JP2012182430A5 - - Google Patents
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Description
本発明の第1の側面に係る光電変換装置は、半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光する第1レンズと、前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された第2レンズと、前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、前記絶縁体は、第1部分、及び前記第1部分とは異なる領域に配された第2部分を有し、前記光電変換部と前記第1部材とが並ぶ第1方向と交差する第2方向に沿って、前記第1部分、前記第1部材、及び前記第2部分が並んで配され、前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第2部材を有し、前記第2部材の前記半導体基板の主面と平行な面への射影の面積は前記第1部材の前記面への射影の面積よりも大きく、前記第2部材を構成する材料の屈折率は前記第1レンズを構成する材料の屈折率より低いことを特徴とする。
本発明の別の側面に係る光電変換装置は、半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光する第1レンズと、前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された第2レンズと、前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、前記第1部材は前記半導体基板の主面に平行な面において、前記絶縁体に囲まれて配され、前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第2部材を有し、前記第2部材の前記面への射影の面積は、前記面における前記第1部材の配された領域の面積よりも大きく、前記第2部材を構成する材料の屈折率は前記第1レンズを構成する材料の屈折率より低いことを特徴とする。
本発明の別の側面に係る光電変換装置は、半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、を有する光電変換装置において、前記絶縁体は、第1部分、及び前記第1部分とは異なる領域に配された第2部分を有し、前記光電変換部と前記第1部材とが並ぶ第1方向と交差する第2方向に沿って、前記第1部分、前記第1部材、及び前記第2部分が並んで配され、前記光電変換装置はさらに、前記第1部材と前記レンズとの間に配された第1中間部材を有し、前記第1部材と前記第1中間部材の間に第2中間部材を有し、前記レンズと前記第1中間部材の間に第3中間部材を有し、前記レンズを構成する材料の屈折率nf1、前記第3中間部材の屈折率nf2、前記第1中間部材の屈折率nf3、前記第2中間部材の屈折率nf4、及び前記第1部材の屈折率nf5が、nf1>nf5>nf2>nf4>nf3の関係を満たすことを特徴とする。
本発明のさらに別の側面に係る光電変換装置は、半導体基板と、前記半導体基板に配された光電変換部と、前記半導体基板の上に配された絶縁体と、前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、を有する光電変換装置において、前記第1部材は前記半導体基板の主面に平行な面において、前記絶縁体に囲まれて配され、前記光電変換装置はさらに、前記第1部材と前記レンズとの間に配された第1中間部材を有し、前記第1部材と前記第1中間部材の間に第2中間部材を有し、前記レンズと前記第1中間部材の間に第3中間部材を有し、前記レンズを構成する材料の屈折率nf1、前記第3中間部材の屈折率nf2、前記第1中間部材の屈折率nf3、前記第2中間部材の屈折率nf4、及び前記第1部材の屈折率nf5が、nf1>nf5>nf2>nf4>nf3の関係を満たすことを特徴とする。
Claims (18)
- 半導体基板と、
前記半導体基板に配された光電変換部と、
前記半導体基板の上に配された絶縁体と、
前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光する第1レンズと、
前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された第2レンズと、
前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、
前記絶縁体は、第1部分、及び前記第1部分とは異なる領域に配された第2部分を有し、
前記光電変換部と前記第1部材とが並ぶ第1方向と交差する第2方向に沿って、前記第1部分、前記第1部材、及び前記第2部分が並んで配され、
前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第2部材を有し、
前記第2部材の前記半導体基板の主面と平行な面への射影の面積は前記第1部材の前記面への射影の面積よりも大きく、
前記第1部材の前記面への前記射影は、前記第2部材の前記面への前記射影に内包され、
前記第2部材を構成する材料の屈折率は前記第1レンズを構成する材料の屈折率より低いことを特徴とする光電変換装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に配された光電変換部と、
前記半導体基板の上に配された絶縁体と、
前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光する第1レンズと、
前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された第2レンズと、
前記第1レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、
前記第1部材は前記半導体基板の主面に平行な面において、前記絶縁体に囲まれて配され、
前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第2部材を有し、
前記第2部材の前記面への射影の面積は、前記面における前記第1部材の配された領域の面積よりも大きく、
前記面における前記第1部材の配された領域は、前記第2部材の前記面への前記射影に内包され、
前記第2部材を構成する材料の屈折率は前記第1レンズを構成する材料の屈折率より低いことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第2部材を構成する材料の屈折率は、前記第1部材を構成する材料の屈折率よりも低いことを特徴とする請求項1または請求項2のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記光電変換装置は、前記第1部材と前記第2部材との間に配された第3部材をさらに有し、
