JP5120266B6 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、より具体的には、シールド構造を備える半導体装置及びその製造方法に関する。

半導体素子を配線基板に搭載し、これを電子機器に組み込んで使用する際に、当該半導体素子から放射される電磁波に因り、近接する電子部品或いは電気回路に誤動作を生じたり、人体に悪影響を与える恐れがある。特に近年の電子機器にあってはデジタル方式への移行が進み、その信号源はパルス信号を扱うため、その高周波成分がノイズ源となり易くなっている。また、高周波化、高速信号化が進むことによりその影響度も加速する方向にある。

一方、当該半導体素子が、隣接する電子部品及び／或いは電気回路、又は外部環境に於いて発生した電磁波により悪影響を受ける恐れもある。

このため、半導体素子を、周囲の環境と電磁的にシールド（遮蔽）することが求められており、例えば、図１に示す態様が提案されている。

図１を参照するに、半導体装置１０は、所謂ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体装置であり、下面に外部接続用の球状バンプ１が複数個配設された配線基板２上に、図示を省略するダイボンディングフィルム等のダイボンディング材を介して半導体素子３が載置・固着されている。当該半導体素子３の電極（図示せず）は、ボンディングワイヤ４により、配線基板２上の電極（図示せず）に接続されている。そして、半導体素子３及びボンディングワイヤ４等は、封止樹脂５により気密封止されている。

当該半導体装置１０は、配線回路基板（マザーボード）１１上に、半田等を介して搭載され、配線回路基板１１に於ける配線部に接続される。例えば、配線基板２の下面に配設され、当該配線基板２内の接地導電層１２に接続された球状バンプ１（図１に示す例では２つの球状バンプ１）は、当該配線回路基板１１の接地配線パターン１３に接続されている。

かかる構造において、半導体素子１から発生する電磁波が外部に放出されるのを阻止し、また外部環境からの電磁波による影響を遮断する必要があるが、当該半導体装置１０構造にあっては、電磁波に対するシールド（遮蔽）効果は有しない。

そこで、配線回路基板１１に於ける、半導体装置１０搭載箇所を含む当該配線回路基板１１の表面を覆って、断面が略コの字型を有する大形・大判の金属製シールド部材１４を配設している。当該シールド部材１４は、配線回路基板１１の上面に設けられ当該配線回路基板１１の接地配線パターン１３に接続された電極１５に、半田等を介して接続されている。

尚、シールド部材１２を配線回路基板１１上に配設する処置は、半導体装置１０を当該配線回路基板１１上に搭載した後に行われる。

また、作業の効率化を図り、またシールド部材１４の数を削減するために、配線回路基板１１上に複数の半導体装置１０を実装した後、当該配線回路基板１１上にこれら複数個の半導体装置を一括して覆うシールド部材を配設して、シールドする方式も採用されている。

その他、電子部品の接地電位となる端子電極に到達する導通穴を有する樹脂被覆部材と、前記樹脂被覆部材を被覆するシールド金属膜とを含む高周波モジュール部品が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。また、素子電極を主面に有する半導体基板の裏面にプレートが接合された半導体装置も提案されている（例えば、特許文献２参照１。）。更に、基板のリードパターン形成面とは反対側の面に電磁シールド用のシールド金属層が配設されてなる半導体素子パッケージも提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
特開２００１−２４４６８８号公報 特開２００１−７２５２号公報 特開平３−１２０７４６号公報

しかしながら、前記図１に示す構造にあっては、配線回路基板１１に、シールド部材１４の接続・固着領域、即ち、シールド部材１４の端部と半田を介して接続される電極１５を配設する領域を確保する必要があるため、配線回路基板１１の小形化が困難となり、従ってこれを組み込む電子機器の小型化が困難となる。

また、配線回路板１１上に搭載された半導体装置１０を、シールド部材１４により被覆する処置は、当該半導体装置１０を配線回路基板１１上に搭載した後に行われる為、組み立て工程が煩雑となる。

更に、配線回路基板１１上に複数個の半導体装置１０を実装し、当該複数個の半導体装置を一括してシールド部材により被覆した構成とした場合、当該シールド部材により被覆された複数の半導体装置１０相互間に於いて電磁波の影響が生じ、誤動作を生じる場合もある。

本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、配線回路基板（マザーボード）の大形化を招くことなく、簡易な構造で確実に電磁波をシールド（遮蔽）することができる半導体装置、及びその製造方法を提供することを目的とするものである。

本発明の一つの観点によれば、配線基板と、当該配線基板上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を被覆する封止用樹脂と、一端が前記配線基板の配線層に接続され、且つその一部が前記封止用樹脂の表面に露出された接地用電極と、前記封止用樹脂を被覆し、且つ前記接地用電極に接続されたシールド部材とを有することを特徴とする半導体装置が提供される。

前記接地用電極の前記一部は、前記樹脂の側面において露出し、前記シールド部材と接触していてもよい。前記接地用電極は、前記配線基板の上面に設けられたボンディングワイヤであって、前記接地用電極の側面が、前記樹脂の前記側面において露出し、前記シールド部材と接触していてもよい。前記接地用電極は、前記樹脂の上面において露出し、前記シールド部材と接触していてもよい。

本発明の別の観点によれば、配線基板と、当該配線基板上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を被覆する封止用樹脂と、一端が前記配線基板の配線層に接続され、且つその一部が前記封止用樹脂の表面に露出された接地用電極とを有することを特徴とする半導体装置が提供される。

本発明の更に別の観点によれば、基板上に複数個の半導体素子を搭載する工程、隣り合う半導体素子の配線基板領域間を跨ぐように接地電極用部材を配設する工程、前記半導体素子並びに接地電極用部材を封止用樹脂により被覆する工程、前記配線基板、封止用樹脂並びに前記接地電極用部材を分離して個片化された半導体装置を形成する工程、個片化された半導体装置の前記封止用樹脂を被覆してシールド部材を配設する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の更に別の観点によれば、複数の半導体素子が配置された基板であって、隣接する半導体素子との分離ライン上に、接地電極用部材を設け、前記接地電極用部材と前記半導体素子とを、樹脂を用いて封止し、前記複数の半導体素子が配置された基板を個片化する際に前記接地電極用部材を前記分離ラインに沿って切断して、前記接地電極用部材の一部を前記樹脂の側面から露出させ、前記樹脂を被覆する金属部材を、前記樹脂の側面から露出している前記接地用電極の一部と接触するように設けることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の更に別の観点によれば、複数の半導体素子が配置された基板に、接地用電極部材を、前記基板から略鉛直方向に所定長さ設け、前記接地電極用部材と前記半導体素子とを、樹脂を用いて封止し、前記樹脂の表面を研削して、前記接地電極用部材の一部を前記樹脂の上面から露出させ、前記複数の半導体素子が配置された基板を個片化し、前記樹脂を被覆する金属部材を、前記樹脂の上面から露出している前記接地用電極と接触するように設けることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明の更に別の観点によれば、基板上に複数個の半導体素子を搭載する工程、隣り合う半導体素子の配線基板領域間を跨ぐように接地電極用部材を配設する工程、前記半導体素子並びに接地電極用部材を封止用樹脂により被覆する工程、前記配線基板、封止用樹脂並びに前記接地電極用部材を切断して個片化された半導体装置を形成する工程、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、配線回路基板の大形化を招くことなく、簡易な構造で確実に電磁波をシールド（遮蔽）することができる半導体装置及びその製造方法を提供することができる。

