JP5184828B2 - 弾性波デバイス - Google Patents

Description

本発明は、入力側及び出力側電極との間で弾性波を繰り返し反射させる弾性波デバイスに関する。

弾性波デバイスであるＳＡＷ（surface acoustic wave）フィルタは例えば携帯端末の送受信部に用いられており、その一つとして共振器型一方向性電極を用いたものがある。この種のＳＡＷフィルタの構造を図１０に示すと、１１は圧電基板であり、その圧電基板１１には入力側の共振器型一方向性電極１２、出力側の共振型一方向性電極１３及びシールド電極１４が設けられている。各共振器型一方向性電極１２，１３はバスバー１５ａ、１５ｂと、ＳＡＷを反射させるための多数の励振用の交叉指状電極１６と、交叉指状電極１６よりも短い、励振に寄与しない多数のダミー電極１７と、を備えている。ダミー電極１７の役割については後で説明する。一般に一方向性電極は、電極の反射が弱いとトランスバーサル型フィルタの特性である広帯域特性を示すが、反射を強くすると、内部反射が強くなり、共振器型フィルタに近い狭帯域の特性を示す。

内部反射が強い共振器型一方向性では、ＳＡＷのエネルギーを閉じ込める反射面がＳＡＷの伝搬方向（バスバーの伸長方向）に存在しており、この反射面は入力側、出力側夫々の交差指状電極１６におけるＳＡＷの伝搬方向の中央付近に存在している。そして一方向性電極１２、１３は、その反射面間における多重反射を利用して、ＳＡＷを入力側から出力側への一方向だけに強く伝搬させることができるように構成され、そのようにＳＡＷを伝搬できるように交叉指状電極１６の幅や配置間隔が適切に調整されている。

しかしそのように内部反射が強い共振器型一方向性電極１２，１３を有するＳＡＷフィルタ１においては、ＳＡＷのエネルギーが前記反射面間に集中し、次のような問題が起こる。例えば図１１（ａ）に示すように図中点線で囲った電極指群形成領域１８を伝搬する表面波１０ａは本来矩形で進行するはずであるが、波が反射し、伝搬するに従ってその波形が崩れ、波が電極指群形成領域１８とバスバー１５ａ，１５ｂとの境界面に入射することがある。電極指群形成領域１８を一つの媒質として捉えると、バスバー１５ａ，１５ｂと電極指群形成領域１８とでは互いに媒質が異なっており、その媒質の違いによって、その境界面に入射した波の反射が起こり、電極指群形成領域１８が導波路となってＳＡＷの伝搬方向に対して垂直方向に分布する横モードの波が立ち、矩形波１０ａは図１１（ｂ）に示したように一次モード（通常モード）である正弦波１０ｂになり、さらに３次モードの波１０ｃや図示していない５次モード、７次モードなどの横モードの高次波が出現する。

そして正弦波１０ｂだけが電極指群形成領域１８を進行するとした場合、ＳＡＷフィルタ１は図１２（ａ）に実線で示すような帯域特性を示すが、上記の各高次波は、交叉指状電極１６に誘起する電荷の符号が互いに逆になる振動部位を有する。つまり高次波は電極指群形成領域１８を伝搬するときに、例えばある交叉指状電極１６には正電荷を、他の交叉指状電極１６には負電荷を誘起させて電極指群形成領域１８における電荷のエネルギーのバランスを崩す。そうなると電荷のエネルギーが、電極指群形成領域１８の中央部側からバスバー付近に漏れ出し、交叉指状電極１６の励振に影響して、例えば図１２（ａ）に一点鎖線及び二点鎖線で示すような、正弦波１０ｂの中心周波数よりも高域側にピークの出る振幅特性が現れることになる。そして正弦波１０ｂ及び高次波が電極指群形成領域１８において反射を繰り返すことで共振して共振モードになると、各波の特性が加算され、図１２（ｂ）に示すようなフィルタ特性となる。つまりＳＡＷフィルタ１は、点線で囲った位置に示されるように、通過帯域よりも高域側の減衰帯域にスプリアスが現れる特性を持ってしまうことになる。このように横モードの高次波が発生すること及び共振が起きることは非特許文献１のシミュレーションにより実証されている。

