JP5145534B2 - 蛍光体とその製造方法および照明器具 - Google Patents

蛍光体とその製造方法および照明器具 Download PDF

Info

Publication number
JP5145534B2
JP5145534B2 JP2007523983A JP2007523983A JP5145534B2 JP 5145534 B2 JP5145534 B2 JP 5145534B2 JP 2007523983 A JP2007523983 A JP 2007523983A JP 2007523983 A JP2007523983 A JP 2007523983A JP 5145534 B2 JP5145534 B2 JP 5145534B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
light
wavelength
sialon
excitation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007523983A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2007004493A1 (ja
Inventor
尚登 広崎
栄軍 解
護 三友
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute for Materials Science
Original Assignee
National Institute for Materials Science
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute for Materials Science filed Critical National Institute for Materials Science
Priority to JP2007523983A priority Critical patent/JP5145534B2/ja
Publication of JPWO2007004493A1 publication Critical patent/JPWO2007004493A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5145534B2 publication Critical patent/JP5145534B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/57Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing manganese or rhenium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/64Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing aluminium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77348Silicon Aluminium Nitrides or Silicon Aluminium Oxynitrides
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Description

本発明は、無機化合物を主体とする蛍光体とその製造方法および用途に関する。さらに詳細には、該用途は、該蛍光体の有する性質、すなわち530nmから580nmの長波長の蛍光を発光する特性を利用した照明器具、画像表示装置の発光器具に関する。
蛍光体は、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)、白色発光ダイオード(LED)などに用いられている。これらのいずれの用途においても、蛍光体を発光させるためには、蛍光体を励起するためのエネルギーを蛍光体に供給する必要があり、蛍光体は真空紫外線、紫外線、電子線、青色光などの高いエネルギーを有した励起源により励起されて、可視光線を発する。しかしながら、蛍光体は前記のような励起源に曝される結果、長期間の使用中に蛍光体の輝度が低下するという問題があり、輝度低下のない蛍光体が求められている。
防災照明若しくは信号灯などの信頼性が要求される分野、車載照明や携帯電話のバックライトのように小型軽量化が望まれる分野、また、駅の行き先案内板のように視認性が必要とされる分野などには、白色LEDが用いられてきている。この白色LEDの発光色、すなわち白色光は光の混色により得られるものであり、発光源である波長430〜480nmの青色LEDが発する青色光と、蛍光体が発する黄色光とが混合したものである。このような白色LEDに適当な蛍光体は、発光源である前記の青色LEDチップの表面に微量配置される。したがって、この用途には青色LEDの照射で黄色光を発光する蛍光体が求められている。さらに、デバイスを使う使用環境の温度変化による発光色の変動を小さくする観点から、蛍光体においても温度変化による発光輝度の変動が小さい材料が求められている。
青色LEDの照射で黄色光を発光する材料としては、酸化物であるガーネット((Y,Gd)(Al,Ga)12:Ce、以下YAG:Ceと記す)が知られている。この蛍光体は、Y・Al−ガーネットのY位置を一部Gdで、Al位置を一部Gaで置換すると同時に、光学活性イオンであるCe3+をドープしたものである(非特許文献1)。この蛍光体は高効率な蛍光体として知られているが、温度が上昇すると発光輝度が低下するため、白色LEDなどに用いる場合はデバイスの発光色が温度により変動するという問題がある。
発光の温度変動が小さい黄色蛍光体としてα型サイアロンを母体結晶とする蛍光体が提案されている。α型サイアロンは、α型のSi34結晶の格子間にLi、Ca、Mg、Yまたはランタニド金属が侵入し、侵入型固溶体を形成した結晶である。α型Si34の結晶構造の単位格子間には直径約0.1nmの大きな空間が2個ある。その空間に金属が固溶するとその構造が安定化される。従って金属元素Mを含有するα型サイアロンの一般式は、
(Si12−(m+n)Alm+n)(O16−n
で示される。ここで、xはα型Si単位格子に含まれるMの原子数である。また、m値はα型Si構造のSi−N結合を置換するAl−N結合の数に相当するもので、m=δx(ただし、δは金属Mの価数)の関係にある。n値はSi−N結合を置換するAl−O結合の数である。この格子置換と金属の侵入型固溶によって電気的に中性が保たれる。α−サイアロンでは金属−窒素の結合が主であり、窒素含有率が高い固溶体である。
α型サイアロンの格子間に固溶する安定化金属の一部を、光学的に活性である金属イオンで置換すると蛍光体となることはこの出願前において公知である(非特許文献2〜4)。本発明者の一人(三友)もCa−α−サイアロンを母材とし、Eu2+をドープした蛍光材料は、紫−青の波長領域の可視光を当てると黄色の発光をする材料となることを見出した(特許文献1、2)。
この材料は、青色LEDを励起光として照射するとその補色である黄色光を発光し、両方の光の混合によって白色LED用の蛍光体として使用できることが分かった(特許文献3)。しかしながら、これらの材料ではEu2+のα型サイアロン格子への固溶量が少なく、発光強度が十分ではないという問題が残っている。さらに、Eu2+をドープしたCa−α−サイアロンでは、450から500nmの青色光で励起されて550から600nmの黄色の光を発する蛍光体となることが報告されている。しかしながら、最も発光効率が良い組成ではその発光波長が580から600nmとなるため、450から470nmの光を放つ青色LEDを励起源とする白色LEDにおいては、混合された色が色温度が3000K程度の電球色となり、通常の照明に用いられる色温度が5000Kから6500Kの白色、昼白色、昼光色の発色は困難であった。
α型サイアロンを母体結晶とする蛍光体に関して、固溶金属や固溶量を調整する研究がなされている(特許文献4)。その中で、Li−α−サイアロンにEu2+をドープした蛍光体も開示されているが、その発光強度は実用レベルに達していなかった。これは、添加したLiとEuが少量しか格子内に固溶しないためと推定される。また、特許文献4に示されているEuを固溶したLi−α−サイアロン蛍光体の発光波長は585nmであり、青色LEDと組み合わせると電球色となり、白色(色度x=0.33,y=0.33)を得るには、580nm以下の発光波長の蛍光体が望まれていた。すなわち、Euを発光中心とするα型サイアロンにおいて、より短波長の発光を示す黄緑色の蛍光体が求められていた。
照明装置の従来技術として、青色発光ダイオード素子と青色吸収黄色発光蛍光体との組み合わせによる白色発光ダイオードが公知であり、各種照明用途に実用化されている。その代表例としては、特許第2900928号公報「発光ダイオード」(特許文献5)、特許第2927279号公報(特許文献6)「発光ダイオード」、特許第3364229号公報(特許文献7)「波長変換注型材料及びその製造方法並びに発光素子」などが例示される。これらの発光ダイオードで、特によく用いられている蛍光体は一般式(Y、Gd)(Al、Ga)12:Ce3+で表される、セリウムで付活したイットリウム・アルミニウム・ガーネット系(YAG:Ce)蛍光体である。
