JP2005286103A - 真空処理装置及び真空処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 製品の歩留まり向上が図られる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。
【解決手段】 試料2を真空処理する複数の真空処理室7と、真空処理室7に試料を搬入出する真空搬送手段8と、真空処理室へ試料を搬入出するための大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能な室9と、試料を収納できる複数のカセットを載置し得るカセット載置手段10と、カセット載置手段の任意のカセット内から試料を抜き取れるように上下動可能に構成された搬送手段4と、任意のカセット内の試料を前記搬送手段及び前記切り替え可能な室並びに前記真空搬送手段を介して前記真空処理室に搬入し・前記真空処理室で処理後の処理済試料を搬出するための搬送制御を行う制御手段とで構成された真空処理装置1において、同一カセットに処理済試料と未処理の試料とを混在させないための待避カセット5を載置し得る待避カセット載置手段を設けた。
【選択図】 図1

Description

本発明は、複数の真空処理室を有する真空処理装置及び真空処理方法に係り、特に、ハロゲンガスなどの腐食性ガスを使用した真空処理での稼働率・歩留まり向上に関するものである。
従来の真空処理装置は、少なくとも2組以上のプロセス処理装置を使って処理する真空処理装置により運転中にどれかの処理室が故障等で使用できなくなった時に、正常な処理室を処理経路として使って運転することで稼働率を高めていた(例えば、特許文献1参照)。
しかし、エッチング処理後ウェハをそのまま搬出して大気開放したり後処理室を有する装置では、アッシング処理を施したり、加熱処理を施したりするのみで、ウェハ上の残留ガスを低減させて、歩留まりを向上させるような運用について十分な配慮がなされていなかった。デバイス工程上アッシング処理や加熱処理を施すことが出来ない場合は、そのまま搬出するしかなかった。エッチング処理後FOUP(Front Openinng Unified Pod)などのキャリアに回収された処理済みウェハ上の残留ガスが未処理ウェハへの異物付着をもたらし、エッチング処理時にハロゲンガス起因と思われる異物がマスクとなり、エッチング残りなどの歩留まり低下の原因となっていた。また、残留ガスを完全に除去することが出来ず、FOUPなどのウェハキャリア内の残留ガス高濃度化によるなど周辺環境が問題になるようになってきた。
また、バッチ方式の真空処理でカセット内のウェハの順序が元の状態に戻るようにウェハの搬送路上に第三のカセットを設置したものがある(例えば、特許文献2参照)。しかしながら、この技術は、未処理の試料と処理済試料のいずれかの試料を待避させ混在を防止させる技術内容は開示されていない。
特開2001−93791号公報 特開昭62−216315号公報
上記従来技術では、処理済みウェハ(処理済試料)と未処理ウェハ(未処理の試料)をFOUPなどの同一キャリアに収納・混在した状況が存在することにより、処理済ウェハからの異物発生などによる製品の歩留まり低下を招いていた。本発明の目的は、製品の歩留まり向上が図られる真空処理装置及び真空処理方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、同一キャリア内に未処理ウェハと処理済みウェハを混在させないように大気搬送ユニット内に待避ステーションを追加したものである。そして待避ステーション内の処理済みウェハによる残留含有ガスの置換を促進させるためパージ機構などを追加したものである。また、処理前ウェハを待避ステーション内に搬送し、処理済ウェハを元のカセットキャリアに搬送したものでもよい。
さらに、待避ステーション追加によるスループット影響を軽減するための搬送シーケンスを最適化したものである。
すなわち、本発明は、真空処理装置において、試料を真空処理する複数の真空処理室と、該真空処理室に試料を搬入出する真空搬送手段と、前記真空処理室へ試料を搬入出するための大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能な室と、試料を収納できる複数のカセットを載置し得るカセット載置手段と、該カセット載置手段の任意のカセット内から試料を抜き取れるように上下動可能に構成された搬送手段と、前記任意のカセット内の試料を前記搬送手段及び前記切り替え可能な室並びに前記真空搬送手段を介して前記真空処理室に搬入し・前記真空処理室で処理後の処理済試料を搬出するための搬送制御を行う制御手段とで構成された真空処理装置において、前記処理済試料と未処理の試料とを混在させないための待避カセットを載置し得る待避カセット載置手段を設けた。
本発明は、上記真空処理装置において、前記待避カセット載置手段を、大気雰囲気下に設け、処理済試料を待避させる待避カセットを載置し得るようにした。また、本発明は、上記真空処理装置において、前記待避カセット載置手段を、大気雰囲気下に設け、未処理の試料を待避させる待避カセットを載置し得るようにした。
本発明は、上記真空処理装置において、前記待避カセット載置手段を、真空雰囲気内に設け、処理済試料を待避させる待避カセットを具備するようにした。
本発明は、上記真空処理装置において、前記待避カセット載置手段を、任意のカセットから未処理の試料が全て搬出されるまで前記処理済試料または前記未処理の試料を待避させる待避カセットを載置し得るようにした。
本発明は、上記真空処理装置において、前記待避カセット載置手段は、大気雰囲気下に設けられ、上下動又は左右動可能に構成される。
