JP2005086615A - 弾性表面波フィルタを備えた高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】SAW素子を含む高周波モジュールの薄型・低背化が困難である点、封止樹脂の流入がSAW素子の性能劣化を招く虞がある点および生産性が十分でない点である。
【解決手段】 基板7上にベアチップ実装されかつ樹脂6により封止された弾性表面波フィルタ素子1a,1bを備える高周波モジュールであって、弾性表面波フィルタ素子を取り囲むように基板表面に、封止樹脂6の流入を阻止する堰堤手段22を形成する。堰堤手段は、レジスト材料で印刷法により形成し、高さを弾性表面波フィルタ素子の下面以上で該素子の上面未満(例えば40μm以上100μm未満)とする。堰堤手段の内側に弾性表面波フィルタ素子の下面側隅角縁部に当接する傾斜面を設けても良い。
【選択図】図3
【解決手段】 基板7上にベアチップ実装されかつ樹脂6により封止された弾性表面波フィルタ素子1a,1bを備える高周波モジュールであって、弾性表面波フィルタ素子を取り囲むように基板表面に、封止樹脂6の流入を阻止する堰堤手段22を形成する。堰堤手段は、レジスト材料で印刷法により形成し、高さを弾性表面波フィルタ素子の下面以上で該素子の上面未満(例えば40μm以上100μm未満)とする。堰堤手段の内側に弾性表面波フィルタ素子の下面側隅角縁部に当接する傾斜面を設けても良い。
【選択図】図3
Description
本発明は、弾性表面波フィルタを備えた高周波モジュールに係り、特に携帯電話機の高周波モジュール(フロントエンドモジュール/FEM)に搭載する弾性表面波フィルタの気密封止構造に関する。
携帯電話機などの移動体通信機器では、小型かつ高機能化に適するという観点から、弾性表面波フィルタ(以下、SAWフィルタという)を用いた高周波モジュールを送受信部に使用することが少なくない。かかるSAWフィルタは、素子表面に形成したフィルタ電極が振動することによって電波伝播を行う基本構造を有し、このため比重の小さいアルミニウム材料によって電極が形成されるのが通常である。
一方、電極を構成するアルミニウムは、湿度により腐食されやすい側面を有する。また、電極に塵埃が付着すれば、伝播特性が低下し、素子の性能が劣化する。このためSAWフィルタ素子は、外気を遮断した気密封止構造をとる必要がある。
かかる封止構造は従来、大別して2つの形式がある。
第一は、パッケージタイプで、図10から図12に示すように基板2の上に実装したSAWフィルタ素子1a,1bを覆うようにキャップあるいは蓋3を被せて気密パッケージ5を形成し、これを高周波モジュール基板7(FEM基板)に実装する。また、このタイプの封止構造を開示する文献として下記特許文献1から3がある。
第二は、樹脂封止タイプで、図13に示すように高周波モジュール基板7の上にSAWフィルタ素子1a,1bを直接実装し、これを樹脂モールド成形等によって樹脂6で封止する。このタイプの封止構造を開示するものとしては、下記特許文献4から7がある。
ところで、従来の封止構造は、それぞれ次のような問題があり、未だ改良の余地を残している。
まず、パッケージタイプでは、薄型・低背化が難しい点である。近年、携帯電話機の薄型化の要請は強く、また多機能化に伴う部品点数の増大から、電話機筐体内に収容するFEMにはより一層薄型化(厚さ1.5mm以下)が求められており、パッケージタイプでは最早このような要請に応えることが不可能になりつつある。
一方、樹脂封止タイプでは、封止工程において樹脂が素子側に流入し、電極に樹脂が付着して素子の性能を劣化させたりモジュールの製造歩留りを低下させるなど、SAW素子を使用するモジュールに特有の問題が生じる。
他方、前記特許文献7に記載の構造では、このような樹脂の流入に伴う問題を解決するため、素子電極面を取り囲むように絶縁層(所謂ダム)を形成している。