しかしながら、青色発光ダイオード素子とYAG:Ce系蛍光体とから成る白色発光ダイオードは、温度が上昇すると蛍光体の発光輝度が低下するため、点灯後の時間の経過とともにデバイスが暖められると青色光と黄色光のバランスが悪化して発光色が変動するという問題があった。
このような背景から、Eu2+をドープしたCa−α−サイアロンよりも短波長の黄緑色で発光し、YAG:Ce系蛍光体よりも輝度の温度変化が小さい蛍光体が求められていた。
特開2002−363554号公報 特開2003−336059号公報 特開2004−186278号公報 特開2004−67837号公報 特許第2900928号公報 特許第2927279号公報 特許第3364229号公報 向井、中村、"白色および紫外LED"、応用物理 68、 152−55(1998). J.W.H.van Krevel、"On new rare−earth doped M−Si−Al−O−N materials luminescence properties and oxidation resistance、" 学位論文、ISBN 90−386−2711−4、Eindhoven Technische Universiteit Eindhoven、2000年. J. W. H. van Krevel et al. "Long wavelength Ca3+ emission in Y−Si−O−N materials", J. Alloys and Compounds, 268, 272−277(1998)) J. W. H. van Krevel et al、 "Luminescence properties of terbium−,cerium−,or europium− dopedα−sialon materials," J. Solid State Chem. 165, 19−24 (2002). R.J.Xie et al,"Preparation and Luminescence spectra of calcium− and rare−earth (R=Eu, Tb and Pr) ?codoped α−SiAlON ceramics", J. Am. Ceram.Soc. 85, 1229−1234 (2002).
本発明はこのような要望に応えようとするものであり、目的のひとつは、従来のCa−αサイアロンを初めとする希土類付活サイアロン蛍光体より短波長の黄緑色に発光し高い輝度を有し、かつ、発光輝度の温度変化が小さく化学的に安定な無機蛍光体を提供することにある。本発明のもうひとつの目的として、係る蛍光体を用いた温度変化が小さい照明器具および耐久性に優れる画像表示装置の発光器具を提供することにある。
本発明者らにおいては、かかる状況の下で、α型サイアロン結晶を母体とする蛍光体について詳細な研究を行い、特定の組成を持つLiが固溶したα型サイアロン結晶を母体として、これに、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Tm、Ybなどの光学活性な金属を付活した蛍光体が輝度の温度変化が小さく、また従来報告されている窒化物や酸窒化物を母体結晶とする蛍光体よりも高輝度の蛍光を発することを見いだした。また、特定の金属を固溶させた特定の組成では、黄緑色の発光を示すことを見いだした。
すなわち、Liと発光イオンとなるA元素(ただし、Aは、Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Tm、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素)とを含有するα型サイアロンを主体とする無機化合物について鋭意研究を重ねた結果、特定の組成の結晶は高輝度で温度変動が小さい蛍光体となることを見出した。中でも、Euを付活した無機化合物は高輝度の黄緑色に発光する蛍光体となることを見出した。
さらに、この蛍光体を用いることにより、高い発光効率を有し温度変動が小さい白色発光ダイオードや鮮やかな発色の画像表示装置が得られることを見いだした。
本発明の蛍光体は、非特許文献2の第11章に記載されているCa1.47Eu0.03SiAl16などのサイアロンとはまったく異なる構成元素および組成を持つ結晶を母体とする新規な蛍光体である。
一般に、発光中心元素AとしてMnや希土類元素を無機母体結晶に付活した蛍光体は、A元素の周りの電子状態により発光色と輝度が変化する。例えば、2価のEuを発光中心とする蛍光体では、母体結晶を換えることにより、青色、緑色、黄色、赤色の発光が報告されている。すなわち、似た組成であっても母体の結晶構造やAが取り込まれる結晶構造中の配位環境や構成元素を換えると発光色や輝度はまったく違ったものとなり、異なる蛍光体と見なされる。本発明では従来報告されている窒化物や酸窒化物およびサイアロン組成とはまったく異なる結晶および組成を母体としており、このような組成物を母体とする蛍光体は従来報告はない。しかも、本発明の組成を母体とする蛍光体は従来の結晶を母体とするものより輝度が高く、特定の組成では黄緑色発光を呈する。
本発明者は、上記実情に鑑み鋭意研究を重ねた結果、以下に記載する構成を講ずることによって特定波長領域で高い輝度の発光現象を示す蛍光体を提供することに成功した。また、以下の方法を用いて優れた発光特性を持つ蛍光体を製造することに成功した。さらに、この蛍光体を使用し、以下に記載する構成を講ずることによって優れた特性を有する照明器具、画像表示装置を提供することにも成功したもので、その構成は、以下に記載のとおりである。
(1) 少なくともLiと、Euと、Siと、Alと、酸素と、窒素とを含有し、α型サイアロン結晶構造を有し、一般式
(Li x1 、Eu x2 )(Si 12−(m+n) Al m+n )(O 16−n
で示されるα型サイアロン結晶(ただし、x1はサイアロン単位格子中のLiの固溶量、x2はサイアロン単位格子中のEuの固溶量)におけるパラメータが、
1.2 ≦ x1 ≦ 2.4 ・・・・・・・・・・・・・・・・(1)
0.001 ≦ x2 ≦ 0.4 ・・・・・・・・・・・・・(2)
1.8 ≦ m ≦ 2.4 ・・・・・・・・・・・・・・・・・(14)
0.8 ≦ n ≦ 1.2 ・・・・・・・・・・・・・・・・・(15)
の範囲の値であり、
組成式Li Eu Si Al (式中、a+b+c+d+e+f=1とする)で示され、
0.043 ≦ a ≦ 0.078 ・・・・・・・・・・・・・(8)
0.0002 ≦ b ≦ 0.008 ・・・・・・・・・・・・(9)
0.27 ≦ c ≦ 0.33 ・・・・・・・・・・・・・・・(10)
0.08 ≦ d ≦ 0.12 ・・・・・・・・・・・・・・・(11)
0.027 ≦ e ≦ 0.1 ・・・・・・・・・・・・・・・(12)
0.42 ≦ f ≦ 0.52 ・・・・・・・・・・・・・・・(13)
0.005 ≦ b/(a+b) ≦ 0.06 ・・・・・・・・(16)
の条件を満たし、励起源を照射することにより波長550nmから575nmの範囲の波長にピークを持つ蛍光を発光するα型サイアロン結晶を主成分とする、蛍光体。
(2)励起源として100nm以上500nm以下の波長を持つ紫外線または可視光を用いることができる、上記(1)に記載の蛍光体。
(3)励起源が照射されたとき発光する色がCIE色度座標上の(x、y)値で、
0.2 ≦ x ≦ 0.5・・・・・・・・・・・・・・・・・(17)
0.4 ≦ y ≦ 0.7・・・・・・・・・・・・・・・・・(18)
以上の条件を満たす、上記(1)に記載の蛍光体。
(4)前記α型サイアロン結晶以外の他の結晶相あるいはアモルファス相をさらに含み、前記α型サイアロン結晶の含有量は10質量%以上である、上記(1)に記載の蛍光体。
(5)前記α型サイアロン結晶の含有量は50質量%以上である、上記(4)に記載の蛍光体。
(6)前記他の結晶相あるいはアモルファス相が導電性を持つ無機物質である、上記(4)に記載の蛍光体。
(7)金属化合物の混合物であって焼成することにより、Li、Eu、Si、Al、O、Nからなる組成物を構成しうる原料混合物を、窒素雰囲気中において1500℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成する工程を含む、上記(1)に記載の蛍光体を製造する、蛍光体の製造方法。
(8)発光光源と蛍光体から構成される照明器具において、該蛍光体は、少なくとも上記(1)に記載の蛍光体を含む、照明器具。
(9)前記発光光源が330〜500nmの波長の光を発する発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、有機EL素子、または無機EL素子である、上記(8)に記載の照明器具。
