TWI657486B - 器件製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種器件製造方法，該方法包含： 獲得複數個基板之一量測資料時間序列，已對該複數個基板執行一曝光步驟及一程序步驟； 獲得與當對該複數個基板中之至少一些執行該程序步驟時佔優勢之狀況相關的一狀態資料時間序列； 將一濾波器應用於該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列以獲得經濾波資料；及 使用該經濾波資料判定待在對一後續基板執行之一曝光步驟中應用的一校正。

Description

器件製造方法
本發明係關於使用微影裝置及程序裝置之器件製造。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其被替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上之電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。接著使經圖案化輻射敏感層顯影，且使用諸如刻蝕器之程序裝置以將圖案固定於基板中。
為了產生電子器件，有必要多次重複曝光步驟及固定步驟，例如高達30次以產生不同器件層。每一層一次施加至基板之一批量(也被稱作一批次)。為了改良良率，亦即，具功能性之裝置的分率，已知使用對基板執行之量測來調整應用相同程序之同一批量或稍後批次中之後續基板的曝光，例如，以減小疊對、聚焦或CD誤差。此程序被稱為自動程序控制。在對多個基板之量測可供使用的情況下，量測之加權移動平均值常常用作對程序控制之輸入。
然而，已知APC方法仍然留下遍及基板之「指紋」—諸如聚焦、疊對或CD之參數的變化，且因此需要改良自動程序控制方法。
本發明旨在提供用於微影製造程序中的改良式自動程序控制方法。
在第一態樣中，本發明提供一種器件製造方法，該方法包含：獲得複數個基板之一量測資料時間序列，已對該複數個基板執行一曝光步驟及一程序步驟； 獲得與當對該複數個基板中之至少一些執行該程序步驟時佔優勢之狀況相關的一狀態資料時間序列； 將一濾波器應用於該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列以獲得經濾波資料；及 使用該經濾波資料判定待在對一後續基板執行之一曝光步驟中應用的一校正。
在第二態樣中，本發明提供一種器件製造方法，該方法包含：獲得複數個基板之一量測資料時間序列，已對該複數個基板執行一曝光步驟及一程序步驟； 將一濾波器應用於該量測資料時間序列以獲得經濾波資料； 使用該經濾波資料判定待在對一後續基板執行之一曝光步驟中應用的一校正 將一另外濾波器應用於該量測資料時間序列以獲得另外的經濾波資料；及 使用該另外的經濾波資料判定待在對該後續基板執行之該曝光步驟中應用的一另外校正。
在第三態樣中，本發明提供一種器件製造方法，該方法包含：獲得複數個基板之一量測資料時間序列，已對該複數個基板執行一曝光步驟及一程序步驟； 獲得與當對該複數個基板中之至少一些執行該程序步驟時佔優勢之狀況相關的一狀態資料時間序列； 將該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列變換成頻率空間資料； 基於該頻率空間資料判定待應用於該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列中之至少一者以獲得經濾波資料的一濾波器； 將該濾波器應用於該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列中之該至少一者以獲得經濾波資料；及 使用該經濾波資料判定待在對一後續基板執行之一曝光步驟中應用的一校正。
在第四態樣中，本發明提供一種器件製造方法，該方法包含：獲得複數個基板之一量測資料時間序列，已對該複數個基板執行一曝光步驟及一程序步驟； 獲得與當對該複數個基板中之至少一些執行該程序步驟時佔優勢之狀況相關的一狀態資料時間序列； 將該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列變換成頻率空間資料；及 基於該頻率空間資料判定待應用於後續基板以產生一量測資料時間序列之一取樣方案。
