JP5238331B2

JP5238331B2 - 基板処理装置および基板処理システム

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Publication number: JP5238331B2
Application number: JP2008107170A
Authority: JP
Inventors: 哲也濱田; 隆志田口
Original assignee: Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Current assignee: Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
Priority date: 2008-04-16
Filing date: 2008-04-16
Publication date: 2013-07-17
Anticipated expiration: 2028-04-16
Also published as: JP2009260036A

Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理装置および基板処理システムに関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法がある（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。

しかしながら、液浸法を用いて露光処理を行う場合、基板上に供給される液体がレジスト膜に直接接触すると、レジスト膜の成分がその液体中に溶解して処理不良が発生する。そこで、レジスト膜を覆うようにレジストカバー膜を形成することが提案されている。

例えば特許文献３に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロック、レジストカバー膜用処理ブロック、レジストカバー膜除去ブロックおよびインターフェースブロックを備える。レジスト膜用処理ブロックにおいて基板上にレジスト膜が形成された後、レジストカバー膜用処理ブロックにおいてレジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。露光処理後には、レジストカバー膜除去ブロックにおいて基板上のレジストカバー膜が除去される。
特開２００３−３２４１３９号公報国際公開第９９／４９５０４号パンフレット特開２００６−１４０２８３号公報

上記のように、露光パターンの微細化の要求に伴い、基板の処理工程数が増加する。それにより、基板処理装置が大型化する。

また、上記のような基板処理装置では、その一部で故障が発生すると、全体の動作を停止して、復旧作業を行う必要がある。基板の処理工程数が増加することにより、故障の発生頻度が高くなり、そのたびに全ての処理を中断する必要が生じる。それにより、基板の処理効率が悪化する。

本発明の目的は、大型化が抑制されるとともに基板の処理効率を向上させることが可能な基板処理装置および基板処理システムを提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うとともに基板を露光装置に受け渡す処理搬送部と、処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、処理搬送部は、露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を露光装置に搬送する第１の基板搬送機構と、露光処理後の基板を露光装置から熱処理ユニットに搬送する第２の基板搬送機構と、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットとを含み、洗浄処理ユニットは、基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄ブラシとを含み、基板回転保持装置は、略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材の上側に設けられ、回転部材を回転させる回転駆動機構と、回転部材の下側に設けられ、回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むものである。

この基板処理装置においては、搬入搬出部により処理搬送部に基板が搬入される。その基板は洗浄処理ユニットにより洗浄処理が行われた後に第１の基板搬送機構により露光装置に搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われ、露光処理後の基板が第２の基板搬送機構により露光装置から熱処理ユニットに搬送される。熱処理ユニットにより露光処理後の基板に熱処理が行われ、熱処理後の基板が搬入搬出部により処理搬送部から搬出される。

この場合、基板処理装置の外部において露光処理前および露光処理後の基板に種々の処理を行うことにより、基板処理装置における基板の処理工程数を抑制することができる。それにより、基板処理装置の大型化を抑制することができるとともに、基板処理装置内における故障の発生を抑制することができる。

また、基板処理装置の外部で種々の処理を行う場合には、基板処理装置内で故障が発生しても、基板処理装置の外部において種々の処理を継続して行うことができる。それにより、基板処理装置の故障の発生による基板の処理効率の悪化を抑制することができる。

また、処理搬送部においては、露光処理前の基板が第１の基板搬送機構により搬送され、露光処理後の基板が第２の基板搬送機構により搬送される。すなわち、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。

それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することがないので、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。

また、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行うことにより、露光処理を良好に行うことができ、基板の処理不良の発生を防止することができる。
また、洗浄処理ユニットにより基板の裏面が洗浄される。それにより、基板の裏面に付着する汚染物を除去することができ、露光処理時に基板の裏面の凹凸に起因してデフォーカスが発生することを防止することができる。したがって、基板の処理不良の発生を防止することができる。

（２）洗浄処理ユニットは、基板の表面を洗浄してもよい。

この場合、基板の表面に形成された膜の成分の一部が洗浄処理ユニットによる洗浄時に溶出し、洗い流される。そのため、露光処理時に基板が液体と接触しても、基板上の膜の成分が液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板に付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置内の汚染が防止される。

（３）処理搬送部は、露光処理後の基板に乾燥処理を行う乾燥処理ユニットをさらに含んでもよい。

この場合、露光処理時に基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することが防止される。それにより、基板処理装置の動作不良が防止される。また、基板上の膜の成分が基板上の液体中に溶出することが防止される。それにより、基板の処理不良の発生が防止される。

（４）第２の発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うとともに基板を露光装置に受け渡す処理搬送部と、処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、処理搬送部は、露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を露光装置に搬送する第１の基板搬送機構と、露光処理後の基板を露光装置から熱処理ユニットに搬送する第２の基板搬送機構と、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと、露光処理後の基板に乾燥処理を行う乾燥処理ユニットとを含み、搬入搬出部、処理搬送部および露光装置は第１の方向に沿ってこの順で並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、処理搬送部において第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、熱処理ユニットは、処理搬送部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第２の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されるものである。

この基板処理装置においては、搬入搬出部により処理搬送部に基板が搬入される。その基板は洗浄処理ユニットにより洗浄処理が行われた後に第１の基板搬送機構により露光装置に搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われ、露光処理後の基板が第２の基板搬送機構により露光装置から熱処理ユニットに搬送される。熱処理ユニットにより露光処理後の基板に熱処理が行われ、熱処理後の基板が搬入搬出部により処理搬送部から搬出される。
この場合、基板処理装置の外部において露光処理前および露光処理後の基板に種々の処理を行うことにより、基板処理装置における基板の処理工程数を抑制することができる。それにより、基板処理装置の大型化を抑制することができるとともに、基板処理装置内における故障の発生を抑制することができる。
また、基板処理装置の外部で種々の処理を行う場合には、基板処理装置内で故障が発生しても、基板処理装置の外部において種々の処理を継続して行うことができる。それにより、基板処理装置の故障の発生による基板の処理効率の悪化を抑制することができる。
また、処理搬送部においては、露光処理前の基板が第１の基板搬送機構により搬送され、露光処理後の基板が第２の基板搬送機構により搬送される。すなわち、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。
それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することがないので、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。
また、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行うことにより、露光処理を良好に行うことができ、基板の処理不良の発生を防止することができる。
また、搬入搬出部、処理搬送部および露光装置が第１の方向に沿ってこの順で並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットが第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置される。この場合、熱処理ユニットが処理搬送部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットが第２の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置される。それにより、処理搬送部における基板の搬送効率を良好に維持しつつ基板処理装置の小型化および省スペース化が可能になる。

（５）搬入搬出部は、基板を収納する収納容器が載置される容器載置部と、容器載置部に載置された収納容器と処理搬送部との間で基板を搬送する第３の基板搬送機構とを含み、処理搬送部は、第１の基板搬送機構と搬入搬出部との間に配置されかつ基板を一時的に載置するための基板載置部をさらに含み、第３の基板搬送機構は、露光装置による露光処理前の基板を収納容器から基板載置部に搬送するとともに、露光装置による露光処理後の基板を熱処理ユニットから収納容器に搬送してもよい。