配線回路基板上に搭載された半導体装置をシールドする、従来の構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置を示す外観斜視図である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置に、シールド部材を配設した状態を示す断面図である。 シールド部材が配設された本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置を、配線回路基板に実装した状態を示す断面図である。 配線回路基板に実装された本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置複数個に対し、これらを共通して被覆するシールド部材を配設した状態を示す断面図である。 本発明の第２の実施態様にかかる半導体装置を示す外観斜視図である。 本発明の第２の実施態様にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。 本発明の第２の実施態様にかかる半導体装置に、シールド部材を配設した状態を示す断面図である。 シールド部材が配設された本発明の第２の実施態様にかかる半導体装置を、配線回路基板に実装した状態を示す断面図である。 本発明の第３の実施態様にかかる半導体装置を示す外観斜視図である。 本発明の第３の実施態様にかかる半導体装置の構成を示す断面図である。 本発明の第３の実施態様にかかる半導体装置に、シールド部材を配設した状態を示す断面図である。 シールド部材が配設された本発明の第３の実施態様にかかる半導体装置を、配線回路基板に実装した状態を示す断面図である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その１）である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その２）である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その３）である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その４）である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その５）である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その６）である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その７）である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その８）である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その９）である。 本発明の第１の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その１０）である。 本発明の第２の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その１）である。 本発明の第２の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その２）である。 本発明の第２の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その３）である。 本発明の第２の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その４）である。 本発明の第３の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その１）である。 本発明の第３の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その２）である。 本発明の第３の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その３）である。 本発明の第３の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その４）である。 本発明の第３の実施態様にかかる半導体装置の製造方法を説明する工程断面図（その５）である。

３０、３０Ｓ、３０ＳＳ，５０，７０，７０Ｓ 半導体装置
３２ 配線基板
３３ 半導体素子
３６ 樹脂
３８、３８Ａ、３８Ｂ 接地用電極
３９ シールド部材
４０ 接着部材
４１ 配線回路基板
８８ ダイシングソー
８９ 接着剤
９１ 砥石

以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。説明の便宜上、本発明による半導体装置の実施の形態について説明し、次いで当該半導体装置の製造方法について説明する。

［半導体装置］
１．半導体装置の第１の実施態様
本発明による半導体装置の第１の実施態様を図２に示す。また、当該半導体装置の断面を図３に示す。当該断面は、図２に示す線Ａ−Ａ'に於ける断面である。

当該第１の実施態様に於ける半導体装置３０は、所謂ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体装置である。

図３に示すように、下面に外部接続端子である球状バンプ３１が複数形成された配線基板３２上に、図示を省略するダイボンディングフィルム等のダイボンディング材（図示せず）を介して半導体素子３３が載置されている。

当該半導体素子３３の電極パッド（図示せず）は、金（Ａｕ）線或いは銅（Ｃｕ）線等からなるボンディングワイヤ３４を介して配線基板３２上の電極（図示せず）に接続されている。当該ボンディングワイヤ３４は、約１８μｍ乃至３０μｍの径を有する。

かかる構成に於いて、配線基板３２の表面及び／或いは内部には、接地配線パターン３５が配設されており、配線基板３２の下面に形成された複数の球状バンプ３１の一部（図３に示す例では２つの球状バンプ）が当該接地配線パターン３５に接続されている。

そして、当該半導体素子３３、ボンディングワイヤ３４等は、配線基板３２の一方の主面（上面）に於いて、例えば、シリコン系樹脂、アクリル系樹脂或いはエポキシ系樹脂等からなる封止用樹脂３６により気密封止されている。

当該半導体装置３０にあっては、その特徴的構成として、前記配線基板３２の上面であって、当該配線基板３２の四辺それぞれに於いて、半導体素子３３及びボンディングワイヤ３４が配置されない領域、即ち当該配線基板３２の周縁部近傍に、前記接地配線パターン３５に接続された電極パッド３７が配設されている。

そして、当該電極パッド３７には、ワイヤ状の接地用電極３８の一端がワイヤボンディグ法により接続されている。そして、当該接地用電極３８の他端３８−１は、前記封止用樹脂３６の外側面に延在されて表出している。当該接地用電極３８は、前記ボンディングワイヤ３４と同様に、金（Ａｕ）線、銅（Ｃｕ）線等から形成される。

かかる第1の実施態様にあっては、当該接地用電極３８は、前記配線基板３２の各辺に於いてそれぞれ３本（個）配置設定され、前記電極パッド３７から上方に延出され、半導体素子３３から離間する方向に緩やかに曲げられて、前記封止用樹脂３６の外側面に至っている。

当該接地用電極３８の太さ（径）は、前記ボンディングワイヤ３４の径と同等或いは同等以上の太さとされ、例えば約１００μｍΦ乃至５００μｍΦに設定される。

即ち、本発明思想に基づく半導体装置の第１の実施態様にあっては、一端が接地電位に接続される導体、即ち接地用電極３８の他端が、封止用樹脂３６の側面に於いて表出されている。

従って、当該封止用樹脂３６の外表面を被覆して電磁シールド部材（導電体、以下シールド部材と称する）を配設し、当該シールド部材を前記接地用電極３８の端部に接続することにより、半導体装置３０の動作時、当該半導体装置３０は前記シールド部材により有効に電磁シールド（遮蔽）される。

この様に、封止用樹脂３６の外表面を被覆してシールド部材を配設することにより、当該半導体装置３０の外形寸法の不要な増加を招くことなく、有効な電磁シールド（遮蔽）がなされる。

前記封止用樹脂３６の外表面を被覆するシールド部材としては、予め箱型（断面コ字型）に形成された金属体、或いは樹脂体の表面に導電層が被覆されたものを準備し、これを半導体装置３０に対して、封止用樹脂３６部分を覆って嵌装することにより配設することができる。

また、シールド部材及びその配設手段として、箔状の金属を貼り付けるなどして装着する方法、或いは導電性樹脂を塗布法などにより選択的に被着する方法を用いることもできる。

従って、かかるシールド部材は、半導体装置を電子機器の配線基板（所謂マザーボード）上に搭載する前の段階、或いは当該半導体装置を配線基板（マザーボード）上に搭載した後に、必要に応じて配設することもできる。

一方、当該シールド部材は、当該半導体装置の放熱に適用される放熱体（ヒートシンク）と熱的に結合されてもよい。更に、当該シールド部材自体が放熱体としても利用される様に、その外表面の面積が拡大されてもよい。

前記構造を有する半導体装置３０に、シールド部材を配設した状態を図４に示す。かかる形態を半導体装置３０Ｓとする。

即ち、前記半導体装置３０に於ける封止用樹脂３６上を覆って、箱型（断面が略コの字型）の電磁シールド（遮蔽）部材３９が配設されている。当該電磁シールド部材３９は、銅（Ｃｕ）或いはアルミニウム（Ａｌ）等の金属板から形成されるが、勿論他の材料、例えば樹脂から形成され、その表面に金属被覆が施されたものであってもよい。

当該シールド部材３９の内側面及び／或いは内部底面と、封止用樹脂３６の表面は、接着剤（図示せず）を介して固着されている。

そして、当該シールド部材３９の内側面と、前記半導体装置３０の封止用樹脂３６の側面に導出された接地用電極３８の端部３８−１は、半田又は銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接着剤からなる接着部材４０を介して接続され、電気的導通がなされる。尚、当該シールド部材３９の内側面には、接地用電極３８の端部３８−１に対応して、凸部が配設されている。