在詳細地描述本發明之實施例之前，有指導性的是呈現可供實施本發明之實施例的實例環境。
圖1說明半導體生產設施之典型佈局。微影裝置100將所要圖案施加至基板上。微影裝置係用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，被替代地稱作光罩或倍縮光罩之圖案化器件MA包含待形成於IC之個別層上之特徵(常常被稱作「產品特徵」)的電路圖案。此圖案經由圖案化器件曝光104至提供於基板「W」上(例如，矽晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上，轉印至該基板上之目標部分(例如，包含晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。一般而言，單一基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。
已知微影裝置藉由照明圖案化器件，同時同步地將基板之目標部分定位於圖案化器件之影像位置處而輻照每一目標部分。基板之經輻照目標部分被稱作「曝光場」或僅被稱作「場」。基板上之場之佈局通常為根據笛卡爾(Cartesian)二維座標系統對準(例如，沿著X軸及Y軸對準，兩條軸線彼此正交)之鄰近矩形之網路。
對微影裝置之要求為所要圖案至基板上之準確再現。所施加之產品特徵之位置及尺寸需要在一定容限內。位置誤差可歸因於疊對誤差(常常被稱作「疊對」)而出現。疊對為相對於第二層內之第二產品特徵而置放第一層內之第一產品特徵時的誤差。微影裝置藉由在圖案化之前將每一晶圓與參考準確地對準而使疊對誤差最小化。藉由量測施加至基板之對準標記之位置而進行此操作。基於對準量測，在圖案化程序期間控制基板位置以便防止疊對誤差之出現。
產品特徵之臨界尺寸(CD)之誤差可在與曝光104相關聯之施加劑量並不在規格內時出現。出於此原因，微影裝置100必須能夠準確地控制施加至基板之輻射之劑量。CD誤差亦可在基板並未相對於與圖案影像相關聯之焦平面正確地定位時出現。焦點位置誤差通常與基板表面之非平面度相關聯。微影裝置藉由在圖案化之前使用位階感測器量測基板表面構形而使此等焦點位置誤差最小化。在後續圖案化期間應用基板高度校正以確保圖案化器件至基板上之正確成像(聚焦)。
為了驗證與微影程序相關聯之疊對及CD誤差，藉由度量衡裝置140檢測經圖案化基板。度量衡裝置之常見實例為散射計。散射計習知地量測專用度量衡目標之特性。此等度量衡目標表示產品特徵，惟其尺寸通常較大以便允許準確量測除外。散射計藉由偵測與疊對度量衡目標相關聯的繞射圖案之不對稱性而量測疊對。藉由對與CD度量衡目標相關聯之繞射圖案之分析而量測臨界尺寸。度量衡工具之另一實例係基於電子束(e-beam)之檢測工具，諸如掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope；SEM)。
在半導體生產設施內，微影裝置100及度量衡裝置140形成「微影製造單元」或「微影叢集」之部分。微影叢集亦包含用於將感光抗蝕劑施加至基板W之塗佈裝置108、烘烤裝置110、用於將曝光圖案顯影成實體抗蝕劑圖案之顯影裝置112、蝕刻站122、執行蝕刻後退火步驟之裝置124以及可能另外的處理裝置126等等。度量衡裝置經組態以在顯影(112)之後或在進一步處理(例如，蝕刻)之後檢測基板。微影製造單元內之各裝置受監督控制系統SCS控制，監督控制系統SCS發佈控制信號166以經由微影裝置控制單元LACU 106控制微影裝置來執行配方R。該SCS允許操作不同裝置，從而得到最大產出率及產品良率。重要的控制機制為度量衡裝置140對各種裝置(經由SCS)、尤其對微影裝置100之回饋146。基於度量衡回饋之特性，判定校正性動作以改良後續基板之處理品質。
微影裝置之效能通常受諸如描述於例如US2012008127A1中之自動程序控制(APC)控制的方法控制且藉由該等方法進行校正。自動程序控制技術使用施加至基板之度量衡目標之量測。製造執行系統(MES)排程APC量測且將量測結果傳達至資料處理單元。資料處理單元將量測資料之特性轉化為包含用於微影裝置之指令之配方。此方法對於抑制與微影裝置相關聯之漂移現象極有效。
