JP5157074B2 - 電界効果トランジスタ及びその製造方法 - Google Patents
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前記基板面と平行に前記チャネルと交叉するように形成された金属性カーボンナノチューブからなるソース電極またはドレイン電極と、
を有することを特徴とする電界効果トランジスタによって解決される。
(付記1) 基板面と平行に形成されたチャネルを備え、ソース電極とドレイン電極の少なくとも一方は、前記基板面と平行に前記チャネルと交叉するように形成された金属性カーボンナノチューブから成ることを特徴とする電界効果トランジスタ。
(付記2) 前記ソース電極と前記ドレイン電極は、それぞれ前記チャネルと互いに異なる角度で交叉するように形成された金属性カーボンナノチューブから成ることを特徴とする上記電界効果トランジスタ。
(付記3) ゲート電極は、前記基板面と平行に絶縁膜を介して前記チャネル及び前記金属性カーボンナノチューブと交叉するように形成された金属性カーボンナノチューブから成ることを特徴とする上記電界効果トランジスタ。
(付記4) 前記チャネルは半導体性カーボンナノチューブからなることを特徴とする上記電界効果トランジスタ。
(付記5) 基板面と平行にチャネルを形成する工程と、前記基板面と平行に前記チャネルと交叉するように金属性カーボンナノチューブを形成しソース電極及び/又はドレイン電極とすることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
(付記6) 前記チャネルと互いに異なる角度で交叉する2つの金属性カーボンナノチューブを形成し、一方の金属性カーボンナノチューブをソース電極、他方の金属性カーボンナノチューブをドレイン電極とすることを特徴とする上記電界効果トランジスタの製造方法。
(付記7) 前記基板面と平行に絶縁膜を介して前記チャネル及び前記金属性カーボンナノチューブと交叉するように金属性カーボンナノチューブを形成しゲート電極とすることを特徴とする上記電界効果トランジスタの製造方法。
(付記8) 基板面と平行に半導体性カーボンナノチューブを形成しチャネルとすることを特徴とする上記電界効果トランジスタの製造方法。
2、14 仮ソース電極
3、15 仮ドレイン電極
4 チャネル
5、23、39 導電膜
6、7 電極
8、9、21、22、28、33、34 金属性カーボンナノチューブ
10 シリコン基板
11 シリコン酸化膜
12 Al膜
13 Fe膜
16、38 半導体性カーボンナノチューブ
17、18、19、25、26、29、30 電界印加用電極
20、27、31、32 触媒電極
24 絶縁膜
36 ソース電極
37 ドレイン電極
Claims (2)
- 2つの仮の電極間で基板面と平行に形成された半導体性カーボンナノチューブからなるチャネルと、
前記基板面と平行に前記チャネルとそれぞれ互いに異なる角度で交叉させ、前記2つの仮の電極間で形成された前記チャネルの長さを狭小化させるように形成させた金属性カーボンナノチューブからなるソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極によって狭小化された前記チャネルと交叉するように、前記基板面と平行に絶縁膜を介して形成された金属性カーボンナノチューブからなるゲート電極と、
を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 2つの仮の電極間で基板面と平行に半導体性カーボンナノチューブからなるチャネルを形成する工程と、
前記基板面と平行に前記チャネルとそれぞれ互いに異なる角度で交叉するように金属性カーボンナノチューブを配置させ、前記2つの仮の電極間で形成された前記チャネルの長さが狭小化されるようにソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極によって狭小化された前記チャネルと交叉するように、前記基板面と平行に絶縁膜を介して金属性カーボンナノチューブからなるゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
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