JP5184476B2 - 基板液処理方法、基板液処理装置および記憶媒体 - Google Patents
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
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Description
2 チャンバー
3 側部開口
3a シャッター
4 上部開口
5 下部開口
10 保持部
12 回転軸
14 ベアリング
20 回転駆動部
22 モータ
24 プーリ
26 駆動ベルト
30 フッ硝酸供給ノズル
31 フッ硝酸供給管
31a バルブ
32 フッ硝酸供給源
33 フッ酸供給ノズル
34 フッ酸供給管
34a バルブ
35 フッ酸供給源
36 リンス液供給ノズル
37 リンス液供給管
37a バルブ
38 リンス液供給源
39 ノズル駆動機構
40 フッ酸が供給される領域
41 フッ硝酸が供給される領域
42 リンス液が供給される領域
50 制御部
52 フッ硝酸供給部
54 フッ酸供給部
56 リンス液供給部
60 記憶媒体
Claims (10)
- ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、
ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する工程と、
を備え、
基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度で基板を回転させることを特徴とする基板液処理方法。 - ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、
ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する工程と、
を備え、
基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給することを特徴とする基板液処理方法。 - 基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給することを特徴とする請求項1記載の基板液処理方法。
- 基板を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記保持部により保持された基板の周縁部にフッ酸を供給するフッ酸供給部と、
前記保持部により保持された基板の周縁部にフッ硝酸を供給するフッ硝酸供給部と、
前記回転駆動部、前記フッ酸供給部および前記フッ硝酸供給部を制御する制御部であって、ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部に前記フッ酸供給部によりフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させ、ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部に前記フッ硝酸供給部によりフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去するよう制御を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度で基板を回転させるよう、前記回転駆動部の制御を行うことを特徴とする基板液処理装置。 - 基板を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる回転駆動部と、
前記保持部により保持された基板の周縁部にフッ酸を供給するフッ酸供給部と、
前記保持部により保持された基板の周縁部にフッ硝酸を供給するフッ硝酸供給部と、
前記回転駆動部、前記フッ酸供給部および前記フッ硝酸供給部を制御する制御部であって、ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部に前記フッ酸供給部によりフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させ、ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部に前記フッ硝酸供給部によりフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去するよう制御を行う制御部と、
を備え、
前記フッ硝酸供給部は、前記フッ酸供給部により基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給するようになっていることを特徴とする基板液処理装置。 - 前記フッ硝酸供給部は、前記フッ酸供給部により基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給するようになっていることを特徴とする請求項4記載の基板液処理装置。
- 前記フッ硝酸供給部は、前記フッ酸供給部よりも、前記保持部により保持された基板の径方向外方に配置されていることを特徴とする請求項5または6記載の基板液処理装置。
- 基板液処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板液処理装置を制御して基板液処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板液処理方法が、
ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、
ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する工程と、
を備え、
基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときよりも遅い回転速度で基板を回転させることを特徴とする記憶媒体。 - 基板液処理装置の制御コンピュータにより実行することが可能なプログラムが記憶された記憶媒体であって、当該プログラムを実行することにより、前記制御コンピュータが前記基板液処理装置を制御して基板液処理方法を実行させるものにおいて、
前記基板液処理方法が、
ポリシリコン膜が形成された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ酸を供給することにより基板の周縁部に形成された自然酸化膜をエッチング除去してポリシリコン膜を露出させる工程と、
ポリシリコン膜が露出された基板を回転させながら当該基板の周縁部にフッ硝酸を供給することによりポリシリコン膜をエッチング除去する工程と、
を備え、
基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給することを特徴とする記憶媒体。 - 前記基板液処理方法が、基板の周縁部にフッ硝酸を供給する際に、基板の周縁部にフッ酸を供給するときにフッ酸が基板に供給される箇所よりも基板の径方向外方の箇所にフッ硝酸を供給することを特徴とする請求項8記載の記憶媒体。
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