JP5052666B2 - 表面被覆工具 - Google Patents

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Description

本発明は基体の表面に被覆層を成膜してなる表面被覆工具に関する。
現在、パンチやヘッダ等の冷間鍛造や温熱鍛造工具等の耐摩工具、摺動部材、切削工具といった工具では、耐摩耗性や摺動性、耐欠損性を必要とする。このような工具では、WC基超硬合金、TiCN基サーメット、セラミックス、ダイヤモンドまたはcBN等の硬質材料基体の表面に様々な被覆層を成膜して耐摩耗性、摺動性、耐欠損性を向上させる手法が使われている。
かかる被覆層として、TiCN層やTiAlN層が一般的に広く採用されているが、より高い耐摩耗性と耐欠損性の向上を目的として種々な改善がなされている。
例えば、特許文献1では、基体の表面にBC、BN、TiB、TiB、TiC、WC、SiC、SiN(x=0.5〜1.33)およびAlよりなる群から選択される少なくとも1種の非常に高硬度の超微粒化合物を含む耐摩耗性被膜を被覆した切削工具が記載され、超微粒化合物を含むことによって被膜の硬度が向上することが開示されている。また、特許文献2では、結晶幅の縦/横比の平均値が1.5〜7と縦長のTiAlN結晶からなる被覆層が開示され、耐摩耗性および耐酸化性に優れることが記載されている。さらに、特許文献3では、基体の表面に組成の異なる2層の硬質皮膜を成膜した工具が開示されている。
特開2001−293601号公報 特開平10−315011号公報 特開2005−199420号公報
しかしながら、上記特許文献1のような高硬度の超微粒化合物を含む被膜では被膜の靭性が不十分であり、靭性および耐欠損性に優れた被覆層が望まれていた。なお、特許文献1には上記超微粒子化合物を高硬度化合物の非晶質として、被膜中のエネルギー分散により被膜中に進展するクラックの伝播を抑制できることも記載されているが、このように超微粒子化合物が非晶質であると靭性を向上する効果は小さく、さらに耐欠損性を向上させる必要であることがわかった。また、特許文献2のように、縦長結晶からなる被覆層でも耐摩耗性の向上には限界があることがわかった。さらに、特許文献3のように、組成の異なる被覆層を2層積層した構成でもさらなる被覆層の耐欠損性の向上が必要であることがわかった。
そこで、本発明の表面被覆工具は、上記問題を解決するためのものであり、その目的は、耐摩耗性が高く、かつ高い耐欠損性を有する工具を提供することである。
本発明の表面被覆工具は、基体の表面を被覆層で被覆した表面被覆工具であって、前記被覆層は下層と上層とからなり、該下層と該上層とはともに前記基体の表面に対して垂直に伸びる柱状粒子から構成されていて、前記上層を構成する柱状粒子の平均結晶幅が前記下層を構成する柱状粒子の平均結晶幅よりも小さく、かつ前記下層と前記上層にはともにタングステンを含有する分散粒子が存在していて、前記上層に存在する前記分散粒子の分布密度が前記下層に存在する前記分散粒子の分布密度よりも小さいことを特徴とする。
ここで、前記上層に存在する分散粒子の平均粒径が前記下層に存在する分散粒子の平均粒径よりも小さいことが望ましく、前記下層に存在する分散粒子が前記上層に存在する分散粒子よりもタングステンを多く含有することが望ましい。
また、前記被覆層の表面にて、ナノインデンテーション法による硬度測定により求められる弾性回復率が40〜50%であることが望ましい。
本発明の表面被覆工具によれば、下層と上層とはともに前記基体の表面に対して垂直に伸びる柱状粒子から構成されていて、上層を構成する柱状粒子の平均結晶幅が下層を構成する柱状粒子の平均結晶幅よりも小さく、かつ前記下層と前記上層にはともにタングステンを含有する分散粒子が存在していて、前記上層に存在する前記分散粒子の分布密度が前記下層に存在する前記分散粒子の分布密度よりも小さいことによって、被覆層の硬度および耐酸化性が向上するとともに被覆層の密着性が高いものである。
