

第１のウェハ移載機１１２が、基板置き台１３３から前記１枚目のウェハ２００をピックアップした後、ゲートバルブ１３４が閉じられ、基板ロードロック室１３１内が大気圧に戻され、ロードロック室１３１に次のウェハを搬入するための準備が行われる。
それと並行して、第１の処理部１５０のゲートバルブ１６０が開かれ、ウェハ移載機１１２が、前記１枚目のウェハ２００を、第１の処理部１５０に搬入する。そして第１の処理部１５０内に、ガス供給装置（図示せず）から処理用ガスが供給され、所望の処理が前記１枚目のウェハ２００に施される。主にガス供給装置や基板置き台１３３や、後述するアノード電極４２０やカソード電極４３０や排気ライン４１０等から、処理室内の基板に対して処理を行う基板処理部が構成される。

続いて、第２のロードロック室１４１が予め設定された圧力値に減圧されると、ゲートバルブ１４４が開かれる。続いて第１搬送室１１０の第１のウェハ移載機１１２は、基板置き台１４３から、前記２枚目のウェハ２００をピックアップする。
第１のウェハ移載機１１２が、前記２枚目のウェハ２００をピックアップした後、ゲートバルブ１４４が閉じられて、第２のロードロック室１４１内が大気圧に戻され、第２のロードロック室１４１に次のウェハを搬入するための準備が行われる。
それと並行して、第２の処理部１５１のゲートバルブ１６１が開かれ、ウェハ移載機１１２が、前記２枚目のウェハ２００を、第２の処理部１５１に搬入する。そして第２の処理部１５１内にガス供給装置（図示せず）から処理ガスが供給され、所望の処理が前記２枚目のウェハ２００に施される。

以下、同様にして第３の処理部１５２、第４の処理部１５３に、次のウェハ２００が搬入され、所望の処理が施される。

第１の処理部１５０において処理が終了したら、第１のウェハ移載機１１２は、処理部１５０から搬出したウェハ２００を、第１のロードロック室１３１へ搬入し、基板置き台１３２上に載置する。
このとき、第１のロードロック室１３１内の基板置き台１３３上に未処理のウェハが存在する場合、第１のウェハ移載機１１２は、前記未処理ウェハを、第１のロードロック室１３１から第１搬送室１１０へ搬出する。

そして、ゲートバルブ１３４が閉じられ、第１のロードロック室１３１内で処理済みのウェハ２００の冷却が開始されると同時に、第１のロードロック室１３１に接続された不活性ガス供給装置（図示せず）から不活性ガスが導入され、第１のロードロック室１３１内の圧力が大気圧に戻される。

第１のロードロック室１３１において、予め設定された冷却時間が経過し、かつ第１のロードロック室１３１内の圧力が大気圧に戻されると、ゲートバルブ１３０が開かれる。続いて、第２搬送室１２０の第２のウェハ移載機１２２が、基板置き台１３２から処理済みのウェハ２００をピックアップして第２搬送室１２０に搬出した後、ゲートバルブ１３０が閉じられる。
その後、第２のウェハ移載機１２２は、第２搬送室１２０のウェハ搬入／搬出口１０４を通して、処理済みのウェハ２００を、ポッド１０１に収納する。

前述の工程によってポッド１０１内の全てのウェハに所望の処理が行われ、処理済みの２５枚のウェハの全てが、ポッド１０１へ収納されると、ポッド１０１のキャップとウェハ搬入／搬出口１０４を閉塞するドア１０５が、ポッドオープナ１０３によって閉じられる。閉じられたポッド１０１は、Ｉ／Ｏステージ１００の上から次の工程へ、工程内搬送装置によって搬送される。
以上の動作が繰り返されることにより、ウェハが２５枚ずつ、順次処理されていく。

次に、コントローラ１０８について説明する。コントローラ１０８は、少なくとも上述した蓋開閉部や基板確認部や基板処理部や基板搬送機構など、基板処理装置の各構成部を制御するもので、搬送制御、プロセス制御を行う制御プログラムを実行するように構成される。図３は、図１及び図２に示す基板処理装置を制御するためのコントローラ１０８の構成を示すブロック図である。
図３において、コントローラ１０８は、蓋開閉部や基板確認部や基板搬送機構などを制御するための統括制御コントローラ１３と、第１の処理部１５０を制御するためのプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（１）１４と、第２の処理部１５１を制御するためのプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（２）１５と、上記制御プログラムを含む操作部プログラムを記憶する記憶部を備えた操作部１２が、ＬＡＮ回路１６で接続され、構成されている。
また、統括制御コントローラ１３には、第１の移載機１１２を制御する真空ロボットコントローラ１３ａ、第２の移載機１２２を制御する大気ロボットコントローラ１３ｂ、マスフローコントローラＭＦＣ１３ｃなどが接続されている。
さらに、操作部１２は、ユーザインタ−フェース（ＧＵＩ）、Ｊｏｂ制御（生産の順番制御）、Ｈｏｓｔ対応（Ｈｏｓｔのイベント／モニタ報告、Ｈｏｓｔからの命令処理）などに使用される操作部プログラムを実行するように構成される。

プロセスチャンバコントローラＰＭＣ（１）１４には、マスフローコントローラＭＦＣ１４ａ、ＡＰＣ１４ｂ、温度調節器１４ｃ、バルブＩ／Ｏ１４ｄなどが接続されている。
ここで、ＭＦＣ１４ａは、ガスの流量を制御するためのマスフローコントローラであり、ＡＰＣ１４ｂは、プロセスチャンバＰＭ内の圧力を制御するためのオートプレッシャーコントローラである。また、温度調節器１４ｃは、処理室としてのプロセスチャンバＰＭ内の温度制御を行うものであり、バルブＩ／Ｏ１４ｄは、ガスや排気用のバルブのＯＮ／ＯＦＦを制御するための入出力ポートである。また、ＰＭＣ（２）１５も、ＰＭＣ（１）１４と同様な構成である。尚、図示されていないが、第３の処理部１５２を制御するためのプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（３）と、第４の処理部１５３を制御するためのプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（４）も同様な構成で、同じようにＬＡＮ回路１６に接続されている。

操作部１２は、システム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、及びパラメータ編集などの画面を表示する表示部１８を有している。また、本実施形態において、操作部１２は、後述する蓋開閉制御プログラムを実行するか否かを設定する画面を表示する。
また、操作部１２には、表示部１８に表示される画面を介して入力された指示データや各種レシピ（プロセスレシピ、ダミー基板用レシピ等）が格納される。また、本実施形態におけるウェハマッピングを行うプログラムや、後述する蓋開閉制御プログラムを含む操作部プログラムが、操作部１２の記憶部に格納されている。

また、統括制御コントローラ１３は、システム全体の運用制御、真空ロボットコントローラ１３ａの制御、大気ロボットコントローラ１３ｂの制御、ＭＦＣ１３ｃやバルブやポンプなどを制御するガス供給・排気系制御を行う。

次に、図３に示すコントローラ１０８の基本的な運用例について説明する。
工程内搬送装置により搬送されてきたポッド１０１が、Ｉ／Ｏステージ１００の上に載置されると、統括制御コントローラ１３は、ポッド１０１のキャップを開放し、ウェハマッピング装置により、該ポッド１０１内のウェハ２００のウェハマッピング状態を調べ確認する。ウェハマッピング状態調査終了後において、他のポッド１０１内のウェハ２００が処理室で処理中の場合は、ポッド１０１のキャップを閉塞する。

操作部１２又は基板処理装置の上位のホストコンピュータからの、あるポッド１０１に対する生産指示であるコマンド指示を受けた統括制御コントローラ１３は、該ポッド１０１のキャップを開放し、ウェハ搬送指示を大気ロボットコントローラ１３ｂに指示する。すると、該大気ロボットコントローラ１３ｂは、第２の移載機１２２を制御して、ウェハ２００をポッド１０１からノッチ合せ装置１０７を介して予備室兼冷却室１３１，１４１に搬送させる。そして、統括制御コントローラ１３は、ウェハ２００を搬送させると予備室兼冷却室１３１，１４１の排気制御（つまり、ポンプやバルブの制御）を実施する。そして、予備室兼冷却室１３１，１４１が所定の負圧力に達したところで、真空ロボットコントローラ１３ａに指示してウェハ２００を該当する第１の処理部１５０へ搬送させる。

続いて、ＰＭＣ（１）１４又はＰＭＣ（２）１５等に対して、ウェハ２００に付加価値を与えるためのプロセスレシピの実行指示を行い、ウェハ２００に所定の処理が施される。処理済のウェハ２００は、第１の処理部１５０から予備室兼冷却室１３１，１４１へ搬送され、更に大気圧に戻された後、元のポッド１０１に搬送される。尚、予め搬送先に異なるポッド指定されている場合、元のポッド１１０ではなく、指定されたポッドに搬送してもよい。

次に、処理部について図４を用いて説明する。図４は、本実施形態に係る処理部を側面から見た断面図である。図４には、複数の処理部１５０，１５１，１５２，１５３のうち少なくとも一つに用いられる処理装置の例として、プラズマ処理装置４００が示されている。図４に示されているように、プラズマ処理装置４００は処理室４０２を形成する真空容器４０４を備えている。真空容器４０４の側壁には、被処理基板としてのウェハ２００を処理室内に搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口４０６が開設されており、ウェハ搬入搬出口４０６はゲートバルブ４０８によって開閉されるように構成されている。

真空容器４０４の底壁には排気ライン４１０の一端が接続されており、排気ライン４１０の他端は真空排気手段としての真空排気装置４１１に接続されている。排気ライン４１０の途中には排気コンダクタンス調整手段としての排気コンダクタンス調整弁４１２が介設されている。排気コンダクタンス調整弁４１２には排気コンダクタンス調整弁制御装置４１４が電気的に接続されており、排気コンダクタンス調整弁制御装置４１４には、処理室４０２内の圧力を検出する圧力センサ４１６が電気的に接続されている。排気コンダクタンス調整弁制御装置４１４は圧力センサ４１６からの検出結果及びコントローラ１０８からの指令に基づいて、排気コンダクタンス調整弁４１２を制御することにより、処理室４０２内の圧力を調整するように構成されている。

真空容器４０４の処理室４０２内にはアノード電極（陽極）４２０が設置されている。アノード電極４２０の内部にはガス通路４２４が形成されており、アノード電極４２０の下面にはシャワー板４２２がガス通路４２４を仕切るように嵌め込まれている。シャワー板４２２には多数個の吹出口４２６がガスをシャワー状に吹き出すように開設されている。アノード電極４２０のガス通路４２４にはガス導入手段としてのガス導入ライン４２８が接続されており、ガス通路４２４にはガス導入ライン４２８から多種類のガスが導入されるようになっている。

一方、真空容器４０４の処理室４０２の下部にはカソード電極（陰極）４３０が設置されている。カソード電極４３０はウェハ２００を載置した状態で保持する基板載置台（サセプタ）を兼用するように構成されており、サセプタ兼用のカソード電極４３０には保持したウェハ２００を加熱するヒータ（図示せず）が内蔵されている。

アノード電極４２０とカソード電極４３０との間には、高周波電力供給手段としての高周波発振器４３２がインピーダンス整合器４３４を介して接続されており、高周波発振器４３２は前述のＰＭＣ（１）１４（若しくはＰＭＣ（２）１５）に相当するコントローラ４１８に通信線４３６によって接続されている。高周波発振器４３２はコントローラ４１８からの指令に応答してインピーダンス整合器４３４を介してアノード電極４２０とカソード電極４３０との間に高周波電圧を印加するようになっている。

カソード電極４３０には自己バイアス電圧検出手段としての電圧計４３８が接続されており、電圧計４３８は検出結果を通信線４４０によってコントローラ４１８に送信するように構成されている。コントローラ４１８には記憶装置４４２、表示装置４４４及び入力装置４４６が接続されている。ここで、コントローラ４１８は、前述のＰＭＣ（１）１４である。また、記憶装置４４２が別体となっている例を示しているが、例えば、コントローラ４１８内に組み込まれていているメモリ等を用いても良い。

コントローラ４１８にはソフトウェアの機能として、進行波電力量及び累積自己バイアス電圧の管理機能が組み込まれている。このため、コントローラ４１８はプラズマ処理に関するデータとして、進行波電力値を高周波発振器４３２から通信線４３６を介して取得して、記憶装置４４２に格納するように構成されている。また、コントローラ４１８はプラズマ処理に関するデータとして、自己バイアス電圧値を電圧計４３８から通信線４４０を介して取得して、記憶装置４４２に格納するように構成されている。

次に、前記構成に係るプラズマ処理装置４００によるウェハ２００への膜の形成方法を説明する。
膜を形成すべきウェハ２００がウェハ搬入搬出口４０６に搬送されてくると、ゲートバルブ４０８が開けられ、ウェハ２００がウェハ搬入搬出口４０６から処理室４０２内に搬入され、サセプタを兼用するカソード電極４３０の上に載置される。ウェハ２００がカソード電極４３０に設置されて保持されると、ウェハ搬入搬出口４０６がゲートバルブ４０８によって閉じられる。処理室４０２内が真空排気装置４１１によって排気ライン４１０及び排気コンダクタンス調整弁４１２を通じて排気される。

処理室４０２内が所定の圧力に維持されながら、原料ガスがガス導入ライン４２８からガス通路４２４に導入され、処理室４０２内にシャワー板４２２の吹出口４２６からシャワー状に吹き出される。処理室４０２内の圧力を一定に維持する方法としては、圧力センサ４１６から出力されて排気コンダクタンス調整弁制御装置４１４に入力される信号に基づいて、排気コンダクタンス調整弁４１２が制御されるフィードバック制御方法が使用される。

処理室４０２内が所定の圧力に維持された状態で、コントローラ４１８に入力装置４４６から設定された電力値が高周波発振器４３２に通信線４３６を通じて設定され、高周波電力が高周波発振器４３２によって発生される。高周波発振器４３２によって発生された高周波電力は、アノード電極４２０にインピーダンス整合器４３４を通して印加される。高周波電力が印加されると、アノード電極４２０とカソード電極４３０との間にプラズマが生成される。このようにして生成されたプラズマにより、処理室４０２内にシャワー状に吹き出された原料ガスが分解又は活性化し、サセプタを兼ねるカソード電極４３０に保持されたウェハ２００の上に堆積し、膜が形成される。

次に、ウェハマッピング装置によるウェハマッピング状態調査前後のポッド１０１のキャップ開閉動作について、図５を用いて詳しく説明する。図５は、本実施形態に係る基板収容器の蓋、つまりポッド１０１のキャップの開閉動作フローチャートである。図５における開閉動作は、コントローラ１０８により蓋開閉制御プログラムが実行されることで実現する。
前述したように、Ｉ／Ｏステージ１００に搬入されたポッド１０１は、ドック位置にて、ポッド１０１のキャップが、キャップ開閉機構１０２によって取り外され、ポッド１０１のウェハ出し入れ口１０４が開放される（ステップＳ１）。このとき、キャップ開放と同時に、キャップを開放されたポッド１０１に対し、ウェハマッピング装置により、該ポッド１０１内のウェハ２００のウェハマッピング状態が調べられ確認される。
ウェハマッピング確認後、キャップ閉塞までの時間をカウントする閉塞タイマーをスタートさせる（ステップＳ２）。そして、閉塞タイマーがタイムアップするまで待つ（ステップＳ３）。
閉塞タイマーがタイムアップすると（ステップＳ３でＹｅｓ）、Ｉ／Ｏステージ１００に他のポッド１０１が存在するか否かを判断する（ステップＳ４）。

このように、上記の閉塞タイマーを設けて、ポッド１０１のキャップ開放から所定時間後にキャップ閉塞する理由、つまり、ポッド１０１のキャップを開放してウェハマッピングを行い、ウェハマッピング終了からキャップ閉塞までの遅延時間を設ける理由は、ウェハマッピング終了後の無駄なキャップ閉塞動作を省くためである。Ｉ／Ｏステージ１００に他のポッド１０１が存在しない場合は、ウェハマッピング終了後に、ホストコンピュータ等からの生産指示が発行される。そのため、ウェハマッピング終了からキャップ閉塞までの遅延時間を設けない場合は、ウェハマッピング終了後にキャップ閉塞し、次に生産指示を受信するとキャップを開放することになる。
なお、この閉塞タイマーは必ずしも設ける必要はなく、閉塞タイマー機能を使用するか否かを、操作部１２から設定できるようにしてもよい。

Ｉ／Ｏステージ１００に他のポッド１０１が存在しない場合は（ステップＳ４でＮｏ）、上記のウェハマッピング確認を行ったポッド１０１に対して、ホストコンピュータ等からの生産指示、すなわち該ポッド１０１内のウェハに対して処理室での処理を行う指示が発行されているか否かを判断する（ステップＳ１１）。

生産指示がなされている場合は（ステップＳ１１でＹｅｓ）、そのポッド１０１のキャップは閉塞されることなく、開放された状態を保ち、ステップＳ７及びステップＳ８へ移行し、ウェハに対する処理を開始する。具体的には、ポッド１０１内のウェハ２００が、第２の移載機１２２によりノッチ合せ装置１０７を介して例えば予備室兼冷却室１３１に搬送され、第１のウェハ移載機１１２により例えば第１の処理部１５０へ搬送され処理される。

生産指示がなされていない場合は（ステップＳ１１でＮｏ）、ポッド１０１のキャップが、キャップ開閉機構１０２によって一旦閉塞され（ステップＳ１２）、生産指示がなされるまで待って（ステップＳ１３）、ポッド１０１のキャップを、キャップ開閉機構１０２によって開放し（ステップＳ１４）、ステップＳ７及びステップＳ８へ移行し、ウェハに対する処理を開始する。

Ｉ／Ｏステージ１００に他のポッド１０１が存在する場合は（ステップＳ４でＹｅｓ）、該他のポッド１０１内のウェハを処理中であるか否かを判断し（ステップＳ５）、処理中でない場合は（ステップＳ５でＮｏ）、上述のステップＳ１１へ移行する。

ここで、上述した、他のポッド１０１内のウェハを処理中である状態について説明する。Ｉ／Ｏステージ１００上のポッド１０１内のウェハは、ホストコンピュータ等からの生産指示が発行された後、ノッチ合せ装置１０７を経て例えば予備室兼冷却室１３１に搬送され、予備室兼冷却室１３１から例えば第１の処理部１５０へ搬送され処理される。その後、処理済みのウェハは、第１の処理部１５０から予備室兼冷却室１３１へ搬送され、予備室兼冷却室１３１からＩ／Ｏステージ１００上のポッド１０１内へ戻される。
上述した、他のポッド１０１内のウェハを処理中である状態とは、該他のポッド１０１に対するホストコンピュータ等からの生産指示が発行されてから、他のポッド１０１内の最終の未処理ウェハ（例えば、ポッド１０１内に２５枚のウェハがある場合は、２４枚が処理済みとなり、残った２５枚目の未処理ウェハ）が、例えば第１の処理部１５０へ搬送され処理された後、Ｉ／Ｏステージ１００上のポッド１０１内へ戻されるまでの状態である。この場合、他のポッド１０１は、前ロットであっても同じロットであってもよい。

他のポッド１０１内のウェハを処理中である場合は（ステップＳ５でＹｅｓ）、上記のウェハマッピング確認を行ったポッド１０１に対して、ホストコンピュータ等からの生産指示が発行されているか否かを判断する（ステップＳ６）。生産指示が発行されていない場合は（ステップＳ６でＮｏ）、上述のステップＳ１２へ移行し、ポッド１０１のキャップを一旦閉塞し、生産指示を待つ。

ここで本実施形態では、Ｉ／Ｏステージ１００上に複数のポッド１０１がある場合、１つ先に処理中である他のポッド１０１内の最終の未処理ウェハを、コントローラ１０８が、Ｉ／Ｏステージ１００上のポッド１０１内から、第２の移載機１２２に搭載したとき、つまり、コントローラ１０８が基板搬送機構により前記未処理ウェハを搬出したときに、ホストコンピュータ等からの生産指示が発行されるようになっている。したがって、ウェハマッピング終了後のポッド１０１は、処理室における処理タイミングが近づくと、ポッドオープナ１０３により開放される。つまり、コントローラ１０８は、ウェハマッピング終了後のポッド１０１内のウェハに対して処理が開始されるタイミングを算出し、該算出したタイミングに従い、ウェハマッピング終了後のポッド１０１の蓋を開けるよう制御する。

また、上述したように、Ｉ／Ｏステージ１００上に複数のポッド１０１がある場合、１つ先に処理中である他のポッド１０１内の最終の未処理ウェハが、Ｉ／Ｏステージ１００上のポッド１０１内から、第２の移載機１２２に搭載されたときに、ホストコンピュータ等からの生産指示が発行されるようになっている。これにより、生産指示があった場合は、ポッド１０１のキャップは閉塞されることなく開放された状態を保つので、他のポッド１０１の処理後にポッド１０１のキャップを開放する場合に比べて、スループットを向上できる。

ちなみに本実施形態では、ポッド１０１のキャップを開放する動作時間は約１０秒であり、キャップを閉塞する動作時間は約３秒であり、先に処理中であるポッド１０１内の最終の未処理ウェハがＩ／Ｏステージ１００上のポッド１０１内から搬出されてから、次に処理するポッド１０１内の最初の未処理ウェハがＩ／Ｏステージ１００上のポッド１０１内から搬出開始されるまでの時間は約２０秒である。

生産指示が発行されている場合は（ステップＳ６でＹｅｓ）、そのポッド１０１のキャップは閉塞されることなく開放された状態を保ち、Ｉ／Ｏステージ１００上の他のポッド１０１の処理が終了するまで待って（ステップＳ７）、ウェハに対する処理を開始する（ステップＳ８）。
こうして、コントローラ１０８は、ウェハマッピング終了時点において、ウェハマッピング終了後のポッド１０１内のウェハを基板処理開始するまでの時間が所定の時間よりも短い場合は、前記ウェハマッピング終了後のポッド１０１の蓋を開けた状態を維持し、前記基板処理開始するまでの時間が所定の時間よりも長い場合は、前記ウェハマッピング終了後のポッド１０１の蓋を閉じるよう制御する。

上述の実施形態では、基板収容器が載置台に載置された場合に、図５の動作を行う蓋開閉制御プログラムを実行することにより実現されるポッド１０１のキャップ開閉動作について説明したが、図５の動作を行う蓋開閉制御プログラムを実行するか否かを選択できるよう構成することもできる。この選択は、操作者による操作部からの指示に基づき行うことができ、あるいは、前工程の内容により制御部が自動的に行うこともできる。
図５の動作を行う蓋開閉制御プログラムを実行するか否かを選択できる構成の例を、図６を用いて説明する。図６は、所定の前工程を行った場合に図５の蓋開閉動作を実行する構成例における制御部の動作フローチャートである。なお、この所定の前工程の内容は、例えば、操作者により予め設定され、操作部１２の記憶部に記憶できるように構成される。

図６において、コントローラ１０８は、蓋開閉制御プログラムが起動されると、操作部１２の記憶部に記憶された所定の前工程の内容である設定条件を読み取る（ステップＳ２１）。次に、ウェハ２００を複数収容したポッド１０１がＩ／Ｏステージ１００に載置されると、そのポッド１０１には前工程の内容の情報が、例えばバーコードにより添付されているので、コントローラ１０８は、この前工程の内容情報を、基板処理装置に装備されたバーコードリーダを用いて読み取る（ステップＳ２２）。

コントローラ１０８は、蓋開閉制御プログラムの実行条件を満足する否かを判断し（ステップＳ２３）、蓋開閉制御プログラムの実行条件を満足する場合、つまり、操作部１２に記憶されていた設定条件と、ポッド１０１に添付された前工程の内容情報とが一致する場合は（ステップＳ２３でＹｅｓ）、図５の動作を行う蓋開閉制御プログラムを実行する（ステップＳ２４）。操作部１２に記憶されていた設定条件と、ポッド１０１に添付された前工程の内容情報とが一致しない場合は（ステップＳ２３でＮｏ）、図５の動作を行う蓋開閉制御プログラムを実行することなく、ポッド１０１の蓋を開け、図５のステップＳ２と同様に、ウェハマッピング装置により、該ポッド１０１内のウェハ２００のウェハマッピング状態を調べて確認する。その後、そのポッド１０１は、待機状態に入り生産指示待ちとなる（ステップＳ２５）。

以上説明した実施形態によれば、次の（１）〜（６）の効果を奏する。
（１）Ｉ／Ｏステージ１００上に載置された第１のポッド１０１内のウェハを処理中に、第２のポッド１０１がＩ／Ｏステージ１００上に載置された場合、第２のポッド１０１の蓋を開けて、第２のポッド１０１内のウェハに対してウェハマッピングが行われた後、再度、蓋を閉じるように制御されるので、第２のポッド１０１の蓋が開いたままで第２のポッド１０１内のウェハが大気に晒されることによるウェハ表面へのパーティクルの付着やウェハ表面への汚染等を抑制できる。
（２）処理中の第１のポッド１０１内の最終の未処理ウェハに対して基板処理が開始されると、待機中の前記第２のポッド１０１の蓋を開けるように制御されるので、第２のポッド１０１内のウェハに対して基板処理が開始される際に、第２のポッド１０１の蓋が開くのを待つことがなく、スループットを向上することができる。
（３）前記第２のポッド１０１内のウェハに対して基板処理が開始されるタイミングを算出し、この算出したタイミングに従い、第２のポッド１０１の蓋を開けるように制御されるので、第２のポッド１０１内のウェハに対して基板処理が開始される予定のタイミング前に、第２のポッド１０１の蓋を確実に開けておくことができる。
（４）Ｉ／Ｏステージ１００上に他のポッド１０１が存在しない状態において、ウェハマッピング後に蓋を開けたまま所定時間、当該ポッド１０１内のウェハに対する基板処理命令（生産指示）を待つよう構成することができるので、無駄に蓋の開閉動作を行わないようにでき、スループットを向上することができる。
（５）ウェハマッピング後に蓋を閉じる制御を行うか否かを、操作者による操作部からの指示に基づき、選択が可能な構成とすることができる。このような構成により、例えば、ウェハ表面状態に応じて、蓋開閉制御プログラムを実行するか否かを選択することができる。ウェハ表面へのパーティクル付着が問題にならないプロセスの場合や、基板処理装置内の空気に晒されることによるウェハ表面に形成された膜の性質の変化が問題にならないプロセスの場合は、図５の蓋開閉制御プログラムを実行しないよう、柔軟に対応できる。
（６）ウェハマッピング後に蓋を閉じる制御を行うか否かを、前工程の内容に応じて自動的に選択が可能な構成となっているので、待機中の基板収容器内の基板に対し、前工程で基板表面に成膜した膜の性質が変化する問題を抑制できる。
（７）ウェハマッピング後に蓋を閉じる制御を行うか否かを、前工程の内容に応じて自動的に選択が可能な構成となっているので、特に図６のフローチャートによれば、操作部から設定された条件と前工程の内容とが一致した場合に、ウェハマッピング後に蓋を閉じる制御を行い、操作部から設定された条件と前工程の内容とが一致しない場合に、ウェハマッピング後に蓋を閉じる制御を行わないようにすることができる。従い、前工程の処理内容に関わらず、パーティクル低減と、スループット低下の抑制を実現できる。

なお、本発明は、前記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
また、本発明は、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ製造装置のようなガラス基板を処理する装置や、他の基板処理装置にも適用できる。基板処理の処理内容は、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜、金属含有膜等を形成する成膜処理だけでなく、露光処理、リソグラフィ、塗布処理等であってもよい。

本明細書には、少なくとも次の発明が含まれる。すなわち、第１の発明は、
基板を複数収容した基板収容器を複数載置する載置台と、
前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開閉する蓋開閉部と、
蓋を開けられた基板収容器内の基板の有無又は位置を確認する基板確認を行う基板確認部と、
基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構により搬送された前記処理室内の基板に対して処理を行う基板処理部と、
前記蓋開閉部と前記基板確認部と前記基板処理部と前記基板搬送機構を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記載置台に載置された第１の基板収容器内の基板を対象として前記基板処理部が基板処理中に、第２の基板収容器が前記載置台に載置された場合、前記第２の基板収容器の蓋を開けて、前記第２の基板収容器内の基板に対して前記基板確認部による基板確認を行い、該基板確認が終了すると、前記第２の基板収容器の蓋を閉じるよう制御する基板処理装置である。

第２の発明は、前記第１の発明の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記第１の基板収容器内の最終の未処理基板が前記基板搬送機構により搬出されると、あるいは、前記第２の基板収容器内の基板を基板処理開始するタイミングが近づくと、前記第２の基板収容器の蓋を開けるよう制御する基板処理装置である。

第３の発明は、前記第１の発明又は第２の発明の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記載置台に載置された第１の基板収容器内の基板を対象として前記基板処理部が基板処理中において、前記第２の基板収容器内の基板に対して前記基板処理が開始されるタイミングを算出し、該算出したタイミングに従い、前記第２の基板収容器の蓋を開けるよう制御する基板処理装置である。

第４の発明は、前記第１の発明ないし第３の発明の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記載置台に他の基板収容器が存在しない状態において、第２の基板収容器が前記載置台に載置された場合、前記第２の基板収容器の蓋を開けて、前記第２の基板収容器内の基板に対して前記基板確認部による基板確認を行い、該基板確認が終了すると、前記第２の基板収容器の蓋を閉じずに開けた状態を保つよう制御する基板処理装置である。

第５の発明は、
基板を複数収容した基板収容器を複数載置する載置台と、
前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開閉する蓋開閉部と、
蓋を開けられた基板収容器内の基板の有無又は位置を確認する基板確認を行う基板確認部と、
基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構により搬送された前記処理室内の基板に対して処理を行う基板処理部と、
前記蓋開閉部と基板確認部と基板処理部と基板搬送機構を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記載置台に載置された第１の基板収容器内の基板を対象として前記基板処理部が基板処理中において、第２の基板収容器が前記載置台に載置された場合、前記第２の基板収容器の蓋を開けて、前記第２の基板収容器内の基板に対して前記基板確認部による基板確認を行い、該基板確認が終了したときに、前記第２の基板収容器の蓋を閉じるか否かを選択できるよう制御する基板処理装置である。

第６の発明は、前記第５の発明の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記載置台に載置された第１の基板収容器内の基板を対象として前記基板処理部が基板処理中において、第２の基板収容器が前記載置台に載置された場合、前記第２の基板収容器の蓋を開けて、前記第２の基板収容器内の基板に対して前記基板確認部による基板確認を行い、該基板確認が終了したときに、前記第２の基板収容器内の基板に対して当該基板処理装置の前工程で行われた処理に応じて、前記第２の基板収容器の蓋を閉じるか否かを選択するよう制御する基板処理装置である。

第７の発明は、
基板を複数収容した基板収容器を複数載置する載置台と、
前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開閉する蓋開閉部と、
蓋を開けられた基板収容器内の基板の有無又は位置を確認する基板確認を行う基板確認部と、
基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構により搬送された前記処理室内の基板に対して処理を行う基板処理部と、
操作者からの指示を受け付ける操作部と、
前記蓋開閉部と前記基板確認部と前記基板処理部と前記基板搬送機構と前記操作部を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記載置台に載置された第１の基板収容器内の基板を対象として前記基板処理部が基板処理中において、第２の基板収容器が前記載置台に載置された場合、前記第２の基板収容器の蓋を開けて、前記第２の基板収容器内の基板に対して前記基板確認部による基板確認を行い、該基板確認が終了したときに、前記第２の基板収容器の蓋を閉じるか否かを、前記操作部からの指示に基づき選択するよう制御する基板処理装置である。

第８の発明は、
基板を複数収容した基板収容器を載置台へ載置する載置工程と、
前記載置工程後に前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開ける第１の開放工程と、
前記第１の開放工程により蓋を開けられた基板収容器内の基板に対して基板の有無又は位置の確認を行う確認工程と、
前記確認工程後に前記基板収容器の蓋を閉じる閉塞工程と、
前記閉塞工程後に前記基板収容器の蓋を開ける第２の開放工程と、
前記第２の開放工程により蓋を開けられた基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送工程と、
前記基板搬送工程により処理室へ搬送された基板に対して所定の処理を行う基板処理工程と、
を備える半導体装置の製造方法である。

第９の発明は、
基板を複数収容した基板収容器を載置台へ載置する載置工程と、
前記載置工程後に前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開ける第１の開放工程と、
前記第１の開放工程により蓋を開けられた基板収容器内の基板に対して基板の有無又は位置の確認を行う確認工程と、
前記確認工程後に前記基板収容器の蓋を閉じる閉塞工程と、
前記閉塞工程後に前記基板収容器の蓋を開ける第２の開放工程と、
前記第２の開放工程により蓋を開けられた基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送工程と、
を備える基板搬送方法である。

第１０の発明は、
第１の基板収容器内の基板を基板処理中に、第２の基板収容器の蓋を開けて、前記第２の基板収容器内の基板の有無又は位置を確認する基板確認を行う基板確認工程と、
前記基板確認工程終了時点において、前記第２の基板収容器内の基板を基板処理開始するまでの時間が所定の時間よりも短い場合は、前記第２の基板収容器の蓋を開けた状態を維持し、前記基板処理開始するまでの時間が所定の時間よりも長い場合は、前記第２の基板収容器の蓋を閉じる蓋開閉制御工程と、
を含む基板処理装置制御プログラムである。

第１１の発明は、
第１の基板収容器内の基板を基板処理中に、第２の基板収容器の蓋を開けて、前記第２の基板収容器内の基板の有無又は位置を確認する基板確認を行った後に、
前記第２の基板収容器の蓋を閉じる蓋閉塞工程と、
前記蓋閉塞工程の後、前記第２の基板収容器内の基板を基板処理開始するタイミングが近づくと、前記第２の基板収容器の蓋を開ける蓋開放工程と、
を含む基板収容器の蓋開閉制御プログラムである。

第１２の発明は、前記第１の発明の基板処理装置であって、
前記制御部は、前記基板確認終了時点において、前記第２の基板収容器内の基板を基板処理開始するまでの時間が所定の時間よりも短い場合は、前記第２の基板収容器の蓋を開けた状態を維持し、前記基板処理開始するまでの時間が所定の時間よりも長い場合は、前記第２の基板収容器の蓋を閉じるよう制御する基板処理装置である。

１２・・操作部、１３・・統括制御コントローラ、１３ａ・・真空ロボットコントローラ、１３ｂ・・大気ロボットコントローラ、１３ｃ・・ＭＦＣ、１４・・ＰＭＣ（１）、１４ａ・・ＭＦＣ、１４ｂ・・ＡＰＣ、１４ｃ・・温度調節器、１４ｄ・・バルブＩ／Ｏ、１５・・ＰＭＣ（２）、１６・・ＬＡＮ、１８・・表示部、１００・・Ｉ／Ｏステージ、１０１・・ポッド、１０２・・キャップ開閉機構、１０３・・ポッドオープナ、１０４・・ウェハ搬入搬出口、１０５・・ドア、１０６・・クリーンユニット、１０７・・ノッチ合わせ装置、１０８・・制御部（コントローラ）、１１０・・第１搬送室、１１１・・第１の搬送筐体、１１２・・第１のウェハ移載機、１１３・・エレベータ、１２０・・第２搬送室、１２１・・第２搬送室筐体、１２２・・第２のウェハ移載機、１２３・・エレベータ、１２４・・リニアアクチュエータ、１３０・・ゲートバルブ、１３１・・ロードロック室、１３２・・基板置き台、１３３・・基板置き台、１３４・・ゲートバルブ、１４０・・ゲートバルブ、１４１・・ロードロック室、１４２・・基板置き台、１４３・・基板置き台、１４４・・ゲートバルブ、１５０・・第１処理部、１５１・・第２処理部、１５２・・第３処理部、１５３・・第４処理部、１６０・・ゲートバルブ、１６１・・ゲートバルブ、１６２・・ゲートバルブ、１６３・・ゲートバルブ、２００・・ウェハ、４００・・プラズマ処理装置、４０２・・処理室、４０４・・真空容器、４０６・・ウェハ搬入搬出口、４０８・・ゲートバルブ、４１０・・排気ライン、４１２・・排気コンダクタンス調整弁、４１４・・排気コンダクタンス調整弁制御装置、４１６・・圧力センサ、４１８・・コントローラ、４２０・・アノード電極、４２２・・シャワー板、４２４・・ガス通路、４２６・・吹出口、４２８・・ガス導入ライン、４３０・・カソード電極、４３２・・高周波発振器、４３４・・インピーダンス整合器、４３６・・通信線、４３８・・電圧計、４４２・・記憶装置、４４４・・表示装置、４４６・・入力装置。