この場合、露光処理前の基板が第３の搬送機構により収納容器から基板載置部に搬送される。そして、その基板が第１の基板搬送機構により基板載置部から露光装置に搬送される。また、露光処理後の基板が第２の搬送機構により露光装置から熱処理ユニットに搬送され、熱処理後の基板が第３の搬送機構により熱処理ユニットから収納容器に搬送される。

このように、処理搬送部に対する基板の搬入および搬出を円滑に行うことができる。また、熱処理ユニットを介して露光処理後の基板を処理搬送部から搬入搬出部へ搬送することにより、基板の搬送効率をさらに向上させることができる。

（６）第３の発明に係る基板処理システムは、基板に露光処理を行う露光装置と、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置とを備え、基板処理装置は、基板に処理を行うとともに基板を露光装置に受け渡す処理搬送部と、処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを含み、処理搬送部は、露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を露光装置に搬送する第１の基板搬送機構と、露光処理後の基板を露光装置から熱処理ユニットに搬送する第２の基板搬送機構と、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットとを含み、洗浄処理ユニットは、基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄ブラシとを含み、基板回転保持装置は、略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、回転部材の上側に設けられ、回転部材を回転させる回転駆動機構と、回転部材の下側に設けられ、回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むものである。

この基板処理システムにおいては、露光装置において基板に露光処理が行われるとともに、露光処理の前後に基板処理装置において基板に所定の処理が行われる。

基板処理装置においては、搬入搬出部により処理搬送部に基板が搬入される。その基板は洗浄処理ユニットにより洗浄処理が行われた後に第１の基板搬送機構により露光装置に搬送される。露光処理後の基板が第２の基板搬送機構により露光装置から熱処理ユニットに搬送される。熱処理ユニットにより露光処理後の基板に熱処理が行われ、熱処理後の基板が搬入搬出部により処理搬送部から搬出される。

それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することがないので、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。
また、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行うことにより、露光処理を良好に行うことができ、基板の処理不良の発生を防止することができる。
また、洗浄処理ユニットにより基板の裏面が洗浄される。それにより、基板の裏面に付着する汚染物を除去することができ、露光処理時に基板の裏面の凹凸に起因してデフォーカスが発生することを防止することができる。したがって、基板の処理不良の発生を防止することができる。
（８）第４の発明に係る基板処理システムは、基板に露光処理を行う露光装置と、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置とを備え、基板処理装置は、基板に処理を行うとともに基板を露光装置に受け渡す処理搬送部と、処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、処理搬送部は、露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を露光装置に搬送する第１の基板搬送機構と、露光処理後の基板を露光装置から熱処理ユニットに搬送する第２の基板搬送機構と、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと、露光処理後の基板に乾燥処理を行う乾燥処理ユニットとを含み、搬入搬出部、処理搬送部および露光装置は第１の方向に沿ってこの順で並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、処理搬送部において第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、熱処理ユニットは、処理搬送部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第２の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されるものである。
この基板処理システムにおいては、露光装置において基板に露光処理が行われるとともに、露光処理の前後に基板処理装置において基板に所定の処理が行われる。
基板処理装置においては、搬入搬出部により処理搬送部に基板が搬入される。その基板は洗浄処理ユニットにより洗浄処理が行われた後に第１の基板搬送機構により露光装置に搬送される。露光処理後の基板が第２の基板搬送機構により露光装置から熱処理ユニットに搬送される。熱処理ユニットにより露光処理後の基板に熱処理が行われ、熱処理後の基板が搬入搬出部により処理搬送部から搬出される。
この場合、基板処理装置の外部において露光処理前および露光処理後の基板に種々の処理を行うことにより、基板処理装置における基板の処理工程数を抑制することができる。それにより、基板処理装置の大型化を抑制することができるとともに、基板処理装置内における故障の発生を抑制することができる。
また、基板処理装置の外部で種々の処理を行う場合には、基板処理装置内で故障が発生しても、基板処理装置の外部において種々の処理を継続して行うことができる。それにより、基板処理装置の故障の発生による基板の処理効率の悪化を抑制することができる。
また、処理搬送部においては、露光処理前の基板が第１の基板搬送機構により搬送され、露光処理後の基板が第２の基板搬送機構により搬送される。すなわち、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。
それにより、露光処理前の基板の搬送経路と露光処理後の基板の搬送経路とが交錯する場合に比べて、効率よく基板を搬送することができる。その結果、スループットを向上させることが可能になる。また、露光処理前の基板と露光処理後の基板とが同一の部位に接触することがないので、露光処理前の基板と露光処理後の基板との間の相互汚染を防止することができる。
また、レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行うことにより、露光処理を良好に行うことができ、基板の処理不良の発生を防止することができる。
また、搬入搬出部、処理搬送部および露光装置が第１の方向に沿ってこの順で並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットが第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置される。この場合、熱処理ユニットが処理搬送部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットが第２の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置される。それにより、処理搬送部における基板の搬送効率を良好に維持しつつ基板処理装置の小型化および省スペース化が可能になる。
（８）第５の発明に係る基板処理方法は、処理搬送部と搬入搬出部とを備え、露光装置に隣接するように配置された基板処理装置において基板を処理する方法であって、レジスト膜が形成された基板を搬入搬出部により処理搬送部に搬入するステップと、搬入搬出部によって搬入された基板を処理搬送部の第１の基板搬送機構により処理搬送部の洗浄処理ユニットに搬送するステップと、第１の基板搬送機構によって搬送された基板に洗浄処理ユニットにより洗浄処理を行うステップと、洗浄処理ユニットによる洗浄処理後の基板を第１の基板搬送機構により露光装置に搬送するステップと、露光装置による露光処理後の基板を処理搬送部の第２の基板搬送機構により処理搬送部の熱処理ユニットに搬送するステップと、第２の基板搬送機構によって搬送された基板に熱処理ユニットにより熱処理を行うステップとを備え、洗浄処理ユニットにより洗浄処理を行うステップは、基板回転保持装置により基板を略水平に保持しつつ回転させるステップと、基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄ブラシにより洗浄するステップとを含み、基板を回転させるステップは、回転部材の下側に設けられた保持部材を回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接させることにより基板を保持するステップと、回転部材の上側に設けられた回転駆動機構により回転部材を略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転させるステップとを含むものである。
（９）第６の発明に係る基板処理方法は、処理搬送部と搬入搬出部とを備え、露光装置に隣接するように配置された基板処理装置において基板を処理する方法であって、レジスト膜が形成された基板を搬入搬出部により処理搬送部に搬入するステップと、搬入搬出部によって搬入された基板を処理搬送部の第１の基板搬送機構により処理搬送部の洗浄処理ユニットに搬送するステップと、第１の基板搬送機構によって搬送された基板に洗浄処理ユニットにより洗浄処理を行うステップと、洗浄処理ユニットによる洗浄処理後の基板を第１の基板搬送機構により露光装置に搬送するステップと、露光装置による露光処理後の基板を処理搬送部の第２の基板搬送機構により処理搬送部の乾燥処理ユニットに搬送するステップと、第２の基板搬送機構によって搬送された基板に乾燥処理ユニットにより基板に乾燥処理を行うステップと、乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を第２の基板搬送機構により熱処理ユニットに搬送するステップと、第２の基板搬送機構によって搬送された基板に熱処理ユニットにより熱処理を行うステップとを備え、搬入搬出部、処理搬送部および露光装置は第１の方向に沿ってこの順で並設され、洗浄処理ユニット、熱処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、処理搬送部において第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、熱処理ユニットは、処理搬送部の略中央部に配置され、洗浄処理ユニットおよび乾燥処理ユニットは、第２の方向に沿った熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されるものである。