ここで、上層に存在する分散粒子の平均粒径が下層に存在する分散粒子の平均粒径よりも小さいことが、被覆層の耐剥離性および耐チッピング性を向上できる点で望ましい。
また、下層に存在する分散粒子が上層に存在する分散粒子よりもタングステンを多く含有することが、被覆層の密着性を高めるために望ましい。
さらに、被覆層の表面にて、ナノインデンテーション法による硬度測定により求められる弾性回復率が40〜50%であることが、被覆層の靱性強度を高め、被覆工具の切削における耐チッピング性、耐欠損性を高める点で望ましい。
本発明の表面被覆工具の好適例であるスローアウェイチップ形状の切削工具の一例を示す(a)概略斜視図、(b)概略断面図である。 本発明の表面被覆工具の他の好適例であるエンドミル形状の切削工具の一例を示す概略側面図である。 本発明の表面被覆工具を製造する際の被覆層の成膜工程において、アークイオンプレーティング成膜装置の模式図である。 本発明の表面被覆工具を製造する際の被覆層の成膜工程における成膜中の試料全体の配置を示す模式図である。
本発明の表面被覆工具の一例について、好適な実施態様例である切削工具の(a)概略斜視図、(b)概略断面図である図1を用いて説明する。
図1によれば、本発明の切削工具1は、主面にすくい面3を、側面に逃げ面4を、すくい面3と逃げ面4との交差稜線に切刃5を有し、基体2の表面に被覆層6を成膜した構成となっている。
被覆層6は、図1(b)に示すように、下層8と上層9とからなり、下層8と上層9とはともに基体2の表面に対して垂直に伸びる柱状粒子10(10a、10b)から構成されている。そして、上層9を構成する柱状粒子10bの平均結晶幅が下層8を構成する柱状粒子10aの平均結晶幅よりも小さい構成となっている。また、下層8と上層9にはともにタングステンを含有する分散粒子12(12a、12b)が存在していて、上層9に存在する分散粒子12bの分布密度が下層8に存在する分散粒子12aの分布密度よりも小さい構成となっている。
上記構成によって、被覆層6の硬度および耐酸化性が向上するとともに被覆層6の密着性が高いものとなる。すなわち、上層9を構成する柱状粒子10bの平均粒径が下層8を構成する柱状粒子10aの平均粒径よりも大きいかまたは同じ場合には、被覆層6の硬度が低下するとともに耐酸化性も悪くなる。また、下層8と上層9の両方にタングステンを含有する分散粒子12が存在していないと、被覆層6の耐チッピング性が低下する。さらに、上層9に存在する分散粒子12bの分布密度が下層8に存在する分散粒子12aの分布密度よりも大きいかまたは同じ構成からなる場合には、被覆層6の密着性が悪くなって被覆層6が部分的に剥離するおそれがある。
なお、本発明においては、基体2の表面と平行な方向の結晶幅に対して基体2の表面と垂直な方向の結晶長さが1.5倍以上長い結晶で特定される結晶を柱状粒子10と定義する。被覆層6が柱状粒子10にて構成されないと工具1の靭性が低下する。
また、柱状粒子10の平均結晶幅(基体2の表面と平行な方向、すなわち下層と上層との積層面方向についての結晶幅の平均値)が0.05μm以上であると被覆層6の耐酸化性が低下することがない。一方、柱状粒子10の平均結晶幅が0.3μm以下であると被覆層6の硬度および耐欠損性が高いものである。被覆層6の平均結晶幅の望ましい範囲は、0.1〜0.2μmである。なお、本発明において、被覆層6の平均結晶幅を測定するには、被覆層6の断面写真において、被覆層6の中間の厚さにあたる部分に線A(図示せず。)を引いて測定する。具体的には、被覆層6中の柱状粒子10の平均結晶幅は線Aの100nm以上の長さL(図示せず。)を特定し、この長さLの線Aを横切る粒界の数を数えて、長さL/粒界の数によって算出する。
ここで、被覆層6は下層8と上層9との積層面に対して垂直な方向においては該垂直な方向に長く伸びる柱状粒子10が形成されているが、隣接して存在する2つの柱状粒子10、10同士の界面において下層8と上層9の積層面が途切れることなく連続していることが望ましい。これによって、クラックの進展を抑制する効果が高く被覆層6の耐チッピング性を高めることができる。
