JP2001319850A

JP2001319850A - 液処理方法、液処理装置、薄膜形成システム

Info

Publication number: JP2001319850A
Application number: JP2000135229A
Authority: JP
Inventors: Yoshinori Kato; 善規加藤; Hiroshi Sato; 浩佐藤; Yoshinori Marumo; 吉典丸茂
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-05-08
Filing date: 2000-05-08
Publication date: 2001-11-16

Abstract

(57)【要約】【課題】被処理体の周縁の洗浄を微細に制御可能な液
処理方法、液処理装置、薄膜形成システムを提供する。【解決手段】ウェハＷを保持する保持部材５２の少な
くとも一つを、ウェハＷに付与される荷重が異なるよう
に形成する。そして、保持手段５２を回転させてウェハ
Ｗを回転させると、ウェハＷに付与される荷重の違いに
より、ウェハＷの回転中心軸７２と、ウェハＷの中心７
１とが異なり、ウェハＷは所定の方向に若干移動した状
態で安定して回転する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液処理方法、液処
理装置、薄膜形成システムに関し、詳しくは、被処理体
表面に形成された薄膜の周縁を洗浄（除去）する液処理
方法、液処理装置、薄膜形成システムに関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体等の電子デバイスの製造工程に
は、被処理体、例えばウェハ等の基板に対し薄膜を形成
するプロセスが含まれている。例えば、金属配線を有す
る半導体ウェハの製造工程には、半導体ウェハに、ＰＶ
Ｄ等によりシード層を形成した後、メッキ処理により金
属薄膜を形成するプロセスが含まれている。

【０００３】このような、基板に薄膜を形成するプロセ
スでは、基板表面には均一な膜が形成されるが、その周
縁では不均一な膜が形成されることが多い。従って、良
好なデバイス特性を得るには、基板の周縁の膜を除去す
る必要がある。

【０００４】また、半導体デバイスの製造工程では、基
板の周縁の薄膜が除去されずに存在すると、搬送時にキ
ャリアとの接触により薄膜が剥がれて飛散してしまい、
パーティクルを発生し、キャリア及びデバイスを汚染す
ることがある。

【０００５】特に、半導体ウェハのＣｕ配線において
は、ＣｕはＳｉ及びＳｉＯ_２に比べて高い拡散係数を持
ち、Ｓｉ基板中に拡散するとリーク電流増加などのデバ
イス特性を大きく劣化させてしまう。また、メッキ処理
直後のウェハには、その周縁にＣｕシード膜、Ｃｕメッ
キ膜が存在し、これらがキャリア等と接触することでＣ
ｕ汚染やパーティクルの発生原因となったり、Ｓｉ基板
内へのＣｕの拡散源となる。

【０００６】このような、周縁から剥離した薄膜による
デバイスの汚染は、デバイスの高密度化が進む中では、
デバイスの歩留まりの低下につながる。そのため、基板
の周縁を洗浄して、基板の周縁の不用な薄膜を除去する
必要がある。

【０００７】基板の周縁の不用な薄膜を除去する方法と
しては、例えば、洗浄液を基板の周縁に噴射して除去す
る方法が用いられている。この方法は、基板を回転させ
た状態で、基板表面の上側からノズル等で周縁に洗浄液
を供給して洗浄処理を行うものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法では、全ての基板の洗浄処理において、基板の
回転中心軸が同一となるように回転させることは困難で
あり、洗浄処理毎に基板の回転中心軸が微妙に異なって
しまい、各基板によって洗浄（除去）する位置及び大き
さが異なったものになってしまうという問題があった。
特に、近年、デバイス作成領域を広くするために、洗浄
する周縁を少なくすることが求められており、洗浄処理
を微細に制御する必要が生じている。

【０００９】本発明は、被処理体の周縁の洗浄を微細に
制御可能な液処理方法、液処理装置、薄膜形成システム
を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の第１の観点に係る液処理方法は、複数の保
持部材を被処理体の側方から荷重を加えて該被処理体を
保持し、前記保持部材及び該保持部材に保持された前記
被処理体を回転させ、前記被処理体の周縁部に洗浄液を
供給して、前記被処理体の周縁を洗浄する液処理方法で
あって、前記保持部材の少なくとも一つを、前記被処理
体に付与される荷重が異なるように保持する、ことを特
徴とする。

