JP2007227643A - 固体撮像装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】受光素子への入射光の集光効率を十分に高めることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】入射光を集光するマイクロレンズ32と、入射光を光電変換して信号電荷を生成するフォトダイオード(PD)11との間に光導波路28が設けられている。光導波路28は、光入射面28aの径Dが前記マイクロレンズ32の径Dより大きく、その側壁には光反射層29が形成されている。これにより、マイクロレンズ32から射出されたほぼ全ての光が光入射面28aに入射するので、集光効率が高まる。さらに集光効率を高めるために、光導波路の形状は、光射出面側の面積が光入射面側の面積より小さくなるように、テーパ状としてもよい。また、受光感度を高めるために、マイクロレンズの光軸を含む中央部の屈折率がその周囲より相対的に低下するように、光導波路内に屈折率分布を与えてもよい。
【選択図】図2

Description

本発明は、マイクロレンズと受光素子との間に光導波路が設けられてなる固体撮像装置に関する。
CCD(charge coupled device)イメージセンサなどの固体撮像装置では、受光素子の上方に入射光を集光するマイクロレンズを形成することにより、受光感度の向上を図っている。また、さらに受光感度を向上させるために、マイクロレンズと受光素子との間に光導波路を設け、マイクロレンズによって集光された入射光を、光導波路を介して効率よく受光素子に導くように構成された固体撮像装置が知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開平10−135433号公報
しかしながら、上記従来の固体撮像装置では、マイクロレンズの径が光導波路の光入射面の径より大きいので、マイクロレンズの端部に入射した光は、光導波路の光入射面に導かれないことがある。このため、従来の固体撮像装置では、受光素子への入射光の集光効率は十分ではなく、さらなる改善が望まれている。
本発明は、受光素子への入射光の集光効率を十分に高めることができる固体撮像装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の固体撮像装置は、マイクロレンズと受光素子との間に光導波路が設けられてなる固体撮像装置において、前記光導波路は、光入射面の径が前記マイクロレンズの径より大きいことを特徴とする。
なお、前記光導波路は、光射出面側の面積が光入射面側の面積より小さくなるように、テーパ状に形成されていることが好ましい。
また、前記光導波路は、前記マイクロレンズの光軸を含む中央部の屈折率がその周囲より相対的に低下するように、屈折率分布を備えたものであることが好ましい。
さらに、前記光導波路の側壁には、光反射層が形成されていることが好ましい。
本発明の固体撮像装置では、光導波路は、光入射面の径がマイクロレンズの径より大きいので、マイクロレンズから射出されたほぼ全ての光が光導波路の光入射面に入射され、受光素子への入射光の集光効率を十分に高めることができる。
また、光導波路を、光射出面側の面積が光入射面側の面積より小さくなるように、テーパ状に形成されているので、光導波路の光射出面側での光の損失が防止され、受光素子への入射光の集光効率をさらに高めることができる。
また、光導波路内に、マイクロレンズの光軸を含む中央部の屈折率がその周囲より相対的に低下するように屈折率分布を与えることで、受光素子の受光面に対してより垂直に近い角度で光を入射させることができ、受光感度が向上させることができる。
また、光導波路の側壁に光反射層を形成することにより、側壁部からの光の損失を防止することができ、集光効率をさらに高めることができる。
図1において、CCDイメージセンサ10は、2次元状に多数配列されたフォトダイオード(PD)11と、各PD11に接続された読み出し転送ゲート(TG)12と、PD10の垂直列毎に設けられ、TG12が接続された垂直CCD(VCCD)13と、各VCCD13の最終段に共通に接続された水平CCD(HCCD)14と、HCCD14の最終段に接続された出力アンプ15とによって構成されている。CCDイメージセンサ10は、インターライン転送方式のCCDイメージセンサである。
PD11は、受光した光を光電変換して信号電荷を生成し、生成した信号電荷を蓄積する。TG12は、PD11に蓄積された信号電荷を露光期間終了後にVCCD13に転送する。VCCD13は、PD11からTG12を介して転送された信号電荷を受け取り、HCCD14に向けて一段ずつ垂直転送を行う。HCCD14は、各VCCD13の最終段から出力される信号電荷を一段ずつ受け取り、一段分の信号電荷を受け取るたびに出力アンプ15に向けて水平転送を行う。出力アンプ15は、HCCD14の最終段から出力される信号電荷を検出し、信号電荷の電荷量に応じた電圧信号(撮像信号)を出力する。