かかる構成により、当該シールド部材３９には、少なくとも当該半導体装置３０の動作時、接地電位が付与される。

この様に、シールド部材３９が被覆・配設された半導体装置３０を、配線基板（マザーボード）に実装した状態を図５に示す。

図５を参照するに、配線回路基板（マザーボード）４１に、球状バンプ３１を介して実装された半導体装置３０Ｓに於いては、半導体装置３０を覆って配設されたシールド部材３９は、配線回路基板４１に於ける接地配線パターン４２に電気的に接続される。

即ち、かかる構成にあっては、半導体装置３０に於ける配線基板３２の下面に配設されている複数の球状バンプ３１のうち、当該配線基板３２の接地配線パターン３５に接続されている球状バンプ３２は、配線回路基板４１に設けられている接地配線パターン４２に接続される。

この結果、半導体装置３２を被覆して配設されたシールド部材３９は、接着部材４０、接地用電極３８、電極パッド３７、配線基板３２の接地配線パターン３５、及び球状バンプ３１を介して、配線回路基板４１の接地配線パターン４２に接続され、接地電位が付与される。従って、当該半導体素子３３から発生する電磁波の外部への放出が阻止され、また、当該半導体装置３０に対する外部環境からの電磁波による影響も遮断される。

この様な第１の実施態様に於ける半導体装置３０あっては、半導体素子３３の封止用樹脂３６の表面を覆って箱型（断面が略コの字型）のシールド部材３９が配設される。従って、当該シールド部材３９の配設による占有面積の増加を招かず、前記配線回路基板（マザーボード）４１の小形化を図ることができる。

当該シールド部材３９は、個々の半導体装置３０に対して配設される。即ち、個々にシールドされた半導体装置を提供することができることから、配線回路基板４１上に搭載された複数の半導体装置に対して一括してシールドを施す必要が無い。従って、配線回路基板４１の設計の自由度も高まり、電子機器の小型化を図ることができる。

更に、半導体装置３０の動作に伴い発せられる熱を、接地用電極３８及び金属からなるシールド部材３９を介して外部に放散することができ、当該半導体装置３０の動作の安定化を図ることができる。

尚、本発明によれば、配線回路基板４１上に搭載された複数個の半導体装置３０に対して、一括して、即ち共通するシールド（遮蔽）構造を配設することも勿論可能である。

電子機器の形態、電子回路構成によっては、かかる構成が選択される場合もある。

即ち、図５Ａに示されるように、配線回路基板４１上に近接して搭載された複数個、例えば２個の半導体装置３０を、一つの箱型（断面が略コの字型）のシールド部材３９により共通に被覆することができる。かかる形態を半導体装置３０ＳＳとする。

かかる構成にあっては、シールド部材３９は、少なくとも一つの半導体装置３０に於いて、その封止用樹脂３６の外側面に導出された接地用電極３８の端部３８−１に接着部材４０を介して接続され、接地電位が付与される。尚、ここでは、当該シールド部材３９の内側面には、接地用電極３８の端部３８−１に対応する凸部は設けられていないが、前記図４に示す構成の如く、必要に応じて配設することができる。

また、かかる構成にあっては、当該シールド部材３９は、複数個の半導体装置３０を一括して（共通に）被覆し、これら複数個の半導体装置３０のなす外形寸法と略等しい外形寸法をもって配設される。従って、かかる構成を適用しても、当該シールド部材３９の配設によって配線回路基板４１の大形化を招く恐れは殆ど無い。

更に、かかる構成にあっては、当該シールド部材３９により被覆される複数個の半導体装置３０の相互の間隔は、必要に応じて選択される。この為、当該複数個の半導体装置３０相互間に隙間を設け、シールド部材３９の一部を、当該隙間に横方向或いは垂直方向に延在して配置することもできる。これにより、当該シールド部材３９により被覆された半導体装置相互間の電磁シールド（遮蔽）がなされる。

一方、第１の実施態様にあっては、接地用電極３８は、前記電極パッド３７部から上方（略垂直方向）に延出された後、半導体素子３３から離間する方向に緩やかに曲げられているが、本発明はかかる構成に限定されない。

当該接地用電極３８は、前記電極パッド３７から略垂直方向に延出された後、半導体素子３３から離間する方向にほぼ直角に折曲された形状を有する金属線或いは金属板から構成され、その端部３８−１が封止用樹脂３６の側面に導出されて、表出されてもよい。

また、前記実施の形態にあっては、接地用電極３８が、配線基板３２の上面に於いて、その四辺それぞれに於いて３個配設されているが、当該接地用電極３８の設置数について制限はない。少なくとも１つの接地用電極３８が、封止用樹脂３６の側面に於いて表出され、シールド部材３９に接続されればよい。当該接地用電極３８とシールド部材３９との接続が複数の箇所に於いてなされれば、電気抵抗を降下させることができ、安定した電気的接続を可能とし、更に放熱効果も大きい。

２．半導体装置の第２の実施態様
本発明による半導体装置の第２の実施態様を図６に示す。また、当該半導体装置の断面を図７に示す。当該断面は、図６に示す線Ａ−Ａ'に於ける断面である。

この第２の実施態様に於ける半導体装置５０も、所謂ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体装置である。

尚、以下の説明にあっては、前記第１の実施態様に於ける構成と対応する箇所については同一の符号を付し、その説明を省略する。

当該半導体装置の第２の実施態様にあっては、図６及び図７に示すように、一つの配線基板３２に於いて接地配線パターン３５に接続されている２つの電極パッド３７間を、金（Ａｕ）線或いは銅（Ｃｕ）線等からなる接地用電極３８Ａより接続している。当該接地用電極３８Ａは、ほぼ円弧状のワイヤーループを有して、２つの電極パッド３７間を接続している。当該接地用電極３８Ａは、例えば約３００μｍΦ乃至４００μｍΦの直径を有するワイヤ、或いは同等の幅を有する帯状体から形成される。

かかるループ状の接地用電極３８Ａは、配線基板３２の四辺の夫々に沿って、それぞれ１つ配設されている。そして、当該接地用電極３８Ａは、その円弧状部の側面部が、封止用樹脂３６の側面に於いて外部に表出されている。尚、シールド部材３８Ａについては、配線基板３２の辺に沿って円弧状に延びる状態を示す為、図７にあっては、その高さ方向に延びる部分を含めて図示している。また、当該接地用電極３８Ａの円弧状部が、封止用樹脂３６の側面に於いて外部に表出する為の手段については後述する。

かかる第２の実施態様にあっては、端部が接地電位に接続される導体、即ち接地用電極３８Ａが、封止用樹脂３６の側面に於いて円弧状に表出されている。

従って、当該封止用樹脂３６の外表面を被覆してシールド部材を配設し、当該シールド部材を、円弧状に表出された接地用電極３８Ａに接続することにより、半導体装置５０の動作時、当該半導体装置５０は前記シールド部材により有効に電磁シールド（遮蔽）される。

この様に、封止用樹脂３６の外表面を被覆してシールド部材を配設することにより、当該半導体装置５０の外形寸法の不要な大形化を招くことなく、有効な電磁シールド（遮蔽）がなされる。

