JP5197823B2 - 光電変換装置 - Google Patents
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Description
103 光電変換部
104 絶縁体
106 導波路部材
107 層内レンズ
108 波長選択部
109 マイクロレンズ
110、601 第1中間部材
302、602 第2中間部材
303、603 第3中間部材
Claims (15)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に配された光電変換部と、
前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配され、前記光電変換部への光導波路を構成する第1部材と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光する第1レンズと、
前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された第2レンズと、
前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、
前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第2部材を有し、
前記第1部材の前記半導体基板の主面と平行な面への射影は、前記第2部材の前記面への射影に内包され、
前記第2部材を構成する材料の屈折率は前記第1レンズを構成する材料の屈折率より低く、
前記第2部材を構成する材料の屈折率は、前記第1部材を構成する材料の屈折率よりも低く、
前記第1部材と前記第2部材との間に配された第3部材をさらに有し、
前記第3部材を構成する材料の屈折率は、前記第1部材を構成する材料の屈折率よりも低く、かつ前記第2部材を構成する材料の屈折率よりも高いことを特徴とする光電変換装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に配された光電変換部と、
前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配され、前記光電変換部への光導波路を構成する第1部材と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光する第1レンズと、
前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された第2レンズと、
前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、
前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第2部材を有し、
前記第1部材の前記半導体基板の主面と平行な面への射影は、前記第2部材の前記面への射影に内包され、
前記第2部材を構成する材料の屈折率は前記第1レンズを構成する材料の屈折率より低く、
前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第4部材をさらに有し、
前記第4部材を構成する材料の屈折率は、前記第1レンズを構成する材料の屈折率よりも低く、かつ前記第2部材を構成する材料の屈折率よりも高いことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第2部材を構成する材料の屈折率は、前記第1部材を構成する材料の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項2に記載の光電変換装置。
- 前記光電変換装置は、前記第1部材と前記第2部材との間に配された第3部材をさらに有し、
前記第3部材を構成する材料の屈折率は、前記第1部材を構成する材料の屈折率よりも低く、かつ前記第2部材を構成する材料の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。 - 前記第3部材の厚さd1、前記第3部材を構成する材料の屈折率X、及び前記波長選択部によって選択された光の波長pが、関係式(1)及び関係式(2)を満足することを特徴とする請求項1または請求項4に記載の光電変換装置:
関係式(1) d1>p/8X、
関係式(2) d1<3p/8X。 - 前記第4部材の厚さd2、前記第4部材を構成する材料の屈折率Y、及び前記波長選択部によって選択された光の波長pが、関係式(3)及び関係式(4)を満足することを特徴とする請求項2乃至請求項4のいずれか一項に記載の光電変換装置:
関係式(3)d2>p/8Y、
関係式(4)d2<3p/8Y。 - 前記光電変換装置は、導電部材を含む配線層をさらに有し、
前記半導体基板から前記第1部材の前記半導体基板とは反対側の面までの第1の距離が、前記半導体基板から前記導電部材の前記半導体基板とは反対側の面までの第2の距離よりも大きく、
前記半導体基板から前記第1部材の前記半導体基板の側の面までの第3の距離が、前記半導体基板から前記導電部材の前記半導体基板の側の面までの第4の距離よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記半導体基板は、複数の前記光電変換部が配された撮像領域と、前記光電変換部からの信号を処理する回路が配された回路領域とを含み、
前記第2部材は少なくとも前記撮像領域の全体に重なって配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記半導体基板の上に、前記第1部材の側面を囲むように配された絶縁体を有し、
前記第1部材を構成する材料の屈折率は、前記絶縁体の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記半導体基板の上に、前記第1部材の側面を囲むように配された絶縁体を有し、
前記第1部材と前記絶縁体との間に、前記第1部材に入射した光を反射する反射部材が配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記半導体基板の上に、前記第1部材の側面を囲むように配された絶縁体を有し、
前記第1部材と前記絶縁体との間に、エアギャップが配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記光電変換装置は、
前記光電変換部とは別の光電変換部と、
前記半導体基板の上に、前記第1部材の側面を囲むように配された絶縁体と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材と同じ材料で形成された膜を有し、
前記膜は前記第1部材、及び前記絶縁体と接して配され、
前記膜は前記光電変換部と前記別の光電変換部との間の領域に延在して配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項11のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記第1レンズの前記半導体基板の側の面の面積は、前記第1部材の前記光電変換部とは反対側の面の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板に配された光電変換部と、
前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配され、前記光電変換部への光導波路を構成する第1部材と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光する第1レンズと、
前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された第2レンズと、
前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、
