JP2001168004A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を効率よく搬送可能な基板処理装置を提
供し，更に液処理ユニットに対し熱処理ユニットの熱の
影響を与えないようにする。 【解決手段】 基板Ｗに対して第１の処理工程を施す第
１の処理ユニット群Ｕ１と，基板Ｗに対して第２の処理
工程を施す第２の処理ユニット群Ｕ２とを備え，これら
第１の処理ユニット群Ｕ１と第２の処理ユニット群Ｕ２
に基板Ｗを搬送させる搬送手段８１，８２を備えた基板
処理装置１であって，第１の処理ユニット群Ｕ１を第１
の搬送経路２１に沿って配置し，第２の処理ユニット群
Ｕ２を第２の搬送経路２２に沿って配置した。また第
１，２の処理ユニット群Ｕ１，Ｕ２にあっては，液処理
ユニットが熱処理ユニットの熱の影響を受けない位置に
配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は，例えば半導体ウェ
ハやＬＣＤ基板等の基板を処理する基板処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造におけるリ
ソグラフィ技術では，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」
という。）をレジスト塗布処理ユニットに搬送し，ウェ
ハの表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成した
後，このウェハを露光装置に搬送して所定のパターンを
露光する。次いで，露光装置にてパターンの露光された
ウェハを現像処理ユニットに搬送し，このウェハの表面
に現像液を供給して現像処理している。そして，このよ
うな一連の処理工程を行うにあたり，従来から基板処理
装置が使用されている。

【０００３】ここで，従来の基板処理装置の概略的な構
成について説明すると，図７に示すように基板処理装置
２００は，ウェハＷをカセットＣ単位で搬入出可能なカ
セットステーション２０１と，ウェハＷに対する一連の
処理工程を行う処理ステーション２０２と，処理ステー
ション２０２及び露光装置（図示せず）の間でウェハＷ
の授受を行うインターフェイス部２０３とを一体に接続
した構成を有している。処理ステーション２０２の中央
部にはウェハＷを搬送可能な搬送手段２０４が設けられ
ており，この搬送手段２０４の周囲には，例えばウェハ
Ｗを所定温度で加熱処理する熱処理ユニット２０５，２
０６や，ウェハＷにレジスト液や現像液等の処理液を供
給して処理する液処理ユニット２０７，２０８等が配置
されている。

【０００４】そして，カセットステーション２０１にお
いてカセットＣから抜き出されたウェハＷは，処理ステ
ーション２０２の搬送手段２０４によって熱処理ユニッ
ト２０５，２０６や液処理ユニット２０７，２０８に適
宜搬送されて所定の処理が施された後，インターフェイ
ス部２０３を介して露光装置（図示せず）に搬入されて
露光処理されるようになっている。また露光装置（図示
せず）にて露光処理されたウェハＷは，インターフェイ
ス部２０３を介して処理ステーション２０２に再度搬入
され，搬送手段２０４によって熱処理ユニット２０５，
２０６や液処理ユニット２０７，２０８に適宜搬送され
て所定の処理が施された後，カセットステーション２０
１上のカセットＣに収納され，ウェハＷに対する一連の
処理が終了するようになっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
基板処理装置２００では，熱処理ユニット２０５，２０
６や液処理ユニット２０７，２０８にウェハＷを搬送す
るに際し，露光処理前のウェハＷの搬送と露光処理後の
ウェハＷの搬送が交錯し，ウェハＷの搬送が円滑に行わ
れないおそれがある。このため必ずしもウェハＷを効率
よく搬送できず，ウェハＷの搬送に遅れが生じてウェハ
Ｗの処理枚数の低下を引き起こしてしまうおそれがあ
る。

【０００６】また従来の基板処理装置２００では，熱処
理ユニット２０５，２０６から発せられた熱が液処理ユ
ニット２０７，２０８に伝わってしまう場合があり，液
処理ユニット２０７が例えば温度に敏感なレジスト塗布
処理ユニットや現像処理ユニット等である場合，熱処理
ユニット２０５，２０６から発せられた熱の影響でウェ
ハＷの表面に形成されるレジスト膜等の厚さを正確に制
御できくなったり，現像処理に影響を及ぼすおそれがあ
る。

【０００７】従って本発明の目的は，基板を効率よく搬
送可能な基板処理装置を提供し，更にそのような基板処
理装置において，液処理ユニットに対し熱処理ユニット
の熱の影響を与えないようにすることにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に，請求項１にあっては，基板に対して第１の処理工程
を施す第１の処理ユニット群と，基板に対して第２の処
理工程を施す第２の処理ユニット群とを備え，これら第
１の処理ユニット群と第２の処理ユニット群に基板を搬
送させる搬送手段を備えた基板処理装置であって，前記
第１の処理ユニット群を第１の搬送経路に沿って配置
し，前記第２の処理ユニット群を第２の搬送経路に沿っ
て配置したことを特徴としている。

