JP5001464B2 - 不揮発性記憶素子、その製造方法、その設計支援方法および不揮発性記憶装置 - Google Patents
不揮発性記憶素子、その製造方法、その設計支援方法および不揮発性記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5001464B2 JP5001464B2 JP2011533041A JP2011533041A JP5001464B2 JP 5001464 B2 JP5001464 B2 JP 5001464B2 JP 2011533041 A JP2011533041 A JP 2011533041A JP 2011533041 A JP2011533041 A JP 2011533041A JP 5001464 B2 JP5001464 B2 JP 5001464B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transition metal
- metal oxide
- layer
- variable resistance
- nonvolatile memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 229
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 82
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 52
- 238000013461 design Methods 0.000 title claims description 15
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 482
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 claims abstract description 38
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 263
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 25
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 claims description 12
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 356
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 90
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 89
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 87
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 51
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 45
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 29
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 13
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 239000000306 component Substances 0.000 description 11
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 11
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 8
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102000002151 Microfilament Proteins Human genes 0.000 description 2
- 108010040897 Microfilament Proteins Proteins 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 210000003632 microfilament Anatomy 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0007—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/041—Modification of switching materials after formation, e.g. doping
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/063—Shaping switching materials by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
- H10N70/245—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies the species being metal cations, e.g. programmable metallization cells
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/828—Current flow limiting means within the switching material region, e.g. constrictions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
- G11C2013/0083—Write to perform initialising, forming process, electro forming or conditioning
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/50—Resistive cell structure aspects
- G11C2213/56—Structure including two electrodes, a memory active layer and a so called passive or source or reservoir layer which is NOT an electrode, wherein the passive or source or reservoir layer is a source of ions which migrate afterwards in the memory active layer to be only trapped there, to form conductive filaments there or to react with the material of the memory active layer in redox way