本発明によれば、基板処理装置の外部において露光処理前および露光処理後の基板に種々の処理を行うことにより、基板処理装置における基板の処理工程数を抑制することができる。それにより、基板処理装置の大型化を抑制することができるとともに、基板処理装置内における故障の発生を抑制することができる。また、基板処理装置の外部で種々の処理を行う場合には、基板処理装置内で故障が発生しても、基板処理装置の外部において種々の処理を継続して行うことができる。それにより、基板処理装置の故障の発生による基板の処理効率の悪化を抑制することができる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理システムについて図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図５および図８には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、洗浄加熱ブロック１０および基板搬送ブロック１１を含む。基板搬送ブロック１１に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。

洗浄加熱ブロック１０は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、第１および第２のセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２および載置兼ベークユニットＰ−ＰＥＢを含む。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は洗浄加熱ブロック１０の−Ｘ側に配置され、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は洗浄加熱ブロック１０の＋Ｘ側に配置される。載置兼ベークユニットＰ−ＰＥＢは洗浄加熱ブロック１０の略中央部に配置される。

載置兼ベークユニットＰ−ＰＥＢと洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１との間に第１のセンターロボットＣＲ１および基板載置部ＰＡＳＳ１が配置される。載置兼ベークユニットＰ−ＰＥＢと洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間に第２のセンターロボットＣＲ２および基板載置部ＰＡＳＳ２が配置される。

洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄処理を行うとともに乾燥処理を行い、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄処理を行うとともに乾燥処理を行う。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細については後述する。

第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２が上下に設けられ、第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられる。

基板搬送ブロック１１は、ベベル検査ユニットＩＭ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、送りバッファ部ＳＢＦ、およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲａ，ＩＦＲｂを含む。インターフェース用搬送機構ＩＦＲａには基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１が設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲｂには基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ２が設けられる。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。

図２に示すように、洗浄加熱ブロック１０の＋Ｘ側には、５個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。また、図３に示すように、洗浄加熱ブロック１０の−Ｘ側には、５個の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が上下に積層配置される。基板搬送ブロック１１の−Ｘ側には、ベベル検査ユニットＩＭ、４個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび送りバッファ部ＳＢＦが上下に配置される。

なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２、ベベル検査ユニットＩＭ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの個数は適宜変更してもよい。

（２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図３を参照しながら説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

本実施の形態では、インデクサブロック９に搬入される基板Ｗに、予め他の装置によってレジスト膜が形成されている。また、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるための反射防止膜がレジスト膜下に形成されていてもよく、レジスト膜を保護するレジストカバー膜がレジスト膜上に形成されていてもよい。

また、本実施の形態では、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

さらに、インデクサロボットＩＲ、第１および第２のセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲａ，ＩＦＲｂには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗは、洗浄加熱ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板搬送ブロック１１のベベル検査ユニットＩＭに搬入する。ベベル検査ユニットＩＭにおいては、基板Ｗのベベル部（外周端部）の検査が行われ、基板Ｗのベベル部に膜剥れ等の異常がないか確認される。

ベベル検査ユニットＩＭにおいてベベル部の異常が確認された場合、その基板Ｗは、別途所定の処置がとられる。例えばその基板Ｗは、第１のセンターロボットＣＲ１によりベベル検査ユニットＩＭから取り出された後に、送りバッファ部ＳＢＦに搬入される。そして、ロット終了後に作業者によって回収される。

ベベル部に異常がない基板Ｗは、第１のセンターロボットＣＲ１によりベベル検査ユニットＩＭから取り出され、送りバッファ部ＳＢＦに搬入される。そして、その基板Ｗは第１のセンターロボットＣＲ１により送りバッファ部ＳＢＦから取り出される。

露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。そのため、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは基板搬送ブロック１１の送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。

次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、送りバッファ部ＳＢＦから取り出した基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。

なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、ベベル検査ユニットＩＭから載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。

続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、基板搬送ブロック１１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲａにより受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａに搬入される。

露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲｂにより基板搬出部１６ｂから搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲｂは、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、洗浄加熱ブロック１０の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗを洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに搬入する。載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢにおいては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの詳細については後述する。

本実施の形態では、第１のセンターロボットＣＲ１の動作工程が、基板載置部ＰＡＳＳ１から洗浄／乾燥処理ＳＤ１への基板Ｗの搬送、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１からベベル検査ユニットＩＭへの基板Ｗの搬送、ベベル検査ユニットＩＭから送りバッファ部ＳＢＦへの基板Ｗの搬送、送りバッファ部ＳＢＦから載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰへの基板Ｗの搬送、および載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰから基板載置部ＰＡＳＳ１への回転移動の５工程になる。

この場合、例えば１つの工程を３．６秒で行うことが可能な第１のセンターロボットＣＲ１を用いると、１時間で２００枚の基板Ｗを搬送することができる。

また、第２のセンターロボットＣＲ２の動作工程が、基板載置部ＰＡＳＳ２から洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２への基板Ｗの搬送、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢへの基板Ｗの搬送、および載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢから基板載置部ＰＡＳＳ２への回転移動の３工程になる。

この場合、例えば１つの工程を３．６秒で行うことが可能な第２のセンターロボットＣＲ２を用いると、１時間で３３３枚の基板Ｗを搬送することができる。

露光後ベーク処理が行われた基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲにより載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢから受け取られる。インデクサロボットＩＲは、その基板ＷをキャリアＣ内に収納する。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。

なお、基板処理装置５００から基板Ｗが搬出された後、他の装置によって基板Ｗ上のレジスト膜に現像処理が行われる。また、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成されている場合には、現像処理が行われる前にレジストカバー膜の除去処理が行われる。

（３）載置兼加熱ユニットの詳細
図４は、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの外観斜視図であり、図５は、ＹＺ平面における載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの断面図である。

図４および図５に示すように、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢは、搬出用載置部２００、搬入用載置部２１０、加熱部２２０および搬送機構２３０を備える。搬出用載置部２００、搬入用載置部２１０および加熱部２２０は、Ｙ方向に沿って並べて配置されている。

搬出用載置部２００は、冷却プレート２０１を含む。冷却プレートの内部には、冷却配管ＷＰが設けられている。冷却配管ＷＰを通して冷却媒体（例えば冷却水）を循環させることにより、冷却プレート２０１を冷却することができる。冷却プレート２０１から上方に突出するように、複数（本例では３本）の昇降ピン２０２が設けられている。

