JP5074047B2 - 電子デバイス製造プロセス - Google Patents
電子デバイス製造プロセス Download PDFInfo
- Publication number
- JP5074047B2 JP5074047B2 JP2007011714A JP2007011714A JP5074047B2 JP 5074047 B2 JP5074047 B2 JP 5074047B2 JP 2007011714 A JP2007011714 A JP 2007011714A JP 2007011714 A JP2007011714 A JP 2007011714A JP 5074047 B2 JP5074047 B2 JP 5074047B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase change
- change material
- photoresist
- thin film
- print pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
- G03F7/2016—Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
- G03F7/2018—Masking pattern obtained by selective application of an ink or a toner, e.g. ink jet printing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
Description
Claims (4)
- 基板の上にフォトレジスト層を堆積させるステップと、
前記フォトレジスト層を、前記フォトレジスト層の全体の溶解性を変更させるように露光するステップと、
前記フォトレジスト層の上に相変化材料を堆積させるステップであって、
前記相変化材料がプリントヘッドを備えるプリンティング・システムを使用して堆積し、
前記プリントヘッドが液相中の前記相変化材料を放出するための少なくとも1つの放出器を含み、
前記相変化材料が、プリント・パターンで堆積し、その結果、前記プリント・パターンが、前記相変化材料の液相から固相への変化に続いて残存する、ステップと、
前記相変化材料のプリント・パターンの下にある領域内を除く前記フォトレジスト層と、前記相変化材料のプリント・パターンの下にある前記フォトレジスト層の全部ではなく一部と、を除去する、ステップと、
を含み、その結果、前記基板の上にフォトレジスト層の微細なフィーチャであって、それらの幅が当初それらの上に置かれた前記相変化材料のその部分の幅より小さいフィーチャ、が形成される、
構造体を形成する方法。 - 構造体を形成する方法であって、
基板の上に薄膜材料を堆積させるステップと、
前記薄膜材料の上にフォトレジスト材料を堆積させるステップと、
前記フォトレジスト材料を、前記フォトレジスト材料の全体の溶解性を変更させるように放射線に暴露するステップと、
前記フォトレジスト材料の上に相変化材料を堆積させるステップであって、
前記相変化材料がプリントヘッドを備えるプリンティング・システムを使用して堆積し、
前記プリントヘッドが液相中の前記相変化材料を放出するための少なくとも1つの放出器を含み、
前記相変化材料がプリント・パターンで堆積し、その結果、前記プリント・パターンが、前記相変化材料の液相から固相への変化に続いて残存する、ステップと、
前記相変化材料のプリント・パターンの下にある領域内を除く前記フォトレジスト材料を現像し、かつ前記相変化材料のプリント・パターンの下にある前記フォトレジスト材料層の全部ではなく一部を、前記薄膜材料の上にフォトレジスト材料の微細なフィーチャが形成され、それらの幅がそれらの上に置かれた前記相変化材料のその部分の幅より小さくなるように現像する、ステップと、
前記相変化材料を除去する、ステップと、
前記フォトレジスト材料のフィーチャの下にある領域内を除く前記薄膜材料を除去する、ステップと、を含み、
前記基板の上に薄膜材料の微細なフィーチャであって、それらの幅が当初それらの上に置かれた前記相変化材料のその部分の幅より小さいフィーチャ、が形成される、方法。 - 構造体を形成する方法であって、
基板の上にフォトレジスト材料を堆積させるステップと、
前記フォトレジスト材料を、前記フォトレジスト材料の全体の溶解性を変更させるように放射線に暴露するステップと、
前記フォトレジスト材料の上に相変化材料を堆積させるステップであって、
前記相変化材料がプリントヘッドを備えるプリンティング・システムを使用して堆積され、
前記プリントヘッドが液相中の前記相変化材料を放出するための少なくとも1つの放出器を含み、
前記相変化材料がプリント・パターンで堆積され、その結果、前記プリント・パターンが、前記相変化材料の液相から固相への変化に続いて残存する、ステップと、
前記相変化材料のプリント・パターンの下にある領域内を除く前記フォトレジスト材料を現像し、かつ前記相変化材料のプリント・パターンの下にある前記フォトレジスト材料層の全部ではなく一部を、前記基板の上にフォトレジスト材料の微細フィーチャが形成され、フィーチャの幅がフィーチャの上に置かれた前記相変化材料のフィーチャ部分の幅より小さくなるように現像する、ステップと、
前記基板、フォトレジスト材料の微細フィーチャ、および相変化材料の上に薄膜材料を堆積させるステップと、
前記相変化材料を除去するステップと、
前記フォトレジスト材料の微細フィーチャを除去するステップと、
を含み、
前記相変化材料およびフォトレジスト材料の微細フィーチャの除去時にそれらの上に置かれた薄膜材料が同様に除去され、それらを除去した場所に堆積させた前記薄膜材料は同じ場所に残される、方法。 - 基板の上に着色したフォトレジストを含むブラック・マトリクス材料を堆積させるステップと、
前記ブラック・マトリクス材料を、前記ブラック・マトリクス材料の全体の溶解性を変更させるように光に暴露するステップと、
前記ブラック・マトリクス材料の上に相変化材料を堆積させるステップであって、
前記相変化材料がプリントヘッドを備えるプリンティング・システムを使用して堆積し、
前記プリントヘッドが液相中の前記相変化材料を放出するための少なくとも1つの放出器を含み、
前記相変化材料が境界付き開口を画定するプリント・パターンで堆積し、その結果、前記プリント・パターンが、前記相変化材料の液相から固相への変化に続いて残存する、ステップと、
前記相変化材料のプリント・パターンの下にある領域内を除く前記ブラック・マトリクス材料を除去し、かつ前記相変化材料のプリント・パターンの下にある前記ブラック・マトリクス材料層の全部ではなく一部を、前記基板の上にブラック・マトリクス材料の境界付き構造が形成され、前記境界付き構造がブラック・マトリクス材料の要素によって形成され、ブラック・マトリクス材料の要素のそれぞれの幅がそれらの上に置かれた前記相変化材料のその部分の幅より小さくなるように除去する、ステップと、