図2において、n型半導体基板20上には、p型ウェル層21が形成されている。p型ウェル層21内には、電子(信号電荷)を蓄積するn型層22が形成されており、n型層22の上には正孔を蓄積するp型層23が形成されている。前述のPD11は、n型半導体基板20上のpnpn接合により構成された、いわゆる埋め込み型フォトダイオードである。
p型ウェル層21の表層にはn型層24が形成されており、n型層24はn型層22と、p型ウェル層21またはp型層23によって分離されている。前述のTG12は、n型層22,24間のp型ウェル層21によって構成され、前述のVCCD13は、n型層24によって構成されている。
n型層24の上方には、絶縁層25を介して転送電極26が形成されている。転送電極26は、印加される電圧により、TG12におけるn型層22からn型層24への信号電荷の読み出し転送、および、VCCD13における信号電荷の垂直転送をそれぞれ制御する。さらに、転送電極26の上方には、絶縁層25を介して遮光層27が形成されている。絶縁層25は、転送電極26および遮光層27の周囲を覆っている。なお、絶縁層25は、二酸化シリコン(SiO)などの絶縁性材料からなり、転送電極26は、ポリシリコン(多結晶Si)やアルミニウム(Al)などの導電性材料からなり、遮光層27は、タングステン(W)やアルミニウム(Al)などの遮光性材料からなる。
PD11の上方には、絶縁層25を介し、PD11の受光面に対して垂直に光導波路28が形成されている。光導波路28は、二酸化シリコン(SiO)やチッ化シリコン(SiN)などの透明絶縁性材料からなり、その側壁は光反射層29によって覆われている。なお、光反射層29は、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)などの高反射率を有する金属からなり、光導波路28の側壁部からの光の損失を防止する。
光導波路28の上には、BPSG(boron phosphorous silicate glass)などの透明絶縁性材料からなる平坦化層30が積層されており、平坦化層30の上には、赤、緑、青などの特定の色の光を透過させるカラーフィルタ31が設けられている。さらに、カラーフィルタ31の上には、透明樹脂からなる凸型円弧形状のマイクロレンズ32が設けられている。なお、マイクロレンズ32は、その光軸LがPD11の受光面のほぼ中央に位置するように配置されている。
光導波路28は、柱状であり、上端の光入射面28aの径Dがマイクロレンズ32の径Dより大きく、光入射面28aの平面形状はマイクロレンズ32の平面形状より大きい。これにより、マイクロレンズ32に入射したほぼ全ての光は、光入射面28aに入射し、光導波路28の内部を伝搬した後、光射出面28bからPD11へ向けて射出される。マイクロレンズ32の端部に入射した光も光入射面28aに確実に入射され、光反射層29によって反射を繰り返した後、光射出面28bからPD11へ導かれるので、受光感度が向上する。
次に、本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、光導波路の形状を上記実施形態とは異ならせたものである。図3において、光導波路40は、上記実施形態とは異なり、光射出面側40aの面積が光入射面側40bの面積より小さくなるように、テーパ状に形成されている。つまり、光導波路40の側壁がPD11の受光面に対して垂直ではなく傾斜しており、この傾斜面に光反射層29が形成されている。なお、上記実施形態と同一の部分については同一の符号を付しており、これらの詳しい説明は省略する。
本実施形態の利点は、光射出面40bがPD11の受光面に合わせて狭小化されているため、光射出面40bから射出した光を損なうことなく、全てPD11へ集光することができることである。なお、光導波路40は、絶縁層25に、エッチングによってすり鉢状の穴を形成し、この穴の側壁に光反射層29を形成した後、CVD(chemical vapor deposition)法によって該穴に所定の透明絶縁性材料を堆積させることによって形成される。
次に、本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、上記実施形態とは異なり、マイクロレンズの光軸を含む中央部の屈折率がその周囲より相対的に低下するように、光導波路内に屈折率分布を与えたものである。図4において、光導波路50は、低屈折率層51と高屈折率層52とからなり、これらは、マイクロレンズ32の光軸Lを含む中央部から外側へ向けて、低屈折率層51、高屈折率層52、低屈折率層51の順に形成されている。図5に示すように、光導波路50内の各層は、光軸Lを中心とした、ほぼ同心円状となっている。なお、各層の材料として、低屈折率層51をSiO(屈折率1.3)、高屈折率層52をSi(屈折率1.9)とすることが好ましい。
本実施形態の利点は、光導波路50は、上記の屈折率分布により光伝達特性が変化し、マイクロレンズ32からの光をPD11の受光面に対してより垂直に近い角度で入射させることができることであり、PD11へより確実に光を入射させることが可能となる。この結果、受光感度が向上する。
