JP2013179274A - 電界効果トランジスタおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ナノワイヤを用いたFETの相互コンダクタンスやON電流の低下が抑制できるようにする。
【解決手段】第1下部ゲート電極122aおよび第2下部ゲート電極122bの上に交差して半導体ナノワイヤ101を備え、また、半導体ナノワイヤ101の上に交差して上部ゲート電極124を備える。第1下部ゲート電極122aは、ゲート長方向の長さをソース電極125とドレイン電極126との間隔より長く形成する。また、上部ゲート電極124も、ゲート長方向の長さをソース電極125とドレイン電極126との間隔より長く形成する。
【選択図】 図1I
【解決手段】第1下部ゲート電極122aおよび第2下部ゲート電極122bの上に交差して半導体ナノワイヤ101を備え、また、半導体ナノワイヤ101の上に交差して上部ゲート電極124を備える。第1下部ゲート電極122aは、ゲート長方向の長さをソース電極125とドレイン電極126との間隔より長く形成する。また、上部ゲート電極124も、ゲート長方向の長さをソース電極125とドレイン電極126との間隔より長く形成する。
【選択図】 図1I
Description
本発明は、半導体ナノワイアを用いた電界効果トランジスタおよびその製造方法に関する。
結晶成長によってボトムアップ的に得られる、高品質な半導体ナノワイアを1次元伝導チャネルとして用いる電界効果トランジスタ(Field Effect Transistor:FET)が、次世代デバイスとして有望視されている。基板とナノワイアが平行な横型FETの場合、絶縁膜で覆われた導電性基板全体をゲート電極とするFET、および、ナノワイアの上に絶縁膜を介してゲート電極を配置したFETが作製されている。ただし、これらは、主に片側のみからゲート電界が作用するため、ゲート特性を最適化するのは難しい。
これに対して、ナノワイアを覆う絶縁膜を介し、ナノワイアの周囲を取り巻いて設けたゲートを用いたFETが提案されている(非特許文献1および非特許文献2参照)。これらは、「gate−all−around(GAA)FET」などと呼ばれており、上記ゲート電極は、「wrap−around gate」,「surround gate」などと呼ばれている。これらのFETによれば、大きな相互コンダクタンスを有し、ショートチャネル効果(short channel effect)を抑制し、S値(subthreshold slope)やON/OFF比などの特性が改善できるという特徴を有している。
T. Tanaka et al. , "Vertical Surrounding Gate Transistors Using Single InAs Nanowires Grown on Si Substrates", Applied Physics Express, vol.3, 025003, 2010.
K. Storm et al. , "Realizing Lateral Wrap-Gated Nanowire FETs: Controlling Gate Length with Chemistry Rather than Lithography", Nano Letters, dx.doi.org/10.1021/nl104403g, 2011.
S.A.Dayeh et al. , "III-V Nanowire Growth Mechanism: V/III Ratio and Temperature Effects",NANO LETTERS, vol.7, no.8, pp.2486-2490, 2007.
E. Lind et al. , "Improved Subthreshold Slope in an InAs Nanowire Heterostructure Field-Effect Transistor", NANO LETTERS, Vol.6, no.9, pp.1842-1846, 2006.
