JP5085997B2 - プラズマエッチング性能強化方法及び装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 88
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title description 8
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 title 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 145
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 128
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 128
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 128
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 97
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 80
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 71
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 60
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 60
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 53
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 126
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 88
- 230000008569 process Effects 0.000 description 33
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 19
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000699666 Mus <mouse, genus> Species 0.000 description 2
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000777624 Homo sapiens Hsp90 co-chaperone Cdc37-like 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100031587 Hsp90 co-chaperone Cdc37-like 1 Human genes 0.000 description 1
- 241000699670 Mus sp. Species 0.000 description 1
- -1 SiH 3 (CH 3 ) Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012686 silicon precursor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
- H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
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Description
・誘電層とマスク層との間での高いエッチング選択性
・垂直方向で直線となる特徴部のプロファイル
・限界寸法(CD)の制御
前記誘電層上にマスクを形成するステップと、
前記マスクの露出面に保護シリコン含有被覆を形成するステップと、
前記マスク及び保護シリコン含有被覆を介して前記誘電層をエッチングすることによって前記特徴部を形成するステップと、を備え、
前記保護シリコン含有被覆を形成するステップは、
SiF4とH2とを含む保護被覆ガスを提供するステップと、
前記保護被覆ガスをプラズマに変換するステップと、
前記プラズマから前記保護シリコン含有被覆を堆積させるステップと、
前記保護被覆ガスを停止するステップと、
を含み、
前記特徴部は、底部を有し、
前記保護シリコン含有被覆を形成するステップは、前記特徴部の前記底部となる部分に前記保護シリコン含有被覆を堆積させない、方法である。
(2)本発明の他の形態としての方法は、誘電層をエッチングして特徴部を形成する方法であって、
誘電層上にマスクを形成するステップと、
前記誘電層をエッチングすることによって前記特徴部を部分的に形成するステップと、
前記部分的に形成された特徴部の側壁に保護シリコン含有被覆を形成するステップと、
前記誘電層をエッチングすることによって前記特徴部を完全に形成するステップと、を備え、
前記保護シリコン含有被覆を形成するステップは、
SiF4とH2とを含む保護被覆ガスを提供するステップと、
前記保護被覆ガスをプラズマに変換するステップと、
前記プラズマから前記保護シリコン含有被覆を堆積させるステップと、
前記保護被覆ガスを停止するステップと、
を含み、
前記特徴部は、底部を有し、
前記保護シリコン含有被覆を形成するステップは、前記特徴部の前記底部となる部分に前記保護シリコン含有被覆を堆積させない、方法である。
(3)本発明の一形態としての装置は、マスクの下に配置された誘電層に特徴部を形成する装置であって、
プラズマ処理チャンバ筐体を形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバ筐体内で基板を支持する基盤支持部と、
前記プラズマ処理チャンバ筐体内の圧力を調整する圧力調整器と、