【００１１】この構成によれば、被処理体に付与される
荷重の違いにより、被処理体は所定の方向に若干移動し
た状態で安定して回転する。このため、被処理体によっ
て洗浄する位置及び大きさが同一になり、液処理装置を
微細に制御することができる。

【００１２】前記保持部材は、前記被処理体を回転させ
た状態で、該被処理体の回転中心軸が一定となるように
保持することが好ましい。この場合、被処理体によって
洗浄する位置及び大きさが同一になり、液処理装置を微
細に制御することができる。

【００１３】前記保持部材は、前記被処理体の回転中心
軸と、被処理体の中心とを異ならせるように保持する、
ことが好ましい。この場合、被処理体は所定の方向に若
干移動した状態で安定して回転する。

【００１４】前記洗浄液を、前記被処理体を回転させた
状態で、該被処理体の回転中心軸から最も離れた前記被
処理体の周縁に供給する、ことが好ましい。この場合、
洗浄処理を行うウェハＷの周縁の幅が狭くなっても、洗
浄処理を微細に制御することができる。

【００１５】本発明の第２の観点に係る液処理装置は、
被処理体を保持する保持部材を複数備え、該保持部材に
より前記被処理体の側方から荷重を加えて該被処理体を
保持する保持手段と、前記保持手段及び該保持手段に保
持された前記被処理体を回転させる回転手段と、前記回
転手段により回転中の被処理体の周縁に洗浄液を供給す
る洗浄手段とを備え、前記保持部材の少なくとも一つ
は、前記被処理体に付与される荷重が他の保持部材から
前記被処理体に付与される荷重と異ならせる、ことを特
徴とする。

【００１６】この構成によれば、被処理体に付与される
荷重の違いにより、被処理体は所定の方向に若干移動し
た状態で安定して回転する。このため、被処理体によっ
て洗浄する位置及び大きさが同一になり、洗浄処理を微
細に制御することができる。

【００１７】前記保持手段は複数の遠心力チャックから
構成されている。そして、該遠心力チャックは重さの異
なるおもりを備えると、被処理体に付与される荷重を簡
単に変化させることができる。

【００１８】前記遠心力チャックは、一の遠心力チャッ
クのおもりが、他の遠心力チャックのおもりより軽い、
ことが好ましい。この場合、被処理体は、おもりが軽い
遠心力チャック側に移動し、被処理体を安定して回転さ
せることができる。

【００１９】前記洗浄手段を、前記被処理体を回転させ
た状態で、該被処理体の回転中心軸から最も離れた位置
に洗浄液を供給するように配置する、ことが好ましい。
この場合、洗浄処理を行う被処理体の周縁の幅が狭くな
っても、洗浄処理を微細に制御することができる。

【００２０】本発明の第３の観点に係る薄膜形成システ
ムは、被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置と、本発
明の第２の観点にかかる液処理装置と、を備えることを
特徴とする。

【００２１】この構成では、薄膜形成装置により被処理
体に薄膜が形成され、被処理体の周縁に形成された薄膜
が液処理装置により微細に制御可能に除去される。

【００２２】前記薄膜形成システムはマルチチャンバシ
ステムから構成されている。そして、前記マルチチャン
バシステムの各チャンバ内に、前記薄膜形成装置と前記
液処理装置とを配置すると、薄膜形成システムを自動的
かつ連続的に形成することができる。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態にかか
る液処理方法、液処理装置、薄膜形成システムを基板洗
浄装置を有するメッキ処理システムの場合を例に説明す
る。図１〜図３は本実施の形態のメッキ処理システム１
１を示す模式図であり、図１は斜視図、図２は平面図、
図３は側面図である。

【００２４】図１〜図３に示すように、メッキ処理シス
テム１１は、カセットステーション２１と、処理ステー
ション２２と、メッキ処理されるウェハを収納したウェ
ハカセット２３等を載置する戴置台２４とを備えてい
る。

【００２５】カセットステーション２１は、第１搬送機
構２５が配置されている。第１搬送機構２５は、戴置台
２４上に複数戴置されたウェハカセット２３にアクセス
可能なように、左右方向（図２の上下方向）に移動可能
に構成されており、かつ、上下方向（図２の紙面垂直方
向）に昇降可能に構成されている。また、第１搬送機構
２５は、ウェハカセット２３内のウェハを処理ステーシ
ョン２２内に配送できるように、水平方向に進退可能
に、かつ回転可能に構成されている。