しかしながら、上述した技術による「GAA FET」では、ゲート電極がナノワイアを部分的に覆って形成されているため、ソース電極とゲート電極およびドレイン電極とゲート電極の間に、ゲートで覆われていない領域が存在する。この領域は、直列寄生抵抗成分になり、相互コンダクタンスやON電流の低下の原因となる。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、ナノワイアを用いたFETの相互コンダクタンスやON電流の低下が抑制できるようにすることを目的とする。
本発明に係る電界効果トランジスタは、基板の上のゲート電極形成領域の上に形成された第1下部ゲート電極と、第1下部ゲート電極の上に接触して形成された第2下部ゲート電極と、第2下部ゲート電極の上に交差して配置され、第2下部ゲート電極との交差部の側面が第1絶縁層で被覆された半導体ナノワイアと、半導体ナノワイアを配置した基板のゲート電極形成領域の上に、半導体ナノワイアに第1絶縁層を介して交差して第1下部ゲート電極に重なる状態に形成された上部ゲート電極と、第2下部ゲート電極が形成されている領域を挟む状態に半導体ナノワイアの両端部に各々接続して形成されたソース電極およびドレイン電極と、ソース電極およびドレイン電極の上に形成された第2絶縁層および第3絶縁層とを少なくとも備え、第2下部ゲート電極のゲート長方向の長さは、ソース電極とドレイン電極との間隔より短く形成され、第1下部ゲート電極および上部ゲート電極のゲート長方向の長さは、ソース電極とドレイン電極との間隔より長く形成されている。なお、上部ゲート電極は、ソース電極とドレイン電極との間の半導体ナノワイアの側部周面を、第1絶縁層を介して被覆する状態に形成されているとよい。
上記電界効果トランジスタにおいて、ソース電極およびドレイン電極と半導体ナノワイアとの間に、ソース電極およびドレイン電極を構成する電極材料と半導体ナノワイアを構成する半導体との混晶から構成された混晶領域を備えるようにしてもよい。
また、本発明に係る電界効果トランジスタの製造方法は、半導体ナノワイアを形成する工程と、半導体ナノワイアの側面を覆う第1絶縁層を形成して第1絶縁層で被覆された被覆ナノワイアを形成する工程と、基板の上のゲート電極形成領域の上に第1下部ゲート電極および第1下部ゲート電極の上面に接触する第2下部ゲート電極を形成する工程と、第2下部ゲート電極の上に被覆ナノワイアを交差させて配置する工程と、被覆ナノワイアの両端部の第1絶縁層を除去する工程と、第1絶縁層を除去することで露出した半導体ナノワイアの両端部に各々接続されたソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、ソース電極およびドレイン電極の上に第2絶縁層および第3絶縁層を形成する工程と、被覆ナノワイアを配置した基板のゲート電極形成領域の上に、被覆ナノワイアに交差して第1下部ゲート電極に重なる上部ゲート電極を形成する工程とを少なくとも備え、第2下部ゲート電極のゲート長方向の長さは、ソース電極とドレイン電極との間隔より短く形成し、第1下部ゲート電極および上部ゲート電極のゲート長方向の長さは、ソース電極とドレイン電極との間隔より長く形成する。なお、上部ゲート電極は、ソース電極とドレイン電極との間の半導体ナノワイアの側部周面を、第1絶縁層を介して被覆する状態に形成すればよい。
上記電界効果トランジスタの製造方法において、ソース電極およびドレイン電極を形成した後で加熱処理を行い、ソース電極およびドレイン電極と半導体ナノワイアの界面に混晶領域を形成する工程を備えるようにしてもよい。混晶領域は、ソース電極およびドレイン電極を構成する電極材料と半導体ナノワイアを構成する半導体との混晶から構成されている。
以上説明したことにより、本発明によれば、ナノワイアを用いたFETの相互コンダクタンスやON電流の低下が抑制できるようになるという優れた効果が得られる。
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。図1A〜図1Oは、本発明の実施の形態における電界効果トランジスタの製造方法を説明するための各工程における状態を示す構成図である。図1A,図1C,図1E,図1F,図1G,図1H,図1I,図1Jは、斜視図であり、図1B,図1D,図1K,図1L,図1M,図1N,図1Oは、一部断面図である。