ところが、この文献記載の構造では、SAWチップ自体にダムを形成することから、製造の容易性あるいは生産性(量産性)の点でさらなる改良が望まれる。微細なSAW素子各々に対しそれらの周縁にダムを形成することは容易ではなく、かかるダム形成工程で素子電極面に樹脂が付着すればSAW素子の性能を劣化させ、ダムを持たない前記樹脂封止タイプと同様の問題が生じるからである。
したがって本発明が解決しようとする問題点は、SAW素子を含む高周波モジュールの薄型・低背化が困難である点、封止樹脂の流入がSAW素子の性能劣化を招くおそれがある点、並びに生産性が十分でない点である。
このような課題を解決するため、本発明(請求項1)に係る高周波モジュールは、基板上にベアチップ実装されかつ樹脂により封止された弾性表面波フィルタ素子を備える高周波モジュールであって、前記弾性表面波フィルタ素子を取り囲むように前記基板の表面に、前記封止のための樹脂の流入を阻止する堰堤手段を形成したことを特徴とする。
本発明では、基板上にSAWフィルタ素子(弾性表面波フィルタ素子)を直接ベアチップ実装し、かつ該素子を樹脂封止する。したがって、キャップやケースなどを被せて気密封止を行っていた従来のパッケージ構造に較べ、モジュールの薄型・低背化が可能となる。また、SAWフィルタ素子を取り囲むように基板表面に堰堤手段を形成するから、封止樹脂がSAWフィルタ素子側に流入することを防ぐことができ、樹脂の付着に起因する素子の特性劣化・性能低下を防止することが可能となる。
堰堤手段は、例えばレジスト材料により形成することができ(請求項2)、印刷法によって基板表面に形成することが可能である(請求項3)。このような構成によれば、堰堤手段をより簡便に形成して工程を複雑化することなく、当該高周波モジュールを低廉なコストで量産性良く製造することが出来る。
堰堤手段は、実装状態における弾性表面波フィルタ素子の下面以上でかつ該弾性表面波フィルタ素子の上面未満の高さを有するものとすることが望ましい(請求項4)。堰堤手段を素子下面以上の高さを有するものとすることで、樹脂の流入を阻止し、素子電極面への樹脂の付着をより確実に防ぐためである。また、堰堤手段の高さを素子上面未満とすることで、マウンタによる当該弾性表面波フィルタ素子の実装を堰堤手段が妨げることを防ぐことが出来る。
堰堤手段の具体的な高さ寸法は、弾性表面波フィルタ素子の厚さやバンプの高さ等によって変わり、一概には規定することは出来ないが、例えば40μm以上100μm未満の範囲に設定することが出来る(請求項5)。
さらに、前記堰堤手段は、前記弾性表面波フィルタ素子を取り囲むように延在して該弾性表面波フィルタ素子の下面側隅角縁部に当接する傾斜面を内側に備えることがある(請求項6)。
このような堰堤手段の構造によれば、該傾斜面に弾性表面波フィルタ素子の下面側隅角縁部が当接し、これにより素子下面への樹脂の流入を阻止することが可能となる。さらに、このような傾斜面を有する堰堤構造によれば、弾性表面波フィルタ素子のサイズ(外周寸法)に対して堰堤手段の上縁部の内周寸法を比較的大きくしても(あるいは両者の間にばらつきがあっても)、当該傾斜面と弾性表面波フィルタ素子の下面側隅角縁部とで樹脂を遮断することが出来るから、弾性表面波フィルタ素子の実装が容易となる利点がある。
さらに、かかる高周波モジュールでは、弾性表面波フィルタ素子を複数個備え、該複数の弾性表面波フィルタ素子のうちの少なくとも一部がデュプレクサを構成する場合がある(請求項7)。
本発明によれば、弾性表面波フィルタ素子を備えた高周波モジュールの薄型・低背化が可能となる。また、SAWフィルタ素子を取り囲むように基板表面に形成した堰堤手段によって封止樹脂の流入を防ぎ、樹脂の付着による素子の性能劣化を防止することが出来る。しかも、かかる高周波モジュールを簡便な工程と低廉なコストで量産性良く製造することが出来る。
本発明の他の特徴および利点は、以下の本発明の実施の形態の説明により明らかにする。
以下、添付図面の図1から図9を参照しつつ本発明の実施の形態(以下、本実施形態という)を説明する。
まず、図1はデュプレクサの回路構成の一例を示すものである。同図に示すようにこのデュプレクサは、送信用のBPF(バンドパスフィルタ)11と受信用のBPF12と位相シフト回路13とを備え、端子14から入力された送信信号は、送信用BPF11を経てアンテナ端子16に供給され送信される。一方、受信信号は、アンテナ端子16から位相シフト回路13および受信用BPF12を経て受信信号端子15に伝送される。
さらに図2は、デュアルバンド方式(PCSとN−CDMA)の携帯電話機に使用するFEMの回路構成の一例を示すもので、同図はSAWデュプレクサからアンテナまでの送受信回路を示している。PCSおよびN−CDMAの各送受信回路は、SAWフィルタ素子を含むデュプレクサ17a,17bをそれぞれ備え、PCSはダイプレクサ18のHPF(ハイパスフィルタ)18aを介して、一方、N−CDMAはダイプレクサ18のLPF(ローパスフィルタ)18bを介してそれぞれ共通のアンテナ16に接続されている。
図3は、本実施形態に係る高周波モジュールを模式的に示す断面図である。同図に示すように本実施形態のモジュール21は、FEM基板7の表面に、デュプレクサ17を構成する2つのSAW(弾性表面波)フィルタ素子1a,1bとダイプレクサ18とを実装したものである。尚、同図は基板内の詳細な配線パターン等を省略して示している。
SAWフィルタ素子1a,1bの周囲には、該素子1a,1bを取り囲むようにダム22(堰堤手段)を形成する。このダム22は、レジスト材からなり、図4に示すように基板7の表面に形成したSAWフィルタ素子用の接続パッド8の周囲に印刷法により形成する。
一方、SAWフィルタ素子1a,1bは、図5に示すようにSAWフィルタ素子の接続パッド9の上にバンプ10を形成し、図6に示すようにSAWフィルタ素子1a,1bを裏返して接続パッド8に載せ、フリップチップボンダにより基板7に実装する。そして、これらのSAWフィルタ素子1a,1bを、図7に示すように樹脂6により気密封止する。封止にあたっては、例えばSAWフィルタ素子1a,1bおよびダム22を金型で覆い、該金型のキャビティ内にゲートから樹脂を注入して樹脂モールドを行えば良い。また、このようなモールド法に代え、図8に示すように樹脂シート61を被せることによって封止を行うことも可能である。
かかる封止工程においては、SAWフィルタ素子1a,1bの周囲に設けたダム22によって樹脂のフィルタ素子下面への浸入が阻止され、SAWフィルタ素子1a,1bの電極面(実装状態における下面)に封止樹脂が付着することを防ぐことが出来る。
FEM基板7の表面からSAWフィルタ素子1a,1bの下面までの高さ(パッド8,9およびバンプ10の合計の高さ寸法)は一般に20〜40μm程度であり、したがってダム22の高さは、これを超える例えば50〜60μmとする。この程度の高さであれば、数回の印刷工程を繰り返すことによってダム22を容易に形成することが出来る。また、SAWフィルタ素子1a,1bは様々のものが提供されており、その高さ(厚さ)も区々であるが、一般に数百μm(例えば350μm)程度の高さを有するから、ダム22の高さを50〜60μmに設定すれば、マウンタによるSAWフィルタ素子実装の邪魔になることもない。尚、これらダムの高さに関する数値は一例として示したものであって、本発明はこれらの値に限定されるものではない。
図9は、本実施形態におけるダムの別の構成例を示すものである。この例では、ダム32の内側(SAWフィルタ素子1a,1bに面する側)に、SAWフィルタ素子1a,1bに向かって下り勾配となるテーパー状の傾斜面32aを形成してある。この傾斜面32aは、同図に示すように実装状態においてSAWフィルタ素子1a,1bの下面隅角部に当接するもので、これにより素子下面への樹脂6の流入が阻止される。
また、かかる傾斜面32aを形成しておけば、SAWフィルタ素子1a,1bのサイズ(外周寸法)に対してダム32の上縁部の内周寸法を比較的大きくすることが出来るから(該ダム32の寸法を大きくしても傾斜面32aによって樹脂6を堰き止めることが出来る)、当該ダム内にSAWフィルタ素子1a,1bを容易に収容してその実装を行うことが可能となる。
以上、本発明の実施の形態について図面に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載の範囲内で種々の変更を行うことができることは当業者に明らかである。
例えば、前記実施形態では、2個のSAWフィルタ素子の周囲にダムを設けて気密封止したが、1個あるいは3個以上のSAWフィルタ素子に対しても本発明は同様に適用することが可能である。また、ダムを形成する材料は、印刷法により容易に形成できる点でレジスト材によることが好ましいが、他の材料であっても構わない。さらに、本発明の高周波モジュールは、携帯電話機の送受信部に使用して好適なものであるが、これに限定されるものではなく、PHSや通信機能を備えたPDA、無線LANカードその他、様々な電子通信機器に適用することが可能である。
1a,1b SAWフィルタ素子
6 気密封止用樹脂
7 FEM(フロントエンドモジュール)基板
8 接続パッド
9 SAWフィルタ素子の接続パッド
10 バンプ
17 SAWデュプレクサ
18 ダイプレクサ
21 高周波モジュール
22,32 ダム(堰堤手段)
32a 傾斜面
61 樹脂シート
6 気密封止用樹脂
7 FEM(フロントエンドモジュール)基板
8 接続パッド
9 SAWフィルタ素子の接続パッド
10 バンプ
17 SAWデュプレクサ
18 ダイプレクサ
21 高周波モジュール
22,32 ダム(堰堤手段)
32a 傾斜面
61 樹脂シート
Claims (7)
- 基板上にベアチップ実装されかつ樹脂により封止された弾性表面波フィルタ素子を備える高周波モジュールであって、
前記弾性表面波フィルタ素子を取り囲むように前記基板の表面に、前記封止のための樹脂の流入を阻止する堰堤手段を形成した
ことを特徴とする高周波モジュール。 - 前記堰堤手段をレジスト材料により形成した
ことを特徴とする請求項1に記載の高周波モジュール。 - 前記堰堤手段を印刷法により形成した
ことを特徴とする請求項1または2に記載の高周波モジュール。 - 前記堰堤手段は、実装状態における前記弾性表面波フィルタ素子の下面以上でかつ該弾性表面波フィルタ素子の上面未満の高さを有する
ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載の高周波モジュール。 - 前記堰堤手段は、40μm以上で100μm未満の高さを有する
ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載の高周波モジュール。 - 前記堰堤手段は、前記弾性表面波フィルタ素子を取り囲むように延在して該弾性表面波フィルタ素子の下面側隅角縁部に当接する傾斜面を内側に備える
ことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載の高周波モジュール。 - 前記弾性表面波フィルタ素子を複数個備え、
該複数の弾性表面波フィルタ素子のうちの少なくとも一部がデュプレクサを構成する
ことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載の高周波モジュール。
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JP2003317906A JP2005086615A (ja) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | 弾性表面波フィルタを備えた高周波モジュール |
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2003
- 2003-09-10 JP JP2003317906A patent/JP2005086615A/ja active Pending
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