CN1643452A - 使用前馈覆盖信息的光刻覆盖控制 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种控制光刻工艺的方法，其包含于选择的晶片上形成第一层。测量与该第一层相关的第一覆盖误差。在形成于第一晶片上的第二层上执行的光刻工艺的操作准则中，至少有一项参数系由至少该第一覆盖误差测量值所决定。工艺路线(100)包含光刻机台(120)、覆盖度量机台(130)及控制器(140)。该光刻机台(120)被建构成可依据操作准则加工晶片。该覆盖度量机台(130)被建构成可测量在该光刻机台(120)中进行晶片加工时的覆盖误差。该控制器(140)被建构成可接收于选定晶片上形成第一层时的第一覆盖误差测量值，并可依据至少该第一覆盖误差测量值，决定在形成于第一晶片上的第二层上所执行的光刻工艺的操作准则中的至少一个参数。
Description
技术领域
本发明一般系关于半导体组件制造的领域，更特定而言，系关于纳入前馈覆盖信息的控制光刻(photolithography)覆盖对准(overlayregistration)的方法及装置。
背景技术
在半导体工业中具有一种增加集成电路组件(例如微处理器、内存组件及类似的组件)的品质、可靠度及生产量的持续驱动力。此一驱动力系源自于消费者需求更高品质的计算机及运作更具可靠度的电子组件。该需求已经造成在半导体组件(例如晶体管)的制造以及纳入此等晶体管的集成电路组件的制造上不断的改良。此外，减少在典型晶体管的组件的制造上的缺陷亦降低每个晶体管的整体成本以及纳入此等晶体管的集成电路组件的成本。
半导体加工机台相关技术在最近数年来已经引起更多的注意，而造成实质上的进步。然而，尽管在此领域中已达到提升，但是很多目前可在商业上购得的加工机台仍存在某些的缺点。尤其，这类机台常常缺乏先进的数据监测能力，例如以使用者易接受的方式提供过去参数数据的能力，以及事件记录、目前加工参数与整个工艺的加工参数两者的实时图形显示以及远程(意即区域端及全域)监测。这些缺点可能导致关键加工参数，诸如生产量、精确度、稳定性及重复性、加工温度、机械机台参数及类似参数无法予以最佳化控制。此种差异本身以单次操作内的不一致性、各次操作间的不一致性及各机台间的不一致性呈现，不一致性可能造成产品品质及性能上的偏差，而对于此等机台的理想监测及诊断***将提供监测此种差异的工具，并且提供最佳化控制关键参数的工具。
半导体组件由半导体材料制的晶片所制造。材料层在制造期间经由加入、移除及/或处理，产生组成该组件的电路。该制造本质上包括四个基本的操作。虽然只有四个基本的操作，但它们可以组合成数百个不同的方式，视该特定的制造程序而定。
通常使用于半导体组件的制造上的该四个操作为：
·于供制造半导体的晶片上层叠或加入由各种材料制成的薄层；
·予以图案化或移除加入层的选定部分；
·于该晶片表面上，经由在该加入层的开孔，掺杂或置放特定数量的掺杂物；以及
·热处理或加热及冷却该材料，以于该被加工晶片内产生所期望的效果。
由于技术进步至能使半导体组件使用较小的线宽(critical size，或译为关键尺寸)，因此对于误差减少的需求急遽增加。在半导体组件内适当形成次区段系确保所制造半导体组件具有适当性能的重要因素。次区段的线宽必须在制造品质可被接受的半导体组件的预定可接受误差范围内。
半导体制造的一重要事项为覆盖控制。覆盖控制包含在半导体组件的表面上的二个连续的图案层之间，测量该对位不准。通常，对位不准误差的缩小系确保半导体组件的多层连接且具有功能的重要关键。由于现有技术已可使半导体组件采用较小线宽，因此对于对位不准误差减少的需求急遽增加。
通常，一连串光刻步骤使用一般称为曝光机台或步进机的半导体制造机台于一批晶片上执行。该制造机台与加工模块的制造架构或网络相接。该制造机台通常连接至设备接口。该设备接口连接至该步进机所连接的机器接口，藉以促使在该步进机及该制造架构间的连通。该机器接口通常进阶加工控制(advanced process control，APC)***的一部份。该APC***激活控制脚本(control script)，该控制脚本为可以自动取得执行工艺所需数据的软件程序。控制该工艺的输入参数以人为方式定期修改。当需要较精密的工艺时，则需要改良的方法，俾以较自动及实时的方式修正控制工艺的输入参数。
