JP4617650B2 - 多面取り用フォトマスク、電気光学装置の製造方法 - Google Patents

多面取り用フォトマスク、電気光学装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、多面取りフォトマスク、電気光学装置の製造方法、およびその製造方法で製造された電気光学装置を搭載した電子機器に関し、詳細には、多面取り基板でパターンの開口寸法を同一とすることが可能な多面取りフォトマスク、電気光学装置の製造方法、およびその製造方法で製造された電気光学装置を搭載した電子機器に関する。
従来、小型表示パネルを製造する場合、小型表示パネル用基板を大型の基板から多面取りすることにより製造効率を高めている(例えば、特許文献1参照)。大型の基板を用いた場合、光リソグラフィ技術を用いた製造工程では、複数の同一のパターンが形成された多面取りフォトマスクが使用される。リソグラフィ技術を用いた製造工程では、パターンが描かれたフォトマスクを露光装置を介して照明し、その透過光を基板上に結像させる。基板上に塗布されているレジストは、フォトマスク上のパターンの像に対応して感光し、現像工程を経てレジストパターン(レジストマスク)となる。
特開平11−287984号公報
しかしながら、多面取りフォトマスクは大型であるため、多面取りフォトマスクで多面取り基板に一括露光を行った場合には、多面取り基板上では、多面取りフォトマスクを通過した光の面内分布は不均一となる場合がある。このため、多面取り基板に形成したパターンの開口寸法が、中心部と外周部とでは異なってしまうという問題がある。また、近時、表示パネルは細密化が進んでおり、パターンの精度向上が強く要求されている。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、多面取り基板でパターンの開口寸法を同一とすることが可能な多面取りフォトマスク、多面取りフォトマスクを使用して製造された電気光学装置、および電気光学装置を搭載した電子機器を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明は、複数のマスク領域を備えた多面取り用フォトマスクにおいて、前記マスク領域の各々には、光が通過する複数の開口部が形成され、前記マスク領域の各々は、前記多面取り用フォトマスクの中心部から同心円状に配置される第1〜第5の領域に設けられ、前記第1〜第5の領域のうち同一領域における前記マスク領域は、前記開口部が同じ大きさであり、前記開口部は、前記第1の領域から前記第5の領域の順に大きくなっていることを特徴とする。これにより、多面取り用フォトマスクで、多面取り基板に一括露光を行なった場合に、光の面内分布を多面取り基板の中心部と外周部とで同一とすることができ、各パターンの開口寸法を同一とすることができる。この結果、多面取り基板でパターンの開口寸法を同一とすることが可能な多面取り用フォトマスクを提供することができる。
また、本発明の好ましい態様によれば、本発明である多面取り用フォトマスクを使用して、電気光学装置用基板に、パターン形成することが望ましい。これにより、電気光学装置用基板の開口部の寸法を同一とすることができる。
また、本発明に関連する好ましい態様によれば、電子機器に、本発明の電気光学装置の製造方法で製造された電気光学装置を搭載することが望ましい。これにより、電子機器に搭載する電気光学装置用基板の開口部の寸法を同一とすることができる。
以下、この発明につき図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施例における構成要素には、当業者が容易に想定できるものまたは実質的に同一のものが含まれる。なお、以下の実施例においては、多面取りフォトマスクとして電気光学装置である液晶表示装置の遮光膜もしくはブラックマトリクス(BM)形成用のフォトマスクを例示して説明するが、本発明の多面取りフォトマスクはこれに限定されるものではない。
図1は、本発明の実施例にかかる多面取りフォトマスク1の概略構成を示す平面図である。実施例1にかかる多面取りフォトマスク1は、ブラックマトリクス形成用のポジ型のフォトマスクに適用したものである。多面取りフォトマスク1は、図1に示すように、複数(6×8)のマスク領域(パターン領域)2を有しており、各マスク領域2は、複数の開口部3を有している。同図に示す例では、説明の簡単のために、開口部3を正方形状(xum×xum)としている。また、多面取りは(6×8)に限らず、それより少ないもの、それより大きい例えば、(10×10)、またはそれ以上のものでも良い。
ポジ型の多面取りフォトマスクで、多面取り基板に一括露光を行なった場合には、多面取り基板の光の面内分布が中心部と外周部で異なる場合がある。具体的には、外周部では中心部に比して、ポジ型の多面取りフォトマスクを通過した光の分布が狭くなってしまうため、多面取り基板のパターンの開口寸法が小さくなってしまう。そこで、実施例1では、ポジ型のブラックマトリクス形成用のフォトマスクを使用して、多面取り基板の各パネルでブラックマトリクスの開口部3の寸法を同一(Aum)とする方法を説明する。
図2は、実施例1にかかるポジ型の多面取りフォトマスク1の各マスク領域2における開口部3の寸法を説明するための説明図である。図2では、6×8のマスク領域2をX11〜X68としている。実施例1では、ポジ型の多面取りフォトマスク1における各マスク領域2の開口部3の寸法を、中心部から外周に向かって段階的(同心円状)に大きく形成する。
