JP5183993B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板に処理を施す基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。

そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

ところで、上記特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、露光処理前に基板に汚染物質が付着すると、その汚染物質が液体中に混入する。

露光処理前においては、基板に対して種々の成膜処理が施されるが、この成膜処理の過程で、基板のベベル部が汚染する場合がある。このように、基板のベベル部が汚染された状態で基板の露光処理を行うと、露光装置のレンズが汚染され、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することがある。

また、基板の成膜処理時においても、基板のベベル部が汚染された状態であると、基板上に膜が正常に形成されないことがある。

このように、基板のベベル部の汚染に起因して種々の処理不良が発生する可能性がある。

本発明の目的は、ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良を防止することができる基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、処理部および受け渡し部の動作を制御する制御部とを備え、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、基板のベベル部の状態を検査し、基板のベベル部が汚染されているか否かを判定するベベル部検査手段を含み、制御部は、ベベル部検査手段により基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に第１の制御動作を行い、ベベル部検査手段により基板のベベル部が汚染されていないと判定された場合に第２の制御動作を行い、ベベル部検査手段は、露光装置による露光処理前に基板のベベル部を検査する第１のベベル部検査部を含み、処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、基板を一時的に待機させるための待機部と、第１のベベル部検査部と待機部との間で基板を搬送する第１の搬送手段とをさらに含み、制御部は、第１のベベル部検査部により露光処理前に基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に第１の制御動作として基板を露光装置に搬送せずに待機部に搬送するように第１の搬送手段を制御するものである。

この基板処理装置では、処理部において基板に所定の処理が行われ、受け渡し部によりその基板が処理部から露光装置へ受け渡される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、露光処理後の基板が受け渡し部により露光装置から処理部へ戻される。処理部および受け渡し部の動作は制御部により制御される。

処理部および受け渡し部の少なくとも一方において、ベベル部検査手段により基板のベベル部の状態が検査され、基板のベベル部が汚染されているか否かが判定される。ベベル部検査手段により基板のベベル部が汚染されていると判定された場合には、制御部が第１の制御動作を行い、ベベル部検査手段により基板のベベル部が汚染されていないと判定された場合には、制御部が第２の制御動作を行う。

このように、ベベル部が汚染されているか否かの判定結果に基づいて第１または第２の制御動作が行われることにより、基板のベベル部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することが可能となる。

また、ベベル部が汚染された基板が露光装置に搬送されないので、露光装置内の汚染が防止される。それにより、露光パターンの寸法不良および形状不良の発生が防止される。

（２）処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、露光装置による露光処理前の基板に洗浄処理を施す洗浄処理ユニットを含み、第１のベベル部検査部は、洗浄処理ユニットによる洗浄処理後に基板のベベル部を検査し、制御部は、第１のベベル部検査部により洗浄処理後に基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に第１の制御動作として基板を露光装置に搬送せずに待機部に搬送するように第１の搬送手段を制御してもよい。

この場合、洗浄処理ユニットにより基板に洗浄処理が施された後に第１のベベル部検査部により基板のベベル部の状態が検査されるので、ベベル部が汚染されていると判定される基板の割合が減少する。それにより、露光装置に搬送される基板の割合が増加し、歩留まりが向上する。

制御部は、ベベル部検査手段により基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に第１の制御動作として基板に再度洗浄処理ユニットによる洗浄処理を施すように処理部および受け渡し部の少なくとも一方を制御してもよい。

この場合、基板のベベル部に付着する汚染物を洗浄処理ユニットによって取り除いた後、基板を露光装置に搬送することができる。それにより、歩留まりがさらに向上する。

（３）洗浄処理ユニットは、基板のベベル部を洗浄するためのベベル部洗浄機構を含んでもよい。

この場合、洗浄処理ユニットによって基板のベベル部に付着する汚染物をより十分に取り除くことができる。それにより、露光装置に搬送される基板の割合がさらに増加し、歩留まりがより一層向上する。

（４）制御部の制御動作に従って警報を発生する警報発生手段をさらに備え、ベベル部検査手段は、露光装置による露光処理後に基板のベベル部を検査する第２のベベル部検査部をさらに含み、制御部は、第２のベベル部検査部により露光処理後に基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に第１の制御動作として警報を発生するように警報発生手段を制御してもよい。

この場合、露光装置が汚染されているか、または正常に動作していない場合に、露光処理中に基板のベベル部が汚染されることがある。したがって、露光処理後の基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に警報発生手段によって警報を発生させることにより、露光装置のメンテナンスのタイミングを作業者に迅速に認識させることができる。

（５）処理部は、露光装置による露光処理前の基板に成膜処理を行う成膜ユニットを含み、ベベル部検査手段は、成膜ユニットによる成膜処理前に基板のベベル部を検査する第３のベベル部検査部をさらに含み、制御部は、第３のベベル部検査部により成膜処理前に基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に第１の制御動作として基板に成膜ユニットによる成膜処理を施さないように処理部を制御してもよい。

この場合、ベベル部が清浄な基板に成膜ユニットによる成膜処理が施される。そのため、基板のベベル部の汚染に起因する成膜処理の不良を防止することができる。

（６）制御部の制御動作に従って処理部と複数の収納容器との間で基板を搬送する第２の搬送手段をさらに備え、処理部は、露光装置による露光処理後の基板に現像処理を施す現像処理ユニットを含み、ベベル部検査手段は、現像処理ユニットによる現像処理後に基板のベベル部を検査する第４のベベル部検査部をさらに含み、制御部は、第４のベベル部検査部により現像処理後に基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に第１の制御動作として複数の収納容器のうち一の収納容器に基板を収納するように第２の搬送手段を制御し、第４のベベル部検査部により現像処理後に基板のベベル部が汚染されていないと判定された場合に第２の制御動作として複数の収納容器のうち他の収納容器に基板を収納するように第２の搬送手段を制御してもよい。

この場合、ベベル部が汚染された基板とベベル部が清浄な基板とが別個の収納容器に収納されるので、基板のベベル部が汚染された基板がそのまま次の処理工程に送られることを防止することができる。

本発明によれば、ベベル部が汚染されているか否かの判定結果に基づいて第１または第２の制御動作が行われることにより、基板のベベル部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することが可能となる。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（Ａ）第１の実施の形態
（Ａ−１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。なお、図１ならびに後述する図２〜図４、図１６〜図１８には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。また、インターフェースブロック１５に隣接するように露光装置１６が配置される。露光装置１６においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５の各々を処理ブロックと呼ぶ。

インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台４０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部５０および第１のセンターロボットＣＲ１を含む。反射防止膜用塗布処理部５０は、第１のセンターロボットＣＲ１を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。

インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１３、ＰＡＳＳ１５〜ＰＡＳＳ２６にも同様に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部６０および第２のセンターロボットＣＲ２を含む。レジスト膜用塗布処理部６０は、第２のセンターロボットＣＲ２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１８が設けられる。この隔壁１８には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。

現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部７０および第３のセンターロボットＣＲ３を含む。現像処理部７０は、第３のセンターロボットＣＲ３を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１９が設けられる。この隔壁１９には、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１、レジストカバー膜用塗布処理部８０および第４のセンターロボットＣＲ４を含む。レジストカバー膜用塗布処理部８０は、第４のセンターロボットＣＲ４を挟んでレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に対向して設けられる。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。

現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間には、雰囲気遮断用の隔壁２０が設けられる。この隔壁２０には、現像処理ブロック１２とレジストカバー膜用処理ブロック１３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、基板Ｗを現像処理ブロック１２からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられる。

レジストカバー膜除去ブロック１４は、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１、レジストカバー膜除去用処理部９０および第５のセンターロボットＣＲ５を含む。露光後ベーク用熱処理部１４１はインターフェースブロック１５に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２を備える。レジストカバー膜除去用処理部９０は、第５のセンターロボットＣＲ５を挟んで露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１に対向して設けられる。第５のセンターロボットＣＲ５には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ９，ＣＲＨ１０が上下に設けられる。

レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間には、雰囲気遮断用の隔壁２１が設けられる。この隔壁２１には、レジストカバー膜用処理ブロック１３とレジストカバー膜除去ブロック１４との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は、基板Ｗをレジストカバー膜用処理ブロック１３からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４からレジストカバー膜用処理ブロック１３へ搬送する際に用いられる。

インターフェースブロック１５は、ベベル部検査ユニットＥＥ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、第６のセンターロボットＣＲ６、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰＡＳＳ−ＣＰ（以下、Ｐ−ＣＰと略記する）、基板載置部ＰＡＳＳ１３、インターフェース用搬送機構ＩＦＲおよび第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２を含む。なお、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行い、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２は、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の詳細は後述する。

また、第６のセンターロボットＣＲ６には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１１，ＣＲＨ１２（図４参照）が上下に設けられ、インターフェース用搬送機構ＩＦＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ１，Ｈ２（図４参照）が上下に設けられる。インターフェースブロック１５の詳細については後述する。

本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４およびインターフェースブロック１５が順に並設されている。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た概略側面図であり、図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見が概略側面図である。なお、図２においては、基板処理装置５００の＋Ｘ側に設けられるものを主に示し、図３においては、基板処理装置５００の−Ｘ側に設けられるものを主に示している。

まず、図２を用いて、基板処理装置５００の＋Ｘ側の構成について説明する。図２に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部５０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック５１およびスピンチャック５１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル５２を備える。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部６０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック６１およびスピンチャック６１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル６２を備える。

現像処理ブロック１２の現像処理部７０には、５個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル７２を備える。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用塗布処理部８０には、３個の塗布ユニットＣＯＶが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジストカバー膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。レジストカバー膜の塗布液としては、レジストおよび水との親和力が低い材料（レジストおよび水との反応性が低い材料）を用いることができる。例えば、フッ素樹脂である。塗布ユニットＣＯＶは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に塗布液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜上にレジストカバー膜を形成する。

レジストカバー膜除去ブロック１４のレジストカバー膜除去用処理部９０には、３個の除去ユニットＲＥＭが上下に積層配置されている。各除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに剥離液（例えばフッ素樹脂）を供給する供給ノズル９２を備える。除去ユニットＲＥＭは、基板Ｗを回転させながら基板Ｗ上に剥離液を塗布することにより、基板Ｗ上に形成されたレジストカバー膜を除去する。

なお、除去ユニットＲＥＭにおけるレジストカバー膜の除去方法は上記の例に限定されない。例えば、基板Ｗの上方においてスリットノズルを移動させつつ基板Ｗ上に剥離液を供給することによりレジストカバー膜を除去してもよい。

インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、エッジ露光部ＥＥＷおよび３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。

次に、図３を用いて、基板処理装置５００の−Ｘ側の構成について説明する。図３に示すように、反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、２個の加熱ユニット（ホットプレート）ＨＰおよび２個の冷却ユニット（クーリングプレート）ＣＰがそれぞれ積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０，１２１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜用処理ブロック１３のレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰがそれぞれ積層配置される。また、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

レジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４０には、２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置され、露光後ベーク用熱処理部１４１には２個の加熱ユニットＨＰ、２個の冷却ユニットＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が上下に積層配置される。また、露光後ベーク用熱処理部１４０，１４１には、最上部に加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

次に、図４を用いてインターフェースブロック１５について詳細に説明する。

図４は、インターフェースブロック１５を＋Ｙ側から見た概略側面図である。図４に示すように、インターフェースブロック１５内において、−Ｘ側には、ベベル部検査ユニットＥＥおよび３個の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が積層配置される。また、インターフェースブロック１５内において、＋Ｘ側の上部には、エッジ露光部ＥＥＷが配置される。

エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の略中央部には、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、２個の載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３が上下に積層配置される。エッジ露光部ＥＥＷの下方において、インターフェースブロック１５内の＋Ｘ側には、３個の第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２が上下に積層配置される。

また、インターフェースブロック１５内の下部には、第６のセンターロボットＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設けられている。第６のセンターロボットＣＲ６は、ベベル部検査ユニットＥＥおよび第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と、エッジ露光部ＥＥＷ、送りバッファ部ＳＢＦ、戻りバッファ部ＲＢＦ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ１３と、第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２との間で上下動可能かつ回動可能に設けられている。

（Ａ−２）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について図１〜図４を参照しながら説明する。

（Ａ−２−１）インデクサブロック〜レジストカバー膜除去ブロックの動作
まず、インデクサブロック９〜レジストカバー膜除去ブロック１４の動作について簡単に説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台４０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣＡが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣＡ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。

本実施の形態においては、キャリアＣＡとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。

さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用塗布処理部５０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部５０では、露光時に発生する低在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣにより基板Ｗ上に反射防止膜が塗布形成される。

次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用塗布処理部５０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ３に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用塗布処理部６０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部６０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジスト膜が塗布形成される。