典型的覆盖控制技术使用回馈控制方法，其中在图案化光阻材料层之后，收集度量数据以测量在该光阻层及下方层膜之间的错误配准或覆盖误差。由该覆盖误差测量值所产生的回馈可以提供给工艺控制器，以更新光刻机台对于后续的加工晶片的控制信号。该覆盖误差亦可使用于错误侦测设计，藉此具有覆盖误差超过预定门限值的晶片将藉由移除该错误的光阻层及图案化成新的光阻层而修正。
回馈覆盖技术系假设覆盖误差被测量的晶片与藉由光刻机台图案化的后续晶片之间具有同构型。但当晶片加工技术从批次控制而改变成晶片控制时，此假设变得较无法成立。一批中的特定晶片、整批晶片或子集晶片相对于其下的层可能不具有相同的覆盖特性。在晶片整批加工期间可能已经采取某种控制动作以减少覆盖误差或改正错误情况(亦即修正)。因此，单独依据回馈测量数据来控制覆盖参数可能无法使覆盖差异减少。
本发明的目的为克服或至少减少上文所提出的一个或一个以上的问题的影响。
发明内容
本发明的一态样在于提供一种用于控制光刻工艺的方法。该方法包含于选择的晶片上形成第一层。测量与该该第一层相关的第一覆盖误差。至少依据该第一覆盖误差测量值，决定在形成于该第一晶片上的第二层上执行的光刻工艺的操作准则中的至少一个参数。
本发明的另一态样在于提供包含光刻步进机、覆盖测量机台及控制器的加工路线。该光刻步进机被建构成可依据操作准则加工晶片。该覆盖测量机台被建构成可测量在该光刻步进机内加工晶片时的覆盖误差。该控制器可被建构成可接收于选定晶片上形成第一层时的第一覆盖误差测量值，并可依据至少该第一覆盖误差测量值，决定在形成于第一晶片上的第二层上所执行的光刻工艺的操作准则中的至少一个参数。
附图说明
本发明可藉由参考下列的说明连同随附的图式而了解，其中相同的图式标号定义相同的组件，并且其中：
第1图为依据本发明例示说明的实施例的用于加工晶片的例示加工路线的简化图式；
第2图为适用于在第1图的加工路线内测量覆盖误差的例示性测试结构的图标；以及
第3图为依据本发明的另一例示说明的实施例的藉由纳入前馈覆盖信息以制光刻覆盖对准的方法的简化流程图。
本发明可为各种修饰及替代形式，惟其的一些特定实施例已藉由图式以例示方式显示并且于本文中详细说明。不过，当了解本文中对于特定实施例的描述并非意在将本发明限于所揭示的特定形式，相反地，本发明意欲涵盖在随附的申请专利范围所界定的本发明精神及范围内的所有修饰物、同等物以及替代物。
具体实施方式
本发明的例示实施例将于下文中描述。为了达到简洁的目的，并非实际实施态样的所有的特征皆说明于此说明书中。当然吾等应了解在任何此等实际实施态样的开发中，必须针对该实施态样进行各种修改以达到开发者的特定目标，诸如配合与***相关及与商业相关的限制，此等限制对于各实施态样而言彼此常不同。再者，吾等当了解纵或在此等开发上的努力可能复杂且耗时，但是对于一般熟习此项技艺的人士而言，在了解本案揭示内容之后，将仅是一般性的工作。
覆盖控制为半导体制造的重要态样。更特定而言，覆盖控制涵盖在制造加工期间测量半导体层膜间在对位不准上的误差。覆盖控制的改善可使半导体制造加工的品质及效率实质加强。本发明提供自动化校正误差的方法，以控制覆盖误差。
参考第1图，该图提供依据本发明的一项说明的实施例的用于加工晶片110的说明的加工路线100的简化图式。该加工线路100包含用于在形成于该晶片110上的光阻层内形成图案的光刻机台120。该光刻机台120包含连接至步进机124的循轨(track)122。该循轨122旋涂光阻材料于该晶片110上并且预先烘烤该光阻层。该步进机124对该光阻层曝光以成图案于该光阻层内。该循轨122接着执行曝光后烘烤(亦即，若对于所使用的光阻层的形式是必须的话)并且加入显影溶液以移除该光阻层的曝光部分(亦即，对于正光阻材料形式)以产生图案于该光阻层内。该光阻层通常使用作为提供后续的蚀刻工艺来使用的屏蔽以形成细微结构(features)于晶片110上或作为提供执行植入工艺的屏蔽(例如用于掺杂基板以形成主动区域)。