【０００９】この請求項１に記載の基板処理装置におい
て，基板とは，例えば半導体ウェハやＬＣＤ基板等が例
示される。また基板に対して第１の処理工程を施す第１
の処理ユニット群は，例えば基板の表面にレジスト膜な
どを形成するための各種熱処理ユニットや各種液処理ユ
ニットなどで構成される。また基板に対して第２の処理
工程を施す第２の処理ユニット群は，例えば基板の表面
のレジスト膜を現像処理するための各種熱処理ユニット
や各種液処理ユニットなどで構成される。

【００１０】この請求項１に記載の基板処理装置にあっ
ては，先ず基板を第１の搬送経路に沿って搬送し，第１
の処理ユニット群にて基板に対し第１の処理工程を行
う。そして，第１の処理工程を終了した基板を第２の搬
送経路に沿って搬送し，第２の処理ユニット群にて基板
に対し第２の処理工程を行う。この場合，第１の処理ユ
ニット群にて第１の処理工程を行った基板を，例えば露
光装置などに搬入して露光処理し，その後，第２の処理
ユニット群にて基板に対して第２の処理工程を行うよう
にしても良い。

【００１１】この請求項１に記載の基板処理装置によれ
ば，基板に対して第１の処理工程を施す第１の処理ユニ
ット群と，基板に対して第２の処理工程を施す第２の処
理ユニット群とが，第１の搬送経路と第２の搬送経路に
沿ってそれぞれ分けて配置されているので，第１の処理
工程を行っている基板の搬送と第２の処理工程を行って
いる基板の搬送が交錯することがなく，基板の搬送が円
滑に行われて効率よく搬送できるようになる。

【００１２】この請求項１に記載の基板処理装置におい
て，請求項２に記載したように，前記第１の処理ユニッ
ト群及び／又は前記第２の処理ユニット群は，基板に処
理液を供給して処理する液処理ユニットと，基板を所定
温度で加熱処理する熱処理ユニットを備え，前記液処理
ユニットが前記熱処理ユニットの熱の影響を受けない位
置に配置されていることが好ましい。そうすれば，液処
理ユニットに対して熱処理ユニットから熱の影響が及ぶ
ことを防止でき，例えば液処理ユニットにて基板表面に
レジスト膜などを形成する際に，レジスト膜等の厚さを
正確に制御できるようになる。この場合，請求項３に記
載したように，前記液処理ユニットが前記熱処理ユニッ
トから離れて配置されていても良いし，請求項４に記載
したように，前記液処理ユニットと前記熱処理ユニット
との間に断熱板が設けられていても良いし，請求項５に
記載したように，前記液処理ユニットと前記熱処理ユニ
ットとの間に液処理ユニット及び熱処理ユニット以外の
処理ユニットが配置されていても良い。

【００１３】また請求項６に記載したように，前記搬送
手段は，前記第１の搬送経路に沿って基板を搬送させる
第１の搬送手段と，前記第２の搬送経路に沿って基板を
搬送させる第２の搬送手段とからなっていても良い。そ
うすれば，第１の搬送手段によって基板を第１の搬送経
路に沿って搬送し，第２の搬送手段によって基板を第２
の搬送経路に沿って搬送することができ，第１の搬送経
路と第２の搬送経路とで別の搬送手段で基板を搬送する
ことにより，第１の処理工程を行っている基板の搬送と
第２の処理工程を行っている基板の搬送がより交錯しな
くなり，基板の搬送が更に円滑に効率よく行われるよう
になる。

【００１４】また請求項７に記載したように，前記第１
の搬送経路と前記第２の搬送経路の間に空間部が形成さ
れていても良い。この場合，請求項８に記載したよう
に，前記空間部を挟んで前記第１の搬送経路と前記第２
の搬送経路が平行に配置されていても良い。また請求項
９に記載したように，前記空間部に出入り自在であるこ
とが好ましい。そうすれば，第１，２の搬送経路に沿っ
てそれぞれ配置された第１，２の処理ユニット群や基板
の搬送手段などを，空間部に作業者が入って点検，整備
等することが可能となり，メンテナンスなどが容易にな
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下，添付図面に基づき，本発明
の好ましい実施の形態について説明する。図１は本発明
の実施の形態にかかる基板処理装置１の概略的な平面図
を示している。図２は，図１におけるＰ−Ｐ断面におい
てカセットステーション２側から見た処理ステーション
３の断面図であり，図３は，図１におけるＱ−Ｑ断面に
おいてインターフェイス部４側から見た処理ステーショ
ン３の断面図である。

【００１６】この基板処理装置１は，複数枚数（例えば
２５枚）のウェハＷを収納したカセットＣに対してウェ
ハＷを搬入出するカセットステーション２と，カセット
ステーション２に置かれたカセットＣから抜き出したウ
ェハＷに対して所定の処理を施す処理ステーション３
と，処理ステーション３に隣接する露光装置（図示せ
ず）との間でウェハＷの受け取り，受け渡しを行うイン
ターフェイス部４とを一体に接続した構成を有してい
る。