この時、シールド部材の形態、被着時期、並びにヒートシンクへの対応については、前記第１の実施態様に於ける構成と同様の構成を採ることができる。

かかる構造を有する半導体装置５０に、シールド部材３９を配設した状態を図８に示す。かかる形態を半導体装置５０Ｓとする。

尚、シールド部材３８Ａは、配線基板３２の辺に沿って円弧状に延びる状態を示す為、当該図８にあっても、その高さ方向に延びる部分を含めて図示している。

即ち、半導体装置５０に於ける封止用樹脂３６上を覆って、箱型（断面が略コの字型）のシールド（遮蔽）部材３９が配設される。

前述の如く、当該シールド部材３９は、銅（Ｃｕ）或いはアルミニウム（Ａｌ）等の金属板から形成されるが、勿論他の材料、例えば樹脂から形成され、その表面に金属被覆が施されたものであってもよい。

当該シールド部材３９の内部底面及び／或いは内側面と、封止用樹脂３６の表面は、接着剤（図示せず）を介して固着されている。

そして、当該シールド部材３９の内側面と、前記半導体装置５０の封止用樹脂３６の側面に導出された接地用電極３８Ａの円弧状部は、半田又は銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接着剤からなる接着部材４０を介して接続され導通している。

即ち、当該シールド部材３９は、当該半導体装置５０の動作時、接地電位が付与される。

かかる構成にあっては、接地用電極３８Ａはその円弧状部をもってシールド部材３９に接触或いは接続される。従って、当該接地用電極３８Ａとシールド部材３９は、より広い接触面積をもって接触し、良好な電気的接続がなされる。

当該シールド部材３９が被覆・配設された半導体装置５０を、配線基板（マザーボード）に実装した状態を図９に示す。

前述の如く、シールド部材３８Ａについては、配線基板３２の辺に沿って円弧状に延びる状態を示す為、当該図９にあっても、その高さ方向に延びる部分を含めて図示している。

図９を参照するに、配線回路基板（マザーボード）４１に、球状バンプ３２を介して実装された半導体装置５０Ｓに於いては、半導体装置５０を覆って配設されたシールド部材３９は、配線回路基板４１に於ける接地配線パターン４２に電気的に接続される。

かかる構成によれば、半導体装置５０に於ける配線基板３２の下面に配設されている複数の球状バンプ３１のうち、当該配線基板３２の接地配線パターン３５に接続されている球状バンプ３１は、配線回路基板４１に設けられている接地配線パターン４２に接続される。

即ち、半導体装置５０を被覆して配設されたシールド部材３９は、接着部材４０、円弧状の接地用電極３８Ａ、電極パッド３７、配線基板３２の接地配線パターン３５、及び球状バンプ３１を介して、配線回路基板（マザーボード）４１の接地配線パターン４２に接続され、接地電位が付与される。従って、当該半導体素子５０から発生する電磁波の外部への放出が阻止され、また、当該半導体装置５０に対する外部環境からの電磁波による影響も遮断される。

この様な第２の実施態様に於ける半導体装置５０にあっても、封止用樹脂３６の表面を覆って箱型（断面が略コの字型）のシールド部材３９が配設される。従って、前記配線回路基板４１のより小形化を図ることができる。

また、当該シールド部材３９は、個々の半導体装置５０に対して配設される。即ち、個々にシールドされた半導体装置を提供することができることから、配線回路基板４１上に搭載された複数の半導体装置に対して一括してシールドを施す必要が無く、配線回路基板４１の設計の自由度も高まり、電子機器の小型化を図ることができる。

更に、半導体装置５０の動作に伴い発せられる熱を、より広い接触面積をもって接続された接地用電極３８Ａ及びシールド部材３９を介して外部に効果的に放散することができ、当該半導体装置５０の動作の安定化を図ることができる。

また、前述の如く、当該半導体装置５０にあっては、接地用電極３８Ａとシールド部材３９は、広い接触面積をもって接続され得ることから、一つの円弧状接地用電極３８Ａをシールド部材３９に接続することにより、シールド効果を得ることができる。従って、略同一のシールド効果を奏する半導体装置を、前記第１の実施の態様に於ける半導体装置３０に比して、少ない工程をもって製造することができる。但し、接地用電極３８Ａが複数個配設されれば、当然電気抵抗を降下させることができ、安定した電気的接続を可能とし、また、より大きな放熱性を得ることができる。

尚、前記図５Ａに示した構成と同様に、当該第２の実施態様にあっても、配線回路基板４１上に搭載された複数個の半導体装置５０に対して、一括してシールド部材３９を配設することが可能である。（図示せず）
３．半導体装置の第３の実施態様
本発明による半導体装置の第３の実施態様を図１０に示す。また、当該半導体装置の断面を図１１に示す。当該断面は、図１０に示す線Ａ−Ａ'に於ける断面である。

この第３の実施態様に於ける半導体装置７０も、所謂ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体装置である。

尚、以下の説明にあっては、前記第１の実施態様に於ける構成と対応する箇所については同一の符号を付し、その説明を省略する。

当該第３の実施態様に於ける半導体装置７０にあっては、図１０及び図１１に示されるように、配線基板３２の各辺の略中央に配設され、接地配線パターン３５に接続されている電極パッド３７上に、柱状の接地用電極３８Ｂが配置・接続され、当該接地用電極３８Ｂの他端部３８Ｂ−１は、封止用樹脂３６の上面に表出されている。

即ち、金（Ａｕ）線或いは銅（Ｃｕ）線等からなる柱状の接地用電極３８Ｂは、電極パッド３７上にほぼ垂直に延在されて、その先端部３８Ｂ−１が封止用樹脂３６の上面に表出されている。

当該接地用電極３８Ｂは、例えばワイヤボンディング法により配設され、半導体装置７０の封止用樹脂３６の上面に於いて表出する長さとされる。

当該接地用電極３８Ｂの形成方法としては、当該ワイヤボンディング法の他、所定の長さを有する柱状（棒状）金属ピンを電極パッド３７上に植立させてもよく、また、複数個のボールバンプを積み上げ、最上段のボールバンプが封止用樹脂３６の上面に表出する構成としてもよい。

かかる第３の実施態様にあっては、一端が接地電位に接続される導体、即ち接地用電極３８Ｂの端部３８Ｂ−１が、封止用樹脂３６の上面に於いて表出されている。

従って、当該封止用樹脂３６の外表面を被覆してシールド部材を配設し、当該シールド部材を前記接地用電極３８Ｂに接続することにより、半導体装置５０の動作時、当該半導体装置５０は前記シールド部材により有効に電磁シールド（遮蔽）される。

この様に、封止用樹脂３６の外表面を被覆してシールド部材を配設することにより、当該半導体装置５０の外形寸法の不要な大形化を招くことなく、有効な電磁シールド（遮蔽）がなされる。

尚、シールド部材の形態、被着時期、並びにヒートシンクへの対応については、前記第１の実施態様に於ける構成と同様の構成を採ることができる。

当該半導体装置７０に対し、シールド部材を配設した状態を図１２に示す。かかる形態を半導体装置７０Ｓとする。

即ち、半導体装置７０に於ける封止用樹脂３６上を覆って、箱型（断面が略コの字型）のシールド（遮蔽）部材３９が配設される。

前述の如く、当該シールド部材３９は、銅（Ｃｕ）或いはアルミニウム（Ａｌ）等の金属板から形成されるが、勿論他の材料、例えば樹脂から形成され、その表面に金属被覆が施されたものであってもよい。

当該シールド部材３９の内側面及び／或いは底面と、封止用樹脂３６の表面は、接着剤（図示せず）を介して固着されている。

そして、当該シールド部材３９の内面と、前記半導体装置７０の封止用樹脂３６の上面に導出された接地用電極３８Ｂの端部３８Ｂ−１は、半田又は銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接着剤等の接着部材４０を介して接続され導通している。