搬入用載置部２１０は、載置プレート２１１を含む。載置プレート２１１から上方に突出するように、複数（本例では３本）の昇降ピン２１２が設けられている。

加熱部２２０は、加熱プレート２２１を含む。加熱プレート２２１から上方に突出するように、複数（本例では３本）の昇降ピン２２２が設けられている。加熱プレート２２１の上方には、上蓋２２４が設けられている。上蓋２２４は上蓋昇降駆動部２２５に取り付けられている。上蓋昇降駆動部２２５により、上蓋２２４が昇降駆動される。

図５に示すように、複数の昇降ピン２０２はピン支持板２０３に取り付けられ、複数の昇降ピン２１２はピン支持板２１３に取り付けられている。複数の昇降ピン２２２はピン支持板２２３に取り付けられている。ピン支持板２０３，２１３，２２３は、昇降ピン駆動機構２４０によりそれぞれ独立に昇降駆動される。

図４に示すように、搬出用載置部２００、搬入用載置部２１０および加熱部２２０の側方には、Ｙ方向に沿うようにガイドレール２３１が敷設されている。搬送機構２３０は、ガイドレール２３１に沿って移動可能に設けられている。

搬送機構２３０は、搬送ハンド２３２およびハンド駆動部２３３を有する。搬送ハンド２３２は、ハンド駆動部２３３により昇降されるとともに、ハンド駆動部２３３と一体的にＹ方向に沿って移動する。搬送ハンド２３２は、基板Ｗを保持した状態で、搬出用載置部２００、搬入用載置部２１０および加熱部２２０の間を移動する。搬送ハンド２３２には、昇降ピン２０２，２１２，２２２と干渉しないように切り込みが形成されている。

次に、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢの動作について説明する。まず、図１の第２のセンターロボットＣＲ２が、ハンドＣＲＨ１３またはハンドＣＲＨ１４によりＸ方向に沿って載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに基板Ｗを搬入し、搬入載置部２１０の昇降ピン２１２上に載置する。

第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ１３またはハンドＣＲＨ１４が退出した後、搬送ハンド２３２が基板Ｗと載置プレート２１１との間に移動し、支持ピン２１２上の基板Ｗを受け取る。

続いて、上蓋２２４が加熱プレート２２１から離間した状態で、搬送ハンド２３２が加熱プレート２２１上に移動し、支持ピン２２２上に基板Ｗを載置する。

続いて、搬送ハンド２３２が加熱部２２０から退避するとともに、上蓋２２４が下降して加熱プレート２２１上の空間を閉塞する。そして、昇降ピン２２２が下降して基板Ｗを加熱プレート２２１上に載置する。その状態で、加熱プレート２２１により基板Ｗが加熱される。

所定時間経過後、基板Ｗの加熱が停止され、上蓋２２４が上昇する。続いて、昇降ピン２２２が上昇して基板Ｗを加熱プレート２２１から離間させる。そして、加熱プレート２２１と基板Ｗとの間に搬送ハンド２３２が移動し、昇降ピン２２２上の基板Ｗを受け取る。

続いて、加熱後の基板Ｗを保持した状態で搬送ハンド２３２が搬出用載置部２００の冷却プレート２０１上に移動し、支持ピン２０２上に基板Ｗを載置する。続いて、支持ピン２０２が下降して基板Ｗを冷却プレート２０１上に載置する。その状態で、冷却プレート２０１が冷却されることにより、基板Ｗが冷却される。

所定時間経過後、基板Ｗの冷却が停止され、支持ピン２０２が上昇して基板Ｗを冷却プレート２０１から離間させる。そして、図１のインデクサロボットＩＲが、ハンドＩＲＨにより、支持ピン２０２上から基板Ｗを受け取り、Ｙ方向に沿って載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢから基板Ｗを搬出する。

載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢにおいては、第２のセンターロボットＣＲ２に近接する位置に搬入用載置部２１０が設けられ、インデクサロボットＩＲ（インデクサボロック９）に近接する位置に搬出用載置部２００が設けられている。それにより、第２のセンターロボットＣＲ２による搬入用載置部２１０への基板Ｗの搬入およびインデクサロボットＩＲによる搬出用載置部２００からの基板Ｗの搬出が容易になる。その結果、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに対する基板Ｗの搬入および搬出を迅速に行うことが可能になる。

なお、本実施の形態では、冷却プレート２０１によって基板Ｗが冷却されるが、基板Ｗの冷却方法はこれに限らず、搬送ハンド２３２に基板Ｗを冷却するための冷却機能を付与してもよい。

（４）洗浄／乾燥処理ユニット
次に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１について図面を用いて詳細に説明する。図６は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を示す側面図である。なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と同様の構成を有する。

図６に示すように、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。

スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック６２１の外方には、モータ６６０が設けられている。モータ６６０には、回動軸６６１が接続されている。また、回動軸６６１には、アーム６６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。

モータ６６０により回動軸６６１が回転するとともにアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

モータ６６０、回動軸６６１およびアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。

このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管６６３に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図６の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。

洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水および電解イオン水ＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。

スピンチャック６２１の外方には、モータ６７１が設けられている。モータ６７１には、回動軸６７２が接続されている。また、回動軸６７２には、アーム６７３が水平方向に延びるように連結され、アーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。

モータ６７１により回動軸６７２が回転するとともに、アーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

モータ６７１、回動軸６７２およびアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。

乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガスが用いられる。

基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。

また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。

スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３との間に、基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。

排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。

処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。

また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。

このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図６に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。

次に、上記構成を有する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の処理動作について説明する。なお、以下に説明する洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の各構成要素の動作は、図１のメインコントロ−ラ（制御部）３０により制御される。洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２の処理動作は、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の処理動作と同様である。

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１の第１のセンターロボットＣＲ１が基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。

次に、ガード６２４が上述した排液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転に伴ってスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。

なお、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、この洗浄時に基板Ｗ上のレジストカバー膜の成分が洗浄液中に溶出する。また、基板Ｗの洗浄においては、基板Ｗを回転させつつ基板Ｗ上に洗浄液を供給している。この場合、基板Ｗ上の洗浄液は遠心力により常に基板Ｗの周縁部へと移動し飛散する。したがって、洗浄液中に溶出したレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留することを防止することができる。

なお、上記のレジストカバー膜の成分は、例えば、基板Ｗ上に純水を盛って一定時間保持することにより溶出させてもよい。また、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、二流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。

所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。

さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図７（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。

次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図７（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

次に、回転軸６２５（図６参照）の回転数が上昇するとともに、図７（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１の第１のセンターロボットＣＲ１が基板Ｗを搬出する。これにより、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における処理動作が終了する。なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または排液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。

なお、上記実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。

また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。

また、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。

また、上記実施の形態においては、スピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。

また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。

（５）本実施の形態の効果
本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄処理および乾燥処理、ならびに露光処理後の基板Ｗの洗浄処理、乾燥処理および加熱処理が行われる。レジスト膜の形成および現像等の他の処理は、基板処理装置５００の外部において別途行われる。