【００１７】カセットステーション２には，図示しない
例えばＡＧＶ等の搬送手段によってカセットＣが搬入出
されるようになっている。カセットステーション２に設
けられたカセット載置台５上には，ウェハＷの出入口を
処理ステーション３側に向けた姿勢でカセットＣが載置
され，この実施の形態では，カセット載置台５上に複数
個のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に並べて
載置できるようになっている。カセットＣ内には水平姿
勢にされたウェハＷが所定の等間隔で上下（Ｚ方向）方
向に並べて複数枚並列に配置されている。また，カセッ
トＣに収納されたウェハＷの各高さに昇降可能でかつ進
退自在なウェハ搬送体６が，カセットＣの配列方向（Ｘ
方向）に設けられた搬送レール７に沿って移動可能であ
る。そして，カセット載置台５上に置かれた各カセット
Ｃの前に選択的にウェハ搬送体６が移動し，ウェハ搬送
体６が適宜進退及び昇降することにより，カセットＣ内
からウェハＷを１枚ずつ取り出し，またカセットＣ内に
ウェハＷを１枚ずつ収納することができるようになって
いる。またウェハ搬送体６はθ方向（Ｚ方向を中心とす
る回転方向）にも回転自在に構成されており，後述する
熱処理部３０のエクステンションユニット５３や，熱処
理部３９のエクステンションクーリングユニット６０や
エクステンションユニット６１に対してもウェハＷを搬
入出できるようになっている。

【００１８】処理ステーション３の中心部には空間部２
０が形成されており，この空間部２０は，例えば作業者
が入ることができる大きさを有している。処理ステーシ
ョン３には，この空間部２０を挟んで，カセットステー
ション２からインターフェイス部４に向かう第１の搬送
経路２１と，インターフェイス部４からカセットステー
ション２に向かう第２の搬送経路２２が形成されてい
る。そして処理ステーション３において，第１の搬送経
路２１に沿って熱処理部３０，冷却処理部３１，膜形成
部３２，冷却処理部３３及び熱処理部３４を順に配列し
た第１の処理ユニット群Ｕ１と，第２の搬送経路２２に
沿って熱処理部３５，冷却処理部３６，現像処理部３
７，冷却処理部３８及び熱処理部３９を順に配列した第
２の処理ユニット群Ｕ２がそれぞれ形成されている。

【００１９】図１に示すように，第１の処理ユニット群
Ｕ１において，熱処理部３０及び熱処理部３４はいずれ
も膜形成部３２の両側から離れた位置に配置されてお
り，かつ膜形成部３２と熱処理部３０の間には冷却処理
部３１が配置され，膜形成部３２と熱処理部３４の間に
は冷却処理部３３が配置された構成になっている。また
同様に，第２の処理ユニット群Ｕ２において，熱処理部
３５及び熱処理部３９はいずれも現像処理部３７の両側
から離れた位置に配置されており，かつ現像処理部３７
と熱処理部３６の間には冷却処理部３６が配置され，現
像処理部３７と熱処理部３９の間には冷却処理部３８が
配置された構成になっている。

【００２０】膜形成部３２は，カップＣＰに収容された
ウェハＷの表面に反射防止膜を形成する反射防止膜形成
ユニット４１と，カップＣＰに収容されたウェハＷにレ
ジスト膜を形成するレジスト塗布処理ユニット４２を備
え，カセットステーション２側に反射防止膜形成ユニッ
ト４１を３段に積み重ね，インターフェイス部４側にレ
ジスト塗布処理ユニット４２を３段に積み重ねて，それ
らを並べた構成を有している。一方，現像処理部３７
は，カップＣＰに収容されたウェハＷの表面に現像液を
供給して処理する現像処理ユニット４３を備え，現像処
理ユニット４３を２段に積み重ねて２列に並べた構成を
有している。

【００２１】第１の処理ユニット群Ｕ１においてカセッ
トステーション２側に設けられている熱処理部３０は，
待機状態のウェハＷを冷却処理するエクステンションク
ーリングユニット５０と，ウェハＷを疎水化処理するア
ドヒージョンユニット５１と，ウェハＷの位置合わせを
行うアライメントユニット５２と，ウェハＷを待機させ
るエクステンションユニット５３，５３と，レジスト塗
布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキングユニ
ット５４，５４，５４，５４，５４を下から順に１０段
に積み重ねた構成を有している。第２の処理ユニット群
Ｕ２においてカセットステーション２側に設けられてい
る熱処理部３９は，エクステンションクーリングユニッ
ト６０，６０と，エクステンションユニット６１，６１
と，現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキ
ングユニット６２，６２，６２，６２，６２，６２を下
から順に１０段に積み重ねた構成を有している。