次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用塗布処理部６０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、その基板Ｗをレジストカバー膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジストカバー膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＣＯＶによりレジスト膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストカバー膜が塗布形成される。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗをレジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１に搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、レジストカバー膜用熱処理部１３０，１３１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られ、後述するように、インターフェースブロック１５および露光装置１６において所定の処理が施される。インターフェースブロック１５および露光装置１６において基板Ｗに所定の処理が施された後、その基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりレジストカバー膜除去ブロック１４の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬入される。

露光後ベーク用熱処理部１４１においては、基板Ｗに対して露光後ベーク（ＰＥＢ）が行われる。その後、第６のセンターロボットＣＲ６は、露光後ベーク用熱処理部１４１から基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。

なお、本実施の形態においては露光後ベーク用熱処理部１４１により露光後ベークを行っているが、露光後ベーク用熱処理部１４０により露光後ベークを行ってもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜除去ブロック１４の第５のセンターロボットＣＲ５により受け取られる。第５のセンターロボットＣＲ５は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去用処理部９０に搬入する。レジストカバー膜除去用処理部９０においては、除去ユニットＲＥＭにより基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去される。

次に、第５のセンターロボットＣＲ５は、レジストカバー膜除去用処理部９０から処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、レジストカバー膜用処理ブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４により基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８に載置された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、その基板Ｗを現像処理部７０に搬入する。現像処理部７０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像処理部７０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像用熱処理部１２０，１２１に搬入する。その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、現像用熱処理部１２０，１２１から熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２により基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１により基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣＡ内に収納される。これにより、基板処理装置５００における基板Ｗの各処理が終了する。

（Ａ−２−２）インターフェースブロックの動作
次に、インターフェースブロック１５の動作について詳細に説明する。

上述したように、インデクサブロック９に搬入された基板Ｗは、所定の処理を施された後、レジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板Ｗは、インターフェースブロック１５の第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図４）に搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、エッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１のいずれかに搬入する。第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、上述したように露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板を取り出し、その基板Ｗをベベル部検査ユニットＥＥに搬入する。ベベル部検査ユニットＥＥでは、基板Ｗのベベル部の検査が行われ、基板Ｗのベベル部が汚染されているか否かが判定される。

具体的には、例えば基板Ｗのベベル部にレーザ光が照射され、その散乱光が検出される。検出された散乱光の強度が所定範囲内である場合には、基板Ｗのベベル部が汚染されていないと判定される。検出された散乱光の強度が所定範囲から逸脱する場合には、基板Ｗのベベル部が汚染されていると判定される。なお、基板Ｗのベベル部の検査方法はこれに限定されない。例えば、ＣＣＤ（電化結合素子）カメラ等によって基板Ｗのベベル部を撮影し、撮影された画像に基づいて基板Ｗのベベル部の汚染の有無を判定してもよい。

ベベル部検査ユニットＥＥによる判定結果は、メインコントローラ３０に与えられる。メインコントローラ３０は、ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗと、ベベル部が汚染されていないと判定された基板Ｗとでそれぞれ異なる処理が施されるように各処理ブロックを制御する。

ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６によりベベル部検査ユニットＥＥから取り出され、続いて送りバッファ部ＳＢＦに搬入される。その基板Ｗは、ロット終了後に作業者によって回収され、別途処理が施される。なお、ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗを収納するためのバッファ部を送りバッファ部ＳＢＦとは別に設けてもよい。

以下、ベベル部が汚染されていないと判定された基板Ｗに対するインターフェースブロック１５の動作を説明する。

露光装置１６による露光処理の時間は、通常、他の処理工程および搬送工程よりも長い。その結果、露光装置１６が後の基板Ｗの受け入れをできない場合が多い。この場合、基板Ｗは送りバッファ部ＳＢＦに一時的に収納保管される。本実施の形態では、第６のセンターロボットＣＲ６は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを送りバッファ部ＳＢＦに搬送する。

次に、第６のセンターロボットＣＲ６は、送りバッファ部ＳＢＦに収納保管されている基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入する。載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに搬入された基板Ｗは、露光装置１６内と同じ温度（例えば、２３℃）に維持される。

なお、露光装置１６が十分な処理速度を有する場合には、送りバッファ部ＳＢＦに基板Ｗを収納保管せずに、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１から載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰに基板Ｗを搬送してもよい。

続いて、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰで上記所定温度に維持された基板Ｗが、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの上側のハンドＨ１（図４）により受け取られ、露光装置１６内の基板搬入部１６ａ（図１）に搬入される。

露光装置１６において露光処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの下側のハンドＨ２（図４）により基板搬出部１６ｂ（図１）から搬出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ２により、その基板Ｗを第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２のいずれかに搬入する。第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２においては、上述したように露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ２において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ１（図４）により取り出される。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンドＨ１により、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。

基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、第６のセンターロボットＣＲ６により受け取られる。第６のセンターロボットＣＲ６は、その基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４（図１）の露光後ベーク用熱処理部１４１に搬送する。

なお、除去ユニットＲＥＭ（図２）の故障等により、レジストカバー膜除去ブロック１４が一時的に基板Ｗの受け入れをできないときは、戻りバッファ部ＲＢＦに露光処理後の基板Ｗを一時的に収納保管することができる。

（Ａ−３）第１の実施の形態の効果
第１の実施の形態では、ベベル部検査ユニットＥＥにおいてベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗが、露光装置１６に搬入されない。そのため、基板Ｗのベベル部の汚染に起因する露光装置１６内の汚染が防止される。その結果、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生することを防止することができる。

（Ａ−４）他の動作例
（Ａ−４−１）
ベベル部検査ユニットＥＥにおいてベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗを第１〜第６のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ６によってインデクサブロック９に戻してもよい。この場合、ベベル部が汚染されている基板Ｗには、露光処理および現像処理が行われない。なお、インデクサブロック９においては、露光処理および現像処理が行われた基板Ｗと露光処理および現像処理が行われずに戻された基板Ｗとをそれぞれ別個のキャリアＣＡに収納する。

（Ａ−４−２）
ベベル部検査ユニットＥＥにおいてベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗを再度第１の洗浄／乾燥ユニットＳＤ１に搬入してもよい。この場合、第１の洗浄／乾燥ユニットＳＤ１において洗浄および乾燥処理が施された基板Ｗが、再度ベベル部検査ユニットＥＥに搬入され、ベベル部の汚染の有無が検査される。すなわち、ベベル部検査ユニットＥＥにおいてベベル部が汚染されていないと判定されるまで、その基板Ｗは、第１の洗浄／乾燥ユニットＳＤ１において繰り返し洗浄処理が施される。それにより、ベベル部が清浄な状態で基板Ｗを露光装置１６に搬入することができる。