藉由處理裝置執行之度量衡資料以產生校正性動作之處理對於半導體製造至關重要。除了度量衡資料以外，亦可需要個別圖案化器件、基板、處理裝置之特性及其他背景資料以進一步使製造程序最佳化。其中可用度量衡及背景資料整體上用於使微影程序最佳化之框架通常被稱作整體微影之部分。舉例而言，與倍縮光罩上之CD誤差相關之背景資料可用於控制各種裝置(微影裝置、蝕刻站)使得該等CD誤差將並不影響製造程序之良率。後續度量衡資料可接著用於驗證控制策略之有效性且可進一步判定校正性動作。
自動程序控制常常旨在控制(例如減小)諸如疊對、聚焦、CD之程序參數中之基板指紋的批次間變化。「指紋」係區域上方參數之變化(或參數誤差)。場內指紋係整個場之變化，且在一些狀況下，對於基板上之所有場亦如此。基板指紋係整個基板之變化。在一些狀況下，基板指紋可分成場內指紋及場間指紋。本發明係關於所有類型之指紋。
如圖2中所描繪，對高量製造(HVM)狀況之習知APC校正係基於回饋。自複數個先前基板W N - 1至W N - x獲得的量測用以控制當前基板W N之一或多個程序參數。量測或自個別量測導出之校正參數分組在一起且饋入至移動平均值(MA)中，例如指數加權移動平均值(EWMA)。
在較複雜狀況下，某一MA適用於場間及場內校正且另一類型之MA適用於高階(諸如每場之校正)校正。在甚至更複雜狀況下，在預期兩個層顯示極相似指紋的情況下，特定層饋有對先前層判定之一些校正。然而，即使此等方案亦具有若干缺點。
首先，使用有限時間濾波演算法。諸位發明人已判定移動平均值可不使得能夠準確地擷取參數之時間變化。
第二，執行常常不必要的度量衡步驟。在一些狀況下，高階指紋(例如場內指紋)相較於場間指紋更緩慢地變化。舉例而言，刻蝕器之穩定性週期(產生場間指紋)與微影裝置之投影系統(產生場內指紋)可極不同，且因此，對應指紋之時間變化差將不同。因此，藉由運用經設計以校正所有基板及場內指紋之相同取樣來量測所有批次，會耗費時間，其可用於其他目的。
第三，現存自動程序控制方法並不利用來自基板處理工具之資訊。諸位發明人已判定特定模型化參數之時間變化的根本原因可與處理工具有關。舉例而言，晶圓縮放之時間變化可能與刻蝕器之穩定性有關，由其一些感測器資料之時間變化表徵。在彼等狀況下，相較於運用度量衡工具量測更多批次及/或晶圓，收集易於使用的刻蝕器工具感測器資料以精細調諧時間濾波器容易得多且便宜得多。
因此，本發明之實施例允許緩解此等缺點及提供精細調諧APC回饋迴路之方式以減小程序參數之批次間變化，及/或允許減小度量衡取樣速率及/或密度。圖3中描繪一實施例，其展示自複數個先前基板W N - 1至W N - x獲得的度量衡量測，該等度量衡量測與狀態資料200一起使用以控制當前基板W N之一或多個程序參數。當藉由一或多個處理工具(諸如刻蝕器或緩冷器)處理基板W N - 1至W N - x上之相關層時，狀態資料200與彼等工具涉及的條件相關。
在本發明之一實施例中，自度量衡量測導出之資訊可以資料時間序列之格式提供，即一系列資料值各自與時間相關聯。應注意，與資料值相關聯之時間並非必需為進行量測之時間，而是對所量測結構或目標執行相關製造步驟(例如曝光)之時間。度量衡步驟及提供度量衡資料作為時間序列之目的為推斷製造工具(例如微影裝置)中佔優勢之狀況的時間變化。自度量衡量測導出之資訊可僅為實際量測結果或自實際量測結果導出之模型化參數—諸如平移、旋轉、縮放等等。
出於相同目的，與製造工具中佔優勢之狀況相關的狀態資料亦可以時間序列形式呈現。狀態資料可包含應用於製造工具之控制值或對製造工具中佔優勢之狀況的量測。在後一狀況下，與狀態資料值相關聯之時間可為進行量測之時間。
在本發明之一實施例中，自動程序控制系統分別向不同的可控制程序參數應用時間濾波器。在最簡單實施例中，使用者可決定對於每一可控制程序參數哪個濾波器適用於每一資料時間序列。提供可供使用者選擇之平滑濾波器之庫，例如： · 貝塞爾濾波器(Bessel filter) · 巴特沃斯濾波器(Butterworth filter) · 匹配濾波器 · 橢圓濾波器(考爾濾波器(Cauer filter)) · 林奎茨-瑞利濾波器(Linkwitz-Riley filter) · 契比雪夫濾波器(Chebyshev filter) · 雙二階濾波器(Biquad filter) · 高通濾波器 · 低通濾波器 · 帶通濾波器 · 無限脈衝回應濾波器 · 有限脈衝回應濾波器 · 雙線性變換 · 卡爾曼濾波器(Kalman filter) · Savitzky-Golay濾波器