即ち、当該シールド部材３９は、当該半導体装置７０の動作時、接地電位が付与される。

かかる構成にあっては、接地用電極３８Ｂはその端部３８Ｂ−１をもってシールド部材３９に接続される。

この様に、シールド部材３９が被覆・配設された半導体装置７０を、配線基板（マザーボード）に実装した状態を図１３に示す。

図１３を参照するに、配線回路基板（マザーボード）４１に、球状バンプ３２を介して実装された半導体装置７０Ｓに於いて、半導体装置７０を覆って配設されたシールド部材３９は、配線回路基板４１に於ける接地配線パターン４２に電気的に接続される。

かかる構成によれば、半導体装置７０に於ける配線基板３２の下面に配設されている複数の球状バンプ３１のうち、当該配線基板３２の接地配線パターン３５に接続されている球状バンプ３１は、配線回路基板４１に設けられている接地配線パターン４２に接続される。

即ち、半導体装置７０を被覆して配設されたシールド部材３９は、接着部材４０、接地用電極３８Ｂ、電極パッド３７、配線基板３２の接地配線パターン３５、及び球状バンプ３１を介して、配線回路基板（マザーボード）４１の接地配線パターン４２に接続され、接地電位が付与される。従って、当該半導体素子７０から発生する電磁波の外部への放出が阻止され、また、当該半導体装置７０に対する外部環境からの電磁波による影響も遮断される。

この様な第３の実施態様に於ける半導体装置７０にあっても、封止用樹脂３６の表面を覆って箱型（断面が略コの字型）のシールド部材３９が配設される。従って、前記配線回路基板４１のより小形化を図ることができる。

また、当該シールド部材３９は、個々の半導体装置７０に対して配設される。即ち、個々にシールドされた半導体装置を提供することができることから、配線回路基板４１上に搭載された複数の半導体装置に対して一括してシールドを施す必要が無く、配線回路基板４１の設計の自由度も高まり、電子機器の小型化を図ることができる。

更に、半導体装置７０の動作に伴い発せられる熱は、直線状の接地用電極３８Ｂを介して効率的にシールド部材３９へ伝導され、外部に効果的に放散することができ、当該半導体装置７０の動作の安定化を図ることができる。

また、当該第３の実施態様にあっては、接地用電極３８Ｂが、配線基板３２の上面に於いて、その四辺それぞれに於いて配設されているが、当該接地用電極３８Ｂの設置数について制限はない。少なくとも１個の接地用電極３８Ｂが、封止用樹脂３６の上面に於いて表出され、シールド部材３９に接続されればよい。但し、接地用電極３８Ｂとシールド部材３９との接続が複数の箇所に於いてなされれば、電気抵抗を降下させることができ、安定した電気的接続を可能とし、更に放熱効果も大きい。

更に、前記図５Ａに示した構成と同様に、当該第３の実施態様にあっても、配線回路基板４１上に搭載された複数個の半導体装置７０に対して、一括してシールド部材３９を配設することが可能である。（図示せず）
尚、前記第１の実施態様に於ける半導体装置３０、並びに第３の実施態様に於ける半導体装置７０に於いては、半導体素子の回路構成及び／或いは機能によっては、接地電極用電極パッド３７を、ボンディングワイヤ３４が接続されるに電極パッド列と同一線上に並べて配置することもできる。（図示せず）
かかる電極パッド配置構成であれば、半導体素子の小形化を可能とし、もって半導体装置として小形化を図ることができる。

［半導体装置の製造方法］
次いで、上述の本発明の実施態様にかかる半導体装置３０、５０及び７０の製造方法について説明する。尚、以下の説明において参照する図面にあっては、配線基板３２及び配線回路基板（マザーボード）４１の詳細な構成を示すことを省略している。

１．半導体装置の製造方法の第１の例
前記本発明による半導体装置の第１の実施態様に於ける半導体装置の製造方法について、図１４乃至図２３を参照して説明する。

先ず、背面にダイボンディングフィルム等のダイボンディング材８１が貼り付けられた半導体素子３３の主面（電子回路素子・電子回路などの形成面）側を吸着コレット８２により吸着保持し、当該半導体素子３３を、後に配線基板３２となる大判の基板８３上に、前記ダイボンディング材８１を介して、搭載・固着する。（図１４−（ａ）参照）
当該基板８３上には、複数個の半導体素子が搭載・固着される。

次いで、前記半導体素子３３の電極パッドと、当該半導体素子３３の電極パッドに対応して配設された基板８３上の電極パッド（図示せず）とを、ボンディングワイヤ３４を用いて接続する。（図１４−（ｂ）参照）
このとき、当該基板８３の上面の、前記ボンディングワイヤ３４が接続されている電極パッドよりも外側の領域、即ち半導体素子３３から遠い位置に於いて、接地配線パターン３５に接続された電極パッド（図示せず）と、隣り合う他の半導体素子３３の搭載領域に於いて接地配線パターン３５に接続された電極パッド（図示せず）との間を接続して、ボンディングワイヤ８４Ａをループ状に配設する。（図１５−（ｃ）参照）
当該ループ状ボンディングワイヤ８４Ａが、前記ボンディングワイヤ３４と同一径、同一材料である場合には、同一のワイヤボンディング工程に於いて接続することができる。

当該ループ状ボンディングワイヤ８４Ａは、後の工程に於いて、半導体装置間に於いて切断・分離され、接地用電極３８とされる。

当該接地用電極３８は、前記ボンディングワイヤにより形成される他、略コの字形を有する金属棒或いは金属板等の導電性部材８５を用い、導電性接着剤８６を介して、前記接地配線パターン３５に接続された電極パッド間を橋絡状に接続する形態とすることもできる。（図１５−（ｃ）'参照）
何れの場合も、前記ボンディングワイヤ３４の径は例えば約１８μｍΦ乃至３０μｍΦであるのに対し、接地用電極３８の径は、当該ボンディングワイヤ３４の径と同一、或いはそれ以上の太さ、例えば約１００μｍΦ乃至５００μｍΦとされる。

次いで、前記基板８３上に搭載された複数個の半導体素子３３、個々の半導体素子に接続されたボンディングワイヤ３４、並びに接地用電極３８等を、封止用樹脂３６Ａにより封止する。（図１６−（ｄ）参照）このとき、基板８３の主面上に搭載・固着された複数個の半導体素子３３、当該半導体素子３３に接続されたボンディングワイヤ３４、並びにループ状ボンディングワイヤ８４Ａ等を一括して樹脂封止する。

当該樹脂封止処理は、金型８７（上金型８７Ａ，下金型８７Ｂ）を用いた、所謂トランスファーモールド法、或いはコンプレッションモールド法を適用することができる。

しかる後、前記基板８３の他方の主面（裏面）に於いて、複数個の半導体素子３３のそれぞれに対応して、外部接続端子たる半田ボール３１を配設する。（図１６−（ｅ）参照）
次いで、当該基板８３の一方の主面にあって封止用樹脂３６Ａにより樹脂封止された半導体素子３３、及び当該半導体素子３３に接続されたボンディングワイヤ３４等を１つの単位として、前記ループ状ボンディングワイヤ８４Ａ（或いは、略コの字形を有する金属棒或いは金属板等の導電性部材８５）の長さ方向の略中央部に於いて、前記基板８３及び封止用樹脂３６Ａを、その厚さ方向に切断する。（図１７−（ｆ）参照）
切断・分離手段としては、ダイシングソー８８を用いたブレードダイシング法を適用することができる。また、所謂レーザーダイシング法を適用することもできる。