(10)前記発光光源が330〜420nmの波長の光を発するLEDまたはLDであり、上記(1)に記載の蛍光体と、330〜420nmの励起光により450nm〜500nmの波長に発光ピークを持つ青色蛍光体と、330〜420nmの励起光により600nm〜700nmの波長に発光ピークを持つ赤色蛍光体とを用いることにより、青色光と緑色光と赤色光を混合して白色光を発する、上記(8)に記載の照明器具。
(11)前記発光光源が430〜480nmの波長の青色光を発するLEDまたはLDであり、上記(1)に記載の蛍光体を用いることにより、励起光源の青色光と蛍光体の黄色光とを混合して白色光を発する、上記(8)に記載の照明器具。
(12)前記発光光源が430〜480nmの波長の青色光を発するLEDまたはLDであり、上記(1)に記載の蛍光体と、430〜480nmの励起光により580nm〜700nmの波長に発光ピークを持つ橙ないし赤色蛍光体とを用いることにより、励起光源の青色光と、蛍光体の黄色光と、蛍光体の橙ないし赤色光とを混合して白色光を発する、上記(8)に記載の照明器具。
(13)前記赤色蛍光体がEuを付活したCaAlSiN である、上記(12)に記載の照明器具。
(14)前記橙色蛍光体がEuを付活したCa−αサイアロンである、上記(12)に記載の照明器具。
(15)励起源と蛍光体から構成される画像表示装置において、該蛍光体は、少なくとも上記(1)に記載の蛍光体を含む、画像表示装置。
(16)前記励起源が、電子線、電場、真空紫外線、または紫外線である、上記(15)に記載の画像表示装置。
(17)画像表示装置が、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)のいずれかである、上記(15)に記載の画像表示装置。
本発明の蛍光体は、特定の組成を持つLiが固溶したα型サイアロン結晶を母体として、A元素(Mn、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Tm、Yb)を固溶させた無機化合物を主成分として含有していることにより、輝度が高く、輝度の温度変化が小さい特長がある。さらに、Euなどを添加した特定の組成では、従来の橙色あるいは黄色サイアロン蛍光体より短波長での発光を示し、黄緑色の蛍光体として優れている。さらに、化学的安定性に優れるため、励起源に曝された場合でも輝度が低下することなく、VFD、FED、PDP、CRT、白色LEDなどに好適に使用される有用な蛍光体を提供するものである。
蛍光体(実施例14)の発光および励起スペクトルを示す図。 蛍光体(比較例)の発光および励起スペクトルを示す図。 本発明による照明器具(砲弾型LED照明器具)の概略図。 本発明による照明器具(基板実装型LED照明器具)の概略図。 本発明による画像表示装置(プラズマディスプレイパネル)の概略図。
符号の説明
1 砲弾型発光ダイオードランプ。
2、3 リードワイヤ。
4 発光ダイオード素子。
5 ボンディングワイヤ。
6、8 樹脂。
7 蛍光体。
21 基板実装用チップ型白色発光ダイオードランプ。
22、23 リードワイヤ。
24 発光ダイオード素子。
25 ボンディングワイヤ。
26、28 樹脂。
27 蛍光体。
29 アルミナセラミックス基板。
30 側面部材。
31 赤色蛍光体。
32 緑色蛍光体。
33 青色蛍光体。
34、35、36 紫外線発光セル。
37、38、39、40 電極。
41、42 誘電体層。
43 保護層。
44、45 ガラス基板。
以下、本発明を詳しく説明する。
本発明の蛍光体は、少なくともLiと、付活元素Aと、Siと、Alと、酸素と、窒素とを含有する組成物であり、α型サイアロン結晶を主成分とする。代表的な構成元素としては、Aは、Mn、Ce、Pr,Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Tm、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素を挙げることができる。さらに、必要に応じて、サイアロン格子中に固溶する、LiとA元素以外の金属元素Mを構成元素とすることができる。金属元素Mとしては、Na、K、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Gd、Luなどを挙げることができる。A元素は、励起源のエネルギーを受けて蛍光を発する発光中心の働きをし、添加元素により発光色が異なるので、波長400nmから700nmの範囲の波長の発光色の中で、用途による所望の色が得られるように、添加元素を選定すると良い。中でも、Euを添加したものは、波長530nmから580nmの範囲の波長にピークを有する黄緑色の発色をするため、青色LEDと組み合わせて白色LEDを構成する場合には特に適している。M元素は、サイアロン格子中に固溶して、結晶構造を安定させる働きをし、光学的に不活性な元素から選ばれる。本発明では、サイアロン格子を安定化させる働きは主にLiが担っており、M元素を添加しなくても安定なサイアロンが形成されるが、発光色の調整などの必要がある場合は、M元素を添加することができる。
Liと、A元素と、必要に応じてM元素を含有する、α型サイアロン結晶は、一般式
(Lix1、Ax2、Mx3)(Si12−(m+n)Alm+n)(O16−n
で示される。本発明では、式中のパラメータx1、x2、x3は、
1.2 ≦ x1 ≦ 2.4 ・・・・・・・・・・・・・・・・(1)
0.001 ≦ x2 ≦ 0.4 ・・・・・・・・・・・・・(2)
0 ≦ x3 ≦ 1.0 ・・・・・・・・・・・・・・・・・(3)
の範囲の値をとる。x1はサイアロンの単位格子中に固溶するLi原子の数であり、x1が1.2より小さいとLi添加による高輝度化の効果が小さく、2.4より多いとα型サイアロン以外の結晶相が析出するため発光輝度が低下するおそれがある。x2はサイアロンの単位格子中に固溶する付活元素であるA原子の数であり、x2が0.001より小さいと光学活性イオンが少なすぎるため輝度が低く、0.4より大きいとA原子間の相互作用による濃度消光が起こり輝度が低下するおそれがある。x3はサイアロンの単位格子中に固溶するM原子の数であり、x3がゼロでもよく、すなわちM元素を特に添加する必要はないが、発光色の調整などの必要がある場合はx3が1以下の範囲で添加することができる。1を越えるとLi添加による輝度向上の効果が小さくなり、輝度が低下するおそれがある。
上記に示すサイアロンの組成範囲の中で、パラメータx1とx3が、
1.6 ≦ x1 ≦ 2.4 ・・・・・・・・・・・・・・・・(4)
0 ≦ x3 ≦ 0.01 ・・・・・・・・・・・・・・・・(5)
の範囲の値である組成は、特に発光輝度が高いので好ましい。より好ましくは、実質的にM元素を含まない、x3=0である。
サイアロンの組成式において、パラメータmとnが、
1.4 ≦ m ≦ 2.6 ・・・・・・・・・・・・・・・・・(6)
0.1 ≦ n ≦ 2 ・・・・・・・・・・・・・・・・・(7)
の範囲の値である組成は、特に発光輝度が高いので好ましい。
パラメータmは、金属元素の固溶による電気的中性を保つために決められる値であり、m=δx(ただし、δは金属Mの価数)の関係にある。したがって、LiとAとMを含む場合は、
m=δLi×x1+δ×x2+δ×x3
によって決められる値である。δLiはLi+1イオンの価数であり、δLi=1である。δはAイオンの価数であり、例えば、Eu2+の場合はδEu=2である。δはMイオンの価数であり、例えば、Ca2+の場合はδCa=2であり、Lu3+の場合はδLu=3である。
m値が1.4より小さいと金属元素の固溶量が小さくサイアロン結晶が安定化し難いため、蛍光体の輝度が低下するおそれがある。m値が2.6より大きいとサイアロン以外の結晶相が生成し易くなるので輝度が低下するおそれがある。
パラメータnは、α型Si構造への酸素の置換型固溶量に関する値であり、単位格子中に含まれる酸素原子の数を表す。なお、単位格子中に含まれる酸素原子と窒素原子の合計は16個であるため、単位格子中に含まれる窒素原子の数は16−n個となる。
n値が0.1より小さいと金属元素の固溶量が小さくサイアロン結晶が安定化し難いため、蛍光体の輝度が低下するおそれがある。n値が2より大きいとサイアロン以外の結晶相が生成し易くなるため輝度が低下するおそれがある。
出発原料として、LiO、あるいは焼成中にこれらの化合物に変化するLiCOなどの出発原料を使用する場合は、x1個のLiを結晶格子に導入すると0.5×x1個のOが導入される。EuO、あるいは焼成中にこれらの化合物に変化する出発原料を使用する場合は、x2個のEuを結晶格子に導入するとx2個のOが導入される。また、MO、あるいは焼成中にこれらの化合物に変化する出発原料を使用する場合は、x3個のMを結晶格子に導入すると、0.5×δ×x3個のOが導入される。n値はこれらの合計として決定される。
出発原料として、これらの酸化物を用いる場合は、m値とn値は関連した値となるため、
1.4 ≦ m ≦ 2.6
に相当するn値は、
0.7 ≦ n ≦ 1.3
である。
出発原料として、LiNやEuNなどの、LiやAあるいはM元素の金属窒化物を用いると、酸素を導入することなく金属元素を導入できるので、m値とn値を独立パラメータとして変動させることができる。所望の発光特性を得るため、n値を小さくしたい場合は、LiやAあるいはM元素の金属窒化物を用いるとよい。