【００２２】第１の処理ユニット群Ｕ１においてインタ
ーフェイス部４側に設けられている熱処理部３４は，エ
クステンションクーリングユニット６５，６５，６５
と，エクステンションユニット６６，６６と，プリベー
キングユニット６７，６７，６７，６７，６７を下から
順に１０段に積み重ねた構成を有している。第２の処理
ユニット群Ｕ２においてインターフェイス部４側に設け
られている熱処理部３５は，エクステンションユニット
７０，７０と，露光処理後のウェハＷを加熱処理するポ
ストエクスポージャーベーキングユニット７１，７１，
７１，７１，７１と，ポストベーキングユニット７２，
７２，７２を下から順に１０段に積み重ねた構成を有し
ている。

【００２３】また冷却処理部３１，３３，３６，３８に
は，いずれもウェハＷを冷却処理する冷却処理ユニット
７５が夫々３段に積み重ねられている。

【００２４】そして，膜形成部３２の周囲には，熱処理
部３０及び熱処理部３４に設けられている前述の各種熱
処理ユニット（アドヒージョンユニット５１，プリベー
キングユニット５４及びプリベーキングユニット６７）
から発せられる熱の伝わりを遮断する断熱板４５が設け
られている。また同様に，現像処理部３７の周囲には熱
処理部３５及び熱処理部３９に設けられている前述の各
種熱処理ユニット（ポストエクスポージャーベーキング
ユニット７１，ポストベーキングユニット７２及びポス
トベーキングユニット６２）から発せられる熱の伝わり
を遮断する断熱板４６が設けられている。

【００２５】空間部２０の両側には，第１の搬送手段８
１としての２つの搬送機構８１Ａ，８１Ｂと，第２の搬
送手段８２としての２つの搬送機構８２Ａ，８２Ｂが，
それぞれ並べて配置されている。これら第１，２の搬送
手段８１，８２を構成する各搬送機構８１Ａ，８１Ｂ，
８２Ａ，８２Ｂはいずれも基本的に同様の構成を有して
おり，搬送機構８１Ａの構成を図４に基づいて説明すれ
ば，搬送機構８１Ａは，上端及び下端で相互に接続され
相対向する一体の壁部８５，８６からなる筒状支持体８
７の内側に，上下方向（Ｚ方向）に昇降自在なウェハ搬
送機構８８を備えている。筒状支持体８７はモータ８９
の回転軸に接続されており，このモータ８９の駆動によ
り，モータ８９の回転軸を中心としてウェハ搬送機構８
８が筒状支持体８７と一体となって回転するようになっ
ている。これにより，ウェハ搬送機構８８は昇降自在で
かつθ方向に回転自在となっている。

【００２６】ウェハ搬送機構８８の搬送基台９０には，
ウェハＷを保持する３本のピンセット９１，９２，９３
が上中下にそれぞれ備えられている。これらのピンセッ
ト９１，９２，９３は基本的に同様の構成を有してお
り，筒状支持体８７の側面開口部９４を通過自在な形態
及び大きさを有している。また，ピンセット９１，９
２，９３は搬送基台９０に内蔵されたモータ（図示せ
ず）によって前後方向の進退移動が自在となっている。
なお代表して搬送機構８１Ａの構成について説明した
が，その他の搬送機構８１Ｂ，搬送機構８２Ａ及び搬送
機構８２Ｂも，搬送機構８１Ａと同様の構成を備えてい
る。

【００２７】そして搬送機構８１Ａにあっては，ウェハ
搬送機構８８が適宜昇降及びθ方向へ回転し，ピンセッ
ト９１，９２，９３が適宜進退することにより，先に説
明した熱処理部３０，冷却処理部３１及び膜形成部３２
にウェハＷを搬送できるように構成されている。また搬
送機構８１Ｂにあっては，先に説明した膜形成部３２，
冷却処理部３３及び熱処理部３４にウェハＷを搬送でき
るように構成されている。同様に搬送機構８２Ａにあっ
ては，先に説明した熱処理部３５，冷却処理部３６及び
現像処理部３７にウェハＷを搬送できるように構成され
ている。また搬送機構８２Ｂにあっては，先に説明した
現像処理部３７，冷却処理部３８及び熱処理部３９にウ
ェハＷを搬送できるように構成されている。