具体的には、図2において、同心円C1上のマスク領域2(X34、X35、X44、X45)の開口部3の寸法をAum、同心円C2上のマスク領域2(X23、X24、X25、X26、X33、X36、X43、X46、X53、X54、X55、X56)の開口部3の寸法をA+ΔL(ただし、ΔL:正の定数)um、同心円C3上のマスク領域2(X13、X14、X15、X1 6 、X 2 2 、X27、X32、X37、X42、X47、X52、X57 、X 6 3 、X64、X65、X66)の開口部3の寸法をA+2ΔLum、同心円C4上のマスク領域2(X12、X17、X21、X28、X31、X38、X41、X48、X51、X58、X6 2 、X 6 7開口部3の寸法をA+3ΔLum、最外周C5のマスク領域2(X11、X18、X61、X68)のの開口部3の寸法をA+4ΔLumとする。このように、ポジ型の多面取りフォトマスク1における各マスク領域2の開口部3の寸法を、中心部から外周に向かって段階的(同心円状)に大きく形成することにより、多面取り基板の光の面内分布を中心部と外周部とで同一とすることができ、多面取り基板の全パネルにおけるブラックマトリクスの開口部の寸法をAumとすることができる。
図3は、多面取りフォトマスクの製造方法を説明するためのフローを示している。図3を参照して、多面取りフォトマスクの製造方法を説明する。まず、多面取り用のマスクブランクに、パターン設計のデータに従って描画装置で露光した後、現像する(ステップS1、S2)。現像後には、ディスカム処理を施すことによってレジストの残渣、スカムを取り除く。その後、Cr膜をウエットエッチングしてマスクパターンを形成する(ステップS3)。この後、検査工程・修正工程を経た後(ステップS4、S5)、ペリクル貼り付けを行う(ステップS6)。以上の工程により多面取りフォトマスクが完成する。
図4は、実施例1のポジ型の多面取りフォトマスク1を使用してブラックマトリクスを形成する工程の一例を示す図である。まず、多面取り用のガラス基板10上にスパッタリング等によってクロム膜11を製膜した後、製膜されたクロム膜11上にスピンコート等の方法で、ポジ型フォトレジスト12を塗布する。そして、実施例1のポジ型の多面取りフォトマスク1を使用して、露光装置で一括露光を行う。ポジ型フォトレジスト12では、光照射した部分が分解可溶化して現像で溶け去ることになる。この後、現像・エッチング・剥離の工程を施すことで、開口寸法をAumとしたブラックマトリクスを形成することができる。
実施例1によれば、多面取りフォトマスク1の中心部と外周部とでマスク領域2の開口部3の寸法を異ならせているので、多面取りフォトマスクで、多面取り基板に一括露光を行なった場合に、光の面内分布を多面取り基板の中心部と外周部とで同一とすることができ、各パネルのブラックマトリクスの開口寸法を同一とすることができる。この結果、多面取り基板で各パネルのブラックマトリクスの開口寸法を同一とすることが可能な多面取りフォトマスクを提供することができる。
また、実施例1によれば、多面取りフォトマスク1の中心部から外周に向かって段階的にマスク領域2の開口部2の寸法を異ならせているので、多面取りフォトマスクで、多面取り基板に一括露光を行なった場合に、簡単な構造で、光の面内分布を多面取り基板の中心部と外周部で同一とすることができる。
また、実施例1によれば、多面取りフォトマスク1をポジ型マスクとした場合には、外周部では、中心部に比してマスク領域の開口部の寸法を大きく形成することとしたので、ポジ型フォトマスクを使用した場合に、多面取り基板で各パネルのブラックマトリクスの開口寸法を同一とすることができる。
実施例1では、多面取りフォトマスク1をポジ型とした場合を説明したが、実施例2では、多面取りフォトマスク1をネガ型とした場合を説明する。ネガ型の多面取りフォトマスクで、多面取り基板に一括露光を行なった場合には、多面取り基板の光の面内分布が中心部と外周部で異なる場合がある。具体的には、外周部では中心部に比して、ネガ型の多面取りフォトマスクを通過した光の分布が狭くなってしまうため、多面取り基板のパターンの開口寸法が大きくなってしまう。そこで、実施例2では、ネガ型のブラックマトリクス形成用のフォトマスクを使用して、多面取り基板の各パネルでブラックマトリクスの開口部の寸法を同一(Aum)とする方法を説明する。
実施例2では、ネガ型の多面取りフォトマスク1における各マスク領域2の開口部の寸法を、中心部から外周に向かって段階的(同心円状)に大きく形成する。具体的には、図2において、同心円C1上のマスク領域2(X34、X35、X44、X45)の開口部3の寸法をAum、同心円C2上のマスク領域2(X23、X24、X25、X26、X33、X36、X43、X46、X53、X54、X55、X56)の開口部3の寸法をAΔL(ただし、ΔL:正の定数)um、同心円C3上のマスク領域2(X13、X14、X15、X167、X22、X27、X32、X37、X42、X47、X52、X57、X63、X64、X65、X66)の開口部の寸法をA2ΔLum、同心円C4上のマスク領域2(X12、X17、X21、X28、X31、X38、X41、X48、X51、X58、X62、X67)の開口部3の寸法をA3ΔLum、最外周C5のマスク領域2(X11、X18、X61、X68)の開口部3の寸法をA4ΔLumとする。このように、ネガ型の多面取りフォトマスク1におけるマスク領域2の開口部の寸法を中心部から外周に向かって段階的(同心円状)に大きく形成することにより、多面取り基板の光の面内分布を中心部と外周部とで同一とすることができ、多面取り基板の全パネルにおけるブラックマトリクスの開口部の寸法をAumとすることができる。
図5は、実施例2のネガ型の多面取りフォトマスク1を使用してブラックマトリクスを形成する工程の一例を示す図である。まず、多面取り用のガラス基板10上にスパッタリング等によってクロム膜11を製膜した後、製膜されたクロム膜11上にスピンコート等の方法で、ネガ型フォトレジスト21を塗布する。そして、ネガ型の多面取りフォトマスク1を使用して、露光装置で一括露光を行う。ネガ型フォトレジスト22では、光照射した部分が架橋硬化して現像後に残ることになる。この後、現像・エッチング・剥離の工程を施すことで、開口寸法をAumとしたブラックマトリクスを形成することができる。
また、実施例2によれば、多面取りフォトマスク1をネガ型マスクとした場合には、外周部では、中心部に比してマスク領域の開口部の寸法を大きく形成することとしたので、ネガ型フォトマスクを使用した場合に、多面取り基板で各パネルのブラックマトリクスの開口寸法を同一とすることができる。
上記実施例では、本発明の多面取りフォトマスクを液晶表示装置のブラックマトリクス形成用のフォトマスクに適用した場合を説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、半導体装置や液晶表示装置等の電気光学装置を製造するためのリソグラフィ工程で広く使用することができる。例えば、データ線、走査線等の信号線のパターンや、上層と下層を中継する島状の中継層や、島状の遮光膜、画素電極、膜膜トランジスタや薄膜ダイオード等のスイッチング素子、カラーフィルタ、同一基板に設けられる周辺駆動回路や、周辺駆動回路の配線等に適用することができる。
(電子機器への適用例)
次に、本発明にかかる電気光学装置を適用可能な電子機器の具体例について図6を参照して説明する。図6−1は、本発明にかかる電気光学装置を可搬型のパーソナルコンピュータ(いわゆるノート型パソコン)30の表示部に適用した例を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ30は、キーボード31を備えた本体部32と、本発明にかかる電気光学装置を適用した表示部33とを備えている。図6−2は、本発明にかかる電気光学装置を携帯電話機40の表示部に適用した例を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機40は、複数の操作ボタン41のほか、受話口42、送話口43とともに、本発明にかかる電気光学装置を適用した表示部44を備えている。
本発明にかかる多面取りフォトマスクは、半導体装置や電気光学装置等の各種装置を製造するためのリソグラフィ工程で広く使用することができる。また、本発明にかかる電気光学装置は、透過型、反射型、および半透過型の電気光学装置に利用することができる。また、本発明にかかる電気光学装置は、パッシブマトリクス型の電気光学装置やアクティブマトリクス型の電気光学装置(例えば、TFT(薄膜トランジスタ)やTFD(薄膜ダイオード)をスイッチング素子として備えた電気光学パネル)に利用することができる。さらに、本発明にかかる電気光学装置は、液晶表示装置に限らず、有機エレクトロルミネッセンス装置、無機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動表示装置、電子放出表示装置(Field Emission DisplayおよびSurface-Conduction Electoron-Emitter Display等)、LED(ライトエミッティングダイオード)表示装置等のように、複数の画素毎に表示状態を制御可能な各種の電気光学装置に利用することができる。
本発明にかかる電気光学装置を搭載した電子機器は、携帯電話機、PDA(Personal Digital Assistants)と呼ばれる携帯型情報機器、携帯型パーソナルコンピュータ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、デジタルスチルカメラ、車載用モニタ、デジタルビデオカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、およびPOS端末機などの電子機器に広く利用することができる。
実施例にかかる多面取りフォトマスクの概略構成を示す平面図。 実施例にかかるポジ型の多面取りフォトマスクの各マスク領域における開口部の寸法を説明するための説明図。 実施例にかかる多面取りフォトマスクの製造方法を説明するためのフロー図。 実施例にかかるポジ型の多面取りフォトマスクを使用してブラックマトリクスを形成する工程の一例を示す図。 実施例にかかるネガ型の多面取りフォトマスクを使用してブラックマトリクスを形成する工程の一例を示す図。 実施例にかかる電気光学装置を備えたパソコンの斜視図。 実施例にかかる電気光学装置を備えた携帯電話機の斜視図。