このように、基板処理装置５００の外部で種々の処理を行うことにより、基板処理装置５００の大型化が抑制されるとともに、基板処理装置５００内における故障の発生を抑制することができる。そのため、基板処理装置５００の復旧作業に要する労力および時間を削減することができる。

また、基板処理装置５００内で故障が発生しても、レジスト膜の形成等の他の処理を継続して行うことができる。それにより、故障の発生による基板Ｗの処理効率の悪化を抑制することができる。

また、洗浄加熱ブロック１０および基板搬送ブロック１１においては、露光処理前の基板Ｗが第１のセンターロボットＣＲ１およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲａにより搬送され、露光処理後の基板Ｗが第２のセンターロボットＣＲ２およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲｂにより搬送される。すなわち、洗浄加熱ブロック１０および基板搬送ブロック１１において、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立に確保されている。この場合、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とが交錯する場合に比べて、第１および第２のセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲａ，ＩＦＲｂの動作が簡略化される。それにより、基板Ｗの搬送効率が向上し、スループットを向上させることが可能になる。

また、洗浄加熱ブロック１０および基板搬送ブロック１１において、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとが同一の部位に接触することがない。したがって、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとの間のクロスコンタミネーション（相互汚染）を防止することができる。

また、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立していることにより、露光処理後の基板Ｗを迅速にかつ円滑に載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢに搬送することができる。そのため、複数の基板Ｗを連続的に処理する場合に、露光処理からＰＥＢ処理までの時間を短くかつほぼ一定にすることができる。その結果、露光パターンの精度のばらつきを防止することができる。

また、載置兼加熱ユニットＰ−ＰＥＢは、第２のセンターロボットＣＲ２からインデクサロボットＩＲへの基板Ｗの受け渡しのための載置部の役割を担っている。この場合、洗浄加熱ブロック１０からインデクサブロック９への基板Ｗの搬送経路を簡略化することができる。それにより、スループットをさらに向上させることができる。

また、本実施の形態では、露光装置１６において基板Ｗの露光処理が行われる前に、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１において基板Ｗの洗浄処理が行われる。この洗浄処理時に、基板Ｗ上のレジスト膜またはレジストカバー膜のレジストカバー膜の成分の一部が洗浄液またはリンス液中に溶出し、洗い流される。そのため、露光装置１６において基板Ｗが液体と接触しても、基板Ｗ上のレジスト膜またはレジストカバー膜の成分は液体中にほとんど溶出しない。また、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。これらの結果、露光装置１６内の汚染が防止される。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗの洗浄処理後に基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、洗浄処理時に基板Ｗに付着した洗浄液またはリンス液が取り除かれるので、洗浄処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が再度付着することが防止される。その結果、露光装置１６内の汚染を確実に防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。それにより、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が、基板処理装置５００内に落下することが防止される。また、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理を行うことにより、露光処理後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染を防止することができる。

また、基板処理装置５００内を液体が付着した基板Ｗが搬送されることを防止することができるので、露光処理時に基板Ｗに付着した液体が基板処理装置５００内の雰囲気に影響を与えることを防止することができる。それにより、基板処理装置５００内の温湿度調整が容易になる。

また、露光処理時に基板Ｗに付着した液体がインデクサロボットＩＲおよび第１および第２のセンターロボットＣＲ１，ＣＲ２に付着することが防止される。そのため、露光処理前の基板Ｗに液体が付着することが防止される。それにより、露光処理前の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することが防止されるので、基板Ｗの汚染が防止される。その結果、露光処理時の解像性能の劣化を防止することができるとともに露光装置１６内の汚染を防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２から基板Ｗを搬送した後に、レジストの成分またはレジストカバー膜の成分が基板Ｗ上に残留した洗浄液およびリンス液中に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

これらの結果、基板処理装置５００の電気系統の異常等の動作不良を防止することができるとともに、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、乾燥処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われるので、露光処理時に液体が付着した基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を取り除くことができる。それにより、基板Ｗの汚染を防止することができる。その結果、基板の処理不良を確実に防止することができる。

（６）他の実施の形態
図８は、本発明の他の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図８に示す基板処理装置５００ａについて、上記実施の形態の基板処理装置５００と異なる点を説明する。

基板処理装置５００ａにおいては、基板搬送ブロック１１に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲａ，ＩＦＲｂの代わりにインターフェース用搬送機構ＩＦＲｃが±Ｘ方向に移動可能に設けられる。インターフェース用搬送機構ＩＦＲｃには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ３，Ｈ４が上下に設けられる。ハンドＨ３，Ｈ４は、それぞれ独立に駆動される。

インターフェース用搬送機構ＩＦＲｃは、ハンドＨ３により載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに載置された基板Ｗを受け取り、その基板Ｗを露光装置１６の基板搬入部１６ａに搬入する。また、インターフェース用搬送機構ＩＦＲｃは、ハンドＨ４により露光装置１６の基板搬出部１６ｂから露光処理後の基板Ｗを搬出し、その基板Ｗを洗浄加熱ブロック１０の基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。

このように、基板処理装置５００ａでは、基板搬送ブロック１１において、インターフェース用搬送機構ＩＦＲｃのハンドＨ３，Ｈ４がそれぞれ独立に駆動され、露光処理前の基板ＷがハンドＨ３により搬送され、露光処理後の基板ＷがハンドＨ４により搬送される。それにより、洗浄加熱ブロック１０および基板搬送ブロック１１において、露光処理前の基板Ｗの搬送経路と露光処理後の基板Ｗの搬送経路とがそれぞれ独立に確保される。したがって、効率良く基板Ｗを搬送することができる。

また、洗浄加熱ブロック１０および基板搬送ブロック１１において、露光処理前の基板Ｗと露光処理後の基板Ｗとの間のクロスコンタミネーションが防止される。

（７）さらに他の実施の形態
上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１６を基板処理装置５００の外部装置として設ける場合について説明したが、これに限定されず、液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う従来の露光装置を外部装置として設けてもよい。この場合、洗浄加熱ブロック１０に洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２を設けなくてもよい。また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の代わりに以下に示す裏面洗浄処理ユニットＢＣを設けてもよい。なお、以下の説明において、基板Ｗの表面とは、種々の膜が形成される面をいい、基板Ｗの裏面とは、その反対側の面をいう。

（７−１）裏面洗浄処理ユニット
図９および図１０は、裏面洗浄処理ユニットＢＣの構成を示す側面図および概略平面図である。なお、図１０には、裏面洗浄処理ユニットＢＣの一部の構成要素が模式的に示される。

図９および図１０に示すように、裏面洗浄処理ユニットＢＣは、基板Ｗを水平に保持して回転させるスピンチャック７００を備える。スピンチャック７００は、スピンモータ７０１、回転軸７０２、円板状のスピンプレート７０３、プレート支持部材７０４、円板状の遮断板７０５、マグネットプレート７０６ａ，７０６ｂおよび複数のチャックピン７０７を含む。