そこでＳＡＷフィルタ１においては、交叉指状電極１６の長さが調節されると共にダミー電極１７が設けられ、さらに各バスバー１５ａ，１５ｂからの電極指の交差幅（Ｗ）／電極指の開口長（Ｗ０）の比率が調整されており、高次波が伝搬するときにダミー電極１７にはその延長線上に存在する交叉指状電極１６に誘起される電荷と反対の電荷を誘起させて、電極指群形成領域１８における正負の電荷を相殺してゼロに近づけ、交叉指状電極１６の励振の低下を防ぐことで、スプリアスの抑圧が図られている。このような電極構造（Ｗ／Ｗ０構造）は特許文献１に記載されている。

しかしそのＷ／Ｗ０構造において、交差幅Ｗが広い場合は前記横モードのスプリアスが複数発生しやすくなってしまい、交差幅Ｗが狭くすることで前記スプリアスを抑圧できるが、そうするとインピーダンスが高くなったり、帯域幅が広がるなどして所望のフィルタ特性が得られなくなるという問題があり、従ってＷ／Ｗ０の比率をコントロールすることについては制約があることから、依然として高次波により生じる電荷のエネルギーを十分に抑圧できず、抑圧されきれなかったエネルギーが横モードの分布方向の中央部側からバスバー１５ａ，１５ｂ付近へと漏れ出し、スプリアスが発生していた。

また特許文献２には波の伝搬方向に平行なバスバー部に吸音材を塗布した構成のＳＡＷフィルタが示されている。しかしこのＳＡＷフィルタはアポダイズ電極を用いたトランスバーサル型フィルタであり、電極指群形成領域における内部反射が発生しない構造を有している。そして前記吸音材はＳＡＷの伝搬方向に平行なチップ端面からの反射波を防止する目的で用いられており、高次横モードのスプリアスを抑圧する目的で用いられておらず、特許文献２に記載される発明は上記のスプリアスが発生する問題を解決できるものではない。また特許文献３には入出力電極のバスバーに吸音材が塗布された、バルク波と擬似弾性表面波との結合を防いでスプリアスの発生を抑えたＳＡＷフィルタについて記載されているが、そのバスバーにおける吸音材の位置については言及されていない。

特開平９−２６０９９６ 特開平９−２０５３４１ 特開平６−２３２６８２ Marc Solal et al. Design Modeling and Visualization of Low Transverse Modes R-SPUDT Devices 2006 IEEE Ultrasonics Symposium

本発明は、上述のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は共振器型一方向性電極からなる入力側電極及び出力側電極を備えた弾性波デバイスにおいて、横モードによるスプリアスを低減し、良好な通過帯域特性が保たれる弾性波デバイスを提供することである。

本発明の弾性波デバイスは、圧電基板上に互いに対向する一対の入力側バスバーと、各入力側バスバーから各々交叉するように櫛歯状に伸び出した多数の励振用の電極指と、を備えた共振器型一方向性電極である入力側電極と、
前記圧電基板上に、前記各入力側バスバーの延長線上に設けられ、互いに対向した一対の出力側バスバーと、これらバスバー間において各々交叉するように櫛歯状に伸び出した多数の励振用の電極指と、を備えた共振器型一方向性電極である出力側電極と、を備え、
前記入力側電極及び出力側電極の励振用の電極指により、各バスバーの伸長方向に沿った前記入力側電極の中央部と前記出力側電極の中央部との間で弾性波を繰り返し反射させ、増幅させて前記入力側電極から前記出力側電極に伝搬させる弾性波デバイスにおいて、
弾性波の進行方向における前記入力側電極の中央部と弾性波の進行方向における前記出力側電極の中央部との間の領域における前記入力側バスバー、前記出力側バスバーの少なくともいずれか一方に吸音材が設けられていることを特徴とする。
なお本願でいう弾性波は表面を伝搬するものに限られるものではない。

