JP5156446B2 - 気相成長装置用サセプタ - Google Patents
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Description
前記ウェーハポケットは底面と同底面の外周に形成されウェーハを支持する支持面と同支持面の外周に形成されサセプタ表面に延びる側面と
前記底面の最外周に一列形成され且つ前記底面に向かって拡開する傾斜面を有する環状溝と同環状溝から前記サセプタの裏面に貫通して延び、開口面積が2.0〜3.0mm2、前記底面に対する開口率が0.25〜0.5%の複数のガス抜き孔とを有することを特徴とする気相成長装置用サセプタである。
図1は、シリコンウェーハW(以下、単にウェーハWとも言う)の表面にエピタキシャル膜を成長させる枚葉式気相成長装置1を示す模式的断面図であり、ドーム取付体5に上側ドーム3と下側ドーム4とを取り付けてなるエピタキシャル膜形成室2を有する。この上側ドーム3および下側ドーム4は石英等の透明な材料からなり、装置1の上方および下方に複数配置された加熱源であるハロゲンランプ6a,6bによりサセプタ10およびウェーハWが加熱される。
図4(A)は、本発明の他の実施形態を示す半断面図、図4(B)は環状溝105を示す拡大平面図である。
図2に示す構造のサセプタについて、口径300mmのシリコンウェーハを載置できるように、底面の直径を297mm、ガス抜き孔のサイズを縦2.5×横0.8mm(開口面積を2.0mm2)、ガス抜き孔の開口率を0.25%とした。
実施例1においてガス抜き孔の開口率を0.5%としたこと以外は実施例1と同じ条件でサセプタを作製し、このサセプタに口径300mmのシリコンウェーハを、ウェーハ下面をピンで支持して当該ピンを降下させ、サセプタ10の上部からウェーハポケット101に載置させ、ウェーハの中心とウェーハポケットの中心とのズレ量を測定した。
実施例1においてガス抜き孔の開口面積を3.0mm2としたこと以外は実施例1と同じ条件でサセプタを作製し、このサセプタに口径300mmのシリコンウェーハを、ウェーハ下面をピンで支持して当該ピンを降下させ、サセプタ10の上部からウェーハポケット101に載置させ、ウェーハの中心とウェーハポケットの中心とのズレ量を測定した。
実施例1においてガス抜き孔の開口面積を3.0mm2、ガス抜き孔の開口率を0.5%としたこと以外は実施例1と同じ条件でサセプタを作製し、このサセプタに口径300mmのシリコンウェーハを、ウェーハ下面をピンで支持して当該ピンを降下させ、サセプタ10の上部からウェーハポケット101に載置させ、ウェーハの中心とウェーハポケットの中心とのズレ量を測定した。
サセプタの底面にガス抜き孔を形成しなかったこと以外は実施例1と同じ条件でサセプタを作製し、このサセプタに口径300mmのシリコンウェーハを、ウェーハ下面をピンで支持して当該ピンを降下させ、サセプタ10の上部からウェーハポケット101に載置させ、ウェーハの中心とウェーハポケットの中心とのズレ量を測定した。
実施例1においてガス抜き孔の底面に対する開口率を0.1%としたこと以外は実施例1と同じ条件でサセプタを作製し、このサセプタに口径300mmのシリコンウェーハを、ウェーハ下面をピンで支持して当該ピンを降下させ、サセプタ10の上部からウェーハポケット101に載置させ、ウェーハの中心とウェーハポケットの中心とのズレ量を測定した。
実施例1においてガス抜き孔の底面に対する開口率を0.8%としたこと以外は実施例1と同じ条件でサセプタを作製し、このサセプタに口径300mmのシリコンウェーハを、ウェーハ下面をピンで支持して当該ピンを降下させ、サセプタ10の上部からウェーハポケット101に載置させ、ウェーハの中心とウェーハポケットの中心とのズレ量を測定した。
実施例1においてガス抜き孔の開口面積を1.0mm2としたこと以外は実施例1と同じ条件でサセプタを作製し、このサセプタに口径300mmのシリコンウェーハを、ウェーハ下面をピンで支持して当該ピンを降下させ、サセプタ10の上部からウェーハポケット101に載置させ、ウェーハの中心とウェーハポケットの中心とのズレ量を測定した。