出発原料のAl源としてのAlNの一部をAlとしたり、Si源としてのSiの一部をSiOとすることによりn値を大きくすることができる。
本発明のサイアロンの中で、輝度が高く、温度特性がよい黄緑色蛍光体となるものの一つにLiとEuを含有するα型サイアロン蛍光体がある。その組成は、組成式LiEuSiAl(式中、a+b+c+d+e+f=1とする)で示され、
0.043 ≦ a ≦ 0.078 ・・・・・・・・・・・・・(8)
0.0002 ≦ b ≦ 0.008 ・・・・・・・・・・・・(9)
0.27 ≦ c ≦ 0.33 ・・・・・・・・・・・・・・・(10)
0.08 ≦ d ≦ 0.12 ・・・・・・・・・・・・・・・(11)
0.027 ≦ e ≦ 0.1 ・・・・・・・・・・・・・・・(12)
0.42 ≦ f ≦ 0.52 ・・・・・・・・・・・・・・・(13)
以上の条件を満たす。a値はLiの含有量であり、0.043より小さいと安定なα型サイアロンが形成され難く、輝度が低下するおそれがある。0.078より大きいとα型サイアロン以外の結晶相の割合が多くなり易くなるため、輝度が低下するおそれがある。b値はEuの含有量であり、0.0002より小さいと発光イオンの濃度が低くなり易く輝度が低下するおそれがある。0.008より大きいと発光イオンの濃度が高くなり易く、発光イオン間の相互作用による濃度消光が起こり輝度が低下するおそれがある。c値はSiの含有量であり、0.27より小さいか0.33より大きいとα型サイアロン以外の結晶相の割合が多くなり易くなるため、輝度が低下するおそれがある。d値はAlの含有量であり、0.08より小さいか0.1より大きいとα型サイアロン以外の結晶相の割合が多くなり易くなるため、輝度が低下するおそれがある。e値は酸素の含有量であり、この範囲の組成で特に輝度が高い。f値は窒素の含有量であり、この範囲の組成で特に輝度が高い。
本発明の蛍光体は、励起源を照射することにより、波長400nmから700nmの範囲の波長にピークを持つ蛍光を発光する。この波長の光は、紫、青、青緑、緑、黄緑、黄、橙、赤の色に相当し、用途により波長を選定し、それを発する組成物を合成するとよい。
励起源としては、100nm以上500nm以下の波長を持つ光(真空紫外線、紫外線、または可視光)や、電子線、X線、中性子などの放射線を挙げることができる。さらに、電場による励起(無機EL素子)に用いることもできる。
LiとEuを含有するα型サイアロン蛍光体の内、特定の組成の物は、波長530nmから580nmの範囲の波長にピークを持つ蛍光を発し、励起源が照射されたとき発光する色がCIE色度座標上の(x、y)値で、
0.2 ≦ x ≦ 0.5
0.4 ≦ y ≦ 0.7
以上の条件を満たす色の蛍光体となる。これは、黄緑色の蛍光体であり、青色LEDと組み合わせた白色LED用途に特に適している。
LiとEuを含有するα型サイアロン蛍光体の内、パラメータmとnが、
1.8 ≦ m ≦ 2.4
0.8 ≦ n ≦ 2
の範囲の値であり、組成式LiEuSiAl(式中、a+b+c+d+e+f=1とする)で示され、
0.005 ≦ b/(a+b) ≦ 0.06
の条件を満たす組成の蛍光体は、励起源を照射することにより波長550nmから575nmの範囲の波長にピークを持つ蛍光を発するため、白色LED用途の黄色蛍光体として特に好ましい発光特性を有する。
本発明の蛍光体を粉体として用いる場合は、樹脂への分散性や粉体の流動性などの点から平均粒径が0.1μm以上50μm以下が好ましい。なかでも、5μm以上10μm以下の粒径が操作性に優れている。また、粉体を5μm以上10μm以下の範囲粒径の単結晶粒子とすることにより、より発光輝度が向上する。
発光輝度が高い蛍光体を得るには、α型サイアロン結晶に含まれる不純物は極力少ない方が好ましい。特に、Fe、Co、Ni不純物元素が多く含まれると発光が阻害されるので、これらの元素の合計が500ppm以下となるように、原料粉末の選定および合成工程の制御を行うとよい。
本発明では、蛍光発光の点からは、α型サイアロン結晶は、高純度で極力多く含むこと、できれば単相から構成されていることが望ましいが、特性が低下しない範囲で他の結晶相あるいはアモルファス相との混合物から構成することもできる。この場合、α型サイアロン結晶の含有量が10質量%以上であることが高い輝度を得るために望ましい。さらに好ましくは50質量%以上で輝度が著しく向上する。本発明において主成分とする範囲は、α型サイアロン結晶の含有量が少なくとも10質量%以上であることが好ましい。α型サイアロン結晶の含有量はX線回折を行い、リートベルト法の多相解析により求めることができる。簡易的には、X線回折結果を用いて、α型サイアロン結晶と他の結晶の最強線の高さの比から含有量を求めることができる。
本発明の蛍光体を電子線で励起する用途に使用する場合は、導電性を持つ無機物質を混合することにより蛍光体に導電性を付与することができる。導電性を持つ無機物質としては、Zn、Al、Ga、In、Snから選ばれる1種または2種以上の元素を含む酸化物、酸窒化物、または窒化物、あるいはこれらの混合物を挙げることができる。
本発明の蛍光体は波長400nmから700nmの範囲の特定の色に発色するが、他の色との混合が必要な場合は、必要に応じてこれらの色を発色する無機蛍光体を混合することができる。
以上のようにして得られる本発明の蛍光体は、通常の酸化物蛍光体や既存のサイアロン蛍光体と比べて、電子線やX線、および紫外線から可視光の幅広い励起範囲を持つこと、波長400nmから700nmの範囲の発光をすること、特に特定の組成では波長530nmから580nmの範囲の黄緑色を呈することが特徴であり、CIE色度座標上の(x、y)の値で、x値が0.2以上0.5以下で、y値が0.4以上0.7以下の範囲の黄緑色の発光を示す。以上の発光特性により、照明器具、画像表示装置に好適である。これに加えて、温度変化による発光輝度の変動が小さく、酸化雰囲気および水分環境下での長期間の安定性にも優れている。
本発明の蛍光体は製造方法を規定しないが、下記の方法で輝度が高い蛍光体を製造することができる。
金属化合物の混合物であって焼成することにより、Li、A、Si、Al、O、Nからなる組成物(ただし、Aは、Mn、Ce、Pr,Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Tm、Ybから選ばれる1種または2種以上の元素であり、必要に応じてα型サイアロンに固溶しうる金属元素Mを含む)を構成しうる原料混合物を、窒素雰囲気中において1500℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成することにより、高輝度蛍光体が得られる。
Li、Eu、Si、Al、O、Nを含有する蛍光体を合成する場合は、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、酸化リチウムまたは焼成により酸化リチウムとなる化合物(添加量はLiO換算)、酸化ユーロピウムまたは焼成により酸化ユーロピウムとなる化合物(添加量はEuO換算)との混合物を出発原料とするのがよい。
その場合、原料粉末の混合量(質量比)は、
gSi・hAlN・iLiO・jEuO (g+h+i+j=1)
で表され、パラメータ、g、h、i、jが、
0.64 ≦ g ≦ 0.79 ・・・・・・・・・・・・・・・(16)
0.16 ≦ h ≦ 0.26 ・・・・・・・・・・・・・・・(17)
0.03 ≦ i ≦ 0.33 ・・・・・・・・・・・・・・・(18)
0.002 ≦ j ≦ 0.06 ・・・・・・・・・・・・・・(19)
の範囲の値で、高輝度の蛍光体が得られる。
焼成は、窒素雰囲気が0.1MPa以上100MPa以下の圧力範囲のガス雰囲気を用いると、安定なα型サイアロンが生成して、高輝度の蛍光体が得られ易くなるので、好ましい。0.1MPaより低いガス圧力では、焼成温度が高い条件では原料の窒化ケイ素が分解し易くなる。100MPaより高いガス圧力は、高コストになり工業生産上好ましくない。
上記の金属化合物の混合粉末は、嵩密度40%以下の充填率に保持した状態で焼成するとよい。嵩密度とは粉末の体積充填率であり、一定容器に充填したときの粉末の質量と容器の容積の比を金属化合物の理論密度で割った値である。容器としては、金属化合物との反応性が低いことから、窒化ホウ素焼結体がより適している。
嵩密度を40%以下の状態に保持したまま焼成するのは、原料粉末の周りに自由な空間がある状態で焼成すると、反応生成物が自由な空間に結晶成長することにより結晶同士の接触が少なくなるため、表面欠陥が少ない結晶を合成することが容易に出来るためである。
次に、得られた金属化合物の混合物を窒素を含有する不活性雰囲気中において1200℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成することにより蛍光体を合成する。焼成に用いる炉は、焼成温度が高温であり焼成雰囲気が窒素を含有する不活性雰囲気であることから、金属抵抗加熱方式または黒鉛抵抗加熱方式であり、炉の高温部の材料として炭素を用いた電気炉が好適である。焼成の手法は、粉体を直接に合成する場合はホットプレス法ではなく常圧焼結法やガス圧焼結法などの外部から機械的な加圧を施さない焼結手法が、嵩密度を高く保ったまま焼成するために好ましい。