【００２８】第１の搬送手段８１において，搬送機構８
１Ａと搬送機構８１Ｂとの間には，ウェハＷを載置自在
なウェハ載置台９５が備えられている。また同様に，第
２の搬送手段８２において搬送機構８２Ａと搬送機構８
２Ｂとの間にも，ウェハ載置台９５と同様のウェハ載置
台９６が備えられている。そして搬送機構８１Ａは，熱
処理部３０，冷却処理部３１及び膜形成部３２に適宜搬
送して処理したウェハＷをウェハ載置台９５上に載置さ
せるようになっている。また搬送機構８１Ｂは，こうし
てウェハ載置台９５上に載置されたウェハＷを受け取っ
て，膜形成部３２，冷却処理部３３及び熱処理部３４に
ウェハＷを適宜搬送する。同様に搬送機構８２Ａは，熱
処理部３５，冷却処理部３６及び現像処理部３７に適宜
搬送して処理したウェハＷをウェハ載置台９６上に載置
させるようになっている。また搬送機構８２Ｂは，こう
してウェハ載置台９６上に載置されたウェハＷを受け取
って，現像処理部３７，冷却処理部３８及び熱処理部３
９にウェハＷを適宜搬送する。このように，第１の搬送
手段８１は，２つの搬送機構８１Ａ，８１Ｂによってウ
ェハＷを適宜受け継ぎながら，先に説明した第１の搬送
経路２１に沿って配列された熱処理部３０，冷却処理部
３１，膜形成部３２，冷却処理部３３及び熱処理部３４
にウェハＷを搬送するようになっている。また第２の搬
送手段８２は，２つの搬送機構８２Ａ，８２Ｂによって
ウェハＷを適宜受け継ぎながら，先に説明した第２の搬
送経路２２に沿って配列された熱処理部３５，冷却処理
部３６，現像処理部３７，冷却処理部３８及び熱処理部
３９にウェハＷを搬送するようになっている。

【００２９】次に，インタフェイス部４のほぼ中央に
は，ウェハＷを載置自在な載置台９８が設けられてお
り，この載置台９８を挟んで，第１副搬送手段９９と第
２副搬送手段１００が配置されている。第１副搬送手段
９９は，処理ステーション３に設けられた熱処理部３４
のエクステンションユニット６６と，載置台９８と，イ
ンタフェイス部４に設けられたウェハＷの周辺部を露光
する周辺露光装置１０１と，周辺露光装置１０１に隣接
して配置されているカセットＣとにウェハＷを搬入出す
ることが可能である。一方，第２副搬送手段１００は，
載置台９８と，例えば露光異常等の不良なウェハＷを検
出する検査装置１０２と，処理ステーション３に設けら
れた熱処理部３５のエクステンションユニット７０とに
ウェハＷを搬入出することが可能である。

【００３０】図５は，処理ステーション３の反対側から
見たインタフェイス部４の側面図である。インターフェ
イス部４には第１副搬送手段９９と第２副搬送手段１０
０との間において，載置台９８の下方に位置するトンネ
ル通過部１０３が形成されている。このトンネル通過部
１０３は，作業員が通過できる大きさを有しており，こ
のトンネル通過部１０３を通って，処理ステーション３
の中央に形成された空間部２０に作業員が出入りできる
ようになっている。また，トンネル通過部１０３には開
閉自在な扉１０４が取り付けられている。

【００３１】さて，以上のように構成された本発明の実
施の形態にかかる基板処理装置１において，カセットス
テーション２に設けられたカセット載置台５に例えば２
５枚の未処理のウェハＷを収納したカセットＣが載置さ
れると，ウェハ搬送体６がそのカセットＣからウェハＷ
を１枚取り出す。そして，この取り出されたウェハＷ
を，処理ステーション３に設けられた熱処理部３０のエ
クステンションユニット５３に搬送する。こうして処理
ステーション３に受け渡されたウェハＷは，その後，第
１の搬送手段８１により，第１の搬送経路２１に沿って
配列された熱処理部３０，冷却処理部３１，膜形成部３
２，冷却処理部３３及び熱処理部３４に適宜搬送され，
第１の処理ユニット群Ｕ１において処理されていく。

【００３２】即ち，ウェハ搬送体６によって熱処理部３
０のエクステンションユニット５３に搬入されたウェハ
Ｗは，先ず搬送機構８１Ａによって熱処理部３０のアラ
イメントユニット５２に搬入されて位置合わせされた
後，搬送機構８１Ａによりアドヒージョンユニット５１
に搬入されて疎水化処理が施される。次いで搬送機構８
１ＡによってウェハＷは冷却処理部３１の冷却処理ユニ
ット７５に搬入されて冷却処理された後，搬送機構８１
Ａによって膜形成部３２の反射防止膜形成ユニット４１
に搬入され，カップＣＰ内にてウェハＷの表面に反射防
止膜が形成される。

【００３３】次いで，反射防止膜の形成されたウェハＷ
は搬送機構８１Ａによって反射防止膜形成ユニット４１
からウェハ載置台９５に搬送されて載置される。ウェハ
載置台９５に載置されたウェハＷはその後，搬送機構８
１Ｂによって膜形成部３２のレジスト塗布処理ユニット
４２に搬入される。そして，レジスト塗布処理ユニット
４２のカップＣＰ内にてウェハＷの表面にレジスト液が
塗布され，反射防止膜の上面にさらにレジスト膜が形成
される。レジスト膜の形成されたウェハＷは搬送機構８
１Ｂによって熱処理部３４のプリベーキングユニット６
２に搬入され，加熱処理される。

