JP5242641B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。本実施の形態では、照明装置および表示装置などの光源として利用することが可能な発光装置について説明する。なお、以下の説明では、図1の上側および下側を、発光装置の上側および下側とする。
次に、発光装置10の製造方法について説明する。
まず、図4に示すように、配線パターン(図示せず)が実装面に形成された基板11に、アルミナ系絶縁膜12および酸化シリコン系絶縁膜13をこの順番に形成する。具体的には、配線パターンが実装面に形成された基板11をチャンバー(図示せず)内に設置し、基板11の実装面を酸素プラズマを用いて洗浄・活性化させる。そして、反応ガスとして、100℃に加熱し気化させた酸化アルミニウム(Al3O2)を、予め55℃に加熱したチャンバー内に導入する。その後、該チャンバー内に0.23〜0.50torrの圧力を印加し、Åレベルの膜厚で、基板11の実装面全域にアルミナ系絶縁膜12を成膜する。
続いて、図5に示すように、酸化シリコン系絶縁膜13の上面全域に、フッ素系撥水膜17(撥水膜)を形成する。具体的には、ナノプリント技術を用いて、酸化シリコン系絶縁膜13の上面全域に、フッ素系撥水膜17(FDTS(perfluorodecyltrichlorosilane))を成膜する。なお、フッ素系撥水膜17の形成方法はこれに限定されない。
続いて、撥水パターンを形成する。言い換えると、図6に示すように、リアクティブイオンエッチング(RIE)プラズマ装置において、蛍光体含有封止樹脂16の搭載領域に対応する開口部19を形成するように、フッ素系撥水膜17にパターニングを施す。撥水パターンは、蛍光体含有封止樹脂16の形成領域を規定するための、フッ素系撥水膜17に搭載されたパターンである。
続いて、図7に示すように、LEDチップ14を基板11に実装する。具体的には、まず、各LEDチップ14を、例えばシリコーン樹脂などの接着樹脂を用いて、開口部19により露出した酸化シリコン系絶縁膜13の上に、順次ダイボンディングする。これにより、1箇所の開口部19につき、1つのLEDチップ14が設けられる。その後、各LEDチップ14に対して順次、金線15を用いて、LEDチップ14の電極と基板11の配線パターンの電極とをワイヤボンディングする。このとき、基板11の配線パターンの電極は、アルミナ系絶縁膜12および酸化シリコン系絶縁膜13により覆われているが、これらの絶縁膜は比較的薄いため、加熱された金線15は、これらの絶縁膜を突き破って配線パターンの電極に到達することが可能となっている。
続いて、図8に示すように、蛍光体含有封止樹脂16を形成する。具体的には、ディスペンサー110を用いて液状の蛍光体入り樹脂を、各開口部19に順次注入する。蛍光体入り樹脂は、液状のシリコーン樹脂に粒子状蛍光体を分散させたものである。ディスペンサー110からは、所定の量、すなわち、LEDチップ14および金線15を覆う程度の蛍光体入り樹脂を吐出させる。開口部19に液状の蛍光体入り樹脂を注入すると、樹脂の表面張力で自己整合的に半球状となるため、LEDチップ14および金線15を覆うことが可能となる。
続いて、図9に示すように、フッ素系撥水膜17を除去する。除去方法としては、例えば、前の撥水パターン形成工程で使用したリアクティブイオンエッチング(RIE)、および、プラズマ電圧での反応性の高いラジカル雰囲気を用いた等方性処理プラズマエッチングモード(PE)、などを使用することができる。図9は、RIEを使用した場合の様子を示している。フッ素系撥水膜17の除去後は、基板11をチャンバー100から取り出す。このようにして、図1に示した発光装置10を作製し得る。
本発明の他の実施の形態について図面に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお、本実施の形態において説明すること以外の構成は、前記実施の形態1と同じである。また、説明の便宜上、前記の実施の形態1の図面に示した部材と同一の機能を有する部材については、同一の符号を付し、その説明を省略する。
次に、上記構成を有する発光装置20の製造方法について説明する。
撥水膜除去工程(ステップS16)の後、透光性樹脂ドーム21および透光性樹脂層22を形成する。具体的には、図14に示すような圧縮形成によって、透光性樹脂ドーム21および透光性樹脂層22を形成する。
11 基板
12 アルミナ系絶縁膜
13 酸化シリコン系絶縁膜
14 LEDチップ(発光素子)
15 金線
16 蛍光体含有封止樹脂(第1封止樹脂)
17 フッ素系撥水膜(撥水膜)
18 パターンマスク
19 開口部
21 透光性樹脂ドーム(第2封止樹脂)
22 透光性樹脂層
100 チャンバー
110 ディスペンサー
121 固定上型
122 可動下型
Claims (3)
- 少なくとも1つの発光素子と該発光素子を覆う第1封止樹脂とを有する発光部が、基板の第1の面に少なくとも1つ搭載されている発光装置の製造方法であって、
基板の第1の面の少なくとも上記発光部を搭載させる領域に、酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程と、
上記酸化シリコン系絶縁膜を覆うように上記基板の第1の面に、撥水膜を形成する工程と、
上記発光部を搭載させる領域に形成した酸化シリコン系絶縁膜を露出させるための開口部を、上記撥水膜に形成する工程と、
上記基板に設けられた配線パターンの電極を覆っている上記酸化シリコン系絶縁膜を、加熱された金線によって突き破って当該配線パターンの電極に到達させて、当該配線パターンの電極と、上記発光素子の電極とを当該金線を用いてワンヤボンディングすることによって、上記開口部の酸化シリコン系絶縁膜の上に、上記発光素子を搭載する工程と、
上記発光素子を覆うように上記開口部に液状樹脂を注入し、該液状樹脂を硬化させることによって上記第1封止樹脂を形成する工程と、
上記第1封止樹脂の形成後、上記撥水膜を除去する工程と、
上記第1封止樹脂を覆うように上記酸化シリコン系絶縁膜の上面に、第2封止樹脂を直接形成する工程とを含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 上記酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程は、
上記酸化シリコン系絶縁膜を形成する前に、上記基板の第1の面の全域に、アルミナ系絶縁膜を直接形成する工程と、
上記アルミナ系絶縁膜の上面の、少なくとも上記発光部を搭載させる領域に、酸化シリコン系絶縁膜を直接形成する工程とからなり、
上記撥水膜を形成する工程では、上記アルミナ系絶縁膜の上面における酸化シリコン系絶縁膜が形成されていない領域と、上記酸化シリコン系絶縁膜を覆う領域とに、上記撥水膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。 - 上記酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程では、上記基板の第1の面の少なくとも上記発光部を搭載させる領域に、酸化シリコン系絶縁膜を直接形成することを特徴とする請求項1に記載の発光装置の製造方法。
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