入力側バスバーの入力側の端部と出力側バスバーの出力側の端部との中心から吸音材の塗布される位置との距離を、その中心から入力側バスバーの入力側の端部またはその中心から出力側バスバーの出力側の端部までの距離で除した値が例えば０．２以下である。例えば吸音材は、電極指にかからないように塗布され、また、入力側バスバー及び出力側バスバーにおける励振用の電極指の延長上には対向するバスバーから伸長した、入力側バスバー、出力側バスバー夫々により囲まれる電極指群形成領域の電荷を中和するためのダミー電極が設けられていてもよい。また入力側電極及び出力側電極の間に介在するシールド電極を備えていてもよい。

共振器型一方向性電極からなる入力側電極及び出力側電極を備えた弾性波デバイスにおいて、弾性波の進行方向における入力側電極の中央部と出力側電極の中央部との間の領域に弾性波のエネルギーが集中するため、スプリアスを生じる成分となる横モードの高次波も同様にこの領域に集中することになる。そこで各電極の弾性波の伝搬方向における中央部間において入力側電極のバスバー、出力側電極のバスバーの少なくとも一方に吸音材を設けることにより、横モードの高次波の電荷のエネルギーがバスバー付近に漏れ出しても、そのエネルギーは前記吸音材により吸収される。従ってその電荷のエネルギーによって電極指の励振が影響を受けることが抑えられるため、スプリアスが低減される。
この構成は、高次波の次数が大きくなるほど、電極指群形成領域からバスバー付近へ染み出すエネルギーの量が多いので吸音材の効果が大きくなる。また、通常モードの波のエネルギーは、バスバー間の中央部付近に集中しているため、当該通常モードに与える影響が少ない。従ってスプリアスだけを低減でき、通過帯域特性に与える影響が少ない。

本発明の弾性波デバイスの一例であるＳＡＷフィルタ２について図１を参照しながら説明する。このＳＡＷフィルタ２は、ＳＴカット水晶ウエハを用いた比帯域０．１８％のＧＳＭ基地局用に製造され、２４０ＭＨｚ帯の特性を有するように構成されている。図中２１は圧電基板であり、圧電基板２１の表面にはシールド電極２３を挟んで、入力側電極を構成する共振器型一方向性電極３Ａと、出力側電極を構成する共振器型一方向性電極３Ｂとが左右に形成されている。

入力側の共振器型一方向性電極３Ａは平面視上下に対向し、横方向（ＳＡＷの伝搬方向）に並行するように伸長した一対のバスバー３２ａ，３２ｂを備えている。バスバー３２ａ，３２ｂからはＳＡＷを伝搬するための多数の交叉指状電極３３ａ，３３ｂが対向するバスバー３２ｂ，３２ａに向けて櫛歯状に伸長している。

これら交叉指状電極３３ａ，３３ｂは、背景技術の欄で述べたようにＳＡＷの伝搬方向において共振器型一方向性電極３Ａの中央付近と一方向性電極３Ｂの中央付近との間でＳＡＷを多重反射させて入力側（図中左側）から出力側（図中右側）に強く伝搬させるように配列間隔及び幅の大きさ（バスバー３２に並行する長さ）が設定されている。具体的にこれら交叉指状電極３３ａ，３３ｂは交互に等間隔で配列されているわけではなく、一本あるいは複数本の交叉指状電極３３ａが交叉指状電極３３ｂに挟まれると共に一本あるいは複数本の交叉指状電極３３ｂが交叉指状電極３３ａに挟まれた構造になっている。また各交叉指状電極３３の幅の大きさ（バスバー３２と並行する方向の長さ）も全て同一ではない。なお図１では交叉指状電極３３ａ，３３ｂ及び後述のダミー電極３４ａ，３４ｂは模式的に示しており、実際にはその大きさ、数、配列間隔はこの図１とは異なっている。

励振電極３３ａの延長線上にはバスバー３２ｂから伸長したダミー電極３４ａが、交叉指状電極３３ｂの延長線上にはバスバー３２ａから伸長したダミー電極３４ｂが夫々設けられており、各ダミー電極３４ａ，３４ｂの幅の大きさは、その延長線上の交叉指状電極３３の幅の大きさと同じになるように形成されている。