【００３４】プリベーキングユニット６２にて加熱処理
の終了したウェハＷは，搬送機構８１Ｂによって冷却処
理部３３の冷却処理ユニット７５に搬送されて所定温度
まで冷却される。その後，ウェハＷは搬送機構８１Ｂに
よって熱処理部３４のエクステンションクーリングユニ
ット６５もしくはエクステンションユニット６６に搬送
されて，その場で待機する。

【００３５】次いで，ウェハＷは第１副搬送手段９９に
よって熱処理部３４のエクステンションクーリングユニ
ット６５もしくはエクステンションユニット６６から取
り出され，周辺露光装置１０１に搬入されて，ウェハＷ
周辺部の不要なレジスト膜が除去される。次いで，ウェ
ハＷは別の処理装置としての露光装置（図示せず）に搬
送された後に露光される。

【００３６】露光装置（図示せず）にて所定の露光処理
の終了したウェハＷは第１副搬送手段９９によって載置
台９８に搬送される。そして，載置台９８に載置された
ウェハＷは第２副搬送手段１００によって搬送され，処
理ステーション３に設けられた熱処理部３５のエクステ
ンションユニット７０に搬入される。

【００３７】なお，このように第２副搬送手段１０２に
よって搬送するウェハＷの中から，例えば一定時間おき
にウェハＷを抜き出して検査装置１０２に搬送し，検査
を行う。これにより，例えばパターンが所定の線幅に形
成されていない等の異常の生じたウェハＷを検査装置１
０２にて抜き打ち検査することができる。

【００３８】次に，熱処理部３５のエクステンションユ
ニット７０に搬送されたウェハＷは，その後，第２の搬
送手段８２により，第２の搬送経路２２に沿って配列さ
れた熱処理部３５，冷却処理部３６，現像処理部３７，
冷却処理部３８及び熱処理部３９に適宜搬送され，第２
の処理ユニット群Ｕ２において処理されていく。

【００３９】即ち，先ずウェハＷは搬送機構８２Ａによ
って熱処理部３５のエクステンションユニット７０から
ポストエクスポージャーベーキングユニット７１に搬送
され，露光処理後の加熱処理が施される。その後，ウェ
ハＷは搬送機構８２Ａによってポストエクスポージャー
ベーキングユニット７１から冷却処理部３６の冷却処理
ユニット７５に搬送されて所定温度まで冷却処理され
る。

【００４０】冷却処理ユニット７５にて冷却処理された
ウェハＷは，搬送機構８２Ａによって現像処理部３７に
設けられた現像処理ユニット４３に搬送されて，所定の
現像処理が施される。次いで，ウェハＷは搬送機構８２
Ａによってウェハ載置台９６に搬送て載置される。ウェ
ハ載置台９６に載置されたウェハＷはその後，搬送機構
８２Ｂに受け取られて熱処理部３９のポストベーキング
ユニット６２に搬送される。そして，このポストベーキ
ングユニット６２にて加熱処理される。

【００４１】次いで，ポストベーキングユニット６２に
て加熱処理の終了したウェハＷは，搬送機構８２Ｂによ
って冷却処理部３８の冷却処理ユニット７５に搬入され
て冷却処理される。こうして冷却処理を終了したウェハ
Ｗは，搬送機構８２Ｂによって熱処理部３９のエクステ
ンションクーリングユニット６０もしくはエクステンシ
ョンユニット６１に搬送される。

【００４２】その後ウェハＷは，カセットステーション
２に設けられたウェハ搬送体６によって，熱処理部３９
のエクステンションクーリングユニット６０もしくはエ
クステンションユニット６１から取り出されて搬送さ
れ，カセット載置台５上のカセットＣに収納される。こ
うして，ウェハＷに対する一連の基板処理が終了する。

【００４３】しかして，この実施の形態の基板処理装置
１では，露光処理前においては，第１の搬送経路２１に
沿って配列された熱処理部３０，冷却処理部３１，膜形
成部３２，冷却処理部３３及び熱処理部３４に，第１の
搬送手段８１によってウェハＷを適宜搬送し，一方で露
光処理の終了後においては，第２の搬送経路２２に沿っ
て配列された熱処理部３５，冷却処理部３６，現像処理
部３７，冷却処理部３８及び熱処理部３９に，第２の搬
送手段８２によってウェハＷを適宜搬送しているので，
露光処理前のウェハＷの搬送と露光処理後のウェハＷの
搬送が錯綜することがなく，効率よくウェハＷを搬送す
ることができる。特にこの実施の形態では，搬送経路２
１に沿ってウェハＷを搬送する第１の搬送手段８１と第
２の搬送経路２２に沿ってウェハＷを搬送する第２の搬
送手段８２が別に設けられているので，露光処理前後の
ウェハＷの搬送をそれぞれ別に負担することにより，第
１，２の搬送手段８１，８２の負担を軽減させることが
できる。