まず、図1Aに示すように、半導体ナノワイア101を形成する。例えば、InAsからなる成長基板151の上に、径が数10nmのAuなどの金属微粒子触媒(不図示)を配置し、ここに、トリメチルインジウム(TMIn)およびアルシン(AsH3)を供給し、VLS(Vapor-liquid-solid)法などを用いることで、InAsからなる半導体ナノワイア101が形成できる(非特許文献3参照)。また、金属微粒子触媒を使用することなく、パターニングした酸化膜を用いて選択成長を行うなど、別の手法を用いて半導体ナノワイアを形成してもよい(非特許文献1参照)。
次に、図1Bに示すように、半導体ナノワイア101の側面(周面)を覆う絶縁層(第1絶縁層)102を形成して絶縁層102で被覆された被覆ナノワイア103を形成する。例えば、前述したように、成長基板151にInAsからなる半導体ナノワイア101が形成されている状態で、原子層堆積(Atomic Layer Deposition:ALD)法を用い、ゲート特性の向上に適した高誘電率を有するAl2O3、HfO2などの絶縁層102を、半導体ナノワイア101を覆って形成すればよい。
よく知られているように、ALD法は、原料となる有機化合物の1分子層を形成対象の表面に吸着させることによる成膜方法であり、均一な厚さの層を三次元形状の表面に形成することが可能である。このALD法によれば、半導体ナノワイア101の全ての側面に絶縁層102を形成することが容易である。なお、ALD法に限るものではなく、スパッタ法を用いることで、半導体ナノワイア101の側面を覆う状態に絶縁層102を形成することも可能である。
次に、図1Cおよび図1Dに示すように、基板121の上のゲート電極形成領域の上に第1下部ゲート電極122aおよび第2下部ゲート電極122bを形成する。なお、図1Dは、図1のdd線の断面を示している。第1下部ゲート電極122aおよび第2下部ゲート電極122bは、一方向に延在する短冊状に形成すればよい。図1Cでは、第2下部ゲート電極122bとともに、第2下部ゲート電極122bに接続する端子123を同時に形成した状態を示している。基板121は、例えば、表面に酸化シリコンなどの絶縁膜が形成されたシリコン基板を用いればよい。基板121は、必ずしも導電性を備えている必要はない。
ここで、第2下部ゲート電極122bは、第1下部ゲート電極122aの上に接して形成する。また、第1下部ゲート電極122aのゲート長方向の長さは、第2下部ゲート電極122bのゲート長方向の長さより長く形成する。第1下部ゲート電極122aのゲート長方向の長さは、後述するソース・ドレイン間より長く形成し、ゲート長方向の両端が、ソース領域およびドレイン領域に重なる状態とすることが重要である。ここで、ゲート長方向とは、よく知られているように、ソースとドレインとが配列されている方向のことである。なお、第2下部ゲート電極122bのゲート長方向の長さは、後述するソース・ドレイン間より短く形成し、ソース領域およびドレイン領域には重ならない状態とする。また、第1下部ゲート電極122aの第2下部ゲート電極122bよりはみ出ている領域は、絶縁層121aにより覆われた状態に形成する。
第1下部ゲート電極122aおよび第2下部ゲート電極122bの形成は、公知のリソグラフィー技術とリフトオフとにより行えばよい。例えば、基板121の上に、電子ビーム露光により電極形成部に開口を備えるレジストパターンを形成し、この上に、層厚10nm程度にTi層およびAu層を堆積する。この後、先に形成してあるレジストパターンを除去すれば、第1下部ゲート電極122aが形成できる。
ここで、ゲート電極形成領域との相対的な位置関係が既知の合わせマーク(不図示)を、基板121に形成しておき、この合わせマークを基準とし、基板121の平面上で設計された箇所(ゲート電極形成領域)に、上述したレジストパターンを形成すればよい。このようにすることで、ゲート電極形成領域に合わせて第1下部ゲート電極122aが形成できる。これは、リソグラフィー技術の露光において、一般に用いられている方法である。第2下部ゲート電極122bおよび端子123の形成においても同様である。また、絶縁層121aは、例えば、酸化シリコンをよく知られたCVD法により堆積することで形成できる。
次に、図1Eに示すように、第2下部ゲート電極122bの上に被覆ナノワイア103を交差させて配置する。例えば、被覆ナノワイア103が形成されている成長基板151を、第2下部ゲート電極122bが形成されている基板121に押し付け、成長基板151上の被覆ナノワイア103を、基板121に転写することで、被覆ナノワイア103を基板121の上に配置すればよい。また、複数の被覆ナノワイア103を成長基板151より分離し、これらをアルコールなどの溶媒中に入れ、ここに超音波を印加することで分散させた分散液を作製し、この分散液を基板121に滴下し、溶媒を蒸発させることで、被覆ナノワイア103を基板121の上に配置してもよい。このように基板121の上に配置した複数の被覆ナノワイア103のいずれかが、第2下部ゲート電極122bの上に交差して配置されるようになる。なお、図1Eでは、基板121の上の他の領域に配置されているナノワイアについては省略して図示していない。