裏面洗浄処理ユニットＢＣの上部にスピンモータ７０１が設けられている。スピンモータ７０１は、モータ支持部材７０１ｓによって支持されている。モータ支持部材７０１ｓは、鉛直方向に延びる貫通孔７０１ｈを有し、モータ固定部２９０に取り付けられている。

スピンモータ７０１の内部から下方に延びるように円筒形状を有する回転軸７０２が設けられている。回転軸７０２はスピンモータ７０１の出力軸として機能する。

回転軸７０２の下端部にはプレート支持部材７０４が取り付けられている。後述するように、プレート支持部材７０４は円筒形状を有する。プレート支持部材７０４によりスピンプレート７０３が水平に支持されている。スピンプレート７０３の下方で遮断板７０５が固定部材７０５ａ，７０５ｂによってプレート支持部材７０４およびスピンプレート７０３に水平に固定されている。遮断板７０５の中心部には、貫通孔７０５ｈが形成されている。スピンモータ７０１によって回転軸７０２が回転することにより、プレート支持部材７０４、スピンプレート７０３および遮断板７０５が鉛直軸の周りで一体的に回転する。

モータ支持部材７０１ｓの貫通孔７０１ｈ、スピンモータ７０１の回転軸７０２の内部、およびプレート支持部材７０４の内部には、流体供給管７１０が挿通されている。流体供給管７１０は、ガイド管７１１の内部に気体供給管７１２が収容された構造を有する。気体供給管７１２には気体（本例ではＮ_２ガス）が供給される。

気体供給管７１２は、その先端部が遮断板７０５の貫通孔７０５ｈから僅かに下方に突出するように設けられる。これにより、遮断板７０５と基板Ｗとの間にＮ_２ガスを確実に供給することができる。なお、気体供給管７１２の先端部を遮断板７０５に固定してもよい。

スピンプレート７０３の周縁部には、複数（図６においては５つ）のチャックピン７０７が回転軸７０２に関して等角度間隔で設けられている。チャックピン７０７の個数は、５つ以上であることが望ましい。その理由については後述する。

各チャックピン７０７は、軸部７０７ａ、ピン支持部７０７ｂ、保持部７０７ｃおよびマグネット７２０を含む。スピンプレート７０３を貫通するように軸部７０７ａが設けられ、軸部７０７ａの下端部に水平方向に延びるピン支持部７０７ｂが接続されている。ピン支持部７０７ｂの先端部から下方に突出するように保持部７０７ｃが設けられている。また、スピンプレート７０３の上面側において、軸部７０７ａの上端部にマグネット７２０が取り付けられている。

各チャックピン７０７は、軸部７０７ａを中心に鉛直軸の周りで回転可能であり、保持部７０７ｃが基板Ｗの外周端部に当接する閉状態と、保持部７０７ｃが基板Ｗの外周端部から離間する開状態とに切替可能である。なお、本例では、マグネット７２０のＮ極が内側にある場合に各チャックピン７０７が閉状態となり、マグネット７２０のＳ極が内側にある場合に各チャックピン７０７が開状態となる。

スピンプレート７０３の上方には、回転軸７０２を中心とする周方向に沿ってマグネットプレート７０６ａ，７０６ｂが配置される。マグネットプレート７０６ａ，７０６ｂは、外側にＳ極を有し、内側にＮ極を有する。マグネットプレート７０６ａ，７０６ｂは、マグネット昇降機構７１３ａ，７１３ｂによってそれぞれ独立に昇降し、チャックピン７０７のマグネット７２０よりも高い上方位置とチャックピン７０７のマグネット７２０とほぼ等しい高さの下方位置との間で移動する。

マグネットプレート７０６ａ，７０６ｂの昇降により、各チャックピン７０７が開状態と閉状態とに切り替えられる。マグネットプレート７０６ａ，７０６ｂおよびチャックピン７０７の動作の詳細については後述する。

スピンチャック７００の外方には、基板Ｗから飛散する洗浄液を受け止めるためのガード７１４が設けられている。ガード７１４は、スピンチャック７００の回転軸７０２に関して回転対称な形状を有する。また、ガード７１４は、ガード昇降機構７１４ａにより昇降する。ガード７１４により受け止められた洗浄液は、図示しない排液装置または回収装置により排液または回収される。

ガード７１４の外方には、３つ以上（本例では３つ）の基板受け渡し機構７３０がスピンチャック７００の回転軸７０２を中心として等角度間隔で配置されている。各基板受け渡し機構７３０は、昇降回転駆動部７３１、回転軸７３２、アーム７３３および保持ピン７３４を含む。昇降回転駆動部７３１から上方に延びるように回転軸７３２が設けられ、回転軸７３２の上端部から水平方向に延びるようにアーム７３３が連結されている。アーム７３３の先端部に、基板Ｗの外周端部を保持するための保持ピン７３４が設けられている。

昇降回転駆動部７３１により、回転軸７３２が昇降動作および回転動作を行う。それにより、保持ピン７３４が水平方向および上下方向に移動する。

また、裏面洗浄処理ユニットＢＣの下部には、略円柱形状の裏面洗浄ブラシ７３５が配置されている。裏面洗浄ブラシ７３５はモータ７３６の回転軸に取り付けられており、鉛直軸の周りで回転駆動される。モータ７３６はブラシ保持部材７３７により保持されている。ブラシ保持部材７３７は、ブラシ移動機構７３８によって駆動される。それにより、洗浄ブラシ７３５が水平方向および上下方向に移動する。

洗浄ブラシ７３５の近傍におけるブラシ保持部材７３７の部分には洗浄ノズル７３９が取り付けられている。洗浄ノズル７３９には洗浄液が供給される液供給管（図示せず）が接続されている。洗浄ノズル７３９の吐出口は洗浄ブラシ７３５周辺に向けられており、吐出口から洗浄ブラシ７３５周辺に向けて洗浄液が吐出される。なお、本例では洗浄水として純水が用いられる。

スピンチャック７００による基板Ｗの保持動作について説明する。図１１および図１２は、スピンチャック７００による基板Ｗの保持動作を説明するための図である。

まず、図１１（ａ）に示すように、ガード７１４がチャックピン７０７よりも低い位置に移動する。そして、複数の基板受け渡し機構７３０（図９）の保持ピン７３４がガード７１４の上方を通ってスピンプレート７０３の下方に移動する。複数の保持ピン７３４上に第１のセンターロボットＣＲ１（図１）により基板Ｗが載置される。

このとき、マグネットプレート７０６ａ，７０６ｂは上方位置にある。この場合、マグネットプレート７０６ａ，７０６ｂの磁力線Ｂは、チャックピン７０７のマグネット７２０の高さにおいて内側から外側に向かう。それにより、各チャックピン７０７のマグネット７２０のＳ極が内側に吸引される。したがって、各チャックピン７０７は開状態となる。

続いて、図１１（ｂ）に示すように、複数の保持ピン７３４が基板Ｗを保持した状態で上昇する。これにより、基板Ｗが複数のチャックピン７０７の保持部７０７ｃの間に移動する。