各ダミー電極３４は振動に寄与せず、背景技術の欄で示したように横モードの高次波が図中点線で囲った電極指群形成領域（グレーティング領域）３５を伝搬するときに正または負に帯電することで、交叉指状電極に励起される電荷を中和し、電極指群形成領域３５における正負の電荷のバランスをとり、そのエネルギーをゼロに近づけ、バスバー３２ａ，３２ｂ付近に漏れ出す電荷のエネルギーを抑える役割を有している。

出力側の共振器型一方向性電極３Ｂは、入力側の共振器型一方向性電極３Ａと同様に構成されており、その各部には一方向性電極３Ａと同じ符号を付して示しており、その各交叉指状電極３３ａ，３３ｂの数、幅、及び配列間隔は、共振器型一方向性電極３Ａの中央付近と一方向性電極３Ｂの中央付近との間でＳＡＷを多重反射させて、入力側から出力側へとＳＡＷを強く伝搬させるように設定されている。なおＳＡＷの伝搬方向における共振器型一方向性電極３Ａの入出力側の端部Ａ１、Ａ２間の距離Ｌ１と共振器型一方向性電極３Ｂの入出力側の端部Ｂ１、Ｂ２間の距離Ｌ２とは、この例では等しく記載しているが、等しくなくてもよく、各電極指３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂの数も等しくなくてよい。

一方向性電極３Ａにおいて前記端部Ａ１，Ａ２間の中央部Ａ３（Ａ１、Ａ３間の長さ＝Ａ３、Ａ２間の長さ）付近に設けられた交叉指状電極３３ａ，３３ｂ及び一方向性電極３Ｂにおいて前記端部Ｂ１，Ｂ２間の中央部Ｂ３（Ｂ１、Ｂ３間の長さ＝Ｂ３、Ｂ２間の長さ）付近に設けられた交叉指状電極３３ａ，３３ｂは、背景技術において説明したようにＳＡＷを反射するための反射面を構成し、これら反射面により電極指群形成領域３５における各一方向性電極３Ａ，３Ｂの各中央部Ａ３、Ｂ３間にてＳＡＷが多重反射して、ＳＡＷがフィルタ２の入力側から出力側の一方向に強く伝搬するように構成されている。

各バスバー３２ａから伸びた交叉指状電極３３ａとバスバー３２ｂから伸びた交叉指状電極３３ｂとの交差幅（Ｗ）とバスバー３２ａ，３２ｂ間の開口長（Ｗ０）との比率Ｗ／Ｗ０は０．８５である。

シールド電極２３は、夫々バスバー３２ａ，３２ｂに並行するバスバー２４ａ，２４ｂと各バスバー２４ａ，２４ｂとの間を接続する電極指２５とを備えており、入力側の一方向性電極３Ａと出力側の一方向性電極３Ｂとの電磁的かつ静電的結合を抑制して、帯域外のフロアレベルを改善する役割を有している。

続いて吸音材４１について説明する。吸音材４１は例えばシリコンの接着剤により構成されており、一方向性電極３Ａのバスバー３２ａ，３２ｂ上の出力側の端部及び一方向性電極３Ｂのバスバー３２ａ，３２ｂの入力側の端部の計４箇所に、各バスバー３２ａ，３２ｂの幅（図中上下方向）に合わせて円形に、電極指３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂにかからないように塗布されている。

上記したように電極指群形成領域３５における各一方向性電極３Ａ，３Ｂの中央部Ａ３，Ｂ３間では図２に実線の矢印で示すようにＳＡＷの多重反射が起こる。つまりＳＡＷのエネルギーはこのＡ３，Ｂ３間における電極指群形成領域３５領域に集中することになり、従ってこの領域においてはスプリアスを生じる原因となる高次モードが発生しやすい。そこで吸音材４１を図のように塗布することにより、電極指群形成領域３５に発生した高次モードにより生じ、バスバー３２ａ，３２ｂ付近に漏れ出した電荷のエネルギーを抑える。