（Ａ−４−３）
ベベル部検査ユニットＥＥにおいて、露光処理前の基板Ｗのベベル部の検査に加えて、露光処理直後の基板Ｗのベベル部の検査を行ってもよい。

露光装置１６には、ベベル部が清浄な基板Ｗのみが搬入される。露光装置１６が清浄な状態で正常に動作していれば、露光処理直後の基板Ｗのベベル部は清浄である。一方、露光装置１６が汚染されていたり正常に動作していなかったりすれば、露光処理中に基板Ｗのベベル部が汚染されることがある。

そこで、ベベル部検査ユニットＥＥにおいて露光処理直後の基板Ｗのベベル部が汚染されていると判定された場合は、警報ブザーまたは警報ランプ等の警報発生手段により警告が発せられる。それに応じて、作業者が基板処理装置５００の動作を停止し、露光装置１６のメンテナンスを行う。

このように、露光装置１６への搬入直前および露光装置１６からの搬出直後に基板Ｗのベベル部を検査することにより、露光装置１６のメンテナンスタイミングを迅速に認識することができる。

なお、露光処理後にベベル部検査ユニットＥＥにおいて基板Ｗのベベル部が汚染されていないと判定されても、露光処理前にベベル部検査ユニットＥＥにおいて検出された汚染の程度と露光処理後にベベル部検査ユニットＥＥにおいて検出された汚染の程度とが異なれば、上記同様に作業者に対する警告が行われてもよい。

なお、露光処理前に基板Ｗのベベル部の検査を行うベベル部検査ユニットと露光処理後に基板のベベル部の検査を行うベベル部検査ユニットとを別個に設けてもよい。

（Ａ−５）第１の洗浄／乾燥ユニットＳＤ１の具体例
第１の洗浄／乾燥ユニットＳＤ１に、基板Ｗのベベル部を洗浄するベベル洗浄機能を搭載してもよい。その場合、ベベル部検査ユニットＥＥにおいてベベル部が汚染されていると判定される基板Ｗの割合が減少するので、露光装置１６に搬入可能な基板Ｗの割合が増加し、歩留まりが向上する。

以下、ベベル洗浄機能が搭載された第１の洗浄／乾燥ユニットＳＤ１について説明する。図５は、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１の構成を説明するための図である。図５に示すように、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに、基板Ｗの中心を通る鉛直軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５２１を備える。

スピンチャック５２１は、チャック回転駆動機構５２２によって回転される回転軸５２３の上端に固定されている。また、スピンチャック５２１には吸気路（図示せず）が形成されている。スピンチャック５２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック５２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック５２１の近傍には、複数（本例では２つ）の下面ノズル５２４が外側上方に向けて設けられている。また、スピンチャック５２１の上方には、上面ノズル５２５が斜め下方に向けて設けられている。各下面ノズル５２４には洗浄液供給管５２４ａが接続され、上面ノズル５２５には洗浄液供給管５２５ａが接続されている。洗浄液供給管５２４ａ，５２５ａを通して下面ノズル５２４および上面ノズル５２５に洗浄液が供給される。洗浄液としては、純水、界面活性剤、溶剤またはＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等のアルコール薬液が用いられる。

基板Ｗの洗浄処理時には、基板Ｗがスピンチャック５２１に保持された状態で回転される。回転される基板Ｗの下面に向けて下面ノズル５２４から洗浄液が供給される。また、回転される基板Ｗの上面に向けて上面ノズル５２５から洗浄液が供給される。下面ノズル５２４および上面ノズル５２５から吐出された洗浄液は遠心力によって外方に広がる。それにより、基板Ｗの表面および基板Ｗの裏面の周縁領域が洗浄される。

スピンチャック５２１の外方には、ベベル洗浄部５３０が配置されている。ベベル洗浄部５３０は洗浄ブラシ５３１を備える。洗浄ブラシ５３１は、保持部材５３２，５３３によって鉛直軸周りに回転可能に保持されており、ブラシ回転駆動機構５３４によって回転駆動される。

保持部材５３２にはアーム５３５が連結されている。アーム５３５は、アーム駆動機構５３６によって上下方向および水平方向に移動する。アーム駆動機構５３６によるアーム５３５の移動に伴い、洗浄ブラシ５３１が上下方向および水平方向に移動する。

洗浄ブラシ５３１は鉛直軸に関して回転対称な形状を有し、上ベベル洗浄面５３１ａ、端面洗浄面５３１ｂおよび下ベベル洗浄面５３１ｃを有する。端面洗浄面５３１ｂは鉛直方向を軸心とする円筒面である。上ベベル洗浄面５３１ａは端面洗浄面５３１ｂの上端から外側上方に傾斜して延び、下ベベル洗浄面５３１ｃは端面洗浄面５３１ｂの下端から外側下方に傾斜して延びる。

基板Ｗの洗浄処理時には、ベベル洗浄部５３０の洗浄ブラシ５３１により、基板Ｗのベベル部Ｒが洗浄される。

ここで、基板Ｗのベベル部Ｒについて説明する。図６は、基板Ｗのベベル部Ｒの詳細を示す図である。図６に示すように、ベベル部Ｒは、基板Ｗの外周部において、基板Ｗの平坦な表面に連続的につながるように傾斜する上ベベル領域Ａ、基板Ｗの平坦な裏面に連続的につながるように傾斜する下ベベル領域Ｃ、および端面領域Ｂを含む。なお、基板Ｗの表面とは回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面をいい、基板Ｗの裏面とはその反対側の基板Ｗの面をいう。

鉛直面に対する上ベベル領域Ａの傾斜角θ１と鉛直面に対する下ベベル領域Ｃの傾斜角θ２とは互いにほぼ等しい。図５に示す洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａおよび下ベベル洗浄面５３１ｃの鉛直面に対する傾斜角は、基板Ｗの上ベベル領域Ａおよび下ベベル領域Ｃの傾斜角θ１，θ２とほぼ等しく設定される。

基板Ｗの洗浄処理時には、図５に示す洗浄ブラシ５３１がブラシ回転駆動機構５３４によって回転するとともにアーム駆動機構５３６によって基板Ｗのベベル部Ｒに向けて移動する。さらに、洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａ、端面洗浄面５３１ｂおよび下ベベル洗浄面５３１ｃが基板Ｗのベベル部Ｒの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃ（図６）にそれぞれ接触するように、洗浄ブラシ５３１が上下方向に移動する。