前記相変化材料を除去し、少なくとも前記ブラック・マトリクス材料の境界付き構造を残すステップと、
を含む、構造体を形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/336,365 US7498119B2 (en) | 2006-01-20 | 2006-01-20 | Process for forming a feature by undercutting a printed mask |
US11/336,365 | 2006-01-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007194641A JP2007194641A (ja) | 2007-08-02 |
JP5074047B2 true JP5074047B2 (ja) | 2012-11-14 |
Family
ID=38285934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007011714A Active JP5074047B2 (ja) | 2006-01-20 | 2007-01-22 | 電子デバイス製造プロセス |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7498119B2 (ja) |
EP (1) | EP1906229B1 (ja) |
JP (1) | JP5074047B2 (ja) |
DE (1) | DE602007007167D1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7955783B2 (en) * | 2007-11-09 | 2011-06-07 | Palo Alto Research Center Incorporated | Lamination for printed photomask |
US8551556B2 (en) * | 2007-11-20 | 2013-10-08 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method for obtaining controlled sidewall profile in print-patterned structures |
US20090155732A1 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method for Patterning Using Phase-Change Material |
US8765226B2 (en) * | 2007-12-13 | 2014-07-01 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method for patterning using phase-change material |
TWI370270B (en) * | 2008-08-06 | 2012-08-11 | Au Optronics Corp | Color filter sustrate and fabricating method thereof |
DE102010013755A1 (de) | 2009-04-02 | 2010-10-14 | Optrex Europe Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Strukturen mit negativen Flanken |
US8610285B2 (en) | 2011-05-30 | 2013-12-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 3D IC packaging structures and methods with a metal pillar |
US8664760B2 (en) | 2011-05-30 | 2014-03-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Connector design for packaging integrated circuits |
US9829740B2 (en) | 2014-07-23 | 2017-11-28 | Apple Inc. | Display with reduced color mixing |
CN104979372B (zh) * | 2015-05-20 | 2018-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法以及显示装置 |
CN105116685B (zh) * | 2015-09-24 | 2019-10-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种光刻胶图案的制作方法、彩色滤光片及显示装置 |
JP6671335B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2020-03-25 | 株式会社小森コーポレーション | 機能性膜のパターニング方法、電子デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3958252A (en) | 1971-11-12 | 1976-05-18 | Casio Computer Co., Ltd. | Ink jet type character recording apparatus |
US4131899A (en) | 1977-02-22 | 1978-12-26 | Burroughs Corporation | Droplet generator for an ink jet printer |
JPS5724539A (en) * | 1980-07-22 | 1982-02-09 | Nec Corp | Formation of pattern |
GB2127751B (en) | 1982-10-06 | 1986-04-23 | Plessey Co Plc | Producing narrow features in electrical devices |
US4533624A (en) | 1983-05-23 | 1985-08-06 | Sperry Corporation | Method of forming a low temperature multilayer photoresist lift-off pattern |