【００２６】第１搬送機構２５は、戴置台２４に載置さ
れたウェハカセット２３ａからウェハをメッキ処理シス
テム１１（処理ステーション２２）に搬入する。なお、
この搬入したウェハには、例えばスパッタリングにより
シード層が形成されている。また、第１搬送機構２５
は、後述するように、洗浄処理後のウェハをメッキ処理
システム１１（処理ステーション２２）からウェハカセ
ット２３ｂに搬出する。

【００２７】なお、戴置台２４上の空間とカセットステ
ーション２１とは図示しないゲートによって接続されて
いる。また、カセットステーション２１と処理ステーシ
ョン２２とは図示しないゲートによって接続されてい
る。また、カセットステーション２１及び処理ステーシ
ョン２２には、清浄された空気がダウンフローされてお
り、カセットステーション２１及び処理ステーション２
２の内部の雰囲気は清浄な状態に保たれている。

【００２８】処理ステーション２２には、ウェハにメッ
キ処理を行うメッキ処理装置から構成されたメッキ処理
ユニット２６と、メッキ処理後の洗浄と乾燥を行う基板
洗浄装置から構成された洗浄乾燥ユニット２７と、これ
らのユニットの予備として設けられたエクストラユニッ
ト２８と、処理ステーション２２内でのウェハの搬送を
行う第２搬送機構２９と、第１搬送機構２５により搬入
されたウェハを一時的に載置する戴置部３０とを備えて
いる。

【００２９】処理ステーション２２には、図２に示すよ
うに、その中心に第２搬送機構２９が設けられ、第２搬
送機構２９の周りには各ユニットが放射状に複数配置さ
れている。また、図３に示すように、処理ステーション
２２は上下２段に構成されている。本実施の形態では、
処理ステーション２２は、その下段に４つのメッキ処理
ユニット２６と、上段に２つの洗浄乾燥ユニット２７
と、２つのエクストラユニット２８とが配置された８つ
のユニットで構成されている。

【００３０】メッキ処理ユニット２６では、第２搬送機
構２９により、シード層が形成されたウェハが搬送さ
れ、搬送されたウェハにメッキ処理、例えば、ウェハ上
にＣｕ薄膜を形成する。

【００３１】洗浄乾燥ユニット２７では、後述するよう
に、メッキ処理されたウェハの表面、裏面および周縁を
薬液、純水等の洗浄液で洗浄し、洗浄後、例えばＮ_２パ
ージ下でウェハを高速回転させて、ウェハの乾燥が行わ
れる。

【００３２】エクストラユニット２８は、メッキ処理ユ
ニット２６及び洗浄乾燥ユニット２７の予備として設け
られたユニットであり、例えば、これらのユニットの故
障時に備え、基板洗浄装置等が収容されている。また、
それらのユニットの代わりにメッキ処理後のアニール処
理を行うアニールユニットを設けてもよい。

【００３３】第２搬送機構２９は、２段に構成された処
理ステーション２２内の各処理ユニットにアクセス可能
なように、水平方向に回転可能に構成されるとともに、
上下方向（図２の紙面垂直方向）に昇降可能に構成され
ている。

【００３４】第２搬送機構２９は、第１搬送機構２５に
よりカセットステーション２１から搬入されて、処理ス
テーション２２内の戴置部３０に戴置されたウェハを受
け取り、下段のメッキ処理ユニット２６のいずれかに搬
送する。メッキ処理が終了後、メッキ処理されたウェハ
をメッキ処理ユニット２６から洗浄乾燥ユニット２７に
搬送する。第１搬送機構２５が洗浄乾燥後のウェハを受
け取ってカセット２３ｂに収納する。このような動作に
より、第１搬送機構２５は、メッキ処理前ウェハまたは
洗浄乾燥後のウェハのみを取り扱うこととなり、メッキ
液等による汚染の拡散を抑制することができる。