この結果、配線基板３２の主面上に、半導体素子３３、当該半導体素子３３に接続されたボンディングワイヤ３４、接地用電極３８等が配設され、封止用樹脂３６により樹脂封止され、個片化された半導体装置３０が形成される。（図１７−（ｇ）参照）
当該半導体装置３０にあっては、封止用樹脂３６の側面に、ボンディングワイヤ８４Ａが切断された結果である接地用電極３８の端部３８−１が表出している。一方、配線基板３２の他方の主面には、外部接続端子たる半田ボール３１が配設されている。

この様な構成を有する半導体装置３０に対し、シールド部材を配設する。

前記封止用樹脂３６の側面に於いて露出している接地用電極３８の端部３８−１に対し、半田又は銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接着剤からなる接着部材４０を、ディスペンス法又はスクリーン印刷法等により選択的に被着する。（図１８−（ｈ）参照）
次いで、前記封止用樹脂３６を覆って、箱形（断面が略コの字型）の金属からなるシールド部材３９を配設する。（図１８−（ｉ）参照）このとき、シールド部材３９の内側底面に予め接着剤８９を配設しておくことにより、当該接着剤８９によりシールド部材３９は封止用樹脂３６に固着される。

勿論、当該接着剤８９を、予め封止用樹脂３６の上面に配置することもできる。

次いで、かかる状態で加熱処理を行い、接地用電極３８の端部３８−１とシールド部材３９とを接着部材４０により接続する。（図１９−（ｊ）参照）
ここで、加熱方法としては、一つに、シールド部材３９の側面に於いて接地用電極３８の端部３８−１が位置する箇所に対して選択的に加熱を施す方法を採ることができる。また、接着剤４０が半田からなる場合には、リフローにより加熱してもよく、接着部剤４０が銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接着剤からなる場合には、高温槽を用いて加熱硬化させてもよい。

この様にして、封止用樹脂３６を被覆してシールド部材３９が配設された半導体装置３０Ｓが形成される。

当該半導体装置３０Ｓにあっては、シールド部材３９は、接着部材４０、接地用電極３８、電極パッド３７、配線基板３２の接地配線パターン３４及び球状バンプ３１を介して、配線回路基板（マザーボード）４１の接地配線パターン４２等に導通が可能となる。従って、半導体装置３０は、有効にシールド（遮蔽）される。

当該半導体装置３０に対するシールド部材３９の配設は、前記手段に限定されるものではなく、例えば図２０乃至図２１に示す手段を適用することもでき、半導体装置３０Ｓを形成することができる。

即ち、前記図１７−（ｇ）に示す工程の後、封止用樹脂３６の側面に露出している接地用電極３８の端部３８−１に、半田又は銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接着剤等の接着部材４０を、ディスペンス法又はスクリーン印刷法等により被着する。（図２０−（ｈ）'参照）
次いで、半導体装置の封止用樹脂３６の上面に、略十字形を有する板状或いは箔状の金属製シールド部材３９Ａを配置する。（図２０−（ｉ）'参照）この時、封止用樹脂３６の上面に接するシールド部材３９Ａには、予め接着剤８９を選択的に配設しておくことにより、シールド部材３９Ａは当該接着剤８９を介して、封止用樹脂３６の上面に固着される。

次に、板状或いは箔状のシールド部材３９Ａを、封止用樹脂３６の外側面に沿って、当該側面と平行となるように折曲する。（図２０−（ｉ）''参照）この結果、シールド部材３９は、断面が略コの字型とされる。

しかる後、当該シールド部材３９が被着・固定された半導体装置に対し、加熱処理を施す。（図２１−（ｊ）'参照）。この結果、接地用電極３８の端部３８−１とシールド部材３９が接着部材４０を介して接続される。ここで、加熱方法として、前記図１９−（ｊ）を参照して説明したと同様の手段を採ることができる。

かかる半導体装置３０に対するシールド部材３９の配設は上記手段に限られず、更に、図２２乃至図２３に示される手段を適用することによっても、半導体装置３０Ｓを形成することができる。

即ち、前記図１７−（ｇ）に示す工程の後に、半導体装置３０の封止用樹脂３６の上面から、断面が略コの字型の金属製のシールド部材３９を被着する。（図２２参照）
このとき、当該シールド部材３９の内側面であって、封止用樹脂３６の側面において露出している接地用電極３８の端面３８−１に対応する箇所には、接続用突起部３９Ｂが設けられている。また、対向する接続用突起部３９Ｂ間の距離Ｌは、半導体装置３０の外形寸法Ｐと略同一又は若干短く設定されている。更に、シールド部材３９の内側底面には、接着部剤４０が配設されている。

このようなシールド部材３９を、半導体装置３０の封止樹脂３６の上方から被覆することにより、封止用樹脂３６の側面において、前記接地用電極３８の端部面３８−１とシールド部材３９の接続用突起部３９Ｂとが接して接続される。

また、シールド部材３９は、その内側底面に予め配設された接着剤８９を介して、封止用樹脂３６の上面に固着される。（図２３参照）
尚、本例では、接地用電極３８の端部３８−１と、シールド部材３９の内側面に設けられた接続用突起部３９Ｂとを機械的に接触させているが、これに加え、接地用電極３８の端部３８−１に、半田又は銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接着剤等の接着部材４０を、ディスペンス法又はスクリーン印刷法等により配設しておき、当該接着部材４０をもって接続を強化することもできる。

また、前述の如く、板状のシールド部材３９を、封止樹脂３０の側面と略平行になるように折曲し、接地用電極３８の端部３８−１と、シールド部材３９の接続用突起部３９Ｂとを機械的に接続してもよい。

この様に、本例の製造方法によれば、簡易な工程で接地用電極３８を配設し、且つシールド部材３９との接続を容易に行うことができる。

特に、接地用電極３８をワイヤボンディング法により形成する場合、ボンディングワイヤ３４の配設工程と同一工程により、当該接地用電極３１を配設することができ、製造工程を簡素化することができる。

２．半導体装置の製造方法の第２の例
次いで、前記本発明による半導体装置の第２の実施態様に於ける半導体装置の製造方法について、図２４乃至図２７を参照して説明する。

尚、前記図１４乃至図２３に示した製造方法に於いて示した部位に対応する部位には同じ符号を付し、その説明を省略する。

先ず、背面にダイボンディングフィルム等のダイボンディング材８１が貼り付けられた半導体素子３３の主面（電子回路素子・電子回路などの形成面）側を吸着コレット８２により吸着保持し、当該半導体素子３３を、後に配線基板３２となる大判の基板８３上に、前記ダイボンディング材８１を介して、搭載・固着する。（図２４−（ａ）参照）
当該基板８３上には、複数個の半導体素子が搭載・固着される。

次いで、前記半導体素子３３の電極パッドと基板８３の電極パッド（図示せず）とを、ボンディングワイヤ３４を用いて接続する。（図２４−（ｂ）参照）
このとき、当該基板８３の上面の、前記ボンディングワイヤ３４が接続されている電極パッド以外よりも外側の領域、即ち半導体素子３３から遠い位置に於いて、配線基板３２の四辺それぞれに平行して、接地配線パターン３５に接続された二つの電極パッド（図示せず）間を結んで、ボンディングワイヤ８４Ａをループ状に配設する。（図２４−（ｂ）−１参照）
即ち、当該ループ状ボンディングワイヤ８４Ａは、配線基板３２の四辺に対応して、且つ隣り合う他の半導体素子３３の搭載領域との境界上に位置し、当該境界に平行して延在するよう配設される。（図２４−（ｂ）−２参照）
当該ループ状ボンディングワイヤ８４Ａが、前記ボンディングワイヤ３４と同一径、同一材料である場合には、同一のワイヤボンディング工程に於いて接続することができる。