焼成して得られた粉体凝集体が固く固着している場合は、例えばボールミル、ジェットミル等の工場的に通常用いられる粉砕機により粉砕する。粉砕は平均粒径50μm以下となるまで施す。特に好ましくは平均粒径0.1μm以上5μm以下である。平均粒径が50μmを超えると粉体の流動性と樹脂への分散性が悪くなり易く、発光素子と組み合わせて発光装置を形成する際に部位により発光強度が不均一になり易くなる。0.1μmより小さくなると、蛍光体粉体表面の欠陥量が多くなるため蛍光体の組成によっては発光強度が低下する。
なお、本明細書において、平均粒径とは、以下のように定義される。粒子径は、沈降法による測定においては沈降速度が等価な球の直径として、レーザ散乱法においては散乱特性が等価な球の直径として定義される。また、粒子径の分布を粒度(粒径)分布という。粒径分布において、ある粒子径より大きい質量の総和が、全粉体のそれの50%を占める場合の粒子径が、平均粒径D50として定義される。この定義および用語は、いずれも当業者において周知であり、例えば、JISZ8901「試験用粉体及び試験用粒子」、または、粉体工学会編「粉体の基礎物性」(ISBN4−526−05544−1)の第1章等諸文献に記載されている。本発明においては、分散剤としてヘキサメタクリン酸ナトリウムを添加した水に試料を分散させ、レーザ散乱式の測定装置を使用して、粒子径に対する体積換算の積算頻度分布を測定した。なお、体積換算と重量換算の分布は等しい。この積算(累積)頻度分布における50%に相当する粒子径を求めて、平均粒径D50とした。以下、本明細書において、平均粒径は、上述のレーザ散乱法による粒度分布測定手段によって測定した粒度分布の中央価(D50)に基づくことに留意されたい。平均粒径を求める手段については、上述以外にも多様な手段が開発され、現在も続いている現状にあり、測定値に若干の違いが生じることもあり得るが、平均粒径それ自体の意味、意義は明確であり、必ずしも上記手段に限定されないことを理解されたい。
焼成後の蛍光体粉末、あるいは粉砕処理後の蛍光体粉末、もしくは粒度調整後の蛍光体粉末を、1000℃以上で焼成温度以下の温度で熱処理すると粉砕時などに表面に導入された欠陥が減少して輝度が向上する。
焼成後に生成物を水または酸の水溶液からなる溶剤で洗浄することにより、生成物に含まれるガラス相、第二相、または不純物相の含有量を低減させることができ、輝度が向上する。この場合、酸は、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸、有機酸の単体または混合物から選ぶことができ、なかでもフッ化水素酸と硫酸の混合物を用いると不純物の除去効果が大きい。
以上説明したように、本発明蛍光体は、従来のサイアロン蛍光体より高い輝度を示し、励起源に曝された場合における蛍光体の輝度の低下が少ないので、VFD、FED、PDP、CRT、白色LEDなどに適しており、中でも青色LEDと組み合わせた白色LED用途に好適な蛍光体である。
本発明の照明器具は、少なくとも発光光源と本発明の蛍光体を用いて構成される。照明器具としては、LED照明器具、EL照明器具、蛍光ランプなどがある。LED照明器具では、本発明の蛍光体を用いて、特開平5−152609号公報、特開平7−99345号公報、特許第2927279号公報などに記載されているような公知の方法により製造することができる。この場合、発光光源は330〜500nmの波長の光を発するものが望ましく、中でも330〜420nmの紫外(または紫)LED発光素子または420〜480nmの青色LED発光素子が好ましい。
これらのLED発光素子としては、GaNやInGaNなどの窒化物半導体からなるものがあり、組成を調整することにより、所定の波長の光を発する発光光源となり得る。
照明器具において本発明の蛍光体を単独で使用する方法の他に、他の発光特性を持つ蛍光体と併用することによって、所望の色を発する照明器具を構成することができる。この一例として、330〜420nmの紫外LED発光素子とこの波長で励起され450nm以上500nm以下の波長に発光する青色蛍光体と、本発明の黄緑色蛍光体と、330〜420nmの励起光により600nm〜700nmの赤色蛍光体とを用いることにより、青色光と緑色光と赤色光を混合して白色光を発する照明器具がある。このような青色蛍光体としてはBaMgAl1017:Euを、赤色蛍光体としては、Euを付活したCaAlSiNを挙げることができる。
別の手法として、430〜480nmの波長の青色光を発するLED発光素子と本発明の蛍光体との組み合わせがある。この構成では、LEDが発する青色光が蛍光体に照射されると、黄色の光が発せられ、これとLED自身の青色光が混合されて白色光を発する照明器具がある。
別の手法として、430〜480nmの波長の青色光を発するLED発光素子と本発明の蛍光体と、430〜480nmの励起光により580nm〜700nmの波長に発光ピークを持つ橙ないし赤色蛍光体とを用いることにより、励起光源の青色光と、蛍光体の黄色光と蛍光体の橙ないし赤色光を混合して白色光を発する照明器具がある。赤色蛍光体としては、Euを付活したCaAlSiNを、橙色蛍光体としては、Euを付活したCa−αサイアロンを挙げることができる。
本発明の画像表示装置は少なくも励起源と本発明の蛍光体で構成され、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)などがある。本発明の蛍光体は、100〜190nmの真空紫外線、190〜380nmの紫外線、電子線などの励起で発光することが確認されており、これらの励起源と本発明の蛍光体との組み合わせで、上記のような画像表示装置を構成することができる。
次に本発明を以下に示す実施例によってさらに詳しく説明するが、これはあくまでも本発明を容易に理解するための一助として開示したものであって、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。
[実施例1〜30]
LiとEuを含有するα型サイアロンにおいて、設計パラメータx1、x2、m、n値(表1)、およびLiEuSiAl材料組成におけるa、b、c、d、e、f値(表2)となる組成を検討した。なお、本実施例では、x3=0とした。これらの設計に基づいて、gSi・hAlN・iLiO・jEuO混合組成におけるg、h、i、j値(表3)の設計組成を得るべく、窒化ケイ素粉末と、窒化アルミニウム粉末と、炭酸リチウム粉末と、酸化ユーロピウム粉末とを、表4の組成で混合した。表4組成の混合に用いた原料粉末は、比表面積11.2m/gの粒度の、酸素含有量1.29重量%、α型含有量95%の窒化ケイ素粉末(宇部興産(株)製のSN−E10グレード)と、比表面積3.3m/gの粒度の、酸素含有量0.85重量%の窒化アルミニウム粉末((株)トクヤマ製のFグレード)と、炭酸リチウム(LiCO;高純度科学研究所製)粉末と、酸化ユーロピウム(Eu;純度99.9%、信越化学工業(株)製)とである。これらの粉末を表4の混合組成となるように秤量し、大気中でメノウ乳棒と乳鉢を用いて10分間混合を行なった後に、得られた混合物を、500μmのふるいを通して窒化ホウ素製のるつぼに自然落下させて、るつぼに粉末を充填した。粉体の嵩密度は約25%〜30%であった。
実施例1〜30および比較例の設計組成のパラメータを表1に、実施例1〜30および比較例の設計組成のパラメータを表2に、実施例1〜30および比較例の混合組成のパラメータを表3に、実施例1〜30および比較例の混合組成を表4に示す。
混合粉末が入ったるつぼを黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。焼成の操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800℃まで毎時500℃の速度で加熱し、800℃で純度が99.999体積%の窒素を導入して圧力を1MPaとし、毎時500℃で1550℃、1600℃、1650℃のいずれかの温度まで昇温し、その温度で8時間保持して行った。
次に、合成した化合物をメノウの乳鉢を用いて粉砕し、CuのKα線を用いた粉末X線回折測定を行った。その結果、未反応のSi、AlN、LiO、Euは検出されず、全ての実施例でα型サイアロンが80%以上含まれていることが確認された。
焼成後、この得られた焼成体を粗粉砕の後、窒化ケイ素焼結体製のるつぼと乳鉢を用いて手で粉砕し、30μmの目のふるいを通した。粒度分布を測定したところ、平均粒径は5〜8μmであった。
これらの粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、黄緑色から黄色に発光することを確認した。この粉末の発光スペクトルおよび励起スペクトルを蛍光分光光度計を用いて測定した結果を表5に示す。全ての例において、300nm〜450nmの波長の紫外線、紫光、青色光で効率よく励起されて、波長530nmから580nmの範囲の波長にピークを持つ黄緑色の蛍光を発する蛍光体が得られた。なおカウント値は測定装置や条件によって変化するため単位は任意単位である。すなわち、同一条件で測定した本実施例および比較例内でしか比較できない。実施例1〜30および比較例の励起および発光スペクトルのピーク波長とピーク強度を表5に示す。