【００３５】また、第２搬送機構２９は少なくとも２本
のアームを備え、一本は戴置部３０からメッキ処理ユニ
ット２６へのウェハの搬送、一本はメッキ処理ユニット
２６から洗浄乾燥ユニット２７へのウェハの搬送を行
い、パーティクル、薬液等による汚染を最小限としてい
る。

【００３６】なお、第１搬送機構２５及び第２搬送機構
２９の移動、メッキ処理ユニット２６及び洗浄乾燥ユニ
ット２７の処理動作は、マイクロプロセッサ等から構成
された図示しない制御装置により制御されている。

【００３７】次に、基板洗浄装置から構成された洗浄乾
燥ユニット２７について説明する。図４は洗浄乾燥ユニ
ット２７を示す断面図である。

【００３８】図４に示すように、洗浄乾燥ユニット２７
は、第２搬送機構２９の出入口４１６及び第１搬送機構
２５の出入口４１７が形成された方形のハウジング４０
１内に収納されている。ハウジング４０１には、上面が
開口した略円筒形状のカップ４０２が設けられている。
このカップ４０２は、カップ駆動部４０３により上下に
駆動可能に構成されている。

【００３９】ハウジング４０１の中央には、回転駆動体
４０４が配置されている。回転駆動体４０４は、ハウジ
ング４０１外に突出するように配置された中空モータ４
０５を駆動することによって所定の回転数で回転する。

【００４０】回転駆動体４０４には第１シャフト４０７
が形成されている。第１シャフト４０７の外周面の上端
には、回転テーブル４０６が固定されている。また、第
１シャフト４０７の内部には、第２シャフト４０８が形
成されている。第２シャフト４０８の上には裏面洗浄ノ
ズル４０９が固定されている。この裏面洗浄ノズル４０
９は、ウェハＷが保持された場合に、ウェハＷと回転テ
ーブル４０６の間に存在する。

【００４１】図５に裏面洗浄ノズル４０９付近の模式図
を示す。図５（ａ）は裏面洗浄ノズル４０９の形状を示
す模式図であり、図５（ｂ）は裏面洗浄ノズル４０９内
の流路を説明するための断面図である。

【００４２】図５（ａ）に示すように、裏面洗浄ノズル
４０９は、４本の棒状体が十字状に回転テーブル４０６
の周縁まで伸びた構造に形成され、その中心が第２シャ
フト４０８に固定されている。図５（ｂ）に示すよう
に、棒状の裏面洗浄ノズル４０９の内部は中空であり、
第２シャフト４０８の内部を通る管４１０と連通してい
る。また、裏面洗浄ノズル４０９の棒状体には、その上
側を開口させた吹き出し口５１が形成され、管４１０を
通って裏面洗浄ノズル４０９の中空部分に供給された洗
浄液が、吹き出し口５１からウェハＷが保持される上方
に供給される。

【００４３】さらに、第１シャフト４０７と第２シャフ
ト４０８の間の空間にはガス流路４１１が形成されてお
り、不活性ガス、例えば窒素ガスが吹き出されるように
なっている。この不活性ガスは、回転テーブル４０６の
回転中、即ちウェハＷに対して洗浄処理を行っている間
は、回転テーブル４０６の上面中心から外方へと吹き出
され、回転テーブル４０６の周縁（ウェハＷの周縁）か
ら外方へと排気されるので、ウェハＷの裏面へのパーテ
ィクル等の侵入を防止することができる。したがって、
ウェハＷの裏面の汚染を防止することができる。また、
吹き出された不活性ガスは、回転テーブル４０６の上面
に沿って回転テーブル４０６の周縁へと流れるので、回
転テーブル４０６は、ガス拡散板としての機能も併せ持
っている。カップ４０２と回転駆動体４０４の間の空間
には、排気口４１２が設けられ、排気及び洗浄液等の廃
液を含んだ排気が流れる。

【００４４】回転テーブル４０６の外周面には、ウェハ
Ｗが保持する保持部材５２が取り付けられている。保持
部材５２は、その両側に配置された支持部材５３により
回転テーブル４０６に取り付けられている。本実施の形
態では３つの保持部材５２が取り付けられ、保持部材５
２はそれぞれ１２０度の角度を有するように等間隔に取
り付けられている。