【００４４】また第１の処理ユニット群Ｕ１において，
膜形成部３２は熱処理部３０，３４のいずれからもから
離れた位置に配置され，かつ膜形成部３２と熱処理部３
０，３４の間には冷却処理部３１，冷却処理部３３が配
置されているので，膜形成部３２は，熱処理部３０，３
４の各熱処理ユニットから発せられる熱の影響を受ける
心配がなく，膜形成部３２に備えられた反射防止膜形成
ユニット４１やレジスト塗布処理ユニット４２におい
て，反射防止膜やレジスト膜を所望の厚さで形成するこ
とができるようになる。また同様に第２の処理ユニット
群Ｕ２において，現像処理部３７は，熱処理部３５，３
９の各熱処理ユニットから発せられる熱の影響を受ける
心配がなく，現像処理部３７に備えられた現像処理ユニ
ット４３は，温度の変化に敏感な現像処理を好適に実施
することができるようになる。特にこの実施の形態で
は，膜形成部３２の周囲に断熱板４５を設け，現像処理
部３７の周囲に断熱板４６を設けているので，膜形成部
３２や現像処理部３７への外部からの熱の影響を更に排
除することが可能である。

【００４５】またこの実施の形態の基板処理装置１で
は，トンネル通過部１０３を通って空間部２０に作業者
が入ることが可能である。このため，作業者は空間部２
０に入って，処理ステーション３の中側から第１，２の
搬送手段８１，８２や第１，２の処理ユニット群Ｕ１，
Ｕ２などを容易に点検や整備することができる。

【００４６】以上，本発明の好ましい実施の形態の一例
を説明したが，本発明はここに示した形態に限定されな
い。図６は，本発明の他の実施の形態にかかる基板処理
装置１’の概略的な平面図を示している。この実施の形
態では，空間部２０の両側に第１の搬送経路２１と第２
の搬送経路２２を平行に形成した構成になっている。

【００４７】そしてこの実施の形態では，第１の搬送手
段８１は，第１の搬送経路２１と平行に配置されたレー
ル１１０に沿って移動自在な搬送基台１１１を備えてお
り，搬送基台１１１上には，昇降自在でかつ第１の搬送
経路２１に沿って配置された熱処理部３０，冷却処理部
３１，膜形成部３２，冷却処理部３３及び熱処理部３４
に対して進退自在に構成されたピンセット１１２が装着
されている。また第２の搬送手段８２は，第２の搬送経
路２２と平行に配置されたレール１１５に沿って移動自
在な搬送基台１１６を備えており，搬送基台１１６上に
は，昇降自在でかつ第２の搬送経路２２に沿って配置さ
れた熱処理部３５，冷却処理部３６，現像処理部３７，
冷却処理部３８及び熱処理部３９に対して進退自在に構
成されたピンセット１１７が装着されている。これによ
り第１の搬送手段８１は，搬送基台１１１がレール１１
０に沿って適宜移動し，ピンセット１１２が適宜進退及
び昇降することにより，第１の搬送経路２１に沿って配
列された熱処理部３０，冷却処理部３１，膜形成部３
２，冷却処理部３３及び熱処理部３４にウェハＷを搬送
し，同様に第２の搬送手段８２は，搬送基台１１６がレ
ール１１５に沿って適宜移動し，ピンセット１１７が適
宜進退及び昇降することにより，第２の搬送経路２２に
沿って配列された熱処理部３５，冷却処理部３６，現像
処理部３７，冷却処理部３８及び熱処理部３９にウェハ
Ｗを搬送するようになっている。

【００４８】なお，第１の搬送経路２１と第２の搬送経
路２２を平行に形成した点と，第１，２の搬送手段８
１，８２を，それぞれ一つの搬送基台１１１，１１６を
レール１１０，１１５に沿って移動させてウェハＷを搬
送する構成にした点を除けば，この図６に示した基板処
理装置１’は，基本的には先に図１〜５で説明した基板
処理装置１と概ね同様の構成を備えている。よって，図
６に示す基板処理装置１’において，図１〜５で説明し
た基板処理装置１と同じ構成要素には同一の符号を付す
ることにより，重複した説明を省略する。

【００４９】この図６に示した基板処理装置１’によっ
ても，先に図１〜５で説明した基板処理装置１と同様
に，露光処理前のウェハＷの搬送と露光処理後のウェハ
Ｗの搬送が錯綜することがなく，効率よくウェハＷを搬
送することができ，また膜形成部３２や現像処理部３７
への外部からの熱の影響を排除することが可能である。
また作業者が空間部２０に入って処理ステーション３の
中側から第１，２の搬送手段８１，８２や第１，２の処
理ユニット群Ｕ１，Ｕ２などを容易に点検，整備するこ
とができる。加えて，この図６に示した基板処理装置
１’によれば，第１，２の搬送手段８１，８２は，いず
れも一つの搬送基台１１１，１１６をレール１１０，１
１５に沿って移動させる構成であるため，第１，２の搬
送手段８１，８２の構成が簡素化でき，ウェハ載置台９
５，９６も不要となる。