このように上記ＳＡＷフィルタ２においては、入力側共振器型一方向性電極３Ａのバスバー３２ａ，３２ｂの出力側の端部と、出力側共振器型一方向性電極３Ｂのバスバー３２ａ，３２ｂの入力側の端部とに、吸音材４１が夫々塗布されているので、ＳＡＷが一方向性電極３Ａ，３ＢのＳＡＷの伝搬方向における各中央部Ａ３，Ｂ３間を多重反射することにより、横モードの高次波が発生し、その高次波により電極指群形成領域３５に誘起された電荷のエネルギーがバスバー３２ａ，３２ｂ付近に漏れ出しても、吸音材４１がそのエネルギーを吸収するため、各交叉指状電極３３ａ，３３ｂの励振がそのエネルギーにより影響を受けることが抑えられる。従ってスプリアスが発生することによりＳＡＷフィルタ２の振幅特性（フィルタ特性）が劣化することが抑えられる。

ＳＡＷフィルタ２では、各バスバー３２ａ，３２ｂの端部に吸音材４１を塗布しているが、上記のようにＳＡＷのエネルギーはこのＡ３，Ｂ３間における電極指群形成領域３５領域に集中することになり、この領域においてはスプリアスを生じる原因となる高次モードが発生するため、吸音材４１は、各バスバー３２ａ，３２ｂの端部に塗布されることに限られず、ＳＡＷの伝搬方向において一方向性電極３Ａの中央部Ａ３と一方向性電極３Ｂの中央部Ｂ３との間におけるバスバー３２ａ，３２ｂ上に塗布されることで、スプリアスの発生を抑えることができる。

図に示すように円形に吸音材４１ａ，４１ｂを塗布する場合、円の中心がＡ３とＢ３との間の領域に入っていなくても、円の端部がその範囲に入っていれば本発明の効果が得られるので本発明の権利範囲に含まれる。またシールド電極２３は設けられていなくてもよい。

上記のように吸音材４１は、電極指群形成領域３５からバスバー３２ａ，３２ｂ付近に漏れ出すエネルギーを吸収するため、交叉指状電極３３ａ，３３ｂの伸長方向において各バスバー３３ａ，３３ｂの電極指群形成領域に近い位置にかかるように塗布することが好ましい。ただし吸音材４１が各交叉指状電極３３にかかると、挿入損失の劣化が起こるため、交叉指状電極３３にかからないように塗布することが好ましい。

図３は他の実施の形態にかかるＳＡＷフィルタ５を示している。図３においてＳＡＷフィルタ２と同様に構成されている各部については同じ符号を付して示し説明を省略する。この図に示すように吸音材４１は出力側の共振器型一方向性電極３Ｂのバスバー３２ａ，３２ｂのみに設けられており、その塗布位置はＳＡＷフィルタ２における吸音材４１の塗布位置よりも外側であるが、電極３ＢのＳＡＷの伝搬方向における入力側の端部Ｂ２と、中央部Ｂ３との間の領域に含まれている。吸音材４１は、このように入力側の一方向性電極３Ａ、出力側の一方向性電極３Ｂのいずれか一方だけに塗布されていてもよい。またバスバー３２ａ，３２ｂのいずれか一方のみに吸音材４１を設けてもよく、特にＳＡＷフィルタ５が図中上下方向に非対称な結晶からなる場合、スプリアス導波モードのプロファイルも非対称となることがあるため、このようにバスバー３２ａ，３２ｂのいずれか一方のみに吸音材４１を設けることで十分にスプリアスを抑えることができる場合があることが考えられる。

（評価試験１）
評価試験１として先ず、圧電基板２１上にＳＡＷフィルタ２を構成する各電極３Ａ，３Ｂ，２３を形成し、そのフィルタの特性を測定した。その測定後に吸音材４１を図１で示す各位置に塗布して、然る後再びフィルタの通過帯域を測定した。なお電極の交叉幅（Ｗ）と開口長（Ｗ０）との比率（Ｗ／Ｗ０）は０．８５である。

図４は吸音材４１の塗布前後での各測定結果を示しており、吸音材４１塗布前のグラフは点線で、吸音材４１塗布後のグラフは実線で夫々示している。これらのグラフから明らかなように塗布前、塗布後共に２４０ＭＨｚを通過帯域とし、その前後を減衰帯域とする。そして吸音材塗布前においては、２４０ＭＨｚよりも高域側の減衰帯域において鎖線で囲った部分に示すようにスプリアスが発生している。しかし、吸音材の塗布後はこのスプリアスが抑圧されている。この結果から、従来の電極構造では横モードによるスプリアスを抑圧しきれていないが、吸音材をバスバーの適所に設けることで、スプリアスが抑圧され、フィルタの帯域外特性（減衰特性）が改善されることが実証された。