亦有可能連續或平行地使用多個濾波器以對單一可控制程序參數之輸入濾波。在一實施例中，將第一濾波器應用於與基板之第一區相關的量測資料時間序列之量測資料，且將不同於第一濾波器之第二濾波器應用於與基板之第二區相關的量測資料時間序列之量測資料。舉例而言，可以與內部晶粒相關的量測日期不同的方式處理與邊緣晶粒相關的量測資料。
圖4描繪使用相同配方處理複數個批次A…N…X的本發明之另一實施例，每一批次包含複數個基板。在微影步驟及一或多個程序步驟之後，對一或多個批次(例如批次A至批次M)之基板執行度量衡量測。使用來自批次A至M中之一些或全部的度量衡量測以計算校正，該等校正待使用包含複數個項之數學模型而應用於後續批次N。使用各別時間濾波器210根據來自批次A至M中之一些或全部的度量衡量測來計算多項式之每一項。多項式可具有呈座標(例如，x,y)之冪形式的項，該等座標表示基板上之位置。對於多項式之每一項，時間濾波器可不同。對批次N之基板執行度量衡量測，該等度量衡量測對應於對批次A至M中之一些或全部執行之度量衡量測。當較多資訊可供使用時，有可能改進模型。經改進模型用以判定對後續批次X之校正，等等。
圖5描繪除了如下文所描述以外與圖4之實施例相似的本發明之另一實施例。在圖5之實施例中，來自一或多個程序步驟之狀態資料用以精細調諧待應用於度量衡資料之濾波器210。
圖6描繪除了如下文所描述以外與圖4之實施例相似的本發明之另一實施例。在圖6之實施例中，來自一或多個程序步驟之狀態資料主要用以判定待應用於後續批次中之校正，其中適當的時間濾波器220應用於該狀態資料。度量衡量測用於驗證及防止偏移。因此，與度量衡係用作待應用於後續批次中之校正之主要決定因素的狀況相比較，僅需要執行數目減小之度量衡量測。每基板執行的度量衡量測之數目無需恆定。此節約時間且因此可改良產出率。
圖7描繪僅狀態資料藉由濾波器220進行濾波且用以判定對後續批次之校正的實施例。未使用度量衡資料，且因此，可省略度量衡步驟。此途徑特別適用於在高量製造之前的投產階段，其中測試基板可經由程序步驟而循環。
圖8描繪根據本發明之另一實施例的使得使用者能夠設置適當濾波器以用於APC迴路的程序。在步驟S1中，自微影叢集獲得初始資料。初始資料可包含來自一或多個批次之一或多個基板的度量衡資料及/或狀態資料。初始資料亦可被稱作訓練資料。在步驟S2中，處理初始資料以使得能夠判定整個製造程序之子程序的時間變化。在一實施例中，藉由使用傅立葉變換或其他相似變換來判定功率譜密度(PSD)或相似圖形，可完成此判定。此變換將來自時間序列資料之初始資料轉換成頻率空間資料。頻率空間資料係用以找到最佳時間濾波器以將每程序參數用於APC模型化參數資料流。在一實施例中，可以演算法判定最佳時間濾波器。替代地，軟體介面在步驟S3中呈現以接收用以選擇濾波器之使用者輸入。
選擇適當濾波器之一種途徑係為了判定特定程序工具參數與APC模型參數之間的相關性S4。可使用功率譜或能量密度或相關係數矩陣等等來判定相關性，以便基於共用時間依賴性準確地配對程序工具參數與基於度量衡之參數。如圖9中所示，情況可為：可觀測程序工具(例如退火鍋爐)中之溫度T (展示於頂部)與如藉由度量衡工具所量測之疊對指紋(展示於底部)之間的相關性。此等相關性可呈現給使用者且使得使用者能夠基於共用時間依賴性選擇哪個程序工具與哪個APC參數配對。
本發明之一實施例亦可關於所選參數建議及/或分級最佳時間濾波器以用於最佳回饋控制，且可建議與哪個程序工具參數配對以用於額外精細調諧。
本發明之一實施例亦可提出度量衡取樣之時間及晶圓佈局方案。舉例而言，以下操作可能為合意的：在較小數目個點處量測較大數目個基板以僅用於場間指紋校正，及運用密集量測方案量測較小數目個基板或批次以用於場內校正。