プラズマを維持するために前記プラズマ処理チャンバ筐体に電力を提供する少なくとも一個の電極と、
前記プラズマ処理チャンバ筐体内にガスを提供するガス入口と、
前記プラズマ処理チャンバ筐体からガスを排出するガス出口と、
を有するプラズマ処理チャンバと、
シリコン含有堆積ガスソースと、
エッチングガスソースと、
を有し、前記ガス入口と流体的に連絡するガスソースと、
少なくとも一個のプロセッサと、
コンピュータ読み取り可能な媒体と、
を有し、前記ガスソース及び前記少なくとも一個の電極に制御可能に接続されたコントローラと、
を備え、
前記コンピュータ読み取り可能な媒体が、
前記シリコン含有ガスソースからシリコン含有堆積ガスを提供するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
前記シリコン含有堆積ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
前記マスクの露出面において、前記プラズマから保護シリコン含有被覆を堆積させるためのコンピュータ読み取り可能なコード、及び
前記シリコン含有ガスソースから前記シリコン含有堆積ガスを提供するステップを終了するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
を含み、前記マスクの露出面に保護シリコン含有被覆を形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記エッチガスソースからエッチガスを提供するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
前記エッチガスから、前記誘電層をエッチングするプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコード、及び
前記エッチガスソースから前記エッチガスを提供するステップを終了するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
を含み、前記マスク及び保護シリコン含有被覆を介して前記誘電層をエッチングすることによって前記特徴部を形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
を含み、
前記特徴部は、底部を有し、
前記保護シリコン含有被覆を形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードは、前記特徴部の前記底部となる部分に前記保護シリコン含有被覆を堆積させない、装置である。
(4)本発明は、以下の適用例としても実現可能である。
[適用例1]
誘電層に特徴部をエッチングする方法であって、
前記誘電層上にマスクを形成するステップと、
前記マスクの露出面に保護シリコン含有被覆を形成するステップと、
前記マスク及び保護シリコン含有被覆を介して前記特徴部をエッチングするステップと、を備える方法。
[適用例2]
前記特徴部は、底部を有し、
前記保護シリコン含有被覆を形成するステップは、前記特徴部の前記底部に前記シリコン含有被覆を堆積させない、適用例1記載の方法。
[適用例3]
前記保護シリコン含有被覆を形成するステップは、
SiF4、SiH4、Si(CH3)4、SiH(CH3)3、SiH2(CH3)2、SiH3(CH3)、Si(C2H5)4、又は他の有機シリコン化合物のうちの少なくとも一つを含む保護被覆ガスを提供するステップと、
前記保護被覆ガスをプラズマに変換するステップと、
前記プラズマから前記保護シリコン被覆を堆積させるステップと、
前記保護被覆ガスを停止するステップと、を含む、適用例1記載の方法。
[適用例4]
前記保護被覆ガスは、SiF4を含む、適用例3記載の方法。
[適用例5]
前記保護被覆ガスは、更にH2を含む、適用例4記載の方法。
[適用例6]
前記マスク及び保護シリコン含有被覆を介して前記特徴部をエッチングするステップは、
CH3F及びCH2F2を含まないエッチングガスを提供するステップと、
前記特徴部をエッチングする前記エッチングガスからプラズマを形成するステップと、を含む、適用例5記載の方法。
[適用例7]
更に、前記保護シリコン被覆を形成する前に、前記誘電層において、前記特徴部をボーイング深度まで部分的にエッチングするステップを備える、適用例6記載の方法。
[適用例8]
前記保護シリコン被覆を形成するステップと、前記特徴部をエッチングするステップとは、少なくとも三回循環的に実行される、適用例6記載の方法。
[適用例9]
前記保護被覆を堆積させるステップは、5〜500Wのバイアス電力を提供するステップを含む、適用例3記載の方法。
[適用例10]
前記バイアス電力を提供するステップは、低周波RF信号を提供するステップを含む、適用例9記載の方法。
[適用例11]
前記特徴部は、垂直なプロファイルを有する、適用例10記載の方法。
[適用例12]
更に、前記保護シリコン被覆を形成する前に、前記誘電層において、前記特徴部をボーイング深度まで部分的にエッチングするステップを備える、適用例1記載の方法。
[適用例13]
前記マスクは、有機材料マスクである、適用例1記載の方法。
[適用例14]
前記マスク及び保護シリコン含有被覆を介して前記特徴部をエッチングするステップは、
CH3F及びCH2F2を含まないエッチングガスを提供するステップと、
前記特徴部をエッチングする前記エッチングガスからプラズマを形成するステップと、を含む、適用例1記載の方法。
[適用例15]
誘電層に特徴部をエッチングする方法であって、
誘電層上にマスクを形成するステップと、
前記誘電層に特徴部を部分的にエッチングするステップと、
前記部分的にエッチングされた特徴部の側壁に保護シリコン含有被覆を形成するステップと、
前記特徴部を完全にエッチングするステップと、を備える方法。
[適用例16]
前記特徴部を部分的にエッチングするステップでは、前記特徴部をボーイング深度までエッチングする、適用例15記載の方法。
[適用例17]
前記特徴部は、底部を有し、
