JP5165179B2 - フィードフォワードオーバーレイ情報を導入したフォトリソグラフィー・オーバーレイ整合を制御するための方法および装置 - Google Patents
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Description
半導体装置の製造に通常用いられる4つの処理は、
・積層、つまり半導体装置になるウェハに様々な材料の薄膜を付着させる
・パターン化、つまり付着層の選択された部分を取り除く
・ドーピング、つまり付着層の開口部を通して、ウェハ表面に特定量のドーパントを配置する
・熱処理、つまり処理されたウェハに所望の効果を生じさせるため材料を加熱および冷却する
WO01/84382は、リソグラフィー処理を評価し、制御する方法を開示している。この方法では、ウェハ上に形成されたレジストの一つの特性を測定し、この測定に応答して、リソグラフィー工程を実行するために構成されたプロセスモジュールのパラメータを変更し、ウェハの重要な構造の変動を低減する。
米国特許6,304,999は、半導体ウェハを処理する方法を開示する。処理中に不整合誤差のような誤差を測定し、その測定値を用いてリソグラフィー処理の製造モデルについての制御入力パラメータを変更する。
本発明は上述の一以上の課題を解決し、または少なくともその影響を低減することを目的としている。
本発明は様々な変形および代替の形態をとりうるが、その特定の実施形態を例示のために図面に示し、本明細書において詳細に説明する。しかしながら、特定の実施形態についての本明細書中の説明は、開示された特定の形態に本発明を限定しようとするものではなく、むしろ反対に、添付の特許請求の範囲に規定される本発明の精神および範囲の範疇に入る、すべての変形物、均等物および代替物を含むことを意図している、ことを理解してもらいたい。
[式1]
新しい設定=古い設定−[(重み1)*(フィードバックオーバーレイ誤差値)]−[(重み2)*(フィードフォワードオーバーレイ誤差値)]
[式2]
新しい平均=(重み)*(現在の測定値)+(1−重み)*(以前のEWMA平均)
Claims (14)
- フォトリソグラフィープロセスを制御するための方法であって、
選択されたウェハに第一パターン層を形成するステップと、
前記第一パターン層に関する第一オーバーレイ誤差を測定するステップと、
前記第一オーバーレイ誤差測定の後、前記選択されたウェハ上の前記第一パターン層の上に第二層を形成するステップと、
前記第二層に前記フォトリソグラフィー処理を実行するための制御スレッドを実装することによって、少なくとも前記第一オーバーレイ誤差測定に基づいて、前記選択されたウェハの前記第二層にフォトリソグラフィー処理を実行するための動作レシピの少なくとも1つのパラメータを決定するステップとを含み、
前記制御スレッドは、前記第一パターン層を形成した装置のプロセス状態及び前記第二層を形成する現在の装置のプロセス状態によって定義されることを特徴とする、方法。 - 前記動作レシピに基づいて、前記第二層にフォトリソグラフィー処理を実行するステップをさらに含む、請求項1の方法。
- 前記動作レシピの少なくとも1つのパラメータを決定するステップが、フォトリソグラフィー装置の動作レシピの少なくとも一つのパラメータを決定するステップをさらに含む、請求項1の方法。
- 前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップが、検査装置を用いて前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む、請求項1の方法。
- 前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップが、スキャトロメトリ装置を用いて前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む請求項1の方法。
- 前記動作レシピの少なくとも1つのパラメータを決定するステップは、x平行移動パラメータ、y平行移動パラメータ、x拡張ウェハスケールパラメータ、y拡張ウェハスケールパラメータ、レクチル倍率パラメータ、レクチル回転パラメータ、ウェハ回転パラメータおよびウェハ非直交性パラメータのうちの少なくとも一つを決定するステップをさらに含む請求項1の方法。
- フォトリソグラフィープロセスを制御するための方法であって、
選択されたウェハに第一パターン層を形成するステップと、
フィードフォワードオーバーレイ誤差信号を生成するために、前記第一パターン層に関する前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップと、
フィードバックオーバーレイ誤差信号を生成するために、複数のウェハ上に形成された第二層にフォトリソグラフィー処理を実行するための処理に関する複数のオーバーレイ誤差を測定するステップと、
前記第二層に前記フォトリソグラフィー処理を実行するための制御スレッドを実装することによって、前記フィードフォワードオーバーレイ誤差信号および前記フィードバックオーバーレイ誤差信号に基づいて、前記選択されたウェハに形成された前記第二層にフォトリソグラフィー処理を実行するための動作レシピの少なくとも1つのパラメータを決定するステップとを含み、
前記制御スレッドは、前記第一パターン層を形成した装置のプロセス状態及び前記第二層を形成する現在の装置のプロセス状態によって定義されることを特徴とする、方法。 - 前記動作レシピに基づいて前記選択されたウェハの前記第二層に前記フォトリソグラフィー処理を実行するステップをさらに含む、請求項7の方法。
- 前記動作レシピの少なくとも1つのパラメータを決定するステップが、フォトリソグラフィー装置の動作レシピの少なくとも一つのパラメータを決定するステップをさらに含む、請求項7の方法。
- 前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップが、検査装置を用いて前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む、請求項7の方法。
- 前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップが、スキャトロメトリ装置を用いて前記第一オーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む請求項7の方法。
- 前記動作レシピの少なくとも1つのパラメータを決定するステップは、x平行移動パラメータ、y平行移動パラメータ、x拡張ウェハスケールパラメータ、y拡張ウェハスケールパラメータ、レクチル倍率パラメータ、レクチル回転パラメータのうちの少なくとも一つを決定するステップをさらに含む請求項7の方法。
- 前記第二層に前記フォトリソグラフィー処理を実行するための処理に関する複数のオーバーレイ誤差を測定するステップが、検査装置を用いて前記複数のオーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む、請求項7の方法。
- 前記第二層に前記フォトリソグラフィー処理を実行するための処理に関する複数のオーバーレイ誤差を測定するステップが、スキャトロメトリ装置を用いて前記複数のオーバーレイ誤差を測定するステップをさらに含む、請求項7の方法。
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