JPS61256729A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Toshiba Corp | 導体パタ−ンの形成方法 |
JPS643663A (en) | 1987-06-26 | 1989-01-09 | Toshiba Corp | Forming method for fine pattern |
US4959674A (en) | 1989-10-03 | 1990-09-25 | Xerox Corporation | Acoustic ink printhead having reflection coating for improved ink drop ejection control |
JPH03283418A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Toshiba Corp | レジストパターン形成方法 |
JPH04301086A (ja) * | 1991-03-29 | 1992-10-23 | Kenseidou Kagaku Kogyo Kk | 細い金属棒表面に微細な溝を有する金属シャフトの製法 |
JPH0729846A (ja) * | 1993-07-15 | 1995-01-31 | Honda Motor Co Ltd | 半導体装置の電極形成方法 |
JPH07283239A (ja) * | 1994-04-13 | 1995-10-27 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3735885B2 (ja) | 1995-04-27 | 2006-01-18 | ソニー株式会社 | プリンタ装置 |
JPH11317288A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-16 | Toyota Motor Corp | 有機elディスプレイパネルの製造方法 |
JP3931489B2 (ja) * | 1998-09-01 | 2007-06-13 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示用基板の製造方法 |
US6116718A (en) | 1998-09-30 | 2000-09-12 | Xerox Corporation | Print head for use in a ballistic aerosol marking apparatus |
JP2000181077A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-30 | Murata Mfg Co Ltd | リフトオフ法による配線パターン形成方法 |
JP3421268B2 (ja) * | 1999-01-27 | 2003-06-30 | 日本電信電話株式会社 | パターン形成法 |
JP2000340928A (ja) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | プリント基板直描作製方法 |
JP2002110536A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-12 | Tdk Corp | レジストパターン、レジストパターンの作製方法、薄膜のパターニング方法、及びマイクロデバイスの製造方法 |
JP3491156B2 (ja) | 2001-01-22 | 2004-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置及びその製造方法並びに電子機器 |
US6872320B2 (en) | 2001-04-19 | 2005-03-29 | Xerox Corporation | Method for printing etch masks using phase-change materials |
US6742884B2 (en) * | 2001-04-19 | 2004-06-01 | Xerox Corporation | Apparatus for printing etch masks using phase-change materials |
JP2002323775A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
US6605519B2 (en) * | 2001-05-02 | 2003-08-12 | Unaxis Usa, Inc. | Method for thin film lift-off processes using lateral extended etching masks and device |
US6972261B2 (en) | 2002-06-27 | 2005-12-06 | Xerox Corporation | Method for fabricating fine features by jet-printing and surface treatment |
US6890050B2 (en) | 2002-08-20 | 2005-05-10 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method for the printing of homogeneous electronic material with a multi-ejector print head |
US6759713B2 (en) | 2002-11-22 | 2004-07-06 | Xerox Corporation | Electronic device structures including interconnecting microfluidic channels |
US6872588B2 (en) | 2002-11-22 | 2005-03-29 | Palo Alto Research Center Inc. | Method of fabrication of electronic devices using microfluidic channels |
US7405033B2 (en) * | 2003-01-17 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing resist pattern and method for manufacturing semiconductor device |
JP4656843B2 (ja) * | 2003-01-17 | 2011-03-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4617650B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 多面取り用フォトマスク、電気光学装置の製造方法 |