前記保護シリコン含有被覆を形成するステップは、前記特徴部の前記底部に前記シリコン含有被覆を堆積させない、適用例16記載の方法。
[適用例18]
前記保護シリコン含有被覆を形成する前記ステップは、
SiF4、SiH4、Si(CH3)4、SiH(CH3)3、SiH2(CH3)2、SiH3(CH3)、Si(C2H5)4、又は他の有機シリコン化合物のうちの少なくとも一つを含む保護被覆ガスを提供するステップと、
前記保護被覆ガスをプラズマに変換するステップと、
前記プラズマから前記保護シリコン被覆を堆積させるステップと、
前記保護被覆ガスを停止するステップと、を含む、適用例17記載の方法。
[適用例19]
前記保護被覆を堆積させる前記ステップは、5〜500Wのバイアス電力を提供するステップを含む、適用例18記載の方法。
[適用例20]
前記バイアス電力を提供するステップは、低周波RF信号を提供するステップを含む、適用例19記載の方法。
[適用例21]
前記特徴部は、垂直なプロファイルを有する、適用例20記載の方法。
[適用例22]
前記マスクは、有機材料マスクである、適用例15記載の方法。
[適用例23]
前記特徴部を完全にエッチングするステップは、
CH3F及びCH2F2を含まないエッチングガスを提供するステップと、
前記特徴部をエッチングする前記エッチングガスからプラズマを形成するステップと、を含む、適用例15記載の方法。
[適用例24]
マスクの下に配置された誘電層に特徴部を形成する装置であって、
プラズマ処理チャンバ筐体を形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバ筐体内で基板を支持する基盤支持部と、
前記プラズマ処理チャンバ筐体内の圧力を調整する圧力調整器と、
プラズマを維持するために前記プラズマ処理チャンバ筐体に電力を提供する少なくとも一個の電極と、
前記プラズマ処理チャンバ筐体内にガスを提供するガス入口と、
前記プラズマ処理チャンバ筐体からガスを排出するガス出口と、
を有するプラズマ処理チャンバと、
シリコン含有堆積ガスソースと、
エッチングガスソースと、
を有し、前記ガス入口と流体的に連絡するガスソースと、
少なくとも一個のプロセッサと、
コンピュータ読み取り可能な媒体と、
を有し、前記ガスソース及び前記少なくとも一個の電極に制御可能に接続されたコントローラと、
を備え、
前記コンピュータ読み取り可能な媒体が、
前記シリコン含有ガスソースからシリコン含有堆積ガスを提供するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
前記シリコン含有堆積ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
前記マスクの露出面において、前記プラズマからシリコン含有層を堆積させるためのコンピュータ読み取り可能なコード、及び
前記シリコン含有ガスソースから前記シリコン含有堆積ガスを提供するステップを終了するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
を含み、前記マスクの露出面にシリコン含有被覆を形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記エッチガスソースからエッチガスを提供するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
前記エッチガスから、前記誘電層に特徴部をエッチングするプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコード、及び
前記エッチガスソースから前記エッチガスを提供するステップを終了するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
を含み、前記マスク及び保護シリコン含有層を介して特徴部をエッチングするためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
を含む、装置。
本発明の上記その他の特徴は、本発明の詳細な説明において、添付図面と併せて以下に更に詳細に説明する。
単一のエッチング堆積エッチングサイクル
単一の堆積エッチングサイクル
利点
試験結果
試験1.ブランケットシリコンウェーハ堆積及びエッチングの特徴付け
試験2.RFバイアス2MHzでの堆積処理の比較
試験3.部分的にエッチングされたパターン形成済みウェーハでの堆積
試験4.パターン形成済みウェーハの堆積後エッチング
試験5.継続的エッチング−堆積−エッチング処理
試験6.上部CD縮小のための事前堆積
Claims (17)
- 誘電層をエッチングして特徴部を形成する方法であって、
前記誘電層上にマスクを形成するステップと、
前記マスクの露出面に保護シリコン含有被覆を形成するステップと、
前記マスク及び保護シリコン含有被覆を介して前記誘電層をエッチングすることによって前記特徴部を形成するステップと、を備え、
前記保護シリコン含有被覆を形成するステップは、
SiF4とH2とを含む保護被覆ガスを提供するステップと、
前記保護被覆ガスをプラズマに変換するステップと、
前記プラズマから前記保護シリコン含有被覆を堆積させるステップと、
前記保護被覆ガスを停止するステップと、
を含み、
前記特徴部は、底部を有し、
前記保護シリコン含有被覆を形成するステップは、前記特徴部の前記底部となる部分に前記保護シリコン含有被覆を堆積させない、方法。 - 前記マスク及び保護シリコン含有被覆を介して前記誘電層をエッチングするステップは、
CH3F及びCH2F2を含まないエッチングガスを提供するステップと、
前記エッチングガスからプラズマを形成するステップと、を含む、請求項1記載の方法。 - 更に、前記保護シリコン含有被覆を形成する前に、前記誘電層をボーイング深度まで部分的にエッチングするステップを備える、請求項2記載の方法。
- 前記保護シリコン含有被覆を形成するステップと、前記誘電層をエッチングするステップとは、少なくとも三回循環的に実行される、請求項2記載の方法。