（評価試験２）
評価試験２として圧電基板２１上にＳＡＷフィルタ５を構成する各電極３Ａ，３Ｂ，２３を形成し、そのフィルタの特性を測定した。そして測定後に吸音材４１を図３で示す各位置に塗布して、評価試験１と同様に各電極を形成した後、吸音材の塗布前後で各々通過帯域を測定した。ただし電極の交叉幅（Ｗ）と開口長（Ｗ０）との比率（Ｗ／Ｗ０）は０．７４とした。

図５は各測定結果を示しており、吸音材塗布前のグラフは点線で、吸音材塗布後のグラフは実線で夫々示している。評価試験１の結果と同様に吸音材塗布前においては、中心周波数である２４０ＭＨｚの高域側の減衰帯域において鎖線で囲って示すようにスプリアスが発生している。しかし吸音材の塗布後、そのスプリアスは抑圧されていることがグラフから分かる。従って評価試験１と同様に、吸音材をバスバーの適切な位置に塗布することでスプリアスが抑圧され、フィルタ特性が改善されることが分かる。なお、図５において鎖線で囲った領域に現れたスプリアスの特性（波形）は、図４において鎖線で囲った領域に現れたスプリアスの特性（波形）と異なっているが、これはＳＡＷフィルタ２とＳＡＷフィルタ５とでＷ／Ｗ０の比率が互いに異なるためである。

（評価試験３）
評価試験３として、先ず図６に示すようなＳＡＷフィルタ２０を構成した。ＳＡＷフィルタ２０は吸音材４１の塗布箇所が８箇所であることを除いて、最初に示した実施形態のＳＡＷフィルタ２と同様に構成されている。ＳＡＷフィルタ２０において吸音材４１が塗布されている箇所のうち４箇所はＳＡＷフィルタ２の吸音材の塗布箇所と同じであり、他の４つの塗布箇所はＳＡＷの伝搬方向における一方向性電極３Ａ，３Ｂの各バスバー３２ａ，３２ｂの中心Ａ３，Ｂ３間よりも外側である。このＳＡＷフィルタ２０及びＳＡＷフィルタ２の振幅特性（フィルタ特性）を調べ、その結果を互いに比較した。

図７においてはＳＡＷフィルタ２のフィルタ特性を実線で、ＳＡＷフィルタ２０のフィルタ特性を点線で夫々示している。この図に示されるように２つのフィルタ特性にはほとんど変化がなく、このことから吸音材をバスバーの適正な領域に塗布すればスプリアスを抑える効果が得られるが、さらに他の領域に吸音材を塗布しても効果が変わらないことが分かる。

（評価試験４）
複数の圧電基板２１にＳＡＷフィルタ５を構成する各電極を形成してフィルタのサンプルを作成し、評価試験２と同様に吸音材を塗布する前に各サンプルのフィルタ特性を測定した。その後各サンプルについて、出力側の共振器型一方向性電極３Ｂの各バスバー３２ａ，３２ｂ上にサンプルごとに位置を変えて吸音材４１を塗布し、塗布後にフィルタ特性を測定して、スプリアスの改善レベルを調べた。図８に示すように一方向性電極３Ａの入力側の端部Ａ１と一方向性電極３Ｂの出力側の端部Ｂ１との間の中心をＰ、その中心Ｐと電極３Ｂの出力側の端部Ｂ１との間の大きさをＬ３、吸音材４１の塗布される位置の中心をＱ、ＰＱ間の大きさをＬ４として、吸音材４１は、各サンプルのバスバー３２ａ及び３２ｂにＬ４／Ｌ３の値が各々０．１、０．２、０．４、０．６となる位置に夫々塗布した。