加工路线100亦包含适用于判定由光刻机台120所形成的在光阻图案内的覆盖误差的覆盖度量机台130。通常，该覆盖度量机台130可以是能够测量覆盖误差的任何形式的机台。例如，该覆盖机台130可以包含光学检视站，诸如由加利福尼亚州的圣荷西的KLA-Tencor公司所提供的5200XP覆盖度量***。该覆盖度量机台130亦可使用散射测量法来测量覆盖误差，如同于美国专利申请案第09/894,546号，名称为″用于控制光刻覆盖对准的方法及装置″的描述，以J.Broc Stirton的名义申请，而让渡给本专利申请案的受让人，并且于此将并入成为全文的一部分。
设置控制器140，以依据由覆盖度量机台130所收集的前馈覆盖度量数据控制步进机124。在某些实施例中，该控制器140基于前馈及回馈覆盖度量数据两者可以控制该步进机124。数据储存150视由该覆盖度量机台130所测量的晶片110而经由提供而用于储存覆盖度量数据。例如，该覆盖度量数据可以藉由晶片ID及/或批次ID而储存及标示，视可以获得的粗细度而定。当然，该加工路线100可以包含收集覆盖数据的多重的光刻机台120及具有分享的或个别的控制器140的多重的覆盖度量机台130。
控制器140调整步进机124的操作准则以修正覆盖误差。在说明的实施例中，该控制器140为具有程序化软件的计算机以实现所描述的功能。然而，对于一般熟习此项技艺的人士将会了解，设计用以实现该特定功能的硬件控制器亦可以使用。此外，该控制器140可以是独立式控制器，该控制器可以整合至机台内，诸如该光刻机台120或该覆盖度量机台130，或者该控制器可以是在整合的电路制造设备内的部分***控制器运作。
部分本发明及对应的详细描述为藉由软件或算法及在计算机内存内部的数据位上的运算的符号象征来表示。这些描述及象征为一般熟习此项技艺的人士藉由该描述及象征有效地传递它们的任务的本质意义给一般熟习此项技艺的其它人士。算法，如同在此所使用的术语，以及如同一般该名词所使用的，乃认为是自我一致性的步骤顺序而导引至所需要的结果。该步骤为物理数量上的所需要的物理操作。通常，虽然不是必须的，这些量采取能够受到储存、转移、复合、比较及其它操作的光学的、电气的或磁性的信号的形式。已经了解在任何时刻为便利起见，原则上为了共同使用的理由，将称呼这些信号为位、数值、元素、符号、字母、术语、数字或类似的名词。
然而，需要注意的是所有这些及类似的术语是在于结合该适当的物理量并且仅仅为适用于这些数量的方便的标记。除非特别地声明，否则由讨论中将是显而易见的，诸如″处理″或″运算″或″计算″或″判定″或″显示″或类似的术语是意指计算机***的行为及程序，或类似的电子操作数件，该组件将位在计算机***的缓存器及内存中以物理的、电子的数量所表示的数据处理及转换成为类似于在计算机***的缓存器及内存或者其它此类的数据储存、传递或显示装置中以物理的数量所表示的其它数据。
能够适用于执行如同描述的控制器140的功能的例示性软件***为由KLA-Tencor公司所提供的Catalyst***。该Catalyst***使用国际半导体设备与材料公会(Semiconductor Equipment and MaterialsInternational，SEMI)计算机整合制造(Computer IntegratedManufacturing，CIM)架构兼容***技术并且基于先进工艺控制(Advanced Process Control，APC)架构。CIM(SEMI E81-0699-用于CIM架构领域设施的临时说明书)及APC(SEMI E93-0999-用于CIM架构先进工艺控制组件的临时说明书)说明书可以由SEMI公开取得。
晶片110于使用多个控制输入信号的步进机124内加工。在该例示说明的实施例中，用于编置该步进机124的控制输入信号包含x移位信号、y移位信号、x扩大晶片尺度信号、y扩大晶片尺度信号、光栅放大信号、光栅旋转信号、晶片旋转信号及晶片非正交信号。通常，与该光栅放大信号及该光栅旋转信号相关的误差系与在该曝光机台内的该待加工的晶片的表面上的特定的曝光工艺有关。该控制器140可依据该覆盖度量机台130于各***作(run-to-run)执行的覆盖误差测量，更新该控制输入信号。
当步进机124完成晶片110的处理时，该晶片110由该覆盖度量机台130所检测。该晶片可以在该光阻层的显影前做检测(亦即，使用该潜在的光阻影像)或该显影工艺后做检测(亦即，使用该光阻图案)。该覆盖度量机台130提供显现于该上一个曝光步骤内的错误配准的测量。错误配准的数量系与在该光刻工艺中产生在形成于该晶片上的两个层膜之间的对位不准有关。
用于测量覆盖误差的测试结构对于熟习此项技盖的人士而言是众所周知的。例如，第2图说明例示性的测试结构200。该测试结构200可以形成于该晶片110通常未使用于形成组件的区域内(例如在其中识别码通常所刻划的周围区域内或在产品晶粒之间的刻划线内)。第一区块210可以制图案于下层的层膜中并且第二区块220可以制图案于由光刻机台120所形成及制图案的光阻层中。覆盖误差可以于X及Y方向上藉由测量在该区块210、220的边线之间的距离而测得。例如，欲测量在该X方向上的覆盖误差，在边线211、221之间的距离可以与在边线212、222之间的距离做比较。该覆盖误差为在该测量距离之间的差额的一半。若在该边线211、221之间的距离是0.005微米并且在该边线212、222之间的距离是0.03微米，则在X方向上的该覆盖误差为(0.05-0.03)/2＝+0.01微米。对于每个边线群组的0.04微米的距离将表示成零覆盖误差。类似的程序可以使用于决定在Y方向上的覆盖误差。
覆盖度量机台130对于测量的晶片110储存覆盖误差于数据储存150内。不同的覆盖误差测量对于形成于该晶片110上的每个层膜可能产生。该覆盖误差度量数据可以藉由晶片/批号ID及层膜来标示。
回到第1图，将更详细说明藉由控制器140用于对光刻机台120决定控制动作所使用的程序。通常，当决定用于该步进机124对于目前的层膜的覆盖设定时，该控制器140考量来自前一层的覆盖误差数据。前一个的覆盖误差测量的此项考量于此称为前馈控制技术。视该特定的实现而定，该控制器140可决定用于个别的晶片或用于整批晶片的控制行为。若控制是执行于整批的位准上，该前馈覆盖误差数据可以联合在该批次内受测量的一个或一个以上的晶片。若控制是执行于晶片的位准上，每个晶片可具有联合的前馈覆盖误差测量。当然不同程度的粗细度亦可以使用。例如，对于未能取得特定的前馈覆盖误差数据的晶片，平均或插值技术亦可以使用。
在加工于光刻机台120内的选择的晶片之前，控制器140存取数据储存150以决定用于该前一加工层膜所测量的覆盖误差。在某些例子中，所有在批次内的晶片可能未具有相同的覆盖误差，因为回馈控制动作在该批次的加工期间可能采用以减少该覆盖误差。同样地，不同的批次加工于该相同的光刻机台120上因为先前的回馈控制动作而可能不具有该相同的覆盖误差。当控制动作对于由该光刻机台所欲形成的该目前的光阻层做出决定以计算这些晶片对晶片或批次对批次的覆盖误差变化时，该前馈覆盖误差将受到考量。
在简单的控制例子中，前馈覆盖误差对于该回馈覆盖决定将使用作为直接的偏移。例如，若加工后的回馈显示第一晶片对于目前的层膜在一个方向上具有+0.03微米的覆盖误差，典型的回馈控制动作可能试着调整该步进机124设定以减少对于第二晶片的此项覆盖误差。然而，考量与该第一晶片的下方层膜做比较，该第二晶片具有+0.02微米的覆盖误差的下方层膜。若未采取控制动作于该第二晶片上，由于对于该第一及第二晶片在该下方层膜中于该覆盖误差之间的差异，于该目前的层膜上的覆盖误差将是+0.03-+0.02＝+0.01微米。若该控制动作是单独基于来自该第一晶片的回馈覆盖误差测量而在于调整该步进机124，则该结果覆盖误差(亦即，假设完全控制)将是0-+0.02＝-0.02微米。因此，在未并入来自该先前的层膜的前馈覆盖误差，该回馈误差控制技术实际可能增加该覆盖误差。
控制器140基于对于目前的晶片的前馈覆盖误差数据及对于该先前的晶片的回馈覆盖误差数据可调整用于目前的晶片以及用于后续的晶片的步进机124的步骤。该控制器140可以经由配置而具有静区范围(deadband range)，其中该静区范围不需要做修正。该前馈及回馈覆盖误差可以与预定的门限参数组做比较。在一个实施例中，该静区含有结合中心接近一组对应的预定目标值的控制输入信号的误差值的范围。若由该覆盖度量机台130所撷取的该前馈及回馈覆盖误差为小于该误差对应的预定门限值，则该特定误差将认为是位于静区内，并且该控制器140对于该覆盖控制输入不做改变。该静区的主要的目的在于避免过度的控制动作造成该半导体制造程序过度地敏感。
当控制器140判断对应的覆盖控制输入信号的覆盖误差情况并未在静区内时，前馈及回馈覆盖误差将使用于更新该覆盖控制输入信号以提供光刻工艺执于该目前的晶片、在该批货内的后续晶片或后续的批次晶片上。该控制器140依据控制模块决定用于改变该覆盖控制输入信号的数值的步进尺寸。下文的方程式1提供用于决定覆盖控制输入信号改变的例示性控制方程式。
新的设定＝旧的设定-〔(权值1)*(回馈覆盖误差值)〕-〔(权值2)*(前馈覆盖误差值)〕 (1)
如同于方程式1所说明的，控制器140藉由将覆盖控制输入信号的旧的设定的大小减去该权值及该回馈及前馈覆盖误差值的乘积而决定该覆盖控制输入信号的新的设定。该权值为指定给特定的覆盖控制输入信号的该误差值的预定的增益参数。对于该权值的持定的值可以藉由控制仿真或实验而决定。
虽然权值数值可以经由使用以部分控制于覆盖控制输入信号设定中的改变的步进尺寸，该权值的数值可能仍然不足以避免过度大的步进尺寸。换言的，即使最佳的权值是在于指定给特定的误差信号，在该控制输入信号的设定中的改变的计算步进尺寸可能是过大的，使得该步进尺寸可能造成半导体制造机台的控制器以过于敏感方式执行。因此，该控制器140可以对该计算的步进尺寸与允许在该覆盖控制输入信号的设定中的改变的预定最大步进尺寸做比较，并且因此限定该步进尺寸。
一种对于使用更新的覆盖控制输入信号的方法为使用控制执行绪(control threads)来实现。控制执行绪可以藉由该控制器140而实现。控制执行绪为半导体制造机台，诸如该步进机124，的控制技术的重要的部分。每个控制执行绪运作像个别的控制器，并且随着不同的工艺条件而有区别。对于覆盖控制，该控制执行绪藉由不同条件的组合而做区别，包含目前处理该晶片批次的该半导体制造机台(例如步进机124)、该半导体产品、该半导体制造运作及加工该晶片的前一层的半导体晶片或批次的该半导体制造机台。
控制执行绪说明以不同的方式影响覆盖误差的不同的半导体制造情况。藉由分离每个该单一半导体制造加工条件的形成属于本身对应的控制执行绪，该控制器更可以精确地评估后续的半导体晶片批次在该控制执行绪内将会处理的情况。由于该误差测量是较具关联性的，基于误差的针对该覆盖控制输入信号的改变将是较为适当的。藉由本发明所描述的该控制技术的实现可以导致于该覆盖误差的减少。
在加工晶片之后，覆盖度量机台130提供控制误差的回馈测量。每个误差测量对应其中一个覆盖控制输入信号。控制器140基于用于该后续的晶片的此项回馈测量及前馈覆盖误差数据，决定用于后续的晶片的控制行为。当决定控制行为后，该控制器140可执行各种前处理或数据操控活动。其中一种此类的前处理活动为外部排除(outlier rejection)。外部排除是一种完全的误差检测，该检测经由使用而依据该半导体制造加工的历史效能以确保该量得的覆盖误差是合理的。此项步骤包含对每一个该回馈及前馈覆盖误差与对应的预定边界参数做比较。在一个实施例中，即使其中一项预定的边界是超过的，来自整个半导体晶片或批次的该误差数据将会排除。为了决定该外部排除边界的界限，数以千计的实际半导体加工制造数据点将必须收集。接着计算对于在该数据收集内的每个误差参数的标准差。该边界门限值将选择为多重标准差(亦即，正的或负的)。该外部排除边界的选择帮助确保只有显著地位在该工艺的标准操作条件外部的该等点将受到排除。
控制器140可以执行的第二预先处理功能为平滑化或过滤数据。覆盖误差测量受到某些量的随机所支配。过滤该回馈覆盖误差数据造成该误差于该覆盖控制输入信号设定内的更精确评估。虽然其它过滤步骤亦可以使用，而在一个实施例中，该控制器140使用指数加权移动平均(Exponentially-Weighted Moving Average，EWMA)滤波器以平滑化该数据。对于EWMA滤波器的方程式说明于方程式2中。
新的平均值＝(权值)*〔(目前测量值)+(1-权值)*(上一个EWMA平均值)〕 (2)
权值为可以用于控制过滤量及通常具有在0及1之间的数值的可调整的参数。该权值表示在目前的数据点的精确性内的可靠度。若该测量经由考量为准确的，则该权值应当接近1。若在工艺中对于先前的加工行程具有显著量的扰动，则接近零的数字将是适当的。新的平均值由该目前的测量、该权值及经由计算的该最后的平均所估算。该EWMA过滤程序可使用如同上文所描述的该先前的平均、该权值及该目前的测量，或者另外，只有某些数据(亦即，该最近的)可以使用以计算该平均值。
在半导体制造设备上的制造环境表示某些独特的挑战。该半导体晶片批次透过机台，诸如该步进机124，所加工的情况可能不符合该覆盖度量机台130在该情况下所测量的该覆盖误差。此类的情况可能导致数据点加入至脱序的EWMA平均值内。再者，晶片可以一再地经由分析以确认该误差测量。在未有数据保留下，两者的读数值将归给该EWMA平均，该情况可能形成不如预期的特性。再者，某些控制执行绪可能具有低的容量，该情况可能造成先前的平均变成过时，使得该平均无法精确地表示在该覆盖控制输入信号设定内的误差。基于这些原因，该控制器140可存取储存的数据以计算该EWMA过滤的误差。半导体晶片批次数据，包含该批次号码、该批次于该步进机124上加工的时间及该多重的误差计算，将储存在该控制执行绪名称下的数据储存150内。当收集到新群集的覆盖误差数据时，该数据堆栈由数据储存取回并且分析。该待加工的目前的半导体晶片批次的该批次号码与在该堆栈中的该数据做比较。若该批次号码符合任何在该堆栈中所存在的数据时，该误差测量将受到取代。否则，依据当该批货透过该步进机124加工时的时间周期，该数据点将按照时间顺序加入至该目前的堆栈中。在某些实施例中，数据点在预定的时间周期(例如48小时)后可以终止。
如同上文的描述，控制器140可以使用APC架构来实现。藉由本发明使用该APC架构所教导的该控制技术的部署可能需要许多软件构件。除了在该APC架构内的构件外，对于每个半导体制造机台，计算机描述语言可以写入而包含于该控制***中，诸如该步进机124。当在该控制***中的半导体制造机台激活时，该机台通常初始化控制描述语言以完成由该控制器140所实现的行为。上文所描的该控制方法通常定义及执行于这些控制描述语言中。
控制器140对于步进机124可实现具有各种控制参数的控制技术，包含x-移位参数、y-移位参数、x-扩大晶片尺度参数、y-扩大晶片尺度参数、光栅放大参数、光栅旋转参数、晶片旋转参数及晶片非正交参数。该覆盖控制模型可以使用一般现有的线性或非线性技术而依经验发展。该控制模型依据如同上文所描述的模型(例如线性、指数、加权平均等等)可以是相对地简单的方程式或较为复杂的模型，诸如类神经模型、主成分分析(principal component analysis，PCA)模型或投射至潜伏结构(projection to latent model，PLS)模型。该模型的特定的实现可以视该所选择的模型技术而改变。
覆盖模型可以藉由控制器140而产生，或者另外，该覆盖模型可以藉由不同的处理资源(未显示)而产生并且在经由开发后储存在该控制器140上。该覆盖模型可以使用步进机124或使用具有类似的运作特性的不同的机台(未显示)来开发。为了便于说明的目的，基于由覆盖度量机台130所测量的该步进机124的实际的性能，假设该覆盖模型是藉由该控制器140或其它处理资源而产生并且更新。该覆盖模型可以基于由步进机124的许多处理行程所收集的历史数据而训练。
第3图为依据本发明的另一个说明的实施例的用于控制光刻工艺的方法的简化的流程图。在方块300中，第一层膜形成于选择的晶片上。在方块310中，测量与该第一层相关的第一覆盖误差。在方块320中，依据至少该第一覆盖误差测量值，决定在第一晶片上形成第二层时的操作准则中的至少一个参数。
如同上文所描述，基于来自覆盖度量机台130的回馈及前馈测量的控制覆盖误差具有许多优点。步进机124可以经由控制以减少所遭遇的差异量。减少差异可以减少组件品质降低或必须清除的可能性。因此，在加工路线100上生产的该组件的品质及该加工路线100的效率两者皆可增加。
上文所揭示的该特定的实施例仅为例示说明之用，熟习此项技艺的人士在了解本案的教示内容后显而易知本发明可以不同但均等的方式做修正并且执行。再者，本发明无意被限定于本文所述的结构或设计的细节，本发明仅受限于下文的申请专利范内的描述。因此显然地，上文所揭露的特定实施例可以改变或修正并且所有此类的变化皆被视为在本发明的范畴及精神内。因此，本文所请求的保护于下文的申请专利范围中提出。
Claims (10)
1.一种用于控制光刻工艺的方法，包括：
在选定晶片上形成第一层；
测量与该第一层相关的第一覆盖误差；
在该选定晶片上形成第二层；以及
至少依据该第一覆盖误差测量值，决定在该选定晶片的第二层上所执行的光刻工艺的操作准则中的至少一个参数。
2.如权利要求1所述的方法，更包括依据该操作准则在该第二层上执行该光刻工艺。
3.如权利要求1所述的方法，其中测量该第一覆盖误差更包括使用检视站台及散射仪机台中的至少之一测量该第一覆盖误差。
4.如权利要求1所述的方法，其中决定该操作准则中的至少一个参数更包括决定x-移位参数、y-移位参数、x-扩大晶片尺度参数、y-扩大晶片尺度参数、光栅放大参数、光栅旋转参数、晶片旋转参数及晶片非正交参数中的至少一个。
5.如权利要求1所述的方法，其更包括：
测量与第一层相关的第一覆盖误差以产生前馈覆盖误差信号；
测量在多个晶片上形成的第二层上执行光刻工艺时的多个覆盖误差，以产生回馈覆盖误差信号；以及
依据该前馈覆盖误差信号及该回馈覆盖误差信号，决定在该选定晶片的第二层上所执行的光刻工艺的操作准则中的至少一个参数。
6.一种加工路线(100)，包括：
光刻机台(120)，被建构成可依据操作准则加工晶片；
覆盖度量机台(130)，被建构成可测量在该光刻机台(120)中加工晶片时的覆盖误差；以及
控制器(140)，被建构成可接收在选定晶片上形成第一层时的第一覆盖误差测量值，并可依据至少该第一覆盖误差测量值，决定在形成在第一晶片上的第二层上所执行的光刻工艺的操作准则中的至少一个参数。
7.如权利要求6所述的加工路线(100)，其中该光刻机台(120)被进一步建构成可依据决定的操作准则在该选定晶片的第二层上执行该光刻工艺。
8.如权利要求6所述的加工路线(100)，其中覆盖度量机台(130)尚包含检视站台及散射仪机台中的至少之一。
9.如权利要求6所述的加工路线(100)，其中该至少一个参数更包括x-移位参数、y-移位参数、x-扩大晶片尺度参数、y-扩大晶片尺度参数、光栅放大参数及光栅旋转参数中的至少一个。
10.如权利要求6所述的加工路线(100)，其中该控制器(140)被进一步建构成可接收包括在选定晶片上形成第一图案化层时的第一覆盖误差测量值的前馈覆盖误差信号，以及接收包括在多个晶片的第二层上执行光刻工艺时的多个覆盖误差测量值的回馈覆盖误差信号，以及依据该前馈覆盖误差信号及该回馈覆盖误差信号，决定在该选定晶片的第二层上所执行的光刻工艺的操作准则中的至少一个参数。
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