上記課題を解決するために、本発明は、カセット載置手段に載置される任意のカセット内から試料を抜き取り、大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能な室を経由して真空処理室に搬入し・試料を真空処理する真空処理方法において、前記未処理の試料または処理済試料を待避カセットに待避させて試料を真空処理するようにした。
本発明は、上記真空処理方法において、前記処理済試料を大気雰囲気下に載置される待避カセットに待避させて試料を真空処理するようにした。また、本発明は、上記真空処理方法において、前記未処理の試料を大気雰囲気下に載置される待避カセットに待避させて試料を真空処理するようにした。
さらに、本発明は上記真空処理方法において、前記処理済試料を真空雰囲気内に設けられた待避カセットに待避させて試料を真空処理するようにした。
本発明は、上記真空処理方法において、任意のカセットから未処理の試料が全て搬出されるまで前記処理済試料または前記未処理の試料を待避させて試料を真空処理するようにした。
本発明は、以上説明したように未処理ウェハと処理済みウェハを大気中で混在させないことで稼動率を下げることなく、歩留まり低下を軽減することが可能となる。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。図1は本発明による装置構成図を示す。真空処理装置1は、試料2(2−1、2−2、2−3、2−4、2−5)を真空処理する複数の真空処理室7(7−1,7−2,7−3)と、該真空処理室7に試料2を搬入出する真空搬送手段8と、前記真空処理室7へ試料2を搬入出するための大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能な室9(9−1,9−2)と、試料2を収納できる複数のカセット3(3−1,3−2,3−3)を載置し得るカセット載置手段10(10−1,10−2,10−3)と、該カセット載置手段の任意のカセット内から試料2を抜き取れるように上下動可能に構成された搬送手段4と、前記任意のカセット内の試料2を前記搬送手段4および前記切り替え可能な室9ならびに前記真空搬送手段8を介して真空処理室7内に搬送し・前記真空処理室で処理後の処理済試料を搬出するための搬送制御を行うための制御手段と、今回新たに大気雰囲気下に設けられ、未処理の試料または処理済試料を待避させる待避カセット5と、真空雰囲気内に処理済み試料を待避させる待避室6で構成されている。また、真空搬送手段8および大気雰囲気内の搬送手段4に付随するハンドについては1本に限定するものではない。
実施例1として、カセット3−1から大気雰囲気下に設けられた搬送手段4にて搬出された1枚目の試料2−1を切り替え可能な室9−1ならびに前記真空搬送手段8を介して真空処理室7−1へ搬送し、エッチング処理を実行する。複数の真空処理室7にて連続して同じレシピを処理する運用の場合、引き続き2枚目の試料2−1を連続処理可能なように、搬送手段を介して真空処理室7−2へ搬送され、エッチング処理が開始される。同様に3枚目の試料2−1も真空処理室7−3にてエッチング処理が開始される。その後、カセット3−1上に残された未処理の試料全数を例えばn枚収納カセットならn枚目から順次大気雰囲気下に設けられた待避カセット5へと搬送手段4を介して搬送する。カセット3−1から全ての未処理の試料がなくなれば(ロット処理終了まで)、真空処理室7−1内の処理済試料2−1からカセット3−1へ戻し入れることで、同一のカセット内に未処理の試料と処理済に試料が混在することを防ぐことが可能となる。
待避カセット5は、前記運用であればm個の真空処理室があればn−m以上の収納容量を備えておくことが望ましく、例えば製品処理用に2カセット処理連続処理可能であれば、複数カセット分の許容可能な待避カセット構造となっており、上下動または左右動ができる。搬送手段(大気ロボット)4の駆動領域であれば待避カセット5内のカセットを固定した状態で稼動機能を有していなくてもよい。処理運用にもよるが、1枚目の試料から待避カセットに移動させないで、処理可能な試料から待避させずに処理開始することで、スループットを低下させずに搬送制御することができる。
すなわち、この実施例では、真空処理装置において、試料を真空処理する複数の真空処理室と、該真空処理室に試料を搬入出する真空搬送手段と、前記真空処理室へ試料を搬入出するための大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能な室と、試料を収納できる複数のカセットを載置し得るカセット載置手段と、該カセット載置手段の任意のカセット内から試料を抜き取れるように上下動可能に構成された搬送手段と、前記任意のカセット内の試料を前記搬送手段及び前記切り替え可能な室並びに前記真空搬送手段を介して前記真空処理室に搬入し・前記真空処理室で処理後の処理済試料を搬出するための搬送制御を行う制御手段とで構成された真空処理装置において、前記処理済試料と未処理の試料とを混在させないための待避カセットを載置し得る待避カセット載置手段を設けた。そして、前記大気雰囲気下に設けた待避カセット載置手段に、未処理の試料を待避させる待避カセットを載置し得るようにした。
また、実施例1では、未処理の試料を待避させる内容で説明したが、本発明はこの方式に限定されるものではない。実施例2では、カセット3から未処理の試料2を順次真空処理室7に搬送し、処理を開始する。真空処理室での処理後の処理済試料は待避カセット5へ待避させる。そしてカセット3内の全ての未処理試料を搬出したことを搬送制御にて判断すると、処理後の処理済試料を待避カセット5から元のカセット3へ搬出する。この場合も全ての処理済試料が待避カセット5に待避されるまで待つのではなく、カセット3から全ての未処理の試料が搬出されたことを判断することでスループットを低下させずに運用することが可能となる。すなわち、この実施例では、また、本発明は、大気雰囲気下に設けた待避カセット載置手段に、処理済試料を待避させる待避カセットを載置し得るようにした。
周辺環境に影響を及ぼす残留腐食性ガスが付着した処理済試料と大気中の水分等が反応することを軽減するために、待避カセット5内を不活性ガス等でガス置換できるようなパージ機構を設けることが望ましい。パージ機構としては待避カセット外部から待避カセット内部に向けて、または待避カセット上部から不活性ガスを導入することでカセット内環境雰囲気を改善することができる。そして待避カセット下部に排気機構を設けてもよい。また、待避カセット5に開閉扉を設け、待避カセット5に対し搬送手段4が動作しないときに扉を閉じることでガス置換をより効果的に働かせてもよい。
実施例3は、真空雰囲気下に設けられた待避室6を運用した例である。カセット3から搬出された試料2を真空処理室7で処理後、処理済試料7を待避室6へ待避させるものである。実施例2同様、カセット3から未処理の試料が全て搬出されてことを判断できる搬送手段を有し、待避室6から順次元のカセット3へ搬出される。真空下に待避室を設けることで、試料表面が大気に曝されることがなく、腐食などの歩留まり低下を招く影響を軽減することができる。
すなわち、この実施例では、上記真空処理装置において、前記待避カセット載置手段を、真空雰囲気内に設け、処理済試料を待避させる待避室を具備するようにした。
また、これらの実施例では、上記真空処理装置において、前記待避カセット載置手段を、ロット処理終了まで前記処理済試料または前記未処理の試料を待避させる待避カセットを載置し得るようにした。
さらに、上記真空処理装置において、前記待避カセット載置手段は、大気雰囲気下に設けられ、上下動又は左右動可能に構成される。このことにより複数のカセットから未処理試料を取り出し、処理済の試料または未処理試料を待避カセットに取り出したカセット毎に分別して待避させることができる。
上記各実施例では、大気雰囲気下に設けられた待避カセット5または真空雰囲気下に設けられた待避室6のどちらかを運用する例を示したが、両方を同時に使用してもよい。
本発明は、以上説明したように、未処理の試料と処理済資料を大気中で混在させないことで稼働率を下げることなく、腐食などの歩留まり低下を軽減することができる。
真空処理装置の構成図。
符号の説明
1.真空処理装置
2.試料+
3.カセット
4.大気搬送手段
5.待避カセット
6.真空待避室
7.真空処理室
8.真空搬送機構
9.大気・真空雰囲気切替室
10.カセット載置機構

Claims (11)

  1. 試料を真空処理する複数の真空処理室と、該真空処理室に試料を搬入出する真空搬送手段と、前記真空処理室へ試料を搬入出するための大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能な室と、試料を収納できる複数のカセットを載置し得るカセット載置手段と、該カセット載置手段の任意のカセット内から試料を抜き取れるように上下動可能に構成された搬送手段と、前記任意のカセット内の試料を前記搬送手段及び前記切り替え可能な室並びに前記真空搬送手段を介して前記真空処理室に搬入し・前記真空処理室で処理後の処理済試料を搬出するための搬送制御を行う制御手段とで構成された真空処理装置において、
    前記処理済試料と未処理の試料とを混在させないための待避カセットを載置し得る待避カセット載置手段を設けたことを特徴とする真空処理装置。
  2. 請求項1記載の真空処理装置において、前記待避カセット載置手段は、大気雰囲気下に設けられ、処理済試料を待避させる待避カセットを載置し得ることを特徴とする真空処理装置。
  3. 請求項1記載の真空処理装置において、前記待避カセット載置手段は、大気雰囲気下に設けられ、未処理の試料を待避させる待避カセットを載置し得ることを特徴とする真空処理装置。
  4. 請求項1記載の真空処理装置において、前記待避カセット載置手段は、真空雰囲気内に設けられ、処理済試料を待避させる待避室を具備することを特徴とする真空処理装置。
  5. 請求項2乃至4記載のいずれかの真空処理装置において、任意のカセットから未処理の試料が全て搬出されるまで前記処理済試料または前記未処理の試料を待避させる待避カセットを載置し得ることを特徴とする真空処理装置。
  6. 請求項1記載の真空処理装置において、前記待避カセット載置手段は、大気雰囲気下に設けられ、上下動又は左右動可能に構成されていることを特徴とする真空処理装置。
  7. カセット載置手段に載置される任意のカセット内から試料を抜き取り、大気雰囲気もしくは真空雰囲気に切り替え可能な室を経由して真空処理室に搬入し・試料を真空処理する真空処理方法において、
    前記未処理の試料または処理済試料を待避カセットに待避させて試料を真空処理することを特徴とする真空処理方法。
  8. 請求項7記載の真空処理方法において、前記処理済試料を大気雰囲気下に載置される待避カセットに待避させて試料を真空処理することを特徴とする真空処理方法。
  9. 請求項7記載の真空処理方法において、前記未処理の試料を大気雰囲気下に載置される待避カセットに待避させて試料を真空処理することを特徴とする真空処理方法。
  10. 請求項7記載の真空処理方法において、前記処理済試料を真空雰囲気内に設けられた待避室に待避させて試料を真空処理することを特徴とする真空処理方法。
  11. 請求項8乃至10記載のいずれかの真空処理方法において、任意のカセットから未処理の試料がずべて搬出されるまで前記処理済試料または前記未処理の試料を待避させて試料を真空処理することを特徴とする真空処理方法。
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US10/874,241 US7476073B2 (en) 2004-03-30 2004-06-24 Vacuum processing method
US12/230,466 US8033770B2 (en) 2004-03-30 2008-08-29 Vacuum processing apparatus
US12/230,467 US7862289B2 (en) 2004-03-30 2008-08-29 Vacuum processing apparatus and vacuum processing method
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05147707A (ja) * 1991-11-27 1993-06-15 Murata Mach Ltd ピツキング台車
JPH0936198A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
JP4128973B2 (ja) * 2004-03-30 2008-07-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理方法
TWI278416B (en) * 2004-12-09 2007-04-11 Au Optronics Corp Cassette stocker
US20080206020A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Smith John M Flat-panel display processing tool with storage bays and multi-axis robot arms
US7585142B2 (en) * 2007-03-16 2009-09-08 Asm America, Inc. Substrate handling chamber with movable substrate carrier loading platform

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62216315A (ja) 1986-03-18 1987-09-22 Toshiba Mach Co Ltd 半導体処理装置
US5292393A (en) * 1986-12-19 1994-03-08 Applied Materials, Inc. Multichamber integrated process system
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
US6257827B1 (en) * 1997-12-01 2001-07-10 Brooks Automation Inc. Apparatus and method for transporting substrates
JP3667527B2 (ja) 1998-05-20 2005-07-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4674705B2 (ja) * 1998-10-27 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 搬送システムの搬送位置合わせ方法及び搬送システム
US6811369B2 (en) * 1999-09-02 2004-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor fabrication apparatus, pod carry apparatus, pod carry method, and semiconductor device production method
JP2001093791A (ja) 1999-09-20 2001-04-06 Hitachi Ltd 真空処理装置の運転方法及びウエハの処理方法
JP2000216211A (ja) 2000-01-01 2000-08-04 Hitachi Ltd 真空処理装置用の基板搬送システム
US6962471B2 (en) * 2000-10-26 2005-11-08 Leica Microsystems Jena Gmbh Substrate conveying module and system made up of substrate conveying module and workstation
US6451118B1 (en) * 2000-11-14 2002-09-17 Anon, Inc. Cluster tool architecture for sulfur trioxide processing
US6852194B2 (en) * 2001-05-21 2005-02-08 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, transferring apparatus and transferring method
JP4219579B2 (ja) * 2001-07-24 2009-02-04 東京エレクトロン株式会社 ウエハ移載システム及びウエハ移載方法、並びに無人搬送車システム
JP2003115518A (ja) 2001-10-02 2003-04-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4128973B2 (ja) * 2004-03-30 2008-07-30 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理装置及び真空処理方法

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