なお、下面ノズル５２４および上面ノズル５２５から吐出される洗浄液は、基板Ｗの回転に伴う遠心力により、基板Ｗの裏面および表面を伝ってベベル部Ｒに導かれる。すなわち、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗのベベル部Ｒとの接触部分に洗浄液が供給される。

図７は基板Ｗおよび洗浄ブラシ５３１の回転方向を示す平面図であり、図８は基板Ｗと洗浄ブラシ５３１との接触状態を示す図である。

図７に示すように、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗとは互いに同じ方向に回転される。この場合、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗとの接触部分において、洗浄ブラシ５３１と基板Ｗとの相対的な回転速度が高くなる。それにより、基板Ｗのベベル部Ｒが効率良く洗浄される。

図８（ａ）に示すように、洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａが基板Ｗの上ベベル領域Ａに接触することにより、基板Ｗの上ベベル領域Ａが洗浄される。上記のように、基板Ｗの上ベベル領域Ａの傾斜角と洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａの傾斜角とは互いにほぼ等しい。そのため、基板Ｗの上ベベル領域Ａの全域に洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａを接触させることができる。それにより、上ベベル領域Ａの全域を確実に洗浄することができる。

また、図８（ｂ）に示すように、洗浄ブラシ５３１の下ベベル洗浄面５３１ｃが基板Ｗの下ベベル領域Ｃに接触することにより、基板Ｗの下ベベル領域Ｃが洗浄される。上記のように、基板Ｗの下ベベル領域Ｃの傾斜角と洗浄ブラシ５３１の下ベベル洗浄面５３１ｃの傾斜角とは互いにほぼ等しい。そのため、基板Ｗの下ベベル領域Ｃの全域に洗浄ブラシ５３１の下ベベル洗浄面５３１ｃを接触させることができる。したがって、下ベベル領域Ｃの全域を確実に洗浄することができる。

さらに、図８（ｃ）に示すように、洗浄ブラシ５３１の端面洗浄面５３１ｂが基板Ｗの端面領域Ｂに接触することにより、基板Ｗの端面領域Ｂが洗浄される。

このように、洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａ、端面洗浄面５３１ｂおよび下ベベル洗浄面５３１ｃを基板Ｗの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃに接触させることにより、基板Ｗのベベル部Ｒの全域を確実に洗浄することができる。それにより、基板Ｗのベベル部Ｒに付着する汚染物を確実に取り除くことができる。

基板Ｗの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃの洗浄後、洗浄ブラシ５３１が基板Ｗから離間する。続いて、回転軸５５３（図５）の回転速度が上昇することにより、基板Ｗに付着する洗浄液が遠心力によって振り切られる。それにより、基板Ｗが乾燥される。なお、効率よく確実に基板Ｗを乾燥させるために、基板ＷにＮ_２（窒素）等の不活性ガスを吹き付ける不活性ガス供給ノズルをさらに設けてもよい。

（Ａ−５−ａ）洗浄ブラシの他の設置例
図９は、洗浄ブラシ５３１の他の設置例を示す図である。図９の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１においては、洗浄ブラシ５３１が鉛直軸に対して傾斜するように設けられている。洗浄ブラシ５３１の傾斜角は、下ベベル洗浄面５３１ｃが水平面に平行になるように設定される。

図１０は、図９の第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１における基板Ｗのベベル部Ｒの洗浄処理について説明するための図である。図１０に示すように、この第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１では、洗浄ブラシ５３１の下ベベル洗浄面５３１ｃによって基板Ｗの下面の周縁領域を洗浄することができる。それにより、基板Ｗの下面の周縁領域に付着する汚染物をより確実に取り除くことができる。

また、基板Ｗの下ベベル領域Ｃに洗浄ブラシ５３１の端面洗浄面５３１ｂを接触させることにより、基板Ｗの下ベベル領域Ｃを洗浄することができる。さらに、基板Ｗの端面領域Ｂに洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａを接触させることにより、基板Ｗの端面領域Ｂを洗浄することができる。

なお、洗浄ブラシ５３１の傾斜角を任意に制御可能な構成としてもよい。その場合、図８に示したように洗浄ブラシ５３１を直立姿勢とした状態で基板Ｗのベベル部Ｒの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃを洗浄することができる。さらに、図１０に示したように洗浄ブラシ５３１を傾斜させることにより、基板Ｗの下面の周縁領域を洗浄することができる。

（Ａ−５−ｂ）ベベル洗浄部の他の例
図１１は、ベベル洗浄部５３０の他の例を示す図である。図１１のベベル洗浄部５３０が図５に示したベベル洗浄部５３０と異なる点は、洗浄ブラシ５３１の代わりに洗浄ブラシ５４０を備える点である。

洗浄ブラシ５４０が図５の洗浄ブラシ５３１と異なるのは以下の点である。洗浄ブラシ５４０の下部には、外方に突出するように下面洗浄部５４１が形成されている。下面洗浄部５４１の上面（以下、下面洗浄面と呼ぶ）５４１ａは、下ベベル洗浄面５３１ｃの下端から水平面に沿って外方に延びている。

この洗浄ブラシ５３１ｂを用いた場合には、基板Ｗの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃに加えて、下面洗浄面５４１ａによって基板Ｗの裏面の周縁領域を洗浄することができる。

（Ａ−５−ｃ）ベベル洗浄部のさらに他の例
図１２は、ベベル洗浄部５３０のさらに他の例を示す図である。図１２のベベル洗浄部５３０においては、保持部材５３３の下面に、裏面洗浄ブラシ５４５が取り付けられている。

このベベル洗浄部５３０では、基板Ｗの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃに加えて、裏面洗浄ブラシ５４５によって基板Ｗの裏面全域を洗浄することができる。具体的には、まず、図８に示したように、基板Ｗの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃが洗浄ブラシ５３１によって洗浄される。そして、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られて基板Ｗが乾燥された後、図示しない反転ロボットによって、基板Ｗの表面と裏面とが反転される。すなわち、基板Ｗの裏面が上方に向けられる。

その状態で、基板Ｗが回転されるとともに上面ノズル５２５から洗浄液が供給される。そして、ベベル洗浄部５３０の裏面洗浄ブラシ５４５が基板Ｗの裏面に接触する状態で基板Ｗの中心部から周縁部にかけて走査する。それにより、裏面洗浄ブラシ５４５によって基板Ｗの裏面の全域が洗浄され、基板Ｗの裏面に付着する汚染物がより確実に取り除かれる。