実施例14の組成を1650℃で焼成した蛍光体は発光強度が0.57、励起スペクトルのピーク波長は397nmであり、発光スペクトルのピーク波長が562nmである。この発光励起スペクトルを図1に示す。この蛍光体は、250nmから500nmの幅広い励起光で励起することができ、中でも405nmの紫LEDの波長や450nmの青色LEDの波長における励起強度が高いことが特徴である。蛍光の色度は、x=0.377、y=0.365であった。
[比較例]
実施例と同じ原料粉末を用いて、x1=0.81、x2=0.045、m=0.9、n=0.45のパラメータで表される、Euを付活したLi−α−サイアロン
(Li0.81、Eu0.045)(Si10.65Al1.35)(O0.4515.55
を合成すべく、表1および表2に示す設計組成に基づき、表3および表4に示す混合組成で原料を混合し、実施例と同様の工程で蛍光体を合成した。X線回折によれば、合成物は、α型サイアロンが検出され、それ以外の結晶相は検出されなかった。この粉末について、蛍光分光光度計を用いて測定した、励起スペクトルと発光スペクトルを表5および図2に示す。蛍光体の発光波長は583nm、発光強度は0.13であった。比較例の組成は、本発明の組成範囲の外にあり、組成が不適切であるため、得られた蛍光体の発光波長が本発明より長波長であり、輝度も低かった。
次ぎに、本発明の窒化物からなる蛍光体を用いた照明器具について説明する。
[実施例31]
図3に示すいわゆる砲弾型白色発光ダイオードランプ(1)を製作した。 2本のリードワイヤ(2、3)があり、そのうち1本(2)には、凹部があり、青色発光ダイオード素子(4)が載置されている。青色発光ダイオード素子(4)の下部電極と凹部の底面とが導電性ペーストによって電気的に接続されており、上部電極ともう1本のリードワイヤ(3)とが金細線(5)によって電気的に接続されている。蛍光体は実施例14で作製したの蛍光体である。蛍光体(7)が樹脂に分散され、発光ダイオード素子(4)近傍に実装されている。この蛍光体を分散した第一の樹脂(6)は、透明であり、青色発光ダイオード素子(4)の全体を被覆している。凹部を含むリードワイヤの先端部、青色発光ダイオード素子、蛍光体を分散した第一の樹脂は、透明な第二の樹脂(8)によって封止されている。透明な第二の樹脂(8)は全体が略円柱形状であり、その先端部がレンズ形状の曲面となっていて、砲弾型と通称されている。
本実施例では、蛍光体粉末を35重量%の濃度でエポキシ樹脂に混ぜ、これをディスペンサを用いて適量滴下して、蛍光体(7)を分散した第一の樹脂(6)を形成した。得られた色度はx=0.33、y=0.33であり、白色であった。
次に、この実施例の砲弾型白色発光ダイオードの製造手順を説明する。 まず、1組のリードワイヤの一方(2)にある素子載置用の凹部に青色発光ダイオード素子(4)を導電性ペーストを用いてダイボンディングし、リードワイヤと青色発光ダイオード素子の下部電極とを電気的に接続するとともに青色発光ダイオード素子(4)を固定する。次に、青色発光ダイオード素子(4)の上部電極ともう一方のリードワイヤとをワイヤボンディングし、電気的に接続する。蛍光体粉末をエポキシ樹脂に35重量%の濃度で混ぜる。次にこれを凹部に青色発光ダイオード素子を被覆するようにしてディスペンサで適量塗布し、硬化させ第一の樹脂(6)を形成する。最後にキャスティング法により凹部を含むリードワイヤの先端部、青色発光ダイオード素子、蛍光体を分散した第一の樹脂の全体を第二の樹脂で封止する。本実施例では、第一の樹脂と第二の樹脂の両方に同じエポキシ樹脂を使用したが、シリコーン樹脂等の他の樹脂あるいはガラス等の透明材料であっても良い。できるだけ紫外線光による劣化の少ない材料を選定することが好ましい。
[実施例32]
基板実装用チップ型白色発光ダイオードランプ(21)を製作した。構図を図4に示す。可視光線反射率の高い白色のアルミナセラミックス基板(29)に2本のリードワイヤ(22、23)が固定されており、それらワイヤの片端は基板のほぼ中央部に位置しもう方端はそれぞれ外部に出ていて電気基板への実装時ははんだづけされる電極となっている。リードワイヤのうち1本(22)は、その片端に、基板中央部となるように青色発光ダイオード素子(24)が載置され固定されている。青色発光ダイオード素子(24)の下部電極と下方のリードワイヤとは導電性ペーストによって電気的に接続されており、上部電極ともう1本のリードワイヤ(23)とが金細線(25)によって電気的に接続されている。
蛍光体(27)が樹脂に分散され、発光ダイオード素子近傍に実装されている。この蛍光体を分散した第一の樹脂(26)は、透明であり、青色発光ダイオード素子(24)の全体を被覆している。また、セラミック基板上には中央部に穴の開いた形状である壁面部材(30)が固定されている。壁面部材(30)は、その中央部が青色発光ダイオード素子(24)及び蛍光体(27)を分散させた第一の樹脂(26)がおさまるための穴となっていて、中央に面した部分は斜面となっている。この斜面は光を前方に取り出すための反射面であって、その斜面の曲面形は光の反射方向を考慮して決定される。また、少なくとも反射面を構成する面は白色または金属光沢を持った可視光線反射率の高い面となっている。本実施例では、該壁面部材を白色のシリコーン樹脂(30)によって構成した。壁面部材の中央部の穴は、チップ型発光ダイオードランプの最終形状としては凹部を形成するが、ここには青色発光ダイオード素子(24)及び蛍光体(27)を分散させた第一の樹脂(26)のすべてを封止するようにして透明な樹脂(28)を充填している。本実施例では、第一の樹脂(26)と第二の樹脂(28)とには同一のエポキシ樹脂を用いた。蛍光体の添加割合、達成された色度等は、第一の実施例と略同一である。製造手順は、アルミナセラミックス基板(29)にリードワイヤ(22、23)及び壁面部材(30)を固定する部分を除いては、第一の実施例の製造手順と略同一である。
次ぎに、本発明の蛍光体を用いた画像表示装置の設計例について説明する。
[実施例33]
図5は、画像表示装置としてのプラズマディスプレイパネルの原理的概略図である。赤色蛍光体(CaAlSiN:Eu2+)(31)と本発明の実施例14の緑色蛍光体(32)および青色蛍光体(BaMgAl1017:Eu)(33)がそれぞれのセル(34、35、36)の内面に塗布されている。セル(34,35、36)は、誘電体層(41)と電極(37、38、39)とが付与されたガラス基板(44)上に位置する。電極(37、38、39、40)に通電するとセル中でXe放電により真空紫外線が発生し、これにより蛍光体が励起されて、赤、緑、青の可視光を発し、この光が保護層(43)、誘電体層(42)、ガラス基板(45)を介して外側から観察され、画像表示として機能する。
[実施例34〜49]
LiとEuと第三の金属を含有するα型サイアロンにおいて、設計パラメータx1、x2、x3、m、n値を検討するため(表6)の設計組成を得るべく、窒化ケイ素粉末と、窒化アルミニウム粉末と、炭酸リチウム粉末と、酸化ユーロピウム粉末と、第三の金属元素の酸化物を、表7の組成で混合した。これらの粉末を表7の混合組成となるように秤量し、大気中でメノウ乳棒と乳鉢を用いて10分間混合を行なった後に、得られた混合物を、500μmのふるいを通して窒化ホウ素製のるつぼに自然落下させて、るつぼに粉末を充填した。粉体の嵩密度は約25%〜30%であった。
混合粉末が入ったるつぼを黒鉛抵抗加熱方式の電気炉にセットした。焼成の操作は、まず、拡散ポンプにより焼成雰囲気を真空とし、室温から800℃まで毎時500℃の速度で加熱し、800℃で純度が99.999体積%の窒素を導入して圧力を1MPaとし、毎時500℃で1650℃まで昇温し、その温度で8時間保持して行った。
次に、合成した化合物をメノウの乳鉢を用いて粉砕し、CuのKα線を用いた粉末X線回折測定を行った。その結果、未反応の出発原料は検出されず、全ての実施例でα型サイアロンが80%以上含まれていることが確認された。
焼成後、この得られた焼成体を粗粉砕の後、窒化ケイ素焼結体製のるつぼと乳鉢を用いて手で粉砕し、30μmの目のふるいを通した。これらの粉末に、波長365nmの光を発するランプで照射した結果、青色色から赤色の範囲のさまざまな色に発光することを確認した。この粉末の発光スペクトルおよび励起スペクトルを蛍光分光光度計を用いて測定した結果を表8に示す。全ての例において、300nm〜450nmの波長の紫外線、紫光、青色光で効率よく励起されて、波長450nmから650nmの範囲の波長にピークを持つ青色から黄緑色の蛍光を発する蛍光体が得られた。
本発明の窒化物蛍光体は、従来のサイアロンや酸窒化物蛍光体より短い波長での発光を示し、黄緑色の蛍光体として優れ、さらに励起源に曝された場合の蛍光体の輝度の低下が少ないので、VFD、FED、PDP、CRT、白色LEDなどに好適に使用される窒化物蛍光体である。今後、各種表示装置における材料設計において、大いに活用され、産業の発展に寄与することが期待できる。