【００４５】図６に保持部材５２の模式図を示す。図６
（ａ）は回転テーブル４０６に取り付けられた状態での
側面図であり、図６（ｂ）は保持部材５２の正面図であ
る。図６に示すように、保持部材５２は、保持部５４と
荷重付与部５５とから構成されている。保持部５４は保
持部材５２の上側に形成され、荷重付与部５５は保持部
材５２の下側に形成され、両者は一体に形成されてい
る。

【００４６】保持部５４には勾配を変化させた切り込み
（段差）が形成されており、この段差部分でウェハＷを
保持する。保持部５４は、正面から見た場合、凸状に形
成され、保持部５４に形成された段差で、ウェハＷを点
接触により保持している。また、保持部５４は支持部材
５３の上部に形成された回動支点５６により支持部材５
３と結合されている。保持部材５２はこの回動支点５６
を中心として回動可能である。この保持部材５２と、支
持部材５３と、回動支点５６とにより、保持手段が構成
されている。

【００４７】荷重付与部５５の重量は保持部５４よりも
重く形成されている。これは、回転駆動体４０４によ
り、ウェハＷが高速で回転するので、ウェハＷを安定し
て保持するため、ウェハＷを保持部５４の段差だけでな
く、荷重付与部５５による荷重の付与によってウェハＷ
の周縁を保持する構造となっている。すなわち、ウェハ
Ｗは回転していない状態で保持部材５２に戴置され、そ
の保持部５４に保持される。そして、回転テーブル４０
６を回転させると、荷重付与部５５に作用する遠心力に
よって、荷重付与部５５はさらに外方へと移動しようと
し、その結果、保持部材５２の保持部５４は回転テーブ
ル４０６の中心側へと押され、ウェハＷに荷重が付与さ
れることになる。このように、荷重付与部５５は保持部
材５２の重錘として働く。

【００４８】さらに、荷重付与部５５は、少なくとも一
つがウェハＷに付与する荷重が異なるように形成されて
いる。例えば、図５（ａ）の保持部材５２ａの荷重付与
部５５の重量が１０ｇ、他の保持部材５２の荷重付与部
５５の重量が１５ｇとなるように形成されている。図７
にウェハＷの配置を説明するための模式図を示す。図７
に示すように、ウェハＷが回転すると、保持部材５２
（荷重付与部５５）に作用する遠心力の大きさの違いに
より、ウェハＷは保持部材５２ａ側に若干移動した状態
（ウェハＷの中心７１とウェハＷの回転中心軸７２が若
干ずれた状態）で回転する。ただし、保持部材５２ａ側
に荷重が付与された状態で回転するので、各洗浄処理毎
にウェハＷの回転中心軸７２が異なることがなく、ウェ
ハＷは保持部材５２ａ側に移動した状態で安定して回転
することができる。

【００４９】回転テーブル４０６の上方には、主洗浄ノ
ズル４１４とエッジ洗浄ノズル４１５が備えられてい
る。主洗浄ノズル４１４は、回転テーブル４０６にウェ
ハＷが戴置された状態で、その吹き出し口がウェハＷの
中心７１に吹き出すように備えられている。また、主洗
浄ノズル４１４は、第２搬送機構２９によるウェハＷの
搬送を妨げないように移動可能な構成となっている。

【００５０】また、エッジ洗浄ノズル４１５は、ウェハ
Ｗを回転させた状態で、ウェハＷの回転中心軸７２から
最も離れた位置に洗浄液を供給するように配置されてい
る。本実施の形態では、ウェハＷに付与する荷重が異な
る保持部材５２ａに洗浄液を供給するように配置されて
いる。また、エッジ洗浄ノズル４１５は、ウェハＷの周
縁７３に対して、垂直方向に３０℃、水平方向に４５℃
の角度で配置されている。このような角度にすることに
より、エッジ洗浄ノズル４１５から噴出された洗浄液が
ウェハＷの表面に飛び散りにくくなる。なお、エッジ洗
浄ノズル４１５は、主洗浄ノズル４１４と同様に移動可
能に構成されており、所望の洗浄幅で洗浄を行うことが
できる。

【００５１】ここで、エッジ洗浄ノズル４１５から吐出
される洗浄液は、フッ酸、塩酸、硫酸等の無機酸または
有機酸と過酸化水素水（Ｈ_２Ｏ_２）の混合液、例えば、
希フッ酸（ＤＨＦ）とＨ_２Ｏ_２の混合液が用いられてい
る。