符号の説明
1 多面取りフォトマスク、2 マスク領域(パターン領域)、3 開口部、10 多面取り用ガラス基板、11 クロム膜、12 ポジ型フォトレジスト、21 ネガ型フォトレジスト、30 パーソナルコンピュータ、31 キーボード、32 本体部、33 表示部、40 携帯電話機、41 操作ボタン、42 受話口、43 送話口、44 表示部

Claims (2)

  1. 複数のマスク領域を備えた多面取り用フォトマスクにおいて、
    前記マスク領域の各々には、光が通過する複数の開口部が形成され、
    前記マスク領域の各々は、前記多面取り用フォトマスクの中心部から同心円状に配置される第1〜第5の領域に設けられ、
    前記第1〜第5の領域のうち同一領域における前記マスク領域は、前記開口部が同じ大きさであり、
    前記開口部は、前記第1の領域から前記第5の領域の順に大きくなっており、
    前記第1の領域が前記多面取り用フォトマスクの中心部に設けられ、該中心部から外周に向かって順に第2〜第5の領域が設けられることを特徴とする多面取り用フォトマスク。
  2. 請求項1に記載の多面取り用フォトマスクを使用して、電気光学装置用基板にパターンを形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7498119B2 (en) * 2006-01-20 2009-03-03 Palo Alto Research Center Incorporated Process for forming a feature by undercutting a printed mask
KR100784541B1 (ko) 2006-07-14 2007-12-11 엘지전자 주식회사 마스크 및 이를 이용한 전계 발광 소자의 제조방법
JP6037199B2 (ja) * 2011-06-02 2016-12-07 株式会社ブイ・テクノロジー 露光装置及び露光方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02151861A (ja) * 1988-12-05 1990-06-11 Sony Corp パターン形成方法
JPH04261012A (ja) * 1990-11-30 1992-09-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JPH0743881A (ja) * 1993-07-28 1995-02-14 Seiko Epson Corp フォトマスクの構造と半導体装置の製造方法
JPH07134390A (ja) * 1993-06-14 1995-05-23 Sony Corp 露光装置の設計方法及び露光用マスクの設計方法
JPH10189427A (ja) * 1996-10-25 1998-07-21 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2001358050A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Seiko Epson Corp 露光基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法、並びに露光基板及び電気光学装置
JP2002365810A (ja) * 2001-06-12 2002-12-18 Nsk Ltd 分割逐次近接露光装置
JP2003043661A (ja) * 2001-07-30 2003-02-13 Toshiba Corp パターン形成方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02151861A (ja) * 1988-12-05 1990-06-11 Sony Corp パターン形成方法
JPH04261012A (ja) * 1990-11-30 1992-09-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JPH07134390A (ja) * 1993-06-14 1995-05-23 Sony Corp 露光装置の設計方法及び露光用マスクの設計方法
JPH0743881A (ja) * 1993-07-28 1995-02-14 Seiko Epson Corp フォトマスクの構造と半導体装置の製造方法
JPH10189427A (ja) * 1996-10-25 1998-07-21 Nikon Corp 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置
JP2001358050A (ja) * 2000-06-13 2001-12-26 Seiko Epson Corp 露光基板の製造方法及び電気光学装置の製造方法、並びに露光基板及び電気光学装置
JP2002365810A (ja) * 2001-06-12 2002-12-18 Nsk Ltd 分割逐次近接露光装置
JP2003043661A (ja) * 2001-07-30 2003-02-13 Toshiba Corp パターン形成方法

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