次に、図1Fに示すように、被覆ナノワイア103の両端部の絶縁層102を除去し、半導体ナノワイア101を露出させる。露出させる領域以外を覆うレジストパターンを基板121の上に形成し、この状態で、被覆ナノワイア103の両端部の絶縁層102をエッチング除去すればよい。例えば、アルカリ性のエッチング液を用いることで、Al2O3からなる絶縁層102を選択的にエッチングできる。また、アルゴンイオンスパッタリングなどのドライエッチングにより絶縁層102を除去してもよい。
次に、図1Gに示すように、絶縁層102を除去することで露出した半導体ナノワイア101の両端部にソース電極125およびドレイン電極126を接続(オーミックコンタクト)して形成する。例えば、上述した一部の絶縁層102の除去に用いたレジストパターンを除去せずに、この上より金属材料としてAlを蒸着し、この後、レジストパターンをリフトオフすれば、ソース電極125およびドレイン電極126が形成できる。
次に、図1Hに示すように、ソース電極125およびドレイン電極126の表面に絶縁層(第2絶縁層)127,絶縁層(第3絶縁層)128を形成する。例えば、ソース電極125およびドレイン電極126の表面を酸化することで、Al2O3からなる絶縁層127および絶縁層128を形成すればよい。このようにして絶縁層127,絶縁層128を形成した後、一部の第1下部ゲート電極122aに到達する開口131を、絶縁層121aに形成する。開口131は、被覆ナノワイア103の両脇の領域、かつ、絶縁層127が形成されているソース電極125と第2下部ゲート電極122bの間、かつ絶縁層128が形成されているドレイン電極126と第2下部ゲート電極122bの間に形成する。
例えば、CHF3ガスを用いたリアクティブイオンエッチングにより、酸化シリコンからなる絶縁層121aを選択的にエッチングすることで、開口131を形成すればよい。被覆ナノワイア103の側およびソース電極125,ドレイン電極126の側は、上述した処理ではエッチングされないAl2O3で覆われており、この領域では、自己整合的に開口131が形成される。
次に、図1I,図1Jに示すように、被覆ナノワイア103を配置した基板121のゲート電極形成領域の上に、被覆ナノワイア103に交差して第1下部ゲート電極122aに重なる上部ゲート電極124を形成する。図1Mの断面図に示すように、上部ゲート電極124は、ゲート長方向の長さをソース電極125とドレイン電極126との間隔より長く形成することが重要である。なお、図1Mは、図1Jのll線の断面を示している。
このように形成することで、上部ゲート電極124のゲート長方向の両端部は、ソース電極125,ドレイン電極126の領域に、絶縁層127,絶縁層128を介して重なって形成されることになる。ソース電極125,ドレイン電極126は、絶縁層127,絶縁層128により覆われているので、上述したように重なっても、ソース電極125,ドレイン電極126と上部ゲート電極124とは絶縁分離した状態が維持される。このように上部ゲート電極124を形成することで、半導体ナノワイア101は、ソース電極125およびドレイン電極126の間の全域が、ゲート電極を構成する材料で覆われた状態となる。
この後、例えば赤外線高速加熱炉を用いて不活性ガス雰囲気中で250℃から300℃程度の温度で1分ほど熱処理を追加することにより、図1Nに示すように、ソース電極125と半導体ナノワイア101との間に混晶領域129を形成し、ドレイン電極126と半導体ナノワイア101との間に混晶領域130を形成する。混晶領域129,130は、ソース電極125およびドレイン電極126を構成する電極材料と、半導体ナノワイア101を構成する半導体との混晶から構成されている。混晶領域129,混晶領域130は、高抵抗な領域となる。なお、図1Nは、図1Jのll線の断面を示している。
ただし、半導体ナノワイア101を構成する材料がInAsであり、ソース電極125およびドレイン電極126の電極材料がAlの場合は、高抵抗な混晶InAlAsによる混晶領域129,混晶領域130が形成されるが、材料の組み合わせによっては、必ずしも高抵抗にはならない。ここで、混晶領域129,混晶領域130は、形成される混晶領域129,混晶領域130は、形成されるFETのON電流を著しく低下させない程度に、高抵抗な薄い混晶層とすればよい。また、混晶領域129,混晶領域130の形成(熱処理)は、少なくともソース電極125,ドレイン電極126が形成された後で行えばよい。また、混晶領域129,混晶領域130は、形成しなくてもよい。