光導波路50は、次のようにして製造することができる。まず、図6(A)において、半導体基板20中に、前述のPD11、TG12、VCCD13などを形成し、半導体基板20上に、転送電極26および遮光層27を形成するとともに、これらの周囲に絶縁層25を堆積させ、堆積した絶縁層25をマスクを用いてエッチングすることにより、PD11の上方に円柱状の穴53を形成する。なお、図の簡単化のため、半導体基板20内の構造は詳しく示していない。
次いで、図6(B)において、CVD法により、金属膜54を全体に堆積させ、図6(C)において、異方性エッチングを行い、金属膜54を穴53の側部のみに残存させることで、前述の光反射層29を形成する。次いで、図7(A)において、SiOの反応ガスでCVD成膜を行うことによって低屈折率膜55を全体に堆積させ、図7(B)において、異方性エッチングを行い、低屈折率膜55を金属膜54の隣接部のみに残存させることで、前述の外側の低屈折率層51を形成する。
次いで、図7(C)において、Siの反応ガスでCVD成膜を行うことによって高屈折率膜56を全体に堆積させ、図8(A)において、異方性エッチングを行い、高屈折率膜56を低屈折率層51の隣接部のみ残存させることで、前述の外側の高屈折率層52を形成する。そして、図8(B)において、SiOの反応ガスでCVD成膜を行うことによって低屈折率膜57を全体に堆積させ、図8(C)において、異方性エッチングを行い、高屈折率層52に隣接する中央部に低屈折率膜57を残存させ、前述の低屈折率層51を中央部に形成すると、光導波路50が完成する。
なお、光導波路50は、低屈折率層51と高屈折率層52との2種類の屈折率層で構成したものであるが、本発明はこれに限定されず、光導波路を3種以上の屈折率層で構成してもよい。図9において、光導波路60は、低屈折率層61と中屈折率層62と高屈折率層63とからなり、これらは、光軸Lを含む中央部から外側へ向けて、低屈折率層61、中屈折率層62、高屈折率層63、中屈折率層62、低屈折率層61の順に形成されている。なお、各層の材料として、低屈折率層61をSiO(屈折率1.3)、中屈折率層62をSiON(屈折率はOとNとの比により1.5〜1.7の間で変化する)、高屈折率層63をSi(屈折率1.9)とすることが好ましい。
また、内部に屈折率分布を有する本実施形態の光導波路を、上記第2実施形態と同様に、テーパ状としてもよいことは言うまでもなく、この形状により、さらに受光感度を向上させることができる。
上記第1〜第3実施形態では、光導波路の側壁に光反射層を設けているが、この光反射層は必ずしも設けなくてもよい。つまり、光導波路を、その側壁に光反射層を設けず、内部の屈折率を周囲より相対的に高めることによって、コアークラッド型として構成することも可能である。
また、上記第1〜第3実施形態では、マイクロレンズ下にカラーフィルタを設けているが、このカラーフィルタは必ずしも設けなくてもよい。例えば、3板式カラーカメラに用いられる固体撮像装置に本発明を適用する場合には、固体撮像装置中にカラーフィルタを設ける必要はない。
また、上記第1〜第3実施形態では、受光素子を半導体中のpnpn接合による埋め込み型フォトダイオードとして構成しているが、本発明はこれに限定されず、受光素子の構成は適宜変更可能である。例えば、受光素子を、pnフォトダイオード、pinフォトダイオード、MOS型フォトダイオードなどとすることが可能である。
CCDイメージセンサの構成を示す概略平面図である。 図1のA−A線に沿う断面図である。 本発明の第2実施形態を示す断面図である。 本発明の第3実施形態を示す断面図である。 第3実施形態の光導波路を示す平面図である。 第3実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図(その1)である。 第3実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図(その2)である。 第3実施形態の光導波路の製造方法を示す断面図(その3)である。 第3実施形態の光導波路の変形例を示す平面図である。
符号の説明
10 CCDイメージセンサ
11 フォトダイオード
25 絶縁層
28,40,50,60 光導波路
28a,40a 光入射面
28b,40b 光射出面
29 光反射層
32 マイクロレンズ
51,61 低屈折率層
52,63 高屈折率層
62 中屈折率層

Claims (4)

  1. マイクロレンズと受光素子との間に光導波路が設けられてなる固体撮像装置において、
    前記光導波路は、光入射面の径が前記マイクロレンズの径より大きいことを特徴とする固体撮像装置。
  2. 前記光導波路は、光射出面側の面積が光入射面側の面積より小さくなるように、テーパ状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
  3. 前記光導波路は、前記マイクロレンズの光軸を含む中央部の屈折率がその周囲より相対的に低下するように、屈折率分布を備えたものであることを特徴とする請求項1または2記載の固体撮像装置。
  4. 前記光導波路の側壁には、光反射層が形成されていることを特徴とする請求項1ないし3いずれか記載の固体撮像装置。
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