当該ループ状ボンディングワイヤ８４Ａは、後の工程に於いて、半導体装置間に於いて切断・分離され、接地用電極３８とされる。

当該接地用電極３８は、前記ボンディングワイヤ８４Ａにより形成される他、略コの字形を有する金属棒或いは金属板等の導電性部材８５を用い、導電性接着剤８６を介して、前記接地配線パターン３５に接続された電極パッド間を橋絡状に接続する形態とすることもできる。

何れの場合も、前記接地用電極３８の径或いは幅は、ダイシングブレードの厚さの１．５乃至２倍以上の太さ或いは幅が選択され、例えば約３００μｍΦ乃至５００μｍΦの太さとされる。

次いで、前記基板８３上に搭載された複数個の半導体素子３３、個々の半導体素子に接続されたボンディングワイヤ３４、並びに接地用電極３８等を、封止用樹脂により気密封止する。（図２５−（ｃ）参照）このとき、基板８３の主面上に搭載・固着された複数個の半導体素子３３、当該半導体素子３３に接続されたボンディングワイヤ３４、並びに接地用電極部３１等を一括して樹脂封止する。

当該樹脂封止処理は、金型８７（上金型８７Ａ，下金型８７Ｂ）を用いた、所謂トランスファーモールド法、或いはコンプレッションモールド法を適用することができる。

しかる後、前記基板８３の他方の主面（裏面）に於いて、複数個の半導体素子３３のそれぞれに対応して、外部接続端子たる半田ボール３１を配設する。（図２５−（ｄ）参照）
次いで、当該基板８３の一方の主面にあって封止用樹脂により樹脂封止された半導体素子３３、及び当該半導体素子３３に接続されたボンディングワイヤ３４等を１つの単位として、前記基板８３及び封止用樹脂３６Ａをその厚さ方向に切断する。（図２６−（ｅ）参照）
切断・分離手段としては、ダイシングソー８８を用いたブレードダイシング法を適用することができる。また、所謂レーザーダイシング法を適用することもできる。

この時、当該ダイシング処理は、隣り合う半導体素子３３が載置された回路基板の境界部に対してなされる。従って、当該境界部に配設されていたループ状ボンディングワイヤ８４Ｂ（或いは、略コの字形を有する金属棒或いは金属板等の導電性部材８５）は、その長さ方向に沿って、且つその幅（径）方向の略中央部に於いて分離される。

この結果、配線基板３２の主面上に、半導体素子３３、当該半導体素子３３に接続されたボンディングワイヤ３４、接地用電極３８Ａ等が配設され、封止用樹脂３６により樹脂封止された半導体装置５０が形成される。（図２６−（ｆ）参照）
当該半導体装置５０にあっては、封止用樹脂３６の側面部に、前記ボンディングワイヤ８４Ａがその長さ方向に切断された結果である接地用電極３８が、その幅（径）断面をループ状に露出して配置されている。一方、配線基板３２の他方の主面には、外部接続端子たる半田ボール３１が配設されている。

次いで、前記封止用樹脂３６を覆って、箱形（断面が略コの字型）の金属からなるシールド部材３９を配設すれる。（図２７参照）
この様にして、封止用樹脂３６を被覆してシールド部材３９が配設された半導体装置５０Ｓが形成される。

ここに示す形態にあっては、前記図２２に示した構成と同様に、当該シールド部材３９の内側面であって、封止用樹脂３６の側面において露出している接地用電極３８に対応する箇所に、接続用突起部３９Ｂが設けられている。対向する接続用突起部３９Ｂ間の距離Ｌは、半導体装置３０の外形寸法と略同一又は若干短く設定される。

尚、このとき、シールド部材３９の内側底面に接着剤（図示せず）を配設しておくことにより、当該接着剤によりシールド部材３９を封止用樹脂３６に固着することもできる。

勿論、当該接着剤を、予め封止用樹脂３６の上面に配置することもできる。

この様に、本例の製造方法によれば、比較的簡易な工程により接地用電極３８を配置することができる。

特に、接地用電極３８を、ワイヤボンディング法より設ける場合には、ボンディングワイヤ１５の形成工程と同一工程により、接地用電極３８を配設することができ、製造工程を簡素化することができる。

更に、本例の製造方法によれば、接地用電極３８は、その長さ方向に沿って、即ちループ状或いはコ字状の形態をもって、封止用樹脂３６の側面に露出する。

従って、シールド部材３９との接触面積を大きく得ることができる。この為、封止用樹脂３６の側面から露出する接地用電極３８の数は少数であってよく、接地用電極３８の配設工程を簡略化することができる。従って、より少ない工程、時間により半導体装置を製造することができる。勿論、接地用電極３８Ａが複数個配設されれば、当然電気抵抗を降下させることができ、安定した電気的接続を可能とし、また、より大きな放熱性を得ることができる。

３．半導体装置の製造方法の第３の例
次いで、前記本発明による半導体装置の第３の実施態様に於ける半導体装置の製造方法について、図２８乃至図３２を参照して説明する。

尚、ここでも、前記図１４乃至図２７に示した製造方法に於いて示した部位に対応する部位には同じ符号を付し、その説明を省略する。

先ず、背面にダイボンディングフィルム等のダイボンディング材８１が貼り付けられた半導体素子３３の主面（電子回路素子・電子回路などの形成面）側を吸着コレット８２により吸着保持し、当該半導体素子３３を、後に配線基板３２となる大判の基板８３上に、前記ダイボンディング材８１を介して、搭載・固着する。（図２８−（ａ）参照）
当該基板８３上には、複数個の半導体素子が搭載・固着される。

次いで、前記半導体素子３３の電極パッドと基板８３の電極パッド（図示せず）とを、ボンディングワイヤ３４を用いて接続する。（図２８−（ｂ）参照）
このとき、当該基板８３の上面の、前記ボンディングワイヤ３４が接続されている電極パッドよりも外側の領域、即ち半導体素子３３から遠い位置に於いて、接地配線パターン３５に接続された電極パッド（図示せず）に、ボンディングツール９０を用いて、略垂直方向に伸びるボンディングワイヤ８４Ｃを配設する。（図２９−（ｃ）参照）
当該垂直方向に伸びるボンディングワイヤ８４Ｃが、前記ボンディングワイヤ３４と同一径、同一材料である場合には、同じワイヤボンディング工程に於いて配設することができる。即ち、電極パッド３７（例えば図３参照）に対し、周知のボンディングツールを適用してワイヤボンディングを行い、当該ボンディングツールを垂直方向に引き上げ、前記ボンディングワイヤ３４のワイヤーループの最上部よりも高い位置に於いて、当該ワイヤを切断することにより形成する。

当該垂直方向に伸びるボンディングワイヤ８４Ｃは、後の工程に於いて、接地用電極３８とされる。

尚、かかる接地用電極３８としては、前記ボンディングワイヤに代えて、金属からなり所定の長さ（高さ）の柱状ピンを適用することもできる。

或いは、前記電極パッド３７上に、所謂ボールバンプ８４Ｄを複数個積み上げ、最上段のボールバンプの上面が所定の高さに位置するようにして、接地用電極３８を形成することもできる。（図２９−（ｃ）'参照）
何れの場合も、接地用電極３８の高さ（長さ）は、当該半導体装置に於ける封止用樹脂３６の外表面に表出する高さに設定される。