Claims

基板を複数収容した基板収容器を複数載置する載置台と、
前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開閉する蓋開閉部と、
蓋を開けられた基板収容器内の基板の有無又は位置を確認する基板確認を行う基板確認部と、
基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送機構と、
前記基板搬送機構により搬送された前記処理室内の基板に対して処理を行う基板処理部と、
前記蓋開閉部と前記基板確認部と前記基板処理部と前記基板搬送機構を制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記載置台に載置された第１の基板収容器内の基板を対象として前記基板処理部が基板処理中に、第２の基板収容器が前記載置台に載置されると、前記第２の基板収容器の蓋を開けて、前記第２の基板収容器内の基板に対して前記基板確認部による基板確認を行わせ、該基板確認が終了すると、前記基板確認終了時点において、前記第２の基板収容器内の基板を基板処理開始するまでの時間が所定の時間よりも短い場合は、前記第２の基板収容器の蓋を開けた状態を維持し、前記基板処理開始するまでの時間が所定の時間よりも長い場合は、前記第２の基板収容器の蓋を閉じるよう制御する基板処理装置。
請求項１に記載された基板処理装置であって、
前記制御部は、前記第２の基板収容器の蓋が閉じた状態で、前記第１の基板収容器内の最終の未処理基板が前記基板搬送機構により搬出されると、前記第２の基板収容器の蓋を開けるよう制御する基板処理装置。
請求項１に記載された基板処理装置であって、
前記制御部は、前記第２の基板収容器の蓋が閉じた状態で、前記第１の基板収容器内の基板を対象として、前記基板搬送機構による搬送中、又は前記基板処理部による基板処理が継続中に、前記第２の基板収容器内の基板に対して前記基板処理が開始されるタイミングを算出し、該算出したタイミングに従い、前記基板収容器の蓋を開けるよう制御する基板処理装置。
請求項１に記載された基板処理装置であって、
前記制御部は、前記基板確認終了時点において、前記載置台に他の基板収容器が存在しないときは、前記第２の基板収容器の蓋を閉じずに開けた状態を保つよう制御する基板処理装置。
請求項１に記載された基板処理装置であって、
前記制御部は、前記基板確認終了時点において、前記第２の基板収容器の蓋を閉じるか否かを選択できるよう制御する基板処理装置。
請求項１に記載された基板処理装置であって、
前記制御部は、前記基板確認終了時点において、前記第２の基板収容器内の基板に対して、基板処理装置の前工程で行われた処理に応じて、前記第２の基板収容器の蓋を閉じるか否かを選択できるよう制御する基板処理装置。
請求項１に記載された基板処理装置であって、更に、操作部を備え、
前記制御部は、前記基板確認終了時点において、前記第２の基板収容器の蓋を閉じるか否かを、前記操作部からの指示に基づき選択するように構成された基板処理装置。
基板を複数収容した基板収容器を載置台へ載置する載置工程と、
前記載置工程後に前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開ける第１の開放工程と、
前記第１の開放工程により蓋を開けられた基板収容器内の基板に対して基板の有無又は位置の確認を行う確認工程と、
前記確認工程後に前記基板収容器の蓋を閉じる閉塞工程と、
前記閉塞工程後に前記基板収容器の蓋を開ける第２の開放工程と、
前記第２の開放工程により蓋を開けられた基板収容器内の基板を処理室へ搬送する基板搬送工程と、
前記基板搬送工程により処理室へ搬送された基板に対して処理を行う基板処理工程と、を備え、
前記閉塞工程では、前記確認工程における前記基板の有無又は位置の確認が終了した時点において、前記基板収容器内の基板を基板処理開始するまでの時間が所定の時間よりも短い場合は、前記基板収容器の蓋を開けた状態を維持し、前記基板処理開始するまでの時間が所定の時間よりも長い場合は、前記基板収容器の蓋を閉じる半導体装置の製造方法。
基板を複数収容した基板収容器を載置台へ載置する載置手順と、
前記載置工程後に前記載置台に載置された基板収容器の蓋を開ける第１の開放手順と、
前記第１の開放工程により蓋を開けられた基板収容器内の基板に対して基板の有無又は位置の確認を行う確認手順と、
前記確認工程後に前記基板収容器の蓋を閉じる閉塞手順と、
前記閉塞工程後に前記基板収容器の蓋を開ける第２の開放手順と、を有するプログラムであって、
前記閉塞手順では、前記確認手順における前記基板の有無又は位置の確認が終了した時点において、前記基板収容器内の基板を基板処理開始するまでの時間が所定の時間よりも短い場合は、前記基板収容器の蓋を開けた状態を維持し、前記基板処理開始するまでの時間が所定の時間よりも長い場合は、前記基板収容器の蓋を閉じるプログラム。