- 前記保護シリコン含有被覆を堆積させるステップは、5〜500Wのバイアス電力を提供するステップを含む、請求項1記載の方法。
- 前記バイアス電力を提供するステップは、低周波RF信号を提供するステップを含む、請求項5記載の方法。
- 前記特徴部は、垂直なプロファイルを有する、請求項6記載の方法。
- 更に、前記保護シリコン含有被覆を形成する前に、前記誘電層をボーイング深度まで部分的にエッチングするステップを備える、請求項1記載の方法。
- 前記マスクは、有機材料マスクである、請求項1記載の方法。
- 誘電層をエッチングして特徴部を形成する方法であって、
誘電層上にマスクを形成するステップと、
前記誘電層をエッチングすることによって前記特徴部を部分的に形成するステップと、
前記部分的に形成された特徴部の側壁に保護シリコン含有被覆を形成するステップと、
前記誘電層をエッチングすることによって前記特徴部を完全に形成するステップと、を備え、
前記保護シリコン含有被覆を形成するステップは、
SiF4とH2とを含む保護被覆ガスを提供するステップと、
前記保護被覆ガスをプラズマに変換するステップと、
前記プラズマから前記保護シリコン含有被覆を堆積させるステップと、
前記保護被覆ガスを停止するステップと、
を含み、
前記特徴部は、底部を有し、
前記保護シリコン含有被覆を形成するステップは、前記特徴部の前記底部となる部分に前記保護シリコン含有被覆を堆積させない、方法。 - 前記誘電層をエッチングすることによって前記特徴部を部分的に形成するステップでは、前記誘電層をボーイング深度までエッチングする、請求項10記載の方法。
- 前記保護シリコン含有被覆を堆積させる前記ステップは、5〜500Wのバイアス電力を提供するステップを含む、請求項10記載の方法。
- 前記バイアス電力を提供するステップは、低周波RF信号を提供するステップを含む、請求項12記載の方法。
- 前記特徴部は、垂直なプロファイルを有する、請求項13記載の方法。
- 前記マスクは、有機材料マスクである、請求項10記載の方法。
- 前記誘電層をエッチングすることによって前記特徴部を完全に形成するステップは、
CH3F及びCH2F2を含まないエッチングガスを提供するステップと、
前記エッチングガスからプラズマを形成するステップと、を含む、請求項10記載の方法。 - マスクの下に配置された誘電層に特徴部を形成する装置であって、
プラズマ処理チャンバ筐体を形成するチャンバ壁と、
前記プラズマ処理チャンバ筐体内で基板を支持する基盤支持部と、
前記プラズマ処理チャンバ筐体内の圧力を調整する圧力調整器と、
プラズマを維持するために前記プラズマ処理チャンバ筐体に電力を提供する少なくとも一個の電極と、
前記プラズマ処理チャンバ筐体内にガスを提供するガス入口と、
前記プラズマ処理チャンバ筐体からガスを排出するガス出口と、
を有するプラズマ処理チャンバと、
シリコン含有堆積ガスソースと、
エッチングガスソースと、
を有し、前記ガス入口と流体的に連絡するガスソースと、
少なくとも一個のプロセッサと、
コンピュータ読み取り可能な媒体と、
を有し、前記ガスソース及び前記少なくとも一個の電極に制御可能に接続されたコントローラと、
を備え、
前記コンピュータ読み取り可能な媒体が、
前記シリコン含有ガスソースからシリコン含有堆積ガスを提供するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
前記シリコン含有堆積ガスからプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
前記マスクの露出面において、前記プラズマから保護シリコン含有被覆を堆積させるためのコンピュータ読み取り可能なコード、及び
前記シリコン含有ガスソースから前記シリコン含有堆積ガスを提供するステップを終了するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
を含み、前記マスクの露出面に保護シリコン含有被覆を形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
前記エッチガスソースからエッチガスを提供するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
前記エッチガスから、前記誘電層をエッチングするプラズマを形成するためのコンピュータ読み取り可能なコード、及び
前記エッチガスソースから前記エッチガスを提供するステップを終了するためのコンピュータ読み取り可能なコード、
を含み、前記マスク及び保護シリコン含有被覆を介して前記誘電層をエッチングすることによって前記特徴部を形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードと、
を含み、
前記特徴部は、底部を有し、
前記保護シリコン含有被覆を形成するためのコンピュータ読み取り可能なコードは、前記特徴部の前記底部となる部分に前記保護シリコン含有被覆を堆積させない、装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/508,725 | 2006-08-22 | ||
US11/508,725 US7977390B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-08-22 | Method for plasma etching performance enhancement |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008060566A JP2008060566A (ja) | 2008-03-13 |
JP2008060566A5 JP2008060566A5 (ja) | 2010-09-24 |
JP5085997B2 true JP5085997B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=39129128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007214211A Active JP5085997B2 (ja) | 2006-08-22 | 2007-08-21 | プラズマエッチング性能強化方法及び装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5085997B2 (ja) |
KR (1) | KR101468213B1 (ja) |
CN (1) | CN101131927A (ja) |
MY (1) | MY148830A (ja) |
SG (1) | SG140538A1 (ja) |
TW (1) | TWI453814B (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9373521B2 (en) | 2010-02-24 | 2016-06-21 | Tokyo Electron Limited | Etching processing method |
JP5662079B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2015-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法 |
US8574447B2 (en) * | 2010-03-31 | 2013-11-05 | Lam Research Corporation | Inorganic rapid alternating process for silicon etch |
JP6001940B2 (ja) * | 2012-07-11 | 2016-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法及び基板処理システム |
US20140051256A1 (en) * | 2012-08-15 | 2014-02-20 | Lam Research Corporation | Etch with mixed mode pulsing |
JP2014225501A (ja) | 2013-05-15 | 2014-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
CN104616956B (zh) * | 2013-11-05 | 2017-02-08 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 等离子体刻蚀设备及方法 |
JP6331452B2 (ja) * | 2014-02-19 | 2018-05-30 | 愛知製鋼株式会社 | 有機膜のエッチング方法 |
JP6549765B2 (ja) | 2014-06-16 | 2019-07-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法 |
CN105336665B (zh) * | 2014-06-19 | 2019-01-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 基于超低k电介质的互连结构的制造方法及制造的产品 |
JP2017098478A (ja) | 2015-11-27 | 2017-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
JP6584339B2 (ja) * | 2016-02-10 | 2019-10-02 | Sppテクノロジーズ株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
KR102549308B1 (ko) | 2016-03-29 | 2023-06-30 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 에칭 장치 |
JP6770848B2 (ja) | 2016-03-29 | 2020-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP6784530B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2020-11-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
WO2017170405A1 (ja) | 2016-03-29 | 2017-10-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
US10658194B2 (en) * | 2016-08-23 | 2020-05-19 | Lam Research Corporation | Silicon-based deposition for semiconductor processing |
CN106856163A (zh) * | 2016-11-22 | 2017-06-16 | 上海华力微电子有限公司 | 一种高深宽比图形结构的形成方法 |
KR102434050B1 (ko) * | 2016-12-02 | 2022-08-19 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 에치 파라미터를 변화시키는 방법 |
JP6415636B2 (ja) * | 2017-05-25 | 2018-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
JP7037384B2 (ja) * | 2018-02-19 | 2022-03-16 | キオクシア株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2020064924A (ja) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化膜の成膜方法および半導体装置の製造方法 |
JP7174634B2 (ja) | 2019-01-18 | 2022-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 膜をエッチングする方法 |
WO2020121540A1 (ja) * | 2019-02-04 | 2020-06-18 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
KR102629727B1 (ko) | 2019-02-11 | 2024-01-25 | 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디. | 보호층의 인시튜 형성에 의한 신규한 에칭 방법 |
JP7422557B2 (ja) * | 2019-02-28 | 2024-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7390199B2 (ja) * | 2020-01-29 | 2023-12-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、基板処理装置、及び基板処理システム |
JP2022150973A (ja) | 2021-03-26 | 2022-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
WO2023166613A1 (ja) * | 2022-03-02 | 2023-09-07 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理方法 |
CN115513051B (zh) * | 2022-11-04 | 2023-02-10 | 合肥晶合集成电路股份有限公司 | 硬掩模层返工方法及dmos形成方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4241045C1 (de) * | 1992-12-05 | 1994-05-26 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum anisotropen Ätzen von Silicium |
US5545289A (en) * | 1994-02-03 | 1996-08-13 | Applied Materials, Inc. | Passivating, stripping and corrosion inhibition of semiconductor substrates |
JPH08195380A (ja) * | 1995-01-13 | 1996-07-30 | Sony Corp | コンタクトホールの形成方法 |
US7169695B2 (en) * | 2002-10-11 | 2007-01-30 | Lam Research Corporation | Method for forming a dual damascene structure |
US7169701B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-01-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dual damascene trench formation to avoid low-K dielectric damage |
TWI255502B (en) * | 2005-01-19 | 2006-05-21 | Promos Technologies Inc | Method for preparing structure with high aspect ratio |
-
2007
- 2007-08-07 SG SG200705771-4A patent/SG140538A1/en unknown
- 2007-08-07 MY MYPI20071310A patent/MY148830A/en unknown
- 2007-08-08 TW TW096129259A patent/TWI453814B/zh active
- 2007-08-17 KR KR1020070082844A patent/KR101468213B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-08-21 JP JP2007214211A patent/JP5085997B2/ja active Active
- 2007-08-21 CN CNA2007101417360A patent/CN101131927A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200818313A (en) | 2008-04-16 |
KR20080018110A (ko) | 2008-02-27 |
JP2008060566A (ja) | 2008-03-13 |
KR101468213B1 (ko) | 2014-12-03 |
CN101131927A (zh) | 2008-02-27 |
TWI453814B (zh) | 2014-09-21 |
SG140538A1 (en) | 2008-03-28 |
MY148830A (en) | 2013-06-14 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150914 Year of fee payment: 3 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
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