前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第2部材を有し、
前記第1部材の前記半導体基板の主面と平行な面への射影は、前記第2部材の前記面への射影に内包され、
前記第2部材を構成する材料の屈折率は前記第1レンズを構成する材料の屈折率より低く、
前記光電変換装置は、
前記光電変換部とは別の光電変換部と、
前記半導体基板の上に、前記第1部材の側面を囲むように配された絶縁体と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材と同じ材料で形成された膜を有し、
前記膜は前記第1部材、および前記絶縁体と接して配され、
前記膜は前記光電変換部と前記別の光電変換部との間の領域に延在して配されたことを特徴とする光電変換装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に配された光電変換部と、
前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配され、前記光電変換部への光導波路を構成する第1部材と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、を有する光電変換装置において、
前記第1部材と前記レンズとの間に配された第1中間部材を有し、
前記第1部材と前記第1中間部材の間に第2中間部材を有し、
前記レンズと前記第1中間部材の間に第3中間部材を有し、
前記レンズを構成する材料の屈折率nf1、前記第3中間部材の屈折率nf2、前記第1中間部材の屈折率nf3、前記第2中間部材の屈折率nf4、及び前記第1部材の屈折率nf5が、nf1>nf5>nf2>nf4>nf3の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。
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US8976833B2 (en) * | 2013-03-12 | 2015-03-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Light coupling device and methods of forming same |
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JP2016058538A (ja) * | 2014-09-09 | 2016-04-21 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置およびカメラ |
JP2017069553A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置、その製造方法及びカメラ |
JP2020047644A (ja) * | 2018-09-14 | 2020-03-26 | キオクシア株式会社 | 半導体装置 |
US11271024B2 (en) * | 2019-12-09 | 2022-03-08 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Semiconductor device and method for forming the same |
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JPH0595098A (ja) * | 1991-10-02 | 1993-04-16 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP2002359363A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-13 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2005086186A (ja) * | 2003-09-11 | 2005-03-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置とその製造方法 |
US7119319B2 (en) * | 2004-04-08 | 2006-10-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image sensing element and its design support method, and image sensing device |
US7443005B2 (en) * | 2004-06-10 | 2008-10-28 | Tiawan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Lens structures suitable for use in image sensors and method for making the same |
JP2006344754A (ja) | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
US7968888B2 (en) * | 2005-06-08 | 2011-06-28 | Panasonic Corporation | Solid-state image sensor and manufacturing method thereof |
US7884434B2 (en) * | 2005-12-19 | 2011-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric conversion apparatus, producing method therefor, image pickup module and image pickup system |
JP2007201091A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-08-09 | Fujifilm Corp | 固体撮像素子の製造方法 |
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JP2007227643A (ja) * | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置 |
JP2008042024A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置 |
JP2008091800A (ja) | 2006-10-04 | 2008-04-17 | Canon Inc | 撮像素子及びその製造方法並びに撮像システム |
JP2008192951A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2009099700A (ja) * | 2007-10-16 | 2009-05-07 | Sony Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
JP2009252983A (ja) * | 2008-04-04 | 2009-10-29 | Canon Inc | 撮像センサー、及び撮像センサーの製造方法 |
JP2009283637A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Panasonic Corp | 固体撮像装置とその製造方法 |
JP2010205924A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Canon Inc | 固体撮像素子 |
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