図９は上記の測定結果を表したグラフであり、横軸にＬ４／Ｌ３の値を、縦軸に改善レベルを夫々とっている。このグラフに示すようにＬ４／Ｌ３の値が小さく、つまり吸音材４１がＳＡＷの伝搬方向における電極指群形成領域３５の中央側に近いほど改善レベルが高く、そしてＬ４／Ｌ３の値が大きくなるにつれて改善レベルは低下し、０．６になると吸音材の効果がほとんどなくなってしまうことが分かる。Ｌ４／Ｌ３＝０．４であるとき吸音材４１は、一方向性電極３ＢのＳＡＷの伝搬方向の中央部Ｂ３と入力側の端部Ｂ２との間の領域にかかっており、Ｌ４／Ｌ４＝０．６であるとき吸音材４１ａ，４１ｂは前記領域から外れている。この評価試験から吸音材を塗布する位置によってスプリアスを改善レベルは変化し、中央部Ｂ３と入力側の端部Ｂ２との間の領域を外れるとほとんど改善されないことが分かる。

本発明の実施の形態に係るＳＡＷフィルタの全体構成図である。 ＳＡＷの伝搬する様子と吸音材塗布領域を示した説明図である。 本発明の他の実施の形態に係るＳＡＷフィルタの全体構成図である。 評価試験におけるＳＡＷフィルタの特性を示したグラフである。 評価試験におけるＳＡＷフィルタの特性を示したグラフである。 評価試験に用いたＳＡＷフィルタの全体構成図である 評価試験におけるＳＡＷフィルタの特性を示したグラフである。 評価試験に用いたＳＡＷフィルタの全体構成図である 吸音材を塗布する位置を変化させたときのスプリアスの改善レベルを示したグラフである。 従来のＳＡＷフィルタの全体構成図である。 前記ＳＡＷフィルタにおける高次モードの弾性表面波が伝搬する様子を示した説明図である。 前記ＳＡＷフィルタを用いたときにスプリアスが発生する様子を説明するグラフである。

符号の説明

２ ＳＡＷフィルタ
３Ａ 入力側共振器型一方向性電極
３Ｂ 出力側共振器型一方向性電極
３２ａ，３２ｂ バスバー
３３ａ，３３ｂ 交叉指状電極
３４ａ，３４ｂ ダミー電極
４１ 吸音材

Claims (5)

1. 圧電基板上に互いに対向する一対の入力側バスバーと、各入力側バスバーから各々交叉するように櫛歯状に伸び出した多数の励振用の電極指と、を備えた共振器型一方向性電極である入力側電極と、
   前記圧電基板上に、前記各入力側バスバーの延長線上に設けられ、互いに対向した一対の出力側バスバーと、これらバスバー間において各々交叉するように櫛歯状に伸び出した多数の励振用の電極指と、を備えた共振器型一方向性電極である出力側電極と、を備え、
   前記入力側電極及び出力側電極の励振用の電極指により、各バスバーの伸長方向に沿った前記入力側電極の中央部と前記出力側電極の中央部との間で弾性波を繰り返し反射させ、増幅させて前記入力側電極から前記出力側電極に伝搬させる弾性波デバイスにおいて、
   弾性波の進行方向における前記入力側電極の中央部と弾性波の進行方向における前記出力側電極の中央部との間の領域における前記入力側バスバー、前記出力側バスバーの少なくともいずれか一方に吸音材が設けられていることを特徴とする弾性波デバイス。
2. 前記入力側電極及び出力側電極の間に介在するシールド電極を備えることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイス。
3. 入力側バスバーの入力側の端部と出力側バスバーの出力側の端部との中心から吸音材の塗布される位置との距離を、その中心から入力側バスバーの入力側の端部またはその中心から出力側バスバーの出力側の端部までの距離で除した値が０．２以下であることを特徴とする請求項１または２記載の弾性波デバイス。
4. 吸音材は、電極指にかからないように塗布されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一に記載の弾性波デバイス。
5. 入力側バスバー及び出力側バスバーにおける励振用の電極指の延長上には対向するバスバーから伸長した、入力側バスバー、出力側バスバー夫々により囲まれる電極指群形成領域の電荷を中和するためのダミー電極が設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一記載の弾性波デバイス。

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