続いて、図１２（ｃ）に示すように、マグネットプレート７０６ａ，７０６ｂが下方位置に移動する。この場合、各チャックピン７０７のマグネット７２０のＮ極が内側に吸引される。それにより、各チャックピン７０７が閉状態となり、各チャックピン７０７の保持部７０７ｃによって基板Ｗの外周端部が保持される。なお、各チャックピン７０７は、隣接する保持ピン７３４間で基板Ｗの外周端部を保持する。そのため、チャックピン７０７と保持ピン７３４とは互いに干渉しない。その後、複数の保持ピン７３４がガード７１４の外方に移動する。

続いて、図１２（ｄ）に示すように、ガード７１４がチャックピン７０７により保持される基板Ｗを取り囲む高さに移動する。そして、基板Ｗの裏面洗浄処理が行われる。

（７−２）裏面洗浄処理
図１３および図１４は、基板Ｗの裏面洗浄処理について説明するための側面図である。

図１３に示すように、基板Ｗの裏面洗浄処理時には、スピンチャック７００により基板Ｗが回転するとともに、気体供給管７１２を通して遮断板７０５と基板Ｗとの間にＮ_２ガスが供給される。これにより、遮断板７０５と基板Ｗとの間で、基板Ｗの中心部上から外側に向かうＮ_２ガスの気流が形成される。したがって、基板Ｗの表面のレジスト膜に液体が付着することが防止される。

その状態で、洗浄ブラシ７３５がモータ７３６によって回転しながら基板Ｗの裏面に接触する。そして、洗浄ブラシ７３５が基板Ｗの中心部下方と周縁部下方との間で移動し、基板Ｗの裏面の全域に接触する。基板Ｗと洗浄ブラシ７３５との接触部分には、洗浄ノズル７３９から純水が供給される。これにより、基板Ｗの裏面の全体が洗浄ブラシ７３５により洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物が取り除かれる。

続いて、図１４（ａ）に示すように、マグネットプレート７０６ａが下方位置に配置され、マグネットプレート７０６ｂが上方位置に配置される。この場合、図１４（ａ）および図１４（ｂ）に示すように、マグネットプレート７０６ａの外方領域Ｊ１（図１４（ｂ）参照）においては各チャックピン７０７が閉状態となり、マグネットプレート７０６ｂの外方領域Ｊ２（図１４（ｂ）参照）においては各チャックピン７０７が開状態となる。すなわち、各チャックピン７０７の保持部７０７ｃは、マグネットプレート７０６ａの外方領域Ｊ１を通過する際に基板Ｗの外周端部に接触した状態で維持され、マグネットプレート７０６ｂの外方領域Ｊ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間する。

したがって、マグネットプレート７０６ｂの外方領域Ｊ２において、基板Ｗの外周端部の下面側の部分を洗浄ブラシ７３５により洗浄することができる。

なお、本例では、５つのチャックピン７０７のうちの少なくとも４つのチャックピン７０７がマグネットプレート７０６ａの外方領域Ｊ１に位置する。この場合、各チャックピン７０７の保持部７０７ｃがマグネットプレート７０６ｂの外方領域Ｊ２を通過する際に基板Ｗの外周端部から離間しても、少なくとも４つのチャックピン７０７により基板Ｗが保持される。それにより、基板Ｗの安定性が確保される。

裏面洗浄処理の終了後、マグネットプレート７０６ａ，７０６ｂが下方位置に配置され、全てのチャックピン７０７により基板Ｗが保持される。その状態で、スピンチャック７００により基板Ｗが高速で回転する。それにより、基板Ｗに付着する純水が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。

このように、裏面洗浄処理ユニットＢＣでは、基板Ｗの表面のレジスト膜に洗浄液が付着することを防止しつつ基板Ｗの裏面を洗浄することができる。それにより、レジスト膜の状態を正常に維持することができるとともに、基板Ｗの裏面に付着する汚染物を除去することができ、露光処理時に基板Ｗの裏面の凹凸に起因してデフォーカスが発生することを防止することができる。したがって、基板Ｗの処理不良の発生を確実に防止することができる。

なお、液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う露光装置を外部装置として設ける場合において、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を設けない場合には、洗浄加熱ブロック１０に第２のセンターロボットＣＲ２を設けなくてもよい。この場合、基板搬送ブロック１１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲｂが、露光処理１６から搬出した基板を洗浄加熱ブロック１０の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに直接搬送する。

また、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１６を外部装置として設ける場合においても、洗浄加熱ブロック１０に裏面洗浄処理ユニットＢＣを設けてもよい。その場合、基板の表面に洗浄液またはリンス液を供給する液供給手段を裏面洗浄処理ユニットＢＣにさらに設けてもよい。

（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、洗浄加熱ブロック１０および基板搬送ブロック１１が処理搬送部の例であり、インデクサブロック９が搬入搬出部の例であり、載置兼ベークユニットＰ−ＰＥＢが熱処理ユニットの例であり、第１のセンターロボットＣＲ１およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲａが第１の基板搬送機構の例であり、第２のセンターロボットＣＲ２およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲｂが第２の基板搬送機構の例である。

また、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が洗浄処理ユニットの例であり、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が乾燥処理ユニットの例であり、キャリアＣが収納容器の例であり、キャリア載置台４０が容器載置部の例であり、インデクサロボットＩＲが第３の基板搬送機構の例であり、基板載置部ＰＡＳＳ１が基板載置部の例である。
また、スピンチャック７００が基板回転保持装置の例であり、裏面洗浄ブラシ７３５が洗浄ブラシの例であり、スピンプレート７０３が回転部材の例であり、スピンモータ７０１が回転駆動機構の例であり、チャックピン７０７が保持部材の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板の処理に利用することができる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。載置兼加熱ユニットの外観斜視図である。ＹＺ平面における載置兼加熱ユニットの断面図である。洗浄／乾燥処理ユニットの構成を示す側面図である。洗浄／乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。本発明の他の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。裏面洗浄処理ユニットの構成を示す側面図である。裏面洗浄処理ユニットの構成を示す概略平面図である。スピンチャックによる基板Ｗの保持動作を説明するための図である。スピンチャックによる基板Ｗの保持動作を説明するための図である。基板の裏面洗浄処理について説明するための側面図である。基板の裏面洗浄処理について説明するための側面図である。

符号の説明

９インデクサブロック
１０洗浄加熱ブロック
１１基板搬送ブロック
１６露光装置
４０キャリア載置台
５００，５００ａ基板処理装置
Ｐ−ＰＥＢ載置兼ベークユニット
Ｃキャリア
ＣＲ１，ＣＲ２第１および第２のセンターロボット
ＩＦＲａ，ＩＦＲｂ，ＩＦＲｃインターフェース用搬送機構
ＩＲインデクサロボット
ＳＤ１，ＳＤ２洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ基板

Claims

露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うとともに基板を前記露光装置に受け渡す処理搬送部と、
前記処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、
前記処理搬送部は、
前記露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
前記搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を前記露光装置に搬送する第１の基板搬送機構と、
露光処理後の基板を前記露光装置から前記熱処理ユニットに搬送する第２の基板搬送機構と、
レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットとを含み、
前記洗浄処理ユニットは、
基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄ブラシとを含み、
前記基板回転保持装置は、
略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材の上側に設けられ、前記回転部材を回転させる回転駆動機構と、
前記回転部材の下側に設けられ、前記回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むことを特徴とする基板処理装置。
前記洗浄処理ユニットは、基板の表面を洗浄することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
前記処理搬送部は、露光処理後の基板に乾燥処理を行う乾燥処理ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に処理を行うとともに基板を前記露光装置に受け渡す処理搬送部と、
前記処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、
前記処理搬送部は、
前記露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
前記搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を前記露光装置に搬送する第１の基板搬送機構と、
露光処理後の基板を前記露光装置から前記熱処理ユニットに搬送する第２の基板搬送機構と、
レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと、
露光処理後の基板に乾燥処理を行う乾燥処理ユニットとを含み、
前記搬入搬出部、前記処理搬送部および前記露光装置は第１の方向に沿ってこの順で並設され、
前記洗浄処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記処理搬送部において前記第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、
前記熱処理ユニットは、前記処理搬送部の略中央部に配置され、
前記洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記第２の方向に沿った前記熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されることを特徴とする基板処理装置。
前記搬入搬出部は、
基板を収納する収納容器が載置される容器載置部と、
前記容器載置部に載置された前記収納容器と前記処理搬送部との間で基板を搬送する第３の基板搬送機構とを含み、
前記処理搬送部は、前記第１の基板搬送機構と前記搬入搬出部との間に配置されかつ基板を一時的に載置するための基板載置部をさらに含み、
前記第３の基板搬送機構は、前記露光装置による露光処理前の基板を前記収納容器から前記基板載置部に搬送するとともに、前記露光装置による露光処理後の基板を前記熱処理ユニットから前記収納容器に搬送することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
基板に露光処理を行う露光装置と、
前記露光装置に隣接するように配置される基板処理装置とを備え、
前記基板処理装置は、
基板に処理を行うとともに基板を前記露光装置に受け渡す処理搬送部と、
前記処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを含み、
前記処理搬送部は、
前記露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
前記搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を前記露光装置に搬送する第１の基板搬送機構と、
露光処理後の基板を前記露光装置から前記熱処理ユニットに搬送する第２の基板搬送機構と、
レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットとを含み、
前記洗浄処理ユニットは、
基板を略水平に保持しつつ回転させる基板回転保持装置と、
前記基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄するための洗浄ブラシとを含み、
前記基板回転保持装置は、
略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転可能に設けられた回転部材と、
前記回転部材の上側に設けられ、前記回転部材を回転させる回転駆動機構と、
前記回転部材の下側に設けられ、前記回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接することにより基板を保持する保持部材とを含むことを特徴とする基板処理システム。
基板に露光処理を行う露光装置と、
前記露光装置に隣接するように配置される基板処理装置とを備え、
前記基板処理装置は、
基板に処理を行うとともに基板を前記露光装置に受け渡す処理搬送部と、
前記処理搬送部に対して基板の搬入および搬出を行うための搬入搬出部とを備え、
前記処理搬送部は、
前記露光処理後の基板に熱処理を行う熱処理ユニットと、
前記搬入搬出部によって搬入された露光処理前の基板を前記露光装置に搬送する第１の基板搬送機構と、
露光処理後の基板を前記露光装置から前記熱処理ユニットに搬送する第２の基板搬送機構と、
レジスト膜の形成後であって露光処理前の基板に洗浄処理を行う洗浄処理ユニットと、
露光処理後の基板に乾燥処理を行う乾燥処理ユニットとを含み、
前記搬入搬出部、前記処理搬送部および前記露光装置は第１の方向に沿ってこの順で並設され、
前記洗浄処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記処理搬送部において前記第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、
前記熱処理ユニットは、前記処理搬送部の略中央部に配置され、
前記洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記第２の方向に沿った前記熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されることを特徴とする基板処理システム。
処理搬送部と搬入搬出部とを備え、露光装置に隣接するように配置された基板処理装置において基板を処理する方法であって、
レジスト膜が形成された基板を前記搬入搬出部により前記処理搬送部に搬入するステップと、
前記搬入搬出部によって搬入された基板を前記処理搬送部の第１の基板搬送機構により前記処理搬送部の洗浄処理ユニットに搬送するステップと、
前記第１の基板搬送機構によって搬送された基板に前記洗浄処理ユニットにより洗浄処理を行うステップと、
前記洗浄処理ユニットによる洗浄処理後の基板を前記第１の基板搬送機構により前記露光装置に搬送するステップと、
前記露光装置による露光処理後の基板を前記処理搬送部の第２の基板搬送機構により前記処理搬送部の熱処理ユニットに搬送するステップと、
前記第２の基板搬送機構によって搬送された基板に前記熱処理ユニットにより熱処理を行うステップとを備え、
前記洗浄処理ユニットにより洗浄処理を行うステップは、
基板回転保持装置により基板を略水平に保持しつつ回転させるステップと、
前記基板回転保持装置により保持される基板の下面を洗浄ブラシにより洗浄するステップとを含み、
前記基板を回転させるステップは、
回転部材の下側に設けられた保持部材を前記回転部材の下側に配置される基板の外周端部に当接させることにより基板を保持するステップと、
前記回転部材の上側に設けられた回転駆動機構により前記回転部材を略鉛直方向に沿う回転軸線の周りで回転させるステップとを含むことを特徴とする基板処理方法。
処理搬送部と搬入搬出部とを備え、露光装置に隣接するように配置された基板処理装置において基板を処理する方法であって、
レジスト膜が形成された基板を前記搬入搬出部により前記処理搬送部に搬入するステップと、
前記搬入搬出部によって搬入された基板を前記処理搬送部の第１の基板搬送機構により前記処理搬送部の洗浄処理ユニットに搬送するステップと、
前記第１の基板搬送機構によって搬送された基板に前記洗浄処理ユニットにより洗浄処理を行うステップと、
前記洗浄処理ユニットによる洗浄処理後の基板を前記第１の基板搬送機構により前記露光装置に搬送するステップと、
前記露光装置による露光処理後の基板を前記処理搬送部の第２の基板搬送機構により前記処理搬送部の乾燥処理ユニットに搬送するステップと、
前記第２の基板搬送機構によって搬送された基板に前記乾燥処理ユニットにより基板に乾燥処理を行うステップと、
前記乾燥処理ユニットによる乾燥処理後の基板を前記第２の基板搬送機構により熱処理ユニットに搬送するステップと、
前記第２の基板搬送機構によって搬送された基板に前記熱処理ユニットにより熱処理を行うステップとを備え、
前記搬入搬出部、前記処理搬送部および前記露光装置は第１の方向に沿ってこの順で並設され、
前記洗浄処理ユニット、前記熱処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記処理搬送部において前記第１の方向と水平面内で直交する第２の方向に沿って配置され、
前記熱処理ユニットは、前記処理搬送部の略中央部に配置され、
前記洗浄処理ユニットおよび前記乾燥処理ユニットは、前記第２の方向に沿った前記熱処理ユニットの一方側および他方側に配置されることを特徴とする基板処理方法。