因此，本發明之合意特徵為： · 其可判定針對所涉及程序步驟專門設定之APC濾波器 · 其允許找到相關程序工具感測器資料及使相關程序工具感測器資料與APC模型參數連結以進行精細調諧控制 · 每APC參數可分別進行此操作 · 其基於前述程序提供度量衡取樣建議。
可供應用本發明之程序參數之實例包括：疊對、CD、CDU、側壁角、線邊緣粗糙度及聚焦。適用於量測此等參數之標記及量測技術為此項技術中所熟知。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。
一實施例可包括含有機器可讀指令之一或多個序列之電腦程式，該等機器可讀指令經組態以指示如圖1中所描繪之各種裝置執行量測及最佳化步驟且控制如上文所描述之後續曝光程序。舉例而言，可在圖1之控制單元LACU或監督控制系統SCS或兩者之組合內執行此電腦程式。亦可提供在其中存儲有此電腦程式之資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)。
儘管上文可特定地參考在光學微影之內容背景中對本發明之實施例之使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形(topography)界定產生於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入至被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑被固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」包涵所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，波長為或約365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米)及極紫外線(EUV)輻射(例如，波長在1至100奈米範圍內)，以及諸如離子束或電子束之粒子束。可使用合適源在UV及EUV波長內進行散射計及其他檢測裝置之實施，且本發明決不限於使用IR及可見光輻射之系統。
術語「透鏡」在內容背景允許時可指各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。反射組件很可能用於在UV及/或EUV範圍內操作之裝置中。
因此，本發明之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效者來界定。
100 微影裝置 104 曝光 106 微影裝置控制單元 108 塗佈裝置 110 烘烤裝置 112 顯影裝置/顯影 122 蝕刻站 124 裝置 126 處理裝置 140 度量衡裝置 146 回饋 166 控制信號 200 狀態資料 210 時間濾波器 220 時間濾波器 S1 步驟 S2 步驟 S3 步驟 S4 相關性 MA 圖案化器件 R 配方 SCS 監督控制系統 W 基板 W N基板 W N-1基板 W N-2基板 W N-3基板 W N-x基板
現在將參考隨附圖式藉助於實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中： 圖1描繪形成用於半導體器件之生產設施的微影裝置以及其他裝置； 圖2描繪習知的自動程序控制方法； 圖3描繪根據本發明之一實施例之自動程序控制方法的操作原理； 圖4描繪根據本發明之一實施例之自動程序控制方法的特定應用； 圖5描繪根據本發明之一實施例之自動程序控制方法的特定應用； 圖6描繪根據本發明之一實施例之自動程序控制方法的特定應用； 圖7描繪根據本發明之一實施例之自動程序控制方法的特定應用； 圖8描繪用於設置根據本發明之一實施例之自動程序控制方法的程序；且 圖9描繪程序參數對基板指紋之效應的模擬實例。

Claims (15)

  1. 一種器件製造方法，該方法包含：獲得複數個基板之一量測資料時間序列，已對該複數個基板執行一曝光步驟及一程序步驟； 獲得與當對該複數個基板中之至少一些執行該程序步驟時佔優勢之狀況相關的一狀態資料時間序列； 將一濾波器應用於該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列以獲得經濾波資料；及 使用該經濾波資料判定待在對一後續基板執行之一曝光步驟中應用的一校正。