なお、ブラシ回転駆動機構５３４によって裏面洗浄ブラシ５４５が洗浄ブラシ５３１と一体的に回転駆動される構成としてもよい。また、本例では、基板Ｗのベベル部Ｒを洗浄した後に基板Ｗの裏面を洗浄するが、基板Ｗの裏面を洗浄した後に基板Ｗのベベル部Ｒを洗浄してもよい。

また、図１２のベベル洗浄部５３０を用いる場合には、真空吸着式のスピンチャック５２１の代わりに、例えば基板Ｗのベベル部Ｒを複数の保持ピンによって保持し、これら複数の保持ピンの各々を鉛直軸周りに回転させることにより基板Ｗを回転させることが可能なスピンチャックを用いることが好ましい。この場合、基板Ｗの表面に形成された膜を損傷することなく、裏面が上方に向けられた状態で基板Ｗを回転させることができる。

（Ａ−５−ｄ）ベベル洗浄部のさらに他の例
ベベル洗浄部５３０の代わりに、図１３に示すベベル洗浄部５６０，５７０を用いてもよい。図１３は、ベベル洗浄部５６０，５７０を備えた第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１を示す図である。

図１３に示すように、ベベル洗浄部５６０，５７０は、それぞれ図６のベベル洗浄部５３０と同様に保持部材５３２，５３３、ブラシ回転駆動機構５３４、アーム５３５およびアーム駆動機構５３６を備える。

ベベル洗浄部５６０がベベル洗浄部５３０（図５）と異なる点は、洗浄ブラシ５３１の代わりに洗浄ブラシ５６１を備える点である。洗浄ブラシ５６１は、洗浄ブラシ５３１の上ベベル洗浄面５３１ａおよび端面洗浄面５３１ｂに相当する上ベベル洗浄面５６１ａおよび端面洗浄面５６１ｂを有する。

ベベル洗浄部５７０がベベル洗浄部５３０と異なる点は、洗浄ブラシ５３１の代わりに洗浄ブラシ５７１を備える点である。洗浄ブラシ５７１は、洗浄ブラシ５３１の端面洗浄面５３１ｂおよび下ベベル洗浄面５３１ｃに相当する端面洗浄面５７１ｂおよび下ベベル洗浄面５７１ｃを有する。

基板Ｗの洗浄処理時には、洗浄ブラシ５６１，５７１がブラシ回転駆動機構５３４およびアーム駆動機構５３６によってそれぞれ個別に駆動される。

図１４および図１５は、ベベル洗浄部５６０，５７０の洗浄ブラシ５６１，５７１による基板Ｗのベベル部Ｒの洗浄処理について説明するための図である。図１４（ａ）に示すように、洗浄ブラシ５６１の上ベベル洗浄面５６１ａが基板Ｗの上ベベル領域Ａに接触するとともに洗浄ブラシ５７１の下ベベル洗浄面５７１ｃが基板Ｗの下ベベル領域Ｃに接触することにより、基板Ｗの上ベベル領域Ａおよび下ベベル領域Ｃが洗浄される。

また、図１４（ｂ）に示すように、洗浄ブラシ５６１の端面洗浄面５６１ｂおよび洗浄ブラシ５７１の端面洗浄面５７１ｂが基板Ｗの端面領域Ｂに接触することにより、基板Ｗの端面領域Ｂが洗浄される。

このように、ベベル洗浄部５６０，５７０を用いた場合には、基板Ｗの上ベベル領域Ａおよび下ベベル領域Ｃを同時に洗浄することができる。そのため、基板Ｗの上ベベル領域Ａおよび下ベベル領域Ｃを順に洗浄する場合に比べて、洗浄時間を短縮することができる。

また、図１５に示すように、洗浄ブラシ５６１の上ベベル洗浄面５６１ａ、洗浄ブラシ５７１の下ベベル洗浄面５７１ｃおよび洗浄ブラシ５６１，５７１の端面洗浄面５６１ｂ，５７１ｂを基板Ｗの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃに同時に接触させてもよい。この場合、基板Ｗの上ベベル領域Ａ、端面領域Ｂおよび下ベベル領域Ｃを同時に洗浄することができる。

（Ｂ）第２の実施の形態
次に、第２の実施の形態に係る基板処理装置５００について、上記第１の実施の形態と異なる点を説明する。図１６は、第２の実施の形態に係る基板処理装置５００の平面図である。なお、図１６では、各処理ブロックが簡略化されて示される。

図１６に示すように、第２の実施の形態に係る基板処理装置５００は、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間にベベル部検査ブロック３１を備える。ベベル部検査ブロック３１は、第７のセンターロボットＣＲ７およびベベル部検査部３１１，３１２を含む。

ベベル部検査部３１１，３１２は、第７のセンターロボットＣＲ７を挟んで互いに対向して設けられる。ベベル部検査部３１１，３１２には、複数のベベル部検査ユニットＥＥが積層配置される。第７のセンターロボットＣＲ７には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１３，ＣＲＨ１４が上下に設けられる。

インデクサブロック９とベベル部検査ブロック３１との間には、雰囲気遮断用の隔壁３１３が設けられ、ベベル部検査ブロック３１と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁３１４が設けられる。隔壁３１３には、インデクサブロック９とベベル部検査ブロック３１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１５，ＰＡＳＳ１６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１５は、基板Ｗをインデクサブロック９からベベル部検査ブロック３１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１６は、基板Ｗをベベル部検査ブロック３１からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。

隔壁３１４には、ベベル部検査ブロック３１と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１７，ＰＡＳＳ１８が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１７は、基板Ｗをベベル部検査ブロック３１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１８は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からベベル部検査ブロック３１へ搬送する際に用いられる。

この基板処理装置５００では、未処理の基板Ｗがインデクサブロック９からベベル部検査ブロック３１に搬送される。ベベル部検査ブロック３１において、基板Ｗのベベル部がベベル部検査ユニットＥＥにより検査される。

ベベル部検査ユニットＥＥの検査で、ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗは、第７のセンターロボットＣＲ７およびインデクサロボットＩＲ（図１）により、インデクサブロック９に戻され、キャリアＣＡ（図１）に回収される。その基板Ｗは、基板処理装置５００の外部においてベベル部が洗浄された後に、改めてインデクサブロック９に搬入される。なお、ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗの回収は、作業者によって行われてもよい。

一方、ベベル部が汚染されていないと判定された基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０に搬送される。そして、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、インターフェースブロック１５および露光装置１６において、上記と同様の処理が基板Ｗに施される。