【００５２】次に、以上のように構成されたメッキ処理
システム１１を用い、ウェハＷにＣｕ薄膜を形成し、ウ
ェハＷの周縁を洗浄する方法について説明する。なお、
以下に説明する各動作は図示しない制御装置によって制
御されており、制御装置の制御に従って各動作が実行さ
れる。

【００５３】まず、戴置台２４に載置されたウェハカセ
ット２３ａからシード層が形成されたウェハＷを、第１
搬送機構２５により搬送し、戴置部３０に載置する。次
に、戴置部３０に載置されたウェハＷを、第２搬送機構
２９により搬送し、メッキ処理ユニット２６内に搬送す
る。メッキ処理ユニット２６に搬送されたウェハＷは、
その表面にメッキ処理が施され、ウェハＷの表面（シー
ド層上）にＣｕ薄膜が形成される。

【００５４】Ｃｕ薄膜が形成されたウェハＷは、第２搬
送機構２９によりハウジング４０１の出入口４１６から
洗浄乾燥ユニット２７内に搬送される。この際、カップ
４０２は最下降位置に配置され、ウェハＷは保持部材５
２上に載置される。この際、ウェハＷの自重によって、
保持部材５２の保持部５４がウェハＷの中心方向に移動
し、ウェハＷが保持部材５２に保持される。そして、第
２搬送機構２９は出入口４１６からハウジング４０１外
に退避する。

【００５５】第２搬送機構２９が退避した後、中空モー
タ４０５が起動され、回転駆動体４０４が回転する。そ
れに伴って回転テーブル４０６が回転し、保持部材５２
によって保持されているウェハＷも回転する。この際、
洗浄液等がユニット内に飛散しないように、カップ４０
２はカップ駆動部４０３により最も高い位置４０２’ま
で上昇される。

【００５６】ウェハＷが回転すると、荷重付与部５５に
作用する遠心力によって、荷重付与部５５は外方に移動
し、保持部５４がウェハＷの中心方向に移動する。この
ため、ウェハＷに荷重が付与され、ウェハＷが保持部５
４に保持される。

【００５７】さらに、保持部材５２ａの荷重付与部５５
の重量が他の荷重付与部５５の重量より軽いので、荷重
付与部５５に作用する遠心力の大きさの違いにより、ウ
ェハＷは保持部材５２ａ側に若干移動した状態で回転す
る。この状態では、ウェハＷの中心とウェハＷの回転中
心軸が若干ずれた状態で回転する。このように、ウェハ
Ｗは、常に保持部材５２ａ側に荷重が付与された状態で
回転するので、保持部材５２ａ側に移動した状態で安定
して回転することができる。このため、ウェハＷの洗浄
処理を行っても、洗浄する位置及び大きさを同一にする
ことができる。このため、洗浄処理を微細に制御するこ
とができる。

【００５８】図８にウェハＷの洗浄シーケンスを示す。
図８に示すように、ウェハＷを回転させ、回転テーブル
４０６の回転数が所定の回転数（例えば、２００〜３０
０回転／分（ｒｐｍ））に達すると、薬液洗浄が行われ
る。

【００５９】薬液洗浄では、ウェハＷの裏面及び周縁を
洗浄し、まず、主洗浄ノズル４１４から純水が供給され
る。続いて、ウェハＷの表面上に純水が十分に供給され
た状態に達した後、エッジ洗浄ノズル４１５から洗浄液
が供給される。薬液洗浄は、所定時間（例えば、約３０
秒）行われ、エッジ洗浄ノズル４１５からの洗浄液の供
給が止まった後に、主洗浄ノズル４１４からの純水の供
給が止まり終了する。ここで、エッジ洗浄ノズル４１５
は、ウェハＷに付与する荷重が異なる保持部材５２ａ側
に洗浄液を供給するように配置されているので、洗浄処
理を行うウェハＷの周縁の幅が狭くなっても、洗浄処理
を微細に制御することができる。

【００６０】また、保持部材５２により保持されている
ために、エッジ洗浄ノズル４１５により十分に洗浄され
ないウェハＷの保持部分を洗浄することもできる。具体
的には、ウェハＷの保持部分の洗浄は、回転テーブル４
０６の回転数を急激に変えて、ウェハＷの保持部材５２
に保持されている部分をずらすことによって行われる。
このような回転テーブル４０６の回転数の変化は、ウェ
ハＷの保持部分が、エッジ洗浄ノズル４１５で洗浄可能
な程度にずれる回転数の変化であればよく、回転数を減
少させても、増加させてもよい。

【００６１】薬液洗浄が終了した後、同じ回転数のま
ま、ウェハＷの両面を純水により洗浄する純水洗浄が行
われる。純水洗浄は、ウェハＷの上方の主洗浄ノズル４
１４及び、ウェハＷの下方の裏面洗浄ノズル４０９の吹
き出し口５１から純水が供給される。この純水洗浄は、
所定時間（例えば、約４０秒）行われる。

【００６２】純水洗浄が終了した後、ウェハＷのスピン
乾燥が行われる。このスピン乾燥では、回転テーブル４
０６の回転数は所定の回転数（例えば、２０００〜３０
００ｒｐｍ）まで増加され、同時に、ウェハＷの上方の
主洗浄ノズル４１４及び下方の裏面洗浄ノズル４０９の
吹き出し口５１からＮ_２が供給されて、所定時間（例え
ば、約１０秒）行われる。

【００６３】このような洗浄乾燥処理の後、ウェハＷは
第２搬送機構２９によって、ハウジング４０１の出入口
から洗浄乾燥ユニット２７の外に搬送される。この際、
第２搬送機構２９によるウェハＷの搬送を妨げないよう
に、カップ４０２はカップ駆動部４０３により下降位置
に配置される。

【００６４】洗浄乾燥ユニット２７の外に搬送されたウ
ェハＷは、第２搬送機構２９により搬送戴置部３０に載
置される。最後に、搬送戴置部３０に載置されたウェハ
Ｗは、第１搬送機構２５により戴置台２４に載置された
ウェハカセット２３ｂに収容される。

【００６５】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
るものではなく、例えば、荷重付与部５５は、少なくと
も一つがウェハＷに付与する荷重が異なるように形成さ
れていればよく、例えば、保持部材５２ａの荷重付与部
５５の重量が２０ｇ、他の荷重付与部５５の重量が１５
ｇとなるように、保持部材５２ａの荷重付与部５５の重
量が一つ重くなるように形成してもよい。

【００６６】荷重付与部５５の数は、３つに限定される
ものではなく、例えば４つ以上であってもよい。この場
合、荷重付与部５５の少なくとも一つが、他の荷重付与
部５５の重量と異なっていればよく、例えば全ての荷重
付与部５５の重量が異なっていてもよい。

【００６７】荷重付与部５５は、ウェハＷの側方から荷
重を付与できるものであればよく、遠心力チャックに限
定されるものではない。

【００６８】エッジ洗浄ノズル４１５は、ウェハＷを回
転させた状態で、ウェハＷの回転中心軸から最も離れた
位置に洗浄液を供給するように配置されていることが好
ましいが、ウェハＷの周縁に洗浄液を供給できるように
配置されていればよい。

【００６９】本実施の形態では、下段に４つのメッキ処
理ユニット２６、上段に２つの洗浄乾燥ユニット２７と
２つのエクストラユニット２８が配置された装置構成と
したが、他にエクストラユニット２８を活用した装置構
成も可能である。例えば、下段に４つのメッキ処理ユニ
ット２６、上段に１つのメッキ処理ユニット２６と３つ
の洗浄乾燥ユニット２７とした構成も可能である。

【００７０】本実施の形態では、ウェハＷ上にＣｕ薄膜
を形成するメッキ処理ユニット２６と、ウェハＷの周縁
のＣｕ薄膜を洗浄（除去）する洗浄乾燥ユニット２７に
ついて説明したが、本発明はこれに限定されるものでは
なく、被処理体上に薄膜を形成し、被処理体の周縁の形
成された薄膜を洗浄（除去）できるものであればよい。
また、被処理体はウェハに限定されるものではなく、Ｌ
ＣＤ用のガラス基板等にも適用できる。

【００７１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
被処理体の周縁の洗浄を微細に制御することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るメッキ処理装置の模
式斜視図である。

【図２】本発明の実施の形態に係るメッキ処理装置の模
式平面図である。

【図３】本発明の実施の形態に係るメッキ処理装置の模
式側面図である。

【図４】本発明の実施の形態に係る洗浄乾燥ユニットを
示す断面図である。

【図５】（ａ）は裏面洗浄ノズルの形状を示す模式図で
あり、（ｂ）は裏面洗浄ノズル内の流路を説明するため
の断面図である。

【図６】（ａ）は保持部材が回転テーブルに取り付けら
れた状態の側面図であり、（ｂ）は保持部材の正面図で
ある。

【図７】エッジ洗浄ノズルの配置を説明するための模式
図である。

【図８】ウェハの洗浄シーケンスである。

【符号の説明】

１１メッキ処理装置２１カセットステーション２２処理ステーション２３ａ、ｂウェハカセット２４戴置台２５第１搬送機構２６メッキ処理ユニット２７洗浄乾燥ユニット２８エクストラユニット２９第２搬送機構３０戴置部４０４回転駆動体４０５中空モータ４０６回転テーブル４１５エッジ洗浄ノズル５２保持部材５３支持部材５５荷重付与部５６回動支点７１ウェハＷの中心７２ウェハＷの回転中心軸７３周縁Ｗウェハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者丸茂吉典山梨県韮崎市穂坂町三ツ沢650 東京エレクトロン株式会社内Ｆターム(参考） 2H025 AB16 EA05 EA10 3B201 AA03 AB05 AB33 AB44 BB24 BB34 BB43 BB88 BB93 BB96 5F046 LA08 MA19

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の保持部材を被処理体の側方から荷重
を加えて該被処理体を保持し、前記保持部材及び該保持部材に保持された前記被処理体
を回転させ、前記被処理体の周縁部に洗浄液を供給して、前記被処理
体の周縁を洗浄する液処理方法であって、前記保持部材の少なくとも一つを、前記被処理体に付与
される荷重が異なるように保持する、ことを特徴とする
液処理方法。
【請求項２】前記保持部材は、前記被処理体を回転させ
た状態で、該被処理体の回転中心軸が一定となるように
保持する、ことを特徴とする請求項１に記載の液処理方
法。
【請求項３】前記保持部材は、前記被処理体の回転中心
軸と、被処理体の中心とを異ならせるように保持する、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の液処理方
法。
【請求項４】前記洗浄液を、前記被処理体を回転させた
状態で、該被処理体の回転中心軸から最も離れた前記被
処理体の周縁に供給する、ことを特徴とする請求項１乃
至３のいずれか１項に記載の液処理方法。
【請求項５】被処理体を保持する保持部材を複数備え、
該保持部材により前記被処理体の側方から荷重を加えて
該被処理体を保持する保持手段と、前記保持手段及び該保持手段に保持された前記被処理体
を回転させる回転手段と、前記回転手段により回転中の被処理体の周縁に洗浄液を
供給する洗浄手段とを備え、前記保持部材の少なくとも一つは、前記被処理体に付与
される荷重が他の保持部材から前記被処理体に付与され
る荷重と異ならせる、ことを特徴とする液処理装置。
【請求項６】前記保持手段は複数の遠心力チャックから
構成され、該遠心力チャックは重さの異なるおもりを備
える、ことを特徴とする請求項５に記載の液処理装置。
【請求項７】前記遠心力チャックは、一の遠心力チャッ
クのおもりが、他の遠心力チャックのおもりより軽い、
ことを特徴とする請求項５または６に記載の液処理装
置。
【請求項８】前記洗浄手段を、前記被処理体を回転させ
た状態で、該被処理体の回転中心軸から最も離れた位置
に洗浄液を供給するように配置する、ことを特徴とする
請求項５乃至７のいずれか１項に記載の液処理装置。
【請求項９】被処理体に薄膜を形成する薄膜形成装置
と、請求項５乃至８のいずれか１項に記載の液処理装置と、
を備えることを特徴とする薄膜形成システム。
【請求項１０】前記薄膜形成システムはマルチチャンバ
システムから構成され、前記マルチチャンバシステムの各チャンバ内に、前記薄
膜形成装置と前記液処理装置とが配置されている、こと
を特徴とする請求項９に記載の薄膜形成システム。