  2. 如請求項1之方法，其進一步包含： 將一另外濾波器應用於該量測資料時間序列及/或該狀態資料時間序列以獲得另外的經濾波資料；及 使用該另外的經濾波資料判定待在對該後續基板執行之該曝光步驟中應用的一另外校正。
  3. 如請求項1或2之方法，其中應用一濾波器及/或一另外濾波器包含應用一多項式濾波器，該多項式濾波器具有呈該基板之空間座標形式的項。
  4. 如請求項1或2之方法，其中應用一濾波器及/或一另外濾波器包含將該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列變換成頻率空間資料、將一頻率濾波器應用於該頻率空間資料以獲得經濾波頻率空間資料，及將該經濾波頻率資料變換成該經濾波資料。
  5. 如請求項1或2之方法，其中應用一濾波器及/或一另外濾波器包含將一第一濾波器應用於與該等基板之一第一區相關的該量測資料時間序列之量測資料，及將不同於該第一濾波器之一第二濾波器應用於與該等基板之一第二區相關的該量測資料時間序列之量測資料。
  6. 如請求項5之方法，其中該第一區係一邊緣區且該第二區係一內部區。
  7. 如請求項1之方法，其中欲應用該校正以校正疊對、劑量及聚焦中之至少一者。
  8. 如請求項1之方法，其中該程序步驟係選自以下各者之群組的至少一個程序：蝕刻、退火、植入、沈積及拋光。
  9. 一種器件製造方法，該方法包含：獲得複數個基板之一量測資料時間序列，已對該複數個基板執行一曝光步驟及一程序步驟； 將一濾波器應用於該量測資料時間序列以獲得經濾波資料； 使用該經濾波資料判定待在對一後續基板執行之一曝光步驟中應用的一校正 將一另外濾波器應用於該量測資料時間序列以獲得另外的經濾波資料；及 使用該另外的經濾波資料判定待在對該後續基板執行之該曝光步驟中應用的一另外校正。
  10. 如請求項9之方法，其進一步包含： 獲得與當對該複數個基板中之至少一些執行該程序步驟時佔優勢之狀況相關的一狀態資料時間序列；及 其中應用一濾波器包含將一濾波器應用於該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列以獲得該經濾波資料。
  11. 如請求項9之方法，其中欲應用該校正及/或該另外校正以校正疊對、劑量及聚焦中之至少一者。
  12. 一種器件製造方法，該方法包含：獲得複數個基板之一量測資料時間序列，已對該複數個基板執行一曝光步驟及一程序步驟； 獲得與當對該複數個基板中之至少一些執行該程序步驟時佔優勢之狀況相關的一狀態資料時間序列； 將該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列變換成頻率空間資料； 基於該頻率空間資料判定待應用於該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列中之至少一者以獲得經濾波資料的一濾波器； 將該濾波器應用於該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列中之該至少一者以獲得經濾波資料；及 使用該經濾波資料判定待在對一後續基板執行之一曝光步驟中應用的一校正。
  13. 如請求項12之方法，其中該狀態資料時間序列包含與對該等基板執行之複數個程序步驟相關的資料，且判定待應用之一濾波器包含選擇與該等程序步驟之一子集相關的該狀態資料時間序列之一子集，該狀態資料時間序列之該子集待濾波且用以判定該校正。
  14. 一種器件製造方法，該方法包含：獲得複數個基板之一量測資料時間序列，已對該複數個基板執行一曝光步驟及一程序步驟； 獲得與當對該複數個基板中之至少一些執行該程序步驟時佔優勢之狀況相關的一狀態資料時間序列； 將該量測資料時間序列及該狀態資料時間序列變換成頻率空間資料；及 基於該頻率空間資料判定待應用於後續基板以產生一量測資料時間序列之一取樣方案。
  15. 一種包含電腦可讀程式碼裝置之電腦程式，其用於指示一或多個微影工具執行一如請求項1之方法。
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