ところで、図1Kの断面図に示すように、第2下部ゲート電極122bおよび上部ゲート電極124に対して被覆ナノワイア103が交差する交差領域では、半導体ナノワイア101の側部周面が絶縁層102で覆われている。なお、図1Kは、図1Jのjj線の断面を示している。従って、ソース電極125とドレイン電極126との間において、第2下部ゲート電極122bおよび上部ゲート電極124は、絶縁層102を介して半導体ナノワイア101と交差している。
また、図1Lの断面図に示すように、上部ゲート電極124は、絶縁層121aに形成した開口131を介し、第1下部ゲート電極122aと接触している。なお、図1Lは、図1Jのkk線の断面を示している。上部ゲート電極124は、一部の第2下部ゲート電極122bの上面と接触して形成されており、図1Oの断面図に示すように、上部ゲート電極124は、第1下部ゲート電極122aおよび第2下部ゲート電極122bの両者に接触して形成されている。なお、図1Oは、図1Jのmm線の断面を示している。
以上の製造過程により、第1下部ゲート電極122a,第2下部ゲート電極122b,および上部ゲート電極124よりなる単一のゲート電極を、半導体ナノワイア101に対してGAA構造とした横型のFETが得られる。また、半導体ナノワイア101を取り巻くように形成されるゲート電極は、ソース・ドレイン間の領域で、全ての半導体ナノワイア101を覆うように形成される。
また、図2に示すように、ソース接続端子141およびドレイン接続端子142を予め形成しておくとよい。このFETは、第1下部ゲート電極(不図示),第2下部ゲート電極(不図示),端子123,ソース接続端子141,およびドレイン接続端子142を形成した基板121(絶縁層121a)の上に、半導体ナノワイアを転写し、上述した方法により製造している。ソース接続端子141およびドレイン接続端子142は、Ti/Auなどの材料から構成すればよい。
例えば、ソース電極125およびドレイン電極126の形成時に、Alなどの金属材料を、ソース接続端子141の配線部およびドレイン接続端子142の配線部にまたがるように蒸着し、この金属膜をパターニングしてソース電極125およびドレイン電極126を形成すればよい。このようにすることで、ソース電極125は、この下部がソース接続端子141の配線部に接触し、ドレイン電極126は、この下部がドレイン接続端子142の配線部に接触して形成されることになる。この結果、ソース電極125,ドレイン電極126の表面を酸化しても、ソース電極125はソース接続端子141に接続し、ドレイン電極126はドレイン接続端子142に接続した状態が維持される。
上述した実施の形態によるFETは、基板121の上のゲート電極形成領域の上に形成された第1下部ゲート電極122aと、第1下部ゲート電極122aの上に接触して形成された第2下部ゲート電極122bと、第2下部ゲート電極122bの上に交差して配置され、第2下部ゲート電極122bとの交差部の側面が絶縁層102で被覆された半導体ナノワイア101と、半導体ナノワイア101を配置した基板121のゲート電極形成領域の上に、半導体ナノワイア101に絶縁層102を介して交差して第1下部ゲート電極122aに重なる状態に形成された上部ゲート電極124と、第2下部ゲート電極122bが形成されている領域を挟む状態に半導体ナノワイア101の両端部に各々接続して形成されたソース電極125およびドレイン電極126とを少なくとも備える。
加えて、このFETは、第2下部ゲート電極122bのゲート長方向の長さは、ソース電極125とドレイン電極126との間隔より短く形成され、第1下部ゲート電極122aおよび上部ゲート電極124のゲート長方向の長さは、ソース電極125とドレイン電極126との間隔より長く形成されている。また、ソース電極125およびドレイン電極126と半導体ナノワイア101との間に、ソース電極125およびドレイン電極126を構成する電極材料と半導体ナノワイア101を構成する半導体との混晶から構成された混晶領域129,混晶領域130を備える。
このFETでは、ソース・ドレイン電極間に一定のドレイン電圧を印加してドレイン電流を流しておき、ゲート電極にゲート電圧を印加することにより、ドレイン電流を変調するFET動作が可能となる。ゲート電極をGAA構造にしているため、ドレイン電流が0に近づくピンチオフ領域近傍で、ゲート電圧の変化に対して急峻にドレイン電流が変化する。