実施例1においてガス抜き孔の開口面積を4.0mm2とし、ガス抜き孔の底面に対する開口率を0.8%としたこと以外は実施例1と同じ条件でサセプタを作製し、このサセプタに口径300mmのシリコンウェーハを、ウェーハ下面をピンで支持して当該ピンを降下させ、サセプタ10の上部からウェーハポケット101に載置させ、ウェーハの中心とウェーハポケットの中心とのズレ量を測定した。
実施例1においてガス抜き孔の開口面積を217mm2、ガス抜き孔の底面に対する開口率を5%としたこと以外は実施例1と同じ条件でサセプタを作製し、このサセプタに口径300mmのシリコンウェーハを、ウェーハ下面をピンで支持して当該ピンを降下させ、サセプタ10の上部からウェーハポケット101に載置させ、ウェーハの中心とウェーハポケットの中心とのズレ量を測定した。
実施例1においてガス抜き孔の開口面積を433mm2、ガス抜き孔の底面に対する開口率を10%としたこと以外は実施例1と同じ条件でサセプタを作製し、このサセプタに口径300mmのシリコンウェーハを、ウェーハ下面をピンで支持して当該ピンを降下させ、サセプタ10の上部からウェーハポケット101に載置させ、ウェーハの中心とウェーハポケットの中心とのズレ量を測定した。
実施例1〜4の結果から、ガス抜き孔10の開口面積を2.0〜3.0mm2、ガス抜き孔106の開口面積の総和を底面104の面積の0.25〜0.5%とすると、口径300mmのシリコンウェーハを、ウェーハ下面をピンで支持して当該ピンを降下させ、サセプタ10の上部からウェーハポケット101に載置させた際に、ウェーハの中心とウェーハポケットの中心とのズレ量が限りなくゼロに近いことが確認された。
W1…ウェーハ外周部
W2…ウェーハ裏面
10…サセプタ
101…ウェーハポケット
102…支持面
103…側面
104…底面
105…環状溝
105a…傾斜面
105b…底部
106…ガス抜き孔
Claims (7)
- 表面から内部に向かって窪み、シリコンウェーハを載置するウェーハポケットが形成されたサセプタにおいて、
前記ウェーハポケットは、
底面と、
前記底面の外周に形成されウェーハを支持する支持面と、
前記支持面の外周に形成されサセプタ表面に延びる側面と、
前記底面の最外周に一列に形成され且つ前記底面に向かって拡開する傾斜面を有する環状溝と、
前記環状溝から前記サセプタの裏面に貫通して延び、開口面積が2.0〜3.0mm2、前記底面に対する開口率が0.25〜0.5%の複数のガス抜き孔と、を有することを特徴とする気相成長装置用サセプタ。 - 請求項1に記載の気相成長装置用サセプタにおいて、
前記傾斜面は、前記環状溝に形成された前記ガス抜き孔の外周側及び内周側の両側に形成されていることを特徴とする気相成長装置用サセプタ。 - 請求項1に記載の気相成長装置用サセプタにおいて、
前記傾斜面は、前記環状溝に形成された前記ガス抜き孔の内周側にのみ形成され、前記ガス抜き孔は前記底面の最外周に形成されていることを特徴とする気相成長装置用サセプタ。 - 請求項3に記載の気相成長装置用サセプタにおいて、
前記環状溝は、前記傾斜面の上端に縦壁面を有することを特徴とする気相成長装置用サセプタ。 - 請求項1〜4のいずれか一項に記載の気相成長装置用サセプタにおいて、
前記ガス抜き孔は、前記サセプタの表面側の開口が裏面の開口に対して前記サセプタの回転方向前側に位置するように、傾斜して形成されていることを特徴とする気相成長装置用サセプタ。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の気相成長装置用サセプタにおいて、
前記シリコンウェーハの口径は300mm以上であることを特徴とする気相成長装置用サセプタ。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の気相成長装置用サセプタにおいて、
前記支持面は、前記底面の最外周縁と前記側面の下端縁を結ぶ段部からなることを特徴とする気相成長装置用サセプタ。
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