前記第3部材を構成する材料の屈折率は、前記第1部材を構成する材料の屈折率よりも低く、かつ前記第2部材を構成する材料の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項3に記載の光電変換装置。 - 前記第3部材の厚さd1、前記第3部材を構成する材料の屈折率X、及び前記波長選択部によって選択された光の波長pが、関係式(1)及び関係式(2)を満足することを特徴とする請求項4に記載の光電変換装置:
関係式(1) d1>p/8X、
関係式(2) d1<3p/8X。 - 前記光電変換装置は、前記第1部材と前記第1レンズとの間に配された第4部材をさらに有し、
前記第4部材を構成する材料の屈折率は、前記第1レンズを構成する材料の屈折率よりも低く、かつ前記第2部材を構成する材料の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記第4部材の厚さd2、前記第4部材を構成する材料の屈折率Y、及び前記波長選択部によって選択された光の波長pが、関係式(3)及び関係式(4)を満足することを特徴とする請求項6に記載の光電変換装置:
関係式(3)d2>p/8Y、
関係式(4)d2<3p/8Y。 - 前記光電変換装置は、導電部材を含む配線層をさらに有し、
前記半導体基板から前記第1部材の前記半導体基板とは反対側の面までの第1の距離が、前記半導体基板から前記導電部材の前記半導体基板とは反対側の面までの第2の距離よりも大きく、
前記半導体基板から前記第1部材の前記半導体基板の側の面までの第3の距離が、前記半導体基板から前記導電部材の前記半導体基板の側の面までの第4の距離よりも小さいことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記半導体基板は、複数の前記光電変換部が配された撮像領域と、前記光電変換部からの信号を処理する回路が配された回路領域とを含み、
前記第2部材は少なくとも前記撮像領域の全体に重なって配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記第1部材を構成する材料の屈折率は、前記絶縁体の屈折率よりも高いことを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記第1部材と前記絶縁体との間に、前記第1部材に入射した光を反射する反射部材が配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記第1部材と前記絶縁体との間に、エアギャップが配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記光電変換装置は、
前記光電変換部とは別の光電変換部と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材と同じ材料で形成された膜を有し、
前記膜は前記第1部材、及び前記絶縁体と接して配され、
前記膜は前記光電変換部と前記別の光電変換部との間の領域に延在して配されたことを特徴とする請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記第1レンズの前記半導体基板の側の面の面積は、前記第1部材の前記光電変換部とは反対側の面の面積よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板に配された光電変換部と、
前記半導体基板の上に配された絶縁体と、
前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、
前記レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、
前記絶縁体は、第1部分、及び前記第1部分とは異なる領域に配された第2部分を有し、
前記光電変換部と前記第1部材とが並ぶ第1方向と交差する第2方向に沿って、前記第1部分、前記第1部材、及び前記第2部分が並んで配され、
前記レンズと前記第1部材との間に前記レンズより屈折率の低い膜のみが配され、
前記膜の面積は前記第1部材の面積より大きいことを特徴とする光電変換装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に配された光電変換部と、
前記半導体基板の上に配された絶縁体と、
前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、
前記レンズに対して前記光電変換部とは反対側に配された波長選択部と、を有する光電変換装置において、
前記第1部材は前記半導体基板の主面に平行な面において、前記絶縁体に囲まれて配され、
前記レンズと前記第1部材との間に前記レンズより屈折率の低い膜のみが配され、
前記膜の前記面への射影の面積は、前記面における前記第1部材の配された領域の面積より大きいことを特徴とする光電変換装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に配された光電変換部と、
前記半導体基板の上に配された絶縁体と、
前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、を有する光電変換装置において、
前記絶縁体は、第1部分、及び前記第1部分とは異なる領域に配された第2部分を有し、
前記光電変換部と前記第1部材とが並ぶ第1方向と交差する第2方向に沿って、前記第1部分、前記第1部材、及び前記第2部分が並んで配され、
前記光電変換装置はさらに、
前記第1部材と前記レンズとの間に配された第1中間部材を有し、
前記第1部材と前記第1中間部材の間に第2中間部材を有し、
前記レンズと前記第1中間部材の間に第3中間部材を有し、
前記レンズを構成する材料の屈折率nf1、前記第3中間部材の屈折率nf2、前記第1中間部材の屈折率nf3、前記第2中間部材の屈折率nf4、及び前記第1部材の屈折率nf5が、nf1>nf5>nf2>nf4>nf3の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。 - 半導体基板と、
前記半導体基板に配された光電変換部と、
前記半導体基板の上に配された絶縁体と、
前記半導体基板の上であって、前記光電変換部に重なる位置に配された第1部材と、
前記第1部材に対して前記光電変換部とは反対側に配され、前記第1部材に光を集光するレンズと、を有する光電変換装置において、
前記第1部材は前記半導体基板の主面に平行な面において、前記絶縁体に囲まれて配され、
前記光電変換装置はさらに、
前記第1部材と前記レンズとの間に配された第1中間部材を有し、
前記第1部材と前記第1中間部材の間に第2中間部材を有し、
前記レンズと前記第1中間部材の間に第3中間部材を有し、
前記レンズを構成する材料の屈折率nf1、前記第3中間部材の屈折率nf2、前記第1中間部材の屈折率nf3、前記第2中間部材の屈折率nf4、及び前記第1部材の屈折率nf5が、nf1>nf5>nf2>nf4>nf3の関係を満たすことを特徴とする光電変換装置。
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