加えて、本実施の形態によれば、熱処理によって形成された高抵抗な混晶領域129,混晶領域130を備えるようにしたので、これらの働きにより、熱処理前よりも更に急峻にドレイン電流が変化する。
また、チャネル形成領域の全域において、半導体ナノワイアの周囲が金属で覆われており、移動度低下の原因となるイオン化不純物散乱が抑制されるため、ソース・ドレイン電極間にドレイン電圧を印加することによって流れるドレイン電流は、従来の構造よりも大きな値をとることが可能となる。また、チャネル全体がゲート電極で覆われていて直列寄生抵抗成分が発生しないため、相互コンダクタンスの低下も起こらない。特に、上述した移動度の増大と相俟って、電流が増加する側にゲート電圧をバイアスした際には従来の構造よりも大幅にドレイン電流が増大する。
本実施の形態により作製した実際のFETについて説明する。図3は、実際に作製したFETを走査電子顕微鏡で観察した写真である。図3に示すように、ナノワイア301と交差して上部ゲート電極302が形成され、また、上部ゲート電極302のゲート長方向の長さは、ソース電極303およびドレイン電極304の間隔より長く形成されている。
このFETについてドレイン電流のゲート電圧依存性(転送特性)を測定すると、図4Aに示すように変化した。図4Aに示されているように、非特許文献1および非特許文献2に示されたFETに比較して、本実施の形態によるFETでは、ゲート電圧が正の領域で一桁以上大きな電流が流れている。
このFETについて熱処理前後でドレイン電流のゲート電圧依存性(転送特性)を測定したものを比較すると、図4Bに示すように熱処理前(b)に比べ、熱処理後(a)においてはS値がより小さくなり、非特許文献4と同様の効果が確認された。このように、熱処理により、オフ特性が向上している。
図4Cは、図4Bに示した熱処理後のFETのソース・ドレイン電極部におけるナノワイアに垂直な断面をTEM分析した結果を示す写真である。破線はもともとのナノワイアの形状である。しかしながら、アルゴンイオンドライエッチングにより、よりくらい色の箇所に示されているように、ナノワイアの断面形状は三角形状になっている。ここで、図4Cの写真に示すように、InAsナノワイアとAl電極の界面にInAlAs混晶と思われる灰色の層が見えている。なお、図中点線で示すEDS組成分析箇所については、以下に説明する。
図4Dは、図4Cの点線に沿って調べたEDS組成分析結果を説明するための説明図である。図4Dの(a)に、図4Cの一部を拡大して示し、図4Dの(b)に組成分析結果を示す特性図を示している。図4Dの(a)の写真中に示す直線が、EDS組成分析箇所である。Al電極と接していない左側のナノワイア表面においては、In(点線)とAs(実線)のスペクトル強度が重なりながら変化している。これに対し、右側のAl電極との界面においては、AsよりもInの強度が先に低下すると同時にAl(破線)の強度が増大している。これらのことから、ナノワイアとAl電極との間の灰色の領域には、連続的にAlの含有率が変化しているInAlAs混晶が形成されていると考えられる。
以上に説明したように、本発明によれば、まず、GAA構造としているため、相互コンダクタンスやS値などの特性が優れている。加えて、本発明によれば、半導体ナノワイアのチャネルとなる全域がゲート金属で覆われているようにしたので、従来問題になっていたナノワイア表面のイオン化不純物散乱を抑制できる。
例えば、ナノワイア材料としてよく用いられるInAsのナノワイアFETにおいては、ゲート電極構造によらずバルクのInAsよりも移動度が大幅に低下するという問題があった。これは、ナノワイアにおいては表面/体積比が大きく、特にInAsは表面に電子が局在する傾向があり、表面の不純物散乱を大きく受けるためと理解されている。本発明によれば、このイオン化不純物散乱が抑制できるので、InAsなどの材料を用いる場合であっても、高移動度が実現可能で、かつ寄生抵抗成分がないことから、大きなON電流を実現できる。
また、「GAA FET」構造になっていても、実際には界面準位などの影響によって理想的な値(室温で60 mV/dec)よりも大幅にS値が大きくなってしまい、ON/OFF比の劣化を招いていた。これに対し、前述したように、熱処理により高抵抗な混晶の領域を形成することで、OFF特性も改善できるようになる。
ここで、第1下部ゲート電極および第2下部ゲート電極の他の作製例について説明する。例えば、図5Aに示すように、基板121の上に、金属パターン122を形成する。金属パターン122は、基板121の上に金属膜を蒸着することで形成した後、この金属膜を公知のリソグラフィー技術およびエッチング技術によりパターニングすることで形成すればよい。ここで、金属パターン122は、ゲート長方向の長さを、この後に形成するソース電極およびドレイン電極の間隔より長く形成しておく。