Claims (17)

  1. 少なくともLiと、Euと、Siと、Alと、酸素と、窒素とを含有し、α型サイアロン結晶構造を有し、一般式
    (Lix1 、Eu x2 (Si12−(m+n)Alm+n)(O16−n
    で示されるα型サイアロン結晶(ただし、x1はサイアロン単位格子中のLiの固溶量、x2はサイアロン単位格子中のEuの固溶量)におけるパラメータが、
    1.2 ≦ x1 ≦ 2.4 ・・・・・・・・・・・・・・・・(1)
    0.001 ≦ x2 ≦ 0.4 ・・・・・・・・・・・・・(2
    1.8 ≦ m ≦ 2.4 ・・・・・・・・・・・・・・・・・(14)
    0.8 ≦ n ≦ 1.2 ・・・・・・・・・・・・・・・・・(15)
    の範囲の値であり、
    組成式Li Eu Si Al (式中、a+b+c+d+e+f=1とする)で示され、
    0.043 ≦ a ≦ 0.078 ・・・・・・・・・・・・・(8)
    0.0002 ≦ b ≦ 0.008 ・・・・・・・・・・・・(9)
    0.27 ≦ c ≦ 0.33 ・・・・・・・・・・・・・・・(10)
    0.08 ≦ d ≦ 0.12 ・・・・・・・・・・・・・・・(11)
    0.027 ≦ e ≦ 0.1 ・・・・・・・・・・・・・・・(12)
    0.42 ≦ f ≦ 0.52 ・・・・・・・・・・・・・・・(13)
    0.005 ≦ b/(a+b) ≦ 0.06 ・・・・・・・・(16)
    の条件を満たし、励起源を照射することにより波長550nmから575nmの範囲の波長にピークを持つ蛍光を発光するα型サイアロン結晶を主成分とする、蛍光体。
  2. 励起源として100nm以上500nm以下の波長を持つ紫外線または可視光を用いることができる、請求項1に記載の蛍光体。
  3. 励起源が照射されたとき発光する色がCIE色度座標上の(x、y)値で、
    0.2 ≦ x ≦ 0.5・・・・・・・・・・・・・・・・・(17)
    0.4 ≦ y ≦ 0.7・・・・・・・・・・・・・・・・・(18)
    以上の条件を満たす、請求項1に記載の蛍光体。
  4. 前記α型サイアロン結晶以外の他の結晶相あるいはアモルファス相をさらに含み、
    前記α型サイアロン結晶の含有量は10質量%以上である、請求項1に記載の蛍光体。
  5. 前記α型サイアロン結晶の含有量は50質量%以上である、請求項4に記載の蛍光体。
  6. 前記他の結晶相あるいはアモルファス相が導電性を持つ無機物質である、請求項4に記載の蛍光体。
  7. 金属化合物の混合物であって焼成することにより、Li、Eu、Si、Al、O、Nからなる組成物を構成しうる原料混合物を、窒素雰囲気中において1500℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成する工程を含む、請求項1に記載の蛍光体を製造する、蛍光体の製造方法。
  8. 発光光源と蛍光体から構成される照明器具において、該蛍光体は、少なくとも請求項1に記載の蛍光体を含む、照明器具。
  9. 前記発光光源が330〜500nmの波長の光を発する発光ダイオード(LED)、レーザダイオード(LD)、有機EL素子、または無機EL素子である、請求項8に記載の照明器具。
  10. 前記発光光源が330〜420nmの波長の光を発するLEDまたはLDであり、
    請求項1に記載の蛍光体と、
    330〜420nmの励起光により450nm〜500nmの波長に発光ピークを持つ青色蛍光体と、
    330〜420nmの励起光により600nm〜700nmの波長に発光ピークを持つ赤色蛍光体と
    を用いることにより、青色光と緑色光と赤色光を混合して白色光を発する、請求項8に記載の照明器具。
  11. 前記発光光源が430〜480nmの波長の青色光を発するLEDまたはLDであり、請求項1に記載の蛍光体を用いることにより、励起光源の青色光と蛍光体の黄色光とを混合して白色光を発する、請求項8に記載の照明器具。
  12. 前記発光光源が430〜480nmの波長の青色光を発するLEDまたはLDであり、
    請求項1に記載の蛍光体と、
    430〜480nmの励起光により580nm〜700nmの波長に発光ピークを持つ橙ないし赤色蛍光体と
    を用いることにより、励起光源の青色光と、蛍光体の黄色光と、蛍光体の橙ないし赤色光とを混合して白色光を発する、請求項8に記載の照明器具。
  13. 前記赤色蛍光体がEuを付活したCaAlSiNである、請求項12に記載の照明器具。
  14. 前記橙色蛍光体がEuを付活したCa−αサイアロンである、請求項12に記載の照明器具。
  15. 励起源と蛍光体から構成される画像表示装置において、該蛍光体は、少なくとも請求項1に記載の蛍光体を含む、画像表示装置。
  16. 前記励起源が、電子線、電場、真空紫外線、または紫外線である、請求項15に記載の画像表示装置。
  17. 画像表示装置が、蛍光表示管(VFD)、フィールドエミッションディスプレイ(FED)、プラズマディスプレイパネル(PDP)、陰極線管(CRT)のいずれかである、請求項15に記載の画像表示装置。
JP2007523983A 2005-07-01 2006-06-28 蛍光体とその製造方法および照明器具 Active JP5145534B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007523983A JP5145534B2 (ja) 2005-07-01 2006-06-28 蛍光体とその製造方法および照明器具