次いで、前記基板８３上に搭載された複数個の半導体素子３３、個々の半導体素子に接続されたボンディングワイヤ３４、並びに接地用電極３８等を、封止用樹脂により封止する。（図３０−（ｄ）参照）
このとき、基板８３の主面上に搭載・固着された複数個の半導体素子３３、当該半導体素子３３に接続されたボンディングワイヤ３４、並びに接地用電極部３１等を一括して樹脂封止する。

当該樹脂封止処理は、金型８７（上金型８７Ａ，下金型８７Ｂ）を用いた、所謂トランスファーモールド法、或いはコンプレッションモールド法を適用することができる。

次いで、前記封止用樹脂に対し研削処理を施し、当該封止用樹脂の上面に、前記接地用電極３８を表出せしめる。（図３０−（ｅ）参照）
当該研削処理は、砥石９１を用いて行うことができる。

しかる後、前記基板８３の他方の主面（裏面）に於いて、複数個の半導体素子３３のそれぞれに対応して、外部接続端子たる半田ボール３１を配設する。（図３１−（ｆ）参照）
次いで、当該基板８３の一方の主面にあって封止用樹脂により樹脂封止された半導体素子３３、及び当該半導体素子３３に接続されたボンディングワイヤ３４等を１つの単位として、前記基板８３及び封止用樹脂３６Ａをその厚さ方向に切断する。（図３１−（ｇ）参照）
切断・分離手段としては、ダイシングソー８８を用いたブレードダイシング法を適用することができる。また、所謂レーザーダイシング法を適用することもできる。

この結果、配線基板３２の主面上に、半導体素子３３、当該半導体素子３３に接続されたボンディングワイヤ３４、接地用電極３８等が配設され、封止用樹脂３６により樹脂封止された半導体装置７０が形成される。（図３１−（ｇ）参照）
当該半導体装置７０にあっては、前記封止用樹脂３６の上面に、接地用電極３８がその端部３８−１を表出している。一方、配線基板３２の他方の主面には、外部接続端子たる半田ボール３１が配設されている。（図３１−（ｈ）参照）
次いで、前記封止用樹脂３６を覆って、箱形（断面が略コの字型）の金属からなるシールド部材３９を配設する。

即ち、前記封止用樹脂３６の上面に表出している接地用電極３８の端部３８−１部に、導電性接着剤からなる接着部材４０を被着する。

しかる後、当該半導体装置７０に於ける封止用樹脂３６上を覆って、箱型（断面が略コの字型）のシールド（遮蔽）部材３９を配設する。（図３２参照）
この様にして、封止用樹脂３６を被覆してシールド部材３９が配設された半導体装置７０Ｓが形成される。

この結果、当該シールド部材３９の内面と、前記半導体装置７０の封止用樹脂３６の上面に導出された接地用電極３８Ｂの端部３８Ｂ−１は、半田又は銀（Ａｇ）ペースト等の導電性接着剤からなる接着部材４０を介して接続され導通する。

即ち、当該シールド部材３９は、当該半導体装置７０の動作時、接地電位が付与される。

かかる構成にあっては、接地用電極３８Ｂはその端部３８Ｂ−１をもってシールド部材３９に接続される。

尚、当該シールド部材３９の内側面及び／或いは底面と、封止用樹脂３６の表面は、接着剤（図示せず）を介して固着される。

この様な製造方法によれば、簡易な工程をもって接地用電極３８を配設することができる。特に、接地用電極３８をワイヤボンディング法により配設することにより、ボンディングワイヤ３４の形成工程と同一工程により、接地用電極３１を形成することができ、製造工程を簡素化することができる。

尚、前述の如く、第１の実施態様に於ける半導体装置３０ならびに第３の実施態様に於ける半導体装置７０にあっては、半導体素子の回路構成・機能によっては、接地電極用電極パッド３７を、ボンディングワイヤ３４が接続されるに電極パッド列と同一線上に並べて配置することもできる。

従って、前記半導体装置の製造方法の第１の例、並びに第３の例にあっては、かかる構成に対応して、電極パッド、ボンディングワイヤ、接地用電極の配設がなされる場合もある。

以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形ならびに改良が可能である。

例えば、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体装置に適用することもできる。

本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、より具体的には、シールド構造を備えることができる半導体装置、シールド構造を備えた半導体装置、並びに当該半導体装置の製造方法に適用することができる。

Claims (7)

1. 基板と、
   当該基板上に搭載された半導体素子と、
   当該半導体素子を被覆する封止用樹脂と、
   一端が前記基板の配線層に接続され、且つその一部が前記封止用樹脂の表面に露出された接地用電極と、
   前記封止用樹脂の上及び側壁上を被覆し、且つ前記接地用電極に接続されたシールド部材と
   を有し、
   前記シールド部材の下端が、前記基板の上面より低いか同じ高さの位置にあり、
   前記シールド部材は突起部を有し、
   前記突起部と前記接地用電極の一部とが接続することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置であって、
   前記接地用電極は、前記基板の上面に設けられたボンディングワイヤであって、
   前記接地用電極の側面が、前記封止用樹脂の前記側面において露出し、前記シールド部材と接触していることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または２記載の半導体装置であって、
   前記シールド部材は、複数の前記半導体素子の前記封止用樹脂の上及び側壁上を被覆することを特徴とする半導体装置。
4. 基板上に複数個の半導体素子を搭載する工程と、
   隣り合う前記半導体素子の配線基板領域間を跨ぐように接地電極用部材を配設する工程と、
   前記半導体素子並びに前記接地電極用部材を封止用樹脂により被覆する工程と、
   前記基板、前記封止用樹脂並びに前記接地電極用部材を分離して前記封止用樹脂の表面に露出面を有する接地用電極を有する個片化された半導体装置を形成する工程と、
   前記個片化された半導体装置の前記封止用樹脂の上及び側壁上にシールド部材を配設する工程と
   を有し、
   前記接地用電極の一部と接触する前記シールド部材の箇所には突起部が形成されており、
   前記シールド部材を前記封止用樹脂の上及び側壁上に配設することにより、前記接地用電極の一部が前記シールド部材の前記突起部に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 複数の半導体素子が配置された基板の、隣接する半導体素子との分離ライン上に、接地
   電極用部材を設ける工程と、
   前記接地電極用部材と前記半導体素子とを、樹脂を用いて封止する工程と、
   前記基板、前記封止用樹脂並びに前記接地電極用部材を、前記分離ラインに沿って分離して前記封止用樹脂の表面に露出面を有する接地用電極を有する個片化された半導体装置を形成する工程と、
   前記個片化された半導体装置の前記封止用樹脂の上及び側壁上にシールド部材を配設して、前記接地用電極と前記シールド部材とを接触させる工程と
   を有し、
   前記接地用電極の一部と接触する前記シールド部材の箇所には突起部が形成されており、
   前記シールド部材を前記封止用樹脂の上及び側壁上に配設することにより、前記接地用電極の一部が前記シールド部材の前記突起部に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項５記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記接地用電極の一部に半田又は導電性接着剤を設け、
   前記シールド部材を、前記導電接着剤を介して前記接地用電極の一部と接触させ、
   前記シールド部材を加熱することにより、前記シールド部材と前記接地用電極の一部とを接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項４乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記シールド部材の下端が、前記基板の上面より低いか同じ高さの位置にあることを特徴とする半導体装置の製造方法。

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