処理後の基板Ｗはベベル部検査ブロック３１に戻され、ベベル部検査ユニットＥＥにより再度ベベル部の検査が行われる。その後、その基板Ｗはインデクサブロック９に戻され、キャリアＣＡに回収される。この場合、ベベル部検査ユニットＥＥの検査でベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗとベベル部が汚染されていないと判定された基板Ｗとは互いに別個のキャリアＣＡに回収される。ベベル部が汚染されていると判定された基板Ｗは、キャリアＣＡに回収された後に、基板処理装置５００の外部においてベベル部が洗浄される。

本実施の形態では、未処理の基板Ｗのベベル部がベベル部検査ユニットＥＥにより検査され、ベベル部が汚染されていないと判定された基板Ｗのみが反射防止膜用処理ブロック１０に搬送される。それにより、各処理ブロックにおける基板Ｗの処理を良好に行うことができる。

また、基板処理装置５００から搬出される直前の基板Ｗのベベル部がベベル部検査ユニットＥＥによって検査されることにより、例えば現像処理ブロック１２における現像処理時に基板Ｗのベベル部が汚染された場合でも、その基板Ｗの汚染を迅速に認識することができる。

なお、ベベル部検査ブロック３１に、ベベル部洗浄機能が搭載されたベベル部洗浄ユニットが設けられてもよい。この場合、ベベル部検査ユニットＥＥによってベベル部が汚染されていると判定された未処理の基板Ｗのベベル部をベベル部洗浄ユニットによって洗浄することができる。これにより、ベベル部を洗浄するために基板Ｗを一旦キャリアＣＡに回収する必要がなくなる。

また、ベベル部検査ユニットＥＥによってベベル部が汚染されていると判定された処理後の基板Ｗのベベル部をベベル部洗浄ユニットによって洗浄することができる。これにより、現像処理時等にベベル部が汚染された基板Ｗも、清浄な状態で基板処理装置５００から搬出することができる。

なお、ベベル部洗浄ユニットの構成として、例えば図５〜図１５に示した第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１と同様の構成を用いることができる。

（Ｃ）第３の実施の形態
次に、第３の実施の形態に係る基板処理装置５００について、上記第１の実施の形態と異なる点を説明する。図１７は、第３の実施の形態に係る基板処理装置５００の平面図である。なお、図１７では、各処理ブロックが簡略化されて示される。

図１７に示すように、第３の実施の形態に係る基板処理装置５００は、レジストカバー膜除去ブロック１４とインターフェースブロック１５との間に検査ブロック３２を備える。検査ブロック３２は、第８のセンターロボットＣＲ８、露光後ベーク用熱処理部３２１，３２２、基板検査部３２３を含む。

基板検査部３２３は、第８のセンターロボットＣＲ８を挟んで露光後ベーク用熱処理部３２１，３２２に対向して設けられる。基板検査部３２３には、複数のベベル部検査ユニットＥＥおよび複数の膜厚検査ユニットＦＥ１が積層配置される。第８のセンターロボットＣＲ８には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１５，ＣＲＨ１６が上下に設けられる。

レジストカバー膜除去ブロック１４と検査ブロック３２との間には、雰囲気遮断用の隔壁３２４が設けられる。隔壁３２４には、レジストカバー膜除去ブロック１４と検査ブロック３２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１９，ＰＡＳＳ２０が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１９は、基板Ｗをレジストカバー膜除去ブロック１４から検査ブロック３２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２０は、基板Ｗを検査ブロック３２からレジストカバー膜除去ブロック１４へ搬送する際に用いられる。

露光後ベーク用熱処理部３２２は、検査ブロック３２とインターフェースブロック１５との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ２１，ＰＡＳＳ２２を備える。上側の基板載置部ＰＡＳＳ２１は、基板Ｗを検査ブロック３２からインターフェースブロック１５へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２２は、基板Ｗをインターフェースブロック１５から検査ブロック３２へ搬送する際に用いられる。

検査ブロック３２においては、露光処理前または露光処理後の基板Ｗのベベル部がベベル部検査ユニットＥＥにより検査される。また、露光処理前の基板Ｗ上の反射防止膜、レジスト膜およびレジストカバー膜の膜厚が膜厚検査ユニットＦＥ１により検査される。

（Ｄ）第４の実施の形態
次に、第４の実施の形態に係る基板処理装置５００について、上記第１の実施の形態と異なる点を説明する。図１８は、第４の実施の形態に係る基板処理装置５００の平面図である。なお、図１８では、各処理ブロックが簡略化されて示される。

図１８に示すように、第４の実施の形態に係る基板処理装置５００は、レジスト膜用処理ブロック１１と現像処理ブロック１２との間に検査ブロック３３を備える。検査ブロック３３は、第９のセンターロボットＣＲ９、基板検査部３３１，３３２を含む。

基板検査部３３１，３３２は、第９のセンターロボットＣＲ９を挟んで互いに対向して設けられる。基板検査部３３１には、複数のベベル部検査ユニットＥＥが積層配置される。基板検査部３３２には、複数の線幅検査ユニットＦＥ２および複数のオーバーレイ検査ユニットＦＥ３が積層配置される。第９のセンターロボットＣＲ９には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１７，ＣＲＨ１８が上下に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１と検査ブロック３３との間には、雰囲気遮断用の隔壁３３３が設けられ、検査ブロック３３と現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁３３４が設けられる。隔壁３３３には、レジスト膜用処理ブロック１１と検査ブロック３３との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ２３，ＰＡＳＳ２４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ２３は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から検査ブロック３３へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２４は、基板Ｗを検査ブロック３３からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。

隔壁３３４には、検査ブロック３３と現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ２５，ＰＡＳＳ２６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ２５は、基板Ｗを検査ブロック３３から現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２６は、基板Ｗを現像処理ブロック１２から検査ブロック３３へ搬送する際に用いられる。

検査ブロック３３においては、露光処理前または露光処理後の基板Ｗのベベル部がベベル部検査ユニットＥＥにより検査される。また、現像処理によって基板Ｗ上に形成されたパターンの線幅が線幅検査ユニットＦＥ２により検査される。また、現像処理によって基板Ｗ上に形成されたパターンの各層の重ね合わせの精度（オーバーレイ）がオーバーレイ検査ユニットＦＥ３により検査される。

なお、図１７および図１８に示した検査ブロック３１，３２に、基板Ｗのマクロ検査等を行う他の検査ユニットをさらに設けてもよい。

（Ｅ）他の実施の形態
ベベル部検査ユニットＥＥを反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３またはレジストカバー膜除去ブロック１４内に設けてもよい。