次に、膜厚方向に途中まで、金属パターン122の一部をエッチング除去し、図5Bに示すように、第1下部ゲート電極122aおよび第2下部ゲート電極122bを形成する。この後、酸化シリコンをスパッタ法により堆積することなどにより、第2下部ゲート電極122bの上面が露出して平坦化された状態に、絶縁層121aを形成する。
また、次に示すように、第1下部ゲート電極および第2下部ゲート電極を形成してもよい。まず、図6Aに示すように、基板121の上に、第1下部ゲート電極122aを形成する。第1下部ゲート電極122aは、第1下部ゲート電極122a形成領域に開口を有するレジストパターンを基板121の上に形成し、この上から蒸着することで金属膜を形成した後、上記レジストパターンをリフトオフすることで形成すればよい。ここで、第1下部ゲート電極122aは、ゲート長方向の長さを、この後に形成するソース電極およびドレイン電極の間隔より長く形成する。
次に、図6Bに示すように、第1下部ゲート電極122aの上に第2下部ゲート電極122bを形成する。第2下部ゲート電極122bの形成においても、基板121および第1下部ゲート電極122aの上に第2下部ゲート電極122b形成領域に開口を有するレジストパターンを形成し、この上から蒸着することで金属膜を形成した後、上記レジストパターンをリフトオフすることで形成すればよい。この後、酸化シリコンをスパッタ法により堆積することなどにより、第2下部ゲート電極122bの上面が露出して平坦化された状態に、絶縁層121aを形成する。
また、以下に示すように、第1下部ゲート電極および第2下部ゲート電極を形成してもよい。まず、図7Aに示すように、基板121の上に、第1下部ゲート電極122aを形成する。第1下部ゲート電極122aは、第1下部ゲート電極122a形成領域に開口を有するレジストパターンを基板121の上に形成し、この上から蒸着することで金属膜を形成した後、上記レジストパターンをリフトオフすることで形成すればよい。ここで、第1下部ゲート電極122aは、ゲート長方向の長さを、この後に形成するソース電極およびドレイン電極の間隔より長く形成する。
次に、図7Bに示すように、酸化シリコンをCVD法などで堆積することにより、第1下部ゲート電極122aを覆って表面が平坦化された状態に、絶縁層121aを形成する。次に、図7Cに示すように、第2下部ゲート電極122bが形成される領域の絶縁層121aに、開口領域601を形成する。公知のフォトリソグラフィー技術により形成したレジストパターンをマスクとし、選択的に絶縁層121aを形成すれば、開口領域601が形成できる。
この後、開口領域601に開口部を備えるレジストパターンを絶縁層121aの上に形成し、この上から蒸着することで金属膜を形成した後、上記レジストパターンをリフトオフすることで、図7Dに示すように、開口領域601において、第1下部ゲート電極122aの上に配置された第2下部ゲート電極122bが形成できる。
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、ゲート電極の形成において、蒸着法に限るものではなく、スパッタ法により電極材料を堆積するようにしてもよい。
また、下部ゲート電極と上部ゲート電極とは、同じ材料から構成してもよく、異なる材料から構成してもよい。また、上述した実施の形態では、半導体ナノワイアとしてInAsを用いるようにしたが、これに限るものではない。上述した本発明による効果は、ナノワイアおよびGAA構造とした形状に起因するものであり、他の半導体を用いるようにしても同様である。また、半導体ナノワイアを成長させる基板は、InAsに限るものではなく、GaP,Siなど他の材料から構成してもよい。
101…半導体ナノワイア、102…絶縁層(第1絶縁層)、103…被覆ナノワイア、121…基板、121a…絶縁層、122a…第1下部ゲート電極、122b…第2下部ゲート電極、123…端子、124…上部ゲート電極、125…ソース電極、126…ドレイン電極、127…絶縁層(第2絶縁層)、128…絶縁層(第3絶縁層)、129,130…混晶領域、131…開口、141…ソース接続端子、142…ドレイン接続端子、151…成長基板。
Claims (6)
- 半導体ナノワイアを形成する工程と、
前記半導体ナノワイアの側面を覆う第1絶縁層を形成して前記第1絶縁層で被覆された被覆ナノワイアを形成する工程と、