また、本発明における分散粒子12の分布密度とは、任意の同じ面積領域内に存在する分散粒子の個数(ただし、分散粒子の個数は3個以上の面積領域にて比較する。)を指す。
なお、被覆層の組成は、Ti1−a(C1−x)(ただし、MはNb、Mo、Ta、Hf、Al、SiおよびYの群から選ばれる少なくとも1種、35≦a≦55、0≦x≦1)からなることが望ましい。ここで、金属元素Mとしては、特に硬度の高いTiおよびAlを含むことが望ましく、他にNb、Mo、Ta、W、CrおよびSiの少なくとも1種を併せて含むことが望ましい。
また、被覆層6の全体平均層厚が0.8〜10μmにて構成されている。この層厚であれば、工具1の耐摩耗性が高く、かつ被覆層6の内部応力が高くなり過ぎず被覆層6の耐欠損性が低下することもない。被覆層6の望ましい全体平均層厚は1〜6μmである。
さらに、被覆層6の表面にて、ナノインデンテーション法による硬さ試験により求められる弾性回復率が40〜50%であることが、被覆層の靱性強度を高め、被覆工具の切削における耐チッピング性、耐欠損性を高める点で望ましい。ここで、弾性回復率は、ナノインデンテーション法による硬度測定における下記測定値から算出される(W.C.Oliverand,G.m.Pharr:J.Mater.Res.,Vol.7,NO.6,June1992,pp.1564-1583参照)。
弾性回復率R=(Hmax−Hf)/Hmax×100(%)
Hmax:最大押し込み深さ
Hf:荷重除荷後の押し込み深さ
本発明におけるナノインデンテーション法による硬さ試験では、対稜角115度のダイヤモンド製三角錐圧子を有する微小押込み硬さ試験機を用い、圧子の押し込み時の深さ及び荷重の関係により、硬度、ヤング率を測定する。本発明においては、このときの最大荷重を130mN、最大押し込み深さを500nmとして測定する。
また、基体2としては、炭化タングステンや炭窒化チタンを主成分とする硬質相とコバルト、ニッケル等の鉄族金属を主成分とする結合相とからなる超硬合金やサーメットの硬質合金、窒化ケイ素や酸化アルミニウムを主成分とするセラミックス、多結晶ダイヤモンドや立方晶窒化ホウ素からなる硬質相とセラミックスや鉄族金属等の結合相とを超高圧下で焼成する超高圧焼結体等の硬質材料が好適に使用される。
なお、図1では、略平板上のスローアウェイチップ形状からなる切削工具1について記載したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、図2に示すような回転中心軸Oを有するエンドミル形状の切削工具15についても好適に適用可能である。さらに、本発明の表面被覆部材は、上記切削工具に限定されず、耐摩部材、摺動部材といった耐摩耗性、耐欠損性を必要とする部材においても好適に使用可能である。
(製造方法)
本発明の表面被覆工具の製造方法について説明する。
まず、工具形状の基体2を従来公知の方法を用いて作製する。
次に、基体2の表面に被覆層6を成膜する。被覆層6の成膜方法としてはイオンプレーティング法等の物理蒸着(PVD)法が好適に適応可能である。詳細な成膜方法の一例について、アークイオンプレーティング成膜装置(以下、AIP装置と略す。)20の模式図である図3、および成膜中の試料の回転状態を示す模式図である図4を参照して説明する。
図3のAIP装置20は、真空チャンバ21の中にNやAr等のガスをガス導入口22から導入し、カソード電極23とアノード電極24とを配置して、両者間に高電圧を印加してプラズマを発生させ、このプラズマによってメインターゲット25(25a、25b)およびサブターゲット32から所望の金属あるいはセラミックスを蒸発させるとともにイオン化させて高エネルギー状態とし、このイオン化した金属を試料(基体2)の表面に付着させて基体2の表面に被覆層6を被覆する構造となっている。また、図3または図4によれば、基体2は試料支持治具26にセットされ、試料支持台26の複数本はタワー27を構成している。さらに、タワー27の複数がテーブル28に載置された構成となっている。さらに、図3によれば、基体2を加熱するためのヒータ29と、ガスを系外に排出するためのガス排出口30と、基体2にバイアス電圧を印加するためのバイアス電源31が配置されている。
ここで、本発明においては、上層9の組成が下層8の組成に比べて蒸気圧の高い金属成分の含有比率が高くなるように制御するとともに、下層8を成膜するときのバイアス電圧をよりも上層9を成膜するときのバイアス電圧が高くなるように設定することによって、上層9構成する柱状粒子10bの平均結晶幅が下層8を構成する柱状粒子10aの平均結晶幅よりも小さい構成とすることができる。また、メインターゲット25にかけるアーク電流は一定とし、サブターゲット32にかけるアーク電流を下層8の成膜時と上層9の成膜時で変化させることによって、上層9に存在する分散粒子12bの分布密度が下層8に存在する分散粒子12aの分布密度よりも小さい構成とすることができる。
なお、メインターゲット25としては、例えば、金属チタン(Ti)、金属アルミニウム(Al)、金属M(ただし、MはTiを除く周期表第4、5、6族元素、希土類元素およびSiから選ばれる1種以上)をそれぞれ独立に含有する金属ターゲット、これらを複合化した合金ターゲット、これらの炭化物、窒化物、硼化物化合物粉末または焼結体からなる混合物ターゲットを用いることができる。本発明によれば、下層8を成膜するためのメインターゲット25a中に金属タングステンまたはタングステン化合物を含有させるとともに、上層9を成膜するためのメインターゲット25b中には金属タングステンまたはタングステン化合物を含まない構成とすることが、柱状結晶12の平均結晶幅を制御するために望ましい。また、サブターゲット32にはタングステンを主成分とする組成にて構成する。
そして、メインターゲット25およびサブターゲット32を用いて、アーク放電やグロー放電などにより金属源を蒸発させイオン化すると同時に、窒素源の窒素(N)ガスや炭素源のメタン(CH)/アセチレン(C)ガスと反応させることにより、基体2の表面に被覆層6が堆積する。
なお、プラズマを発生するためにはアーク放電やグロー放電などを用い、導入ガスは窒素源の窒素(N)ガスや炭素源のメタン(CH)/アセチレン(C)ガスを用いることができる。さらに、成膜時のバイアス電圧は、被覆層の結晶構造を考慮して高硬度な被覆層6を作製できるとともに基体2との密着性を高めるために、成膜初期が50〜200Vに設定することが望ましい。
平均結晶幅0.8μmの炭化タングステン(WC)粉末を主成分として、平均結晶幅1.2μmの金属コバルト(Co)粉末を10質量%、平均結晶幅1.0μmの炭化バナジウム(VC)粉末を0.1質量%、平均結晶幅1.0μmの炭化クロム(Cr)粉末を0.3質量%の割合で添加し混合して、プレス成形によりエンドミル(型番:京セラ製6HFSM060−170−06)形状に成形した後、脱バインダ処理を施し、0.01Paの真空中、1450℃で1時間焼成して超硬合金を作製した。また、各試料のすくい面表面をブラスト加工、ブラシ加工等によって研磨加工した。さらに、作製した超硬合金にブラシ加工にて刃先処理(ホーニング)を施した。
このようにして作製した基体に対してアークイオンプレーティング法により表1、2に示す種々の組成にて被覆層を成膜した。なお、メインターゲットは下層用と上層用で異なるターゲットを用いたが、各ターゲットにかけるアーク電流は下層、上層を成膜する際にそれぞれ150Aと同じ電流値とした。また、サブターゲットは下層、上層を成膜する場合とも同じものを用いて、サブターゲットに印加するアーク電流値を変化させて分散粒子の存在状態を制御した。
得られた試料に対して、被覆層の表面を含む断面について透過型電子顕微鏡(TEM)にて観察し、被覆層を構成する粒子の形状および平均結晶幅を求めるとともに、膜厚全体×横10μmの領域で分散粒子の存在状態を確認した。任意の視野3箇所にて観察し、各視野における分散粒子の個数および組成を測定して平均値を算出した。また、TEMにて観察する際に、各被覆層の任意3箇所における全体組成をエネルギー分散分光分析(EDS)によって測定し、これらの平均値を各被覆層の組成として算出した。さらに、対稜角115度のダイヤモンド製三角錐圧子を有する微小押込み硬さ試験機を用い、ナノインデンテーション法による硬さ試験を行った。このとき、このとき最大荷重を130mN、最大押し込み深さを500nmとして、最大押し込み深さHmaxおよび荷重除荷後の押し込み深さHfを測定し、弾性回復率R=(Hmax−Hf)/Hmax×100(%)の式に従って、弾性回復率Rを算出した。
次に、得られたエンドミル(型番:京セラ製6HFSM060−170−06)を用いて以下の切削条件にて切削試験を行った。結果は表3に示した。
切削方法:エンドミル加工
被削材 :SKD64
切削速度:69.7m/分
送り :0.035mm/rev
切り込み:深さ×横切り込み=6mm×0.18mm
切削状態:乾式
評価方法:90分切削後の横逃げ面摩耗と先端摩耗、チッピングの有無を顕微鏡にて測定した。
Figure 0005052666
Figure 0005052666
Figure 0005052666
表1〜3に示す結果より、被覆層が1層のみにて構成された試料No.10では、早期欠損した。また、上層の平均結晶幅が下層の平均結晶幅よりも広い試料No.11および上層の平均結晶幅が下層の平均結晶幅と同じ試料No.12では、切刃にチッピングが見られ摩耗も大きいものであった。さらに、下層と上層の分散粒子の分布密度が同じ試料No.13では、切刃にチッピングが見られた。また、下層に分散粒子が存在しない試料No.14では、被覆層の剥離に起因するチッピングが見られた。
これに対して、本発明の範囲内である試料No.1〜9では、いずれも被覆層が耐欠損性および耐酸化性に優れて良好な切削性能を発揮した。
1、15 切削工具(スローアウェイチップ形状、エンドミル形状)
2 基体
3 すくい面
4 逃げ面
5 切刃
6 被覆層
8 上層
9 下層
10 柱状粒子
10a 下層の柱状粒子
10b 上層の柱状粒子
12 分散粒子
12a 下層の分散粒子
12b 上層の分散粒子
20 AIP装置
21 真空チャンバ
22 ガス導入口
23 カソード電極
24 アノード電極
25 メインターゲット
25a 下層形成用メインターゲット
25b 上層形成用メインターゲット
26 試料支持治具
27 タワー
28 テーブル
29 ヒータ
30 ガス排出口
31 バイアス電源
32 サブターゲット

Claims (4)

  1. 基体の表面を被覆層で被覆した表面被覆工具であって、
    前記被覆層は下層と上層とからなり、
    該下層と該上層とはともに前記基体の表面に対して垂直に伸びる柱状粒子から構成されていて、前記上層を構成する柱状粒子の平均結晶幅が前記下層を構成する柱状粒子の平均結晶幅よりも小さく、
    かつ前記下層と前記上層にはともにタングステンを含有する分散粒子が存在していて、前記上層に存在する前記分散粒子の分布密度が前記下層に存在する前記分散粒子の分布密度よりも小さいことを特徴とする表面被覆工具。
  2. 前記上層に存在する分散粒子の平均粒径が、前記下層に存在する分散粒子の平均粒径よりも小さいことを特徴とする請求項1記載の表面被覆工具。
  3. 前記下層に存在する分散粒子が、前記上層に存在する分散粒子よりもタングステンを多く含有することを特徴とする請求項1または2記載の表面被覆工具。
  4. 前記被覆層の表面にて、ナノインデンテーション法による硬度測定により求められる弾性回復率が40〜50%であることを特徴とする請求項1または2記載の表面被覆工具。
JP2010501295A 2008-10-28 2009-10-19 表面被覆工具 Active JP5052666B2 (ja)

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