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005193283 2005-07-01
JP2005193283 2005-07-01
JP2007523983A JP5145534B2 (ja) 2005-07-01 2006-06-28 蛍光体とその製造方法および照明器具
PCT/JP2006/312923 WO2007004493A1 (ja) 2005-07-01 2006-06-28 蛍光体とその製造方法および照明器具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2007004493A1 JPWO2007004493A1 (ja) 2009-01-29
JP5145534B2 true JP5145534B2 (ja) 2013-02-20

Family

ID=37604362

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007523983A Active JP5145534B2 (ja) 2005-07-01 2006-06-28 蛍光体とその製造方法および照明器具

Country Status (5)

Country Link
US (2) US8883039B2 (ja)
JP (1) JP5145534B2 (ja)
KR (1) KR101118459B1 (ja)
TW (1) TWI399422B (ja)
WO (1) WO2007004493A1 (ja)

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008056292A1 (en) * 2006-11-07 2008-05-15 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Arrangement for emitting mixed light
JP5322053B2 (ja) * 2007-01-12 2013-10-23 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法および発光器具
JP2008244469A (ja) * 2007-02-28 2008-10-09 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
CN101755030B (zh) * 2007-05-22 2014-05-14 独立行政法人物质·材料研究机构 荧光体及其制造方法和使用该荧光体的发光装置
JP4413955B2 (ja) * 2007-07-19 2010-02-10 株式会社東芝 蛍光体および発光装置
JP5071714B2 (ja) * 2007-10-31 2012-11-14 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法およびそれを用いた発光器具
US8158026B2 (en) * 2008-08-12 2012-04-17 Samsung Led Co., Ltd. Method for preparing B-Sialon phosphor
WO2010018873A1 (ja) * 2008-08-13 2010-02-18 宇部興産株式会社 Li含有α-サイアロン系蛍光体とその製造方法、照明器具ならびに画像表示装置
JP5170247B2 (ja) * 2008-08-13 2013-03-27 宇部興産株式会社 Li含有α−サイアロン系蛍光体とその製造方法、照明器具ならびに画像表示装置
JP5353638B2 (ja) * 2008-10-30 2013-11-27 三菱化学株式会社 蛍光体及びその製造方法と、その蛍光体を用いた蛍光体含有組成物及び発光装置、並びに、その発光装置を用いた画像表示装置及び照明装置
JP5360370B2 (ja) * 2008-11-14 2013-12-04 独立行政法人物質・材料研究機構 発光装置
JP5410167B2 (ja) * 2009-06-12 2014-02-05 株式会社小糸製作所 発光モジュールおよび車両用前照灯
JP5517037B2 (ja) * 2009-08-06 2014-06-11 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
JP4991834B2 (ja) 2009-12-17 2012-08-01 シャープ株式会社 車両用前照灯
JP5232815B2 (ja) * 2010-02-10 2013-07-10 シャープ株式会社 車両用前照灯
JP5240399B2 (ja) * 2010-03-01 2013-07-17 宇部興産株式会社 Li含有α−サイアロン系蛍光体粒子とその製造方法、照明器具ならびに画像表示装置
KR101455486B1 (ko) 2010-03-31 2014-10-27 우베 고산 가부시키가이샤 사이알론계 산질화물 형광체의 제조 방법 및 사이알론계 산질화물 형광체
JP5059208B2 (ja) * 2010-04-07 2012-10-24 シャープ株式会社 照明装置および車両用前照灯
US9659737B2 (en) * 2010-07-29 2017-05-23 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Phosphor coating for irregular surfaces and method for creating phosphor coatings
JP5185421B2 (ja) * 2010-09-09 2013-04-17 株式会社東芝 赤色発光蛍光体およびそれを用いた発光装置
KR101304996B1 (ko) * 2010-09-24 2013-09-06 한국기계연구원 플럭스를 이용한 사이알론 형광체 분말의 합성 방법
US9816677B2 (en) 2010-10-29 2017-11-14 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element
TWI456028B (zh) * 2011-02-16 2014-10-11 Univ Nat Cheng Kung Mg-α-SiAlON為主體晶格之螢光材料的製造方法及螢光材料的後製程方法
DE102011113802A1 (de) * 2011-09-20 2013-03-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Modul mit einer Mehrzahl von derartigen Bauelementen
KR101626229B1 (ko) * 2011-11-07 2016-05-31 코쿠리츠켄큐카이하츠호징 붓시쯔 자이료 켄큐키코 형광체, 그 제조 방법, 발광 장치 및 화상 표시 장치
JP6212498B2 (ja) * 2012-11-13 2017-10-11 デンカ株式会社 蛍光体、発光素子及び照明装置
KR102205640B1 (ko) 2012-11-13 2021-01-20 덴카 주식회사 형광체, 발광소자 및 조명장치
DE102013100429B4 (de) 2013-01-16 2023-12-07 Osram Gmbh Verfahren zur Herstellung eines pulverförmigen Precursormaterials und Verwendung eines mit dem Verfahren hergestellten pulverförmigen Precursormaterials
WO2014192694A1 (ja) * 2013-05-28 2014-12-04 宇部興産株式会社 酸窒化物蛍光体粉末
TWI472596B (zh) * 2014-01-16 2015-02-11 中原大學 螢光材料、其製造方法及包含其之發光裝置
US9867255B2 (en) * 2014-06-10 2018-01-09 Philips Lighting Holding B.V. Light emitting arrangement with adjustable emission spectrum
KR102261952B1 (ko) 2014-08-26 2021-06-08 엘지이노텍 주식회사 형광체 조성물 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
JP2018125438A (ja) * 2017-02-01 2018-08-09 豊田合成株式会社 発光装置
WO2019188630A1 (ja) 2018-03-29 2019-10-03 デンカ株式会社 α型サイアロン蛍光体及び発光装置
US20190377538A1 (en) 2018-06-08 2019-12-12 Curious Company, LLC Information Presentation Through Ambient Sounds
US10818088B2 (en) 2018-07-10 2020-10-27 Curious Company, LLC Virtual barrier objects
US10902678B2 (en) 2018-09-06 2021-01-26 Curious Company, LLC Display of hidden information
US11055913B2 (en) 2018-12-04 2021-07-06 Curious Company, LLC Directional instructions in an hybrid reality system
US10970935B2 (en) 2018-12-21 2021-04-06 Curious Company, LLC Body pose message system
US10756243B1 (en) * 2019-03-04 2020-08-25 Chung Yuan Christian University Light-emitting diode package structure and method for manufacturing the same
US10872584B2 (en) * 2019-03-14 2020-12-22 Curious Company, LLC Providing positional information using beacon devices
JP6684412B1 (ja) * 2019-06-27 2020-04-22 国立研究開発法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法および発光装置
CN113357614B (zh) * 2021-06-02 2022-06-14 旭宇光电(深圳)股份有限公司 环境光校准用发光装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004067837A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Toyota Central Res & Dev Lab Inc α−サイアロン蛍光体
JP2005036038A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Ube Ind Ltd サイアロン系蛍光体およびその製造方法
JP2006265506A (ja) * 2005-02-28 2006-10-05 Denki Kagaku Kogyo Kk 蛍光体とその製造方法、およびそれを用いた発光素子
JP2006307081A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 National Institute For Materials Science リチウム含有サイアロン蛍光体およびその製造法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2900928B2 (ja) 1997-10-20 1999-06-02 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2000034477A (ja) 1998-05-15 2000-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルと蛍光体および蛍光体の製造方法
JP3668770B2 (ja) 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
JP3726131B2 (ja) 2002-05-23 2005-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 サイアロン系蛍光体
JP4072632B2 (ja) 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
JP4052136B2 (ja) * 2003-02-06 2008-02-27 宇部興産株式会社 サイアロン系酸窒化物蛍光体およびその製造方法
JP4066828B2 (ja) 2003-02-06 2008-03-26 宇部興産株式会社 サイアロン系酸窒化物蛍光体およびその製造方法
US7074346B2 (en) 2003-02-06 2006-07-11 Ube Industries, Ltd. Sialon-based oxynitride phosphor, process for its production, and use thereof
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP4277666B2 (ja) * 2003-12-01 2009-06-10 宇部興産株式会社 サイアロン系蛍光体の製造方法およびサイアロン系蛍光体
JP4511849B2 (ja) * 2004-02-27 2010-07-28 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにled
WO2005123876A1 (ja) * 2004-06-18 2005-12-29 National Institute For Materials Science α型サイアロン及びα型サイアロン蛍光体並びにその製造方法
JP4414821B2 (ja) * 2004-06-25 2010-02-10 Dowaエレクトロニクス株式会社 蛍光体並びに光源およびled
KR101060216B1 (ko) * 2005-07-01 2011-08-29 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 형광체와 그 제조 방법 및 조명 기구

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004067837A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Toyota Central Res & Dev Lab Inc α−サイアロン蛍光体
JP2005036038A (ja) * 2003-07-16 2005-02-10 Ube Ind Ltd サイアロン系蛍光体およびその製造方法
JP2006265506A (ja) * 2005-02-28 2006-10-05 Denki Kagaku Kogyo Kk 蛍光体とその製造方法、およびそれを用いた発光素子
JP2006307081A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 National Institute For Materials Science リチウム含有サイアロン蛍光体およびその製造法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6012028921; J.Phys.Chem.B 109, 200504, 9490-9494 *

Also Published As

Publication number Publication date
US20150083966A1 (en) 2015-03-26
US8883039B2 (en) 2014-11-11
KR101118459B1 (ko) 2012-04-12
JPWO2007004493A1 (ja) 2009-01-29
KR20080047316A (ko) 2008-05-28
US9677000B2 (en) 2017-06-13
US20090091237A1 (en) 2009-04-09
TW200730605A (en) 2007-08-16
TWI399422B (zh) 2013-06-21
WO2007004493A1 (ja) 2007-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5145534B2 (ja) 蛍光体とその製造方法および照明器具
JP5110518B2 (ja) 蛍光体とその製造方法および照明器具
JP5105347B2 (ja) 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP4674348B2 (ja) 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP5540322B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光器具および画像表示装置
JP4756261B2 (ja) 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP4565141B2 (ja) 蛍光体と発光器具
JP6057213B2 (ja) 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
JP2008208238A (ja) 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを備えた照明器具と画像表示装置
JP2008266385A (ja) 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20090414

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090622

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20100601

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120605

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120709

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121002

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20121025

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121024

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5145534

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151207

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250