第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２は、インターフェースブロック１５に限らず、レジストカバー膜除去ブロック１４等の他の処理ブロックに設けられてもよい。

また、ベベル部検査ユニットＥＥの機能を塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶまたは除去ユニットＲＥＭに搭載してもよい。あるいは、ベベル部検査ユニットＥＥの機能を膜厚検査ユニットＦＥ１等の他の検査ユニットに搭載してもよい。

また、ベベル部検査ユニットＥＥ、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１、乾燥処理ユニットＳＤ２、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ、ＣＯＶ、現像処理ユニットＤＥＶ、除去ユニットＲＥＭ、加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰ、載置兼冷却ユニットＰ−ＣＰ、膜厚検査ユニットＦＥ１、線幅検査ユニットＦＥ２およびオーバーレイ検査ユニットＦＥ３の個数は、各処理ブロックの処理速度に合わせて適宜変更してもよい。

（Ｆ）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態では、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロック１３、レジストカバー膜除去ブロック１４、ベベル部検査ブロック３１、検査ブロック３２，３３が処理部の例であり、インターフェースブロック１５が受け渡し部の例であり、メインコントローラ３０が制御部の例であり、ベベル部検査ユニットＥＥがベベル部検査手段の第１〜第４のベベル部検査部の例であり、送りバッファ部ＳＢＦが待機部の例であり、第６のセンターロボットが第１の搬送手段の例である。

また、第１の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１が洗浄処理ユニットの例であり、ベベル洗浄部５３０がベベル部洗浄機構の例であり、警報ブザーまたは警報ランプが警報発生手段の例であり、塗布ユニットＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶが成膜ユニットの例であり、キャリアＣＡが収納容器の例であり、インデクサロボットＩＲが第２の搬送手段の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た概略側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た概略側面図である。 インターフェースブロックを＋Ｙ側から見た概略側面図である。 第１の洗浄／乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 基板のベベル部の詳細を示す図である。 基板および洗浄ブラシの回転方向を示す平面図である。 基板と洗浄ブラシとの接触状態を示す図である。 洗浄ブラシの他の設置例を示す図である。 図９の洗浄処理ユニットにおける基板のベベル部の洗浄処理について説明するための図である。 ベベル洗浄部の他の例を示す図である。 ベベル洗浄部のさらに他の例を示す図である。 洗浄処理ユニットの他の例を示す図である。 図１３のベベル洗浄部の洗浄ブラシによる基板のベベル部の洗浄処理について説明するための図である。 図１３のベベル洗浄部の洗浄ブラシによる基板のベベル部の洗浄処理について説明するための図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 第３の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 第４の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。

符号の説明

９ インデクサブロック
１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 現像処理ブロック
１３ レジストカバー膜用処理ブロック
１４ レジストカバー膜除去ブロック
１５ インターフェースブロック
１６ 露光装置
３１ ベベル部検査ブロック
３２，３３ 検査ブロック
３０ メインコントローラ
５００ 基板処理装置
５３０ ベベル洗浄部
ＥＥ ベベル部検査ユニット
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ，ＣＯＶ 塗布ユニット
ＣＡ キャリア
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＩＲ インデクサロボット
ＳＤ１ 第１の洗浄／乾燥処理ユニット
ＳＤ２ 第２の洗浄／乾燥処理ユニット
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   基板に処理を行うための処理部と、
   前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、
   前記処理部および受け渡し部の動作を制御する制御部とを備え、
   前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
   基板のベベル部が汚染されているか否かを判定するベベル部検査手段を含み、
   前記制御部は、前記ベベル部検査手段により基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に第１の制御動作を行い、前記ベベル部検査手段により基板のベベル部が汚染されていないと判定された場合に第２の制御動作を行い、
   前記ベベル部検査手段は、前記露光装置による露光処理前に基板のベベル部を検査する第１のベベル部検査部を含み、
   前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、
   基板を一時的に待機させるための待機部と、
   前記第１のベベル部検査部と前記待機部との間で基板を搬送する第１の搬送手段とをさらに含み、
   前記制御部は、前記第１のベベル部検査部により露光処理前に基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に前記第１の制御動作として基板を露光装置に搬送せずに前記待機部に搬送するように前記第１の搬送手段を制御することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、前記露光装置による露光処理前の基板に洗浄処理を施す洗浄処理ユニットを含み、
   前記第１のベベル部検査部は、前記洗浄処理ユニットによる洗浄処理後に基板のベベル部を検査し、
   前記制御部は、前記第１のベベル部検査部により洗浄処理後に基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に前記第１の制御動作として基板を前記露光装置に搬送せずに前記待機部に搬送するように前記第１の搬送手段を制御することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記洗浄処理ユニットは、基板のベベル部を洗浄するためのベベル部洗浄機構を含むことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 前記制御部の制御動作に従って警報を発生する警報発生手段をさらに備え、 前記ベベル部検査手段は、前記露光装置による露光処理後に基板のベベル部を検査する第２のベベル部検査部をさらに含み、
   前記制御部は、前記第２のベベル部検査部により露光処理後に基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に前記第１の制御動作として警報を発生するように前記警報発生手段を制御することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記処理部は、前記露光装置による露光処理前の基板に成膜処理を行う成膜ユニットを含み、
   前記ベベル部検査手段は、前記成膜ユニットによる成膜処理前に基板のベベル部を検査する第３のベベル部検査部をさらに含み、
   前記制御部は、前記第３のベベル部検査部により成膜処理前に基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に前記第１の制御動作として基板に前記成膜ユニットによる成膜処理を施さないように前記処理部を制御することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記制御部の制御動作に従って前記処理部と複数の収納容器との間で基板を搬送する第２の搬送手段をさらに備え、
   前記処理部は、前記露光装置による露光処理後の基板に現像処理を施す現像処理ユニットを含み、
   前記ベベル部検査手段は、前記現像処理ユニットによる現像処理後に基板のベベル部を検査する第４のベベル部検査部をさらに含み、
   前記制御部は、前記第４のベベル部検査部により現像処理後に基板のベベル部が汚染されていると判定された場合に前記第１の制御動作として前記複数の収納容器のうち一の収納容器に基板を収納するように前記第２の搬送手段を制御し、前記第４のベベル部検査部により現像処理後に基板のベベル部が汚染されていないと判定された場合に前記第２の制御動作として前記複数の収納容器のうち他の収納容器に基板を収納するように前記第２の搬送手段を制御することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。

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