【００５０】なお，以上の実施の形態では基板の一例と
してウェハＷを例にして説明したが，本発明に使用可能
な基板はウェハＷに限らず，例えばＬＣＤ基板等でもよ
い。

【００５１】

【発明の効果】請求項１〜９によれば，第１の処理工程
を行っている基板の搬送と第２の処理工程を行っている
基板の搬送が交錯することがなく，基板の搬送が円滑に
行われて効率よく搬送できるようになる。特に請求項２
によれば，液処理ユニットに対して熱処理ユニットから
熱の影響が及ぶことを防止でき，例えば液処理ユニット
にて基板表面にレジスト膜などを形成する際に，レジス
ト膜等の厚さを正確に制御できるようになる。また請求
項６によれば，第１の搬送経路と第２の搬送経路とで別
の搬送手段で基板を搬送することにより，第１の処理工
程を行っている基板の搬送と第２の処理工程を行ってい
る基板の搬送がより交錯しなくなり，基板の搬送が更に
円滑に効率よく行われるようになる。また請求項７によ
れば，第１，２の搬送経路に沿ってそれぞれ配置された
第１，２の処理ユニット群や基板の搬送手段などを，空
間部に作業者が入って点検，整備等することが可能とな
り，メンテナンスなどが容易になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態にかかる基板処理装置の概
略的な平面図である。

【図２】図１におけるＰ−Ｐ断面においてカセットステ
ーション側から見た処理ステーションの断面図である。

【図３】図１におけるＱ−Ｑ断面においてインターフェ
イス部側から見た処理ステーションの断面図である。

【図４】搬送機構の斜視図である。

【図５】図１の基板処理装置におけるインターフェイス
部の構成を示す側面図である。

【図６】本発明の他の実施の形態にかかる基板処理装置
の概略的な平面図である。

【図７】従来の基板処理装置の概略的な平面図である。

【符号の説明】

Ｃ カセット Ｗ ウェハ Ｕ１ 第１の処理ユニット群 Ｕ２ 第２の処理ユニット群 １ 基板処理装置 ２ カセットステーション ３ 処理ステーション ４ インターフェイス部 ５ カセット載置台 ６ ウェハ搬送体 ２０ 空間部 ２１ 第１の搬送経路 ２２ 第２の搬送経路 ３０ 熱処理部 ３１ 冷却処理部 ３２ 膜形成部 ３３ 冷却処理部 ３４ 熱処理部 ３５ 熱処理部 ３６ 冷却処理部 ３７ 現像処理部 ３８ 冷却処理部 ３９ 熱処理部 ８１ 第１の搬送手段 ８２ 第２の搬送手段 ９５ ウェハ載置台 １０３ トンネル通過部 １０４ 扉

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 CA05 FA01 FA15 GA03 GA47 GA48 GA49 GA50 MA01 MA06 MA26 MA27 MA30 5F046 CD01 CD05 DA29 JA22 KA07 LA18

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対して第１の処理工程を施す第１
   の処理ユニット群と，基板に対して第２の処理工程を施
   す第２の処理ユニット群とを備え，これら第１の処理ユ
   ニット群と第２の処理ユニット群に基板を搬送させる搬
   送手段を備えた基板処理装置であって，前記第１の処理
   ユニット群を第１の搬送経路に沿って配置し，前記第２
   の処理ユニット群を第２の搬送経路に沿って配置したこ
   とを特徴とする，基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記第１の処理ユニット群及び／又は前
   記第２の処理ユニット群は，基板に処理液を供給して処
   理する液処理ユニットと，基板を所定温度で加熱処理す
   る熱処理ユニットを備え，前記液処理ユニットが前記熱
   処理ユニットの熱の影響を受けない位置に配置されてい
   ることを特徴とする，請求項１の基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記液処理ユニットが前記熱処理ユニッ
   トから離れて配置されていることを特徴とする，請求項
   ２の基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記液処理ユニットと前記熱処理ユニッ
   トとの間に断熱板が設けられていることを特徴とする，
   請求項２又は３の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記液処理ユニットと前記熱処理ユニッ
   トとの間に液処理ユニット及び熱処理ユニット以外の処
   理ユニットが配置されていることを特徴とする，請求項
   ２，３又は４のいずれかの基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記搬送手段は，前記第１の搬送経路に
   沿って基板を搬送させる第１の搬送手段と，前記第２の
   搬送経路に沿って基板を搬送させる第２の搬送手段とか
   らなることを特徴とする，請求項１，２，３，４又は５
   のいずれかの基板処理装置。
7. 【請求項７】 前記第１の搬送経路と前記第２の搬送経
   路の間に空間部が形成されていることを特徴とする，請
   求項１，２，３，４，５又は６の基板処理装置。
8. 【請求項８】 前記空間部を挟んで前記第１の搬送経路
   と前記第２の搬送経路が平行に配置されていることを特
   徴とする，請求項７の基板処理装置。
9. 【請求項９】 前記空間部に出入り自在であることを特
   徴とする，請求項７又は８の基板処理装置。