基板の上のゲート電極形成領域の上に第1下部ゲート電極および前記第1下部ゲート電極の上面に接触する第2下部ゲート電極を形成する工程と、
前記第2下部ゲート電極の上に前記被覆ナノワイアを交差させて配置する工程と、
前記被覆ナノワイアの両端部の前記第1絶縁層を除去する工程と、
前記第1絶縁層を除去することで露出した前記半導体ナノワイアの両端部に各々接続されたソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に第2絶縁層および第3絶縁層を形成する工程と、
前記被覆ナノワイアを配置した前記基板の前記ゲート電極形成領域の上に、前記被覆ナノワイアに交差して前記第1下部ゲート電極に重なる上部ゲート電極を形成する工程と
を少なくとも備え、
前記第2下部ゲート電極のゲート長方向の長さは、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隔より短く形成し、
前記第1下部ゲート電極および前記上部ゲート電極のゲート長方向の長さは、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隔より長く形成することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 - 請求項1記載の電界効果トランジスタの製造方法において、
前記上部ゲート電極は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記半導体ナノワイアの側部周面を前記第1絶縁層を介して被覆する状態に形成することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 - 請求項1または2記載の電界効果トランジスタの製造方法において、
前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成した後で加熱処理を行い、前記ソース電極および前記ドレイン電極と前記半導体ナノワイアの界面に混晶領域を形成する工程を備え、
前記混晶領域は、前記ソース電極および前記ドレイン電極を構成する電極材料と前記半導体ナノワイアを構成する半導体との混晶から構成されていることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 - 基板の上のゲート電極形成領域の上に形成された第1下部ゲート電極と、
前記第1下部ゲート電極の上に接触して形成された第2下部ゲート電極と、
前記第2下部ゲート電極の上に交差して配置され、前記第2下部ゲート電極との交差部の側面が第1絶縁層で被覆された半導体ナノワイアと、
前記半導体ナノワイアを配置した前記基板の前記ゲート電極形成領域の上に、前記半導体ナノワイアに前記第1絶縁層を介して交差して前記第1下部ゲート電極に重なる状態に形成された上部ゲート電極と、
前記第2下部ゲート電極が形成されている領域を挟む状態に前記半導体ナノワイアの両端部に各々接続して形成されたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の上に形成された第2絶縁層および第3絶縁層と
を少なくとも備え、
前記第2下部ゲート電極のゲート長方向の長さは、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隔より短く形成され、
前記第1下部ゲート電極および前記上部ゲート電極のゲート長方向の長さは、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間隔より長く形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項4記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記上部ゲート電極は、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の前記半導体ナノワイアの側部周面を前記第1絶縁層を介して被覆する状態に形成されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 請求項4または5記載の電界効果トランジスタにおいて、
前記ソース電極および前記ドレイン電極と前記半導体ナノワイアとの間に前記ソース電極および前記ドレイン電極を構成する電極材料と前記半導体ナノワイアを構成する半導体との混晶から構成された混晶領域を備えることを特徴とする電界効果トランジスタ。
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