JP3993549B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2007-10-17 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
US7309563B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-12-18 | Palo Alto Research Center Incorporated | Patterning using wax printing and lift off |
US7172842B2 (en) * | 2004-05-12 | 2007-02-06 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Color filter array plate and method of fabricating the same |
-
2006
- 2006-01-20 US US11/336,365 patent/US7498119B2/en active Active
-
2007
- 2007-01-22 JP JP2007011714A patent/JP5074047B2/ja active Active
- 2007-01-22 DE DE602007007167T patent/DE602007007167D1/de active Active
- 2007-01-22 EP EP07100906A patent/EP1906229B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007194641A (ja) | 2007-08-02 |
DE602007007167D1 (de) | 2010-07-29 |
US20070172774A1 (en) | 2007-07-26 |
EP1906229B1 (en) | 2010-06-16 |
US7498119B2 (en) | 2009-03-03 |
EP1906229A2 (en) | 2008-04-02 |
EP1906229A3 (en) | 2008-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5074047B2 (ja) | 電子デバイス製造プロセス | |
JP5074048B2 (ja) | 電子デバイス製造プロセス | |
JP4189141B2 (ja) | 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 | |
KR100597017B1 (ko) | 막 형성 방법, 박막 트랜지스터의 형성 방법 및 패터닝 방법 | |
US7384568B2 (en) | Method of forming a darkfield etch mask | |
JP2005183994A (ja) | ワックス印刷とリフトオフを使用するパターン生成方法 | |
EP3093712A1 (en) | Photolithographic process for manufacturing a semiconductor device | |
JP2010137460A (ja) | インクジェット記録ヘッドの製造方法 | |
US7811638B2 (en) | Multi-printed etch mask process to pattern features | |
JP2002356075A (ja) | パターニング・マスクおよびパターニング方法 | |
KR100701131B1 (ko) | 잉크 제트 기록 헤드의 제조방법 및 제조방법에 의해제조된 잉크 제트 기록 헤드 | |
US20070042276A1 (en) | Lithography apparatus and method for using the same | |
US20110180816A1 (en) | Semiconductor device, display, electronic apparatus and method of manufacturing a semiconductor device | |
KR101211735B1 (ko) | 액정표시장치용 고정세 인쇄판 및 그의 제조 방법 | |
US20030138741A1 (en) | Methods of patterning resists and structures including the patterned resists | |
JP5068577B2 (ja) | 角形被処理体のフォトレジストの除去装置 | |
JP2009069592A (ja) | レジスト基板及び該レジスト基板を用いた密着露光方法 | |
CN101191997B (zh) | 光掩模及其制作方法与图案定义的方法 | |
US8383323B2 (en) | Selective imaging through dual photoresist layers | |
US20110146905A1 (en) | Method for forming patterned layer on substrate structure | |
JP2004301928A (ja) | 薄膜形成方法および薄膜を有する被処理体 | |
EP3591469A1 (en) | Photomask and method of manufacturing a photomask | |
KR101050138B1 (ko) | 컬러필터 및 컬러필터의 제조방법 | |
JP2007059668A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4725142B2 (ja) | 塗布基板端部現像治具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120321 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120731 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120823 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5074047 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150831 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |