JP6584339B2 - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
(A)前記チャンバ内で保護膜形成ガスをプラズマ化して、前記開口に対応する前記半導体基板の孔の側壁及び底に保護膜を形成する保護膜形成工程、
(B)前記チャンバ内でエッチングガスをプラズマ化して、前記保護膜のうち、前記底の保護膜部分を物理エッチングにより除去する除去工程、及び、
(C)前記チャンバ内でエッチングガスをプラズマ化して、前記保護膜部分が除去された前記底に対して化学エッチングを実施する孔形成工程。
初めに、本実施形態の半導体素子の製造方法に使用するプラズマエッチング装置について説明する。本実施形態でいう半導体素子は、集積回路、抵抗、コンデンサだけでなくMEMS(センサ、アクチュエータ等)も含む。
[概要]
本実施形態による半導体素子の製造方法を説明する。半導体素子を製造する場合、エッチングマスク(以下、単にマスクという)が形成された半導体基板が準備される。マスクは、レジストマスクであってもよいし、酸化物マスクであってもよい。
本実施形態の半導体素子の製造方法は、保護膜9を形成してマスクMを補正する初期工程と、補正されたマスクMを用いて半導体基板をエッチングするエッチング工程とを備える。以下、エッチング工程の一例として深掘りエッチングする場合の製造方法を詳述する。しかしながら、エッチング工程は深掘りエッチングに限定されない。
初期工程では、初めに、開口80を有するマスクMが形成された半導体基板Kを準備する。マスクMは、周知の方法で形成される。マスクMがレジストマスクである場合、フォトレジストをスピンコート装置で塗布して形成される。マスクMは酸化物マスクであってもよい。酸化物マスクの成膜方法はたとえば、化学気相蒸着法(CVD)や、物理気相蒸着法(PVD)等の蒸着法である。酸化物マスクの材質はたとえば、SiO2である。マスクMを形成した後、周知の方法で、エッチングマスクにマスクパターン(開口)を形成する。
初期工程により補正されたマスクMを形成した後、エッチング工程EP(図9参照)を実施する。本例では、エッチング工程の一例として、深掘りエッチング工程を詳述する。
深掘りエッチング工程は、各々所定期間の保護膜形成工程A、除去工程B、及び孔形成工程Cとを、A〜Cの順に実施する工程を含む。深掘りエッチング工程は、ボッシュ(商標)プロセスとも呼ばれる。
保護膜形成工程Aでは、ガス供給部32から保護膜形成ガスをチャンバ2内のプラズマ生成空間SP1に供給し、プラズマ化する。プラズマによって生成されたラジカル重合物は孔のエッチングマスク上、側壁、及び底に堆積し、保護膜9を形成する。なお、保護膜形成工程Aの所定期間内で、その終了前の一定期間に、チャンバ2内のガスを置換する工程を実施してもよい。ガス置換工程では、チャンバ2内の排気を強めたり、その後の工程で使用するエッチングガス(SF6ガス)をチャンバ2内のプラズマ生成空間SP1に供給したりする。
保護膜9を形成した後、除去工程を実施する。なお、除去工程Bの所定期間内で、その開始後の一定期間に、チャンバ2内のガスを置換する工程を実施してもよい。ガス置換工程では、除去工程Bの工程で使用する、一定期間後よりも大流量のエッチングガス(SF6ガス)をチャンバ2内のプラズマ生成空間SP1に供給する。要するに、工程間でガスが変わる場合、各工程所定期間内の最後又は最初の一定期間にガス置換を確実に行える工程を設けても良い。エッチングガスから保護膜形成ガス(C4F8)に変わる場合に、同様に適用してもよいことは、言うまでも無い。
開口80又は溝孔Hの底の保護膜を除去した後、孔形成工程Cを実施する。ガス供給部31からチャンバ2内のプラズマ生成空間SP1に供給されたエッチングガスを、プラズマ生成空間SP1でプラズマ化する。開口80又は溝孔Hの底において化学エッチングが進行する。このとき、側壁92又は溝孔Hの側壁には保護膜9が残存するため、エッチングが抑制される。以上の工程により、鉛直方向NKへの深掘りが進行する。孔形成工程Cの後、再び保護膜形成工程Aを実施する。
2 チャンバ
51 試料台
K 半導体基板
Claims (3)
- チャンバ内の試料台に、開口を有するエッチングマスクが形成された半導体基板を配置し、前記チャンバ内でフッ化炭素ガス又はHFO1234yfである保護膜形成ガスをプラズマ化し、かつ、試料台にバイアス電力を印加して、前記エッチングマスクに保護膜を形成する初期工程と、
前記初期工程後、前記エッチングマスクに前記保護膜が形成された前記半導体基板をエッチングするエッチング工程とを備え、
前記初期工程では、前記チャンバ内で前記保護膜形成ガスをプラズマ化して前記開口の側壁及び底に前記保護膜を形成しつつ、前記試料台に前記バイアス電力を印加して、物理エッチングにより前記開口の底に形成された前記保護膜を除去し、
前記エッチング工程は、次の(A)〜(C)の工程を(A)〜(C)の順に繰り返し実施する工程を含む、半導体素子の製造方法。
(A)前記チャンバ内で保護膜形成ガスをプラズマ化して、前記開口に対応する前記半導体基板の孔の側壁及び底に保護膜を形成する保護膜形成工程、
(B)前記チャンバ内でエッチングガスをプラズマ化して、前記保護膜のうち、前記底の保護膜部分を物理エッチングにより除去する除去工程、及び、
(C)前記チャンバ内でエッチングガスをプラズマ化して、前記保護膜部分が除去された前記底に対して化学エッチングを実施する孔形成工程。 - 請求項1に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記初期工程の期間は、前記保護膜形成工程の期間よりも長い、半導体素子の製造方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記エッチングマスクは、酸化物からなるエッチングマスクを含む、半導体素子の製造方法。
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