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/79—Array wherein the access device being a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
まず、本発明の実施の形態1における不揮発性記憶素子について説明する。
図2(a)は、本発明の実施の形態1における不揮発性記憶素子10の断面図である。図2(b)は、図2(a)におけるAA´線の断面図である。図2(a)に示すように、本実施の形態1の不揮発性記憶素子10は、抵抗変化型の不揮発性記憶素子であり、基板100、第1の配線101、第1の層間絶縁層102、第1のコンタクトプラグ104、抵抗変化素子15、第2の層間絶縁層108、第2のコンタクトプラグ110及び第2の配線111を備える。なお、本実施の形態の不揮発性記憶素子を用いて実際のメモリセルを構成する場合、前記第1の配線101及び前記第2の配線111のいずれか一方はスイッチ素子(ダイオードまたはトランジスタ)と接続されて、非選択時にはスイッチ素子がオフ状態となるよう設定される。また、スイッチ素子との接続においては、コンタクトプラグ(104または110)や配線(101または111)を介さず直接に不揮発性記憶素子の電極(105または107)と接続するような構成も可能である。
図4(a)から(j)は本発明の実施の形態1における不揮発性記憶素子10の要部の製造方法を示す断面図である。これらを用いて、本実施の形態1の不揮発性記憶素子10の要部の製造方法について説明する。
次に、本発明の実施の形態2における不揮発性記憶素子について説明する。
図6(a)は、本発明の実施の形態2における不揮発性記憶素子20の断面図である。図6(b)は、図6(a)におけるBB´線の断面を矢印方向に見た断面図である。図6(a)に示すように、本実施の形態2の不揮発性記憶素子20は、抵抗変化型の不揮発性記憶素子であり、シリコン(Si)等の基板100、第1の配線101、第1の層間絶縁層102、第1のコンタクトプラグ104、抵抗変化素子25、第2の層間絶縁層108、第2のコンタクトプラグ110及び第2の配線111を備える。抵抗変化素子25は、下部電極105、抵抗変化層126及び上部電極107で構成される。抵抗変化層126は、下部電極105と上部電極107との間に介在され、両電極105及び107間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する(より具体的には、両電極105及び107間に与えられる電圧の極性に応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に遷移する)層であり、第1の遷移金属酸化物116bで構成される第1の抵抗変化層1161と第2の遷移金属酸化物126aと第3の遷移金属酸化物126cとで構成される第2の抵抗変化層1262の少なくとも2層で構成される。図6(a)において、図2(a)と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。なお、本実施の形態の不揮発性記憶素子を用いて実際のメモリセルを構成する場合、第1の配線101及び第2の配線111のいずれか一方はスイッチ素子(ダイオードまたはトランジスタ)と接続されて、非選択時にはスイッチ素子がオフ状態となるよう設定される。また、スイッチ素子との接続においては、コンタクトプラグ(104または110)や配線(101または111)を介さず直接に不揮発性記憶素子の電極(105または107)と接続するような構成も可能である。
図7(a)から(e)は本発明の実施の形態2における不揮発性記憶素子20の要部の製造方法を示す断面図である。これらを用いて、本実施の形態2の不揮発性記憶素子20の主要部の製造方法について説明する。また、図7(a)以前の工程は、図4(a)〜(g)と同様であるので、説明を省略する。なお、本実施の形態では、上部電極107は、製造上、2つの層(第1の上部電極107a及び第2の上部電極107b)から構成されるので、図4(g)に示される実施の形態1における上部電極107の製造は、製造工程上、本実施の形態における第1の上部電極107aの製造に相当する。
次に、本発明の実施の形態3における不揮発性記憶素子について説明する。
図8(a)は、本発明の実施の形態3における不揮発性記憶素子30の断面図である。図8(b)は、図8(a)におけるCC´線の断面を矢印方向から見た断面図である。図8(a)に示すように、本実施の形態3の不揮発性記憶素子30は、抵抗変化型の不揮発性記憶素子であり、基板200、第1の配線201、第1の層間絶縁層202、第1のコンタクトプラグ204、抵抗変化素子35、第2の層間絶縁層209、第2のコンタクトプラグ211及び第2の配線212を備える。なお、本実施の形態の不揮発性記憶素子を用いて実際のメモリセルを構成する場合、第1の配線201及び第2の配線212のいずれか一方はスイッチ素子(ダイオードまたはトランジスタ)と接続されて、非選択時にはスイッチ素子がオフ状態となるよう設定される。また、スイッチ素子との接続においては、コンタクトプラグ(204または211)や配線(201または212)を介さず直接に不揮発性記憶素子の電極(205または208)と接続するような構成も可能である。
図10(a)から(l)は本発明の実施の形態3における不揮発性記憶素子30の要部の製造方法を示す断面図である。これらを用いて、本実施の形態3の不揮発性記憶素子30の要部の製造方法について説明する。
次に、本発明の実施の形態4における不揮発性記憶素子について説明する。
図12は、本発明の実施の形態4における不揮発性記憶素子40の断面図である。図12に示すように、本実施の形態2の不揮発性記憶素子40は、抵抗変化型の不揮発性記憶素子であり、シリコン(Si)等の基板100、第1の配線101、第1の層間絶縁層102、第1のコンタクトプラグ104、抵抗変化素子45、第2の層間絶縁層108、第2のコンタクトプラグ110及び第2の配線111を備える。抵抗変化素子45は、下部電極105、抵抗変化層136及び上部電極107で構成される。抵抗変化層136は、下部電極105と上部電極107との間に介在され、両電極105及び107間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する(より具体的には、両電極105及び107間に与えられる電圧の極性に応じて高抵抗状態と低抵抗状態とを可逆的に遷移する)層であり、第1の遷移金属酸化物116bで構成される第1の抵抗変化層1161と第2の遷移金属酸化物116aと第3の遷移金属酸化物116cとで構成される第2の抵抗変化層1162の少なくとも2層で構成される。図12において、図2(a)と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。なお、本実施の形態の不揮発性記憶素子を用いて実際のメモリセルを構成する場合、前記第1の配線101及び前記第2の配線111のいずれか一方はスイッチ素子(ダイオードまたはトランジスタ)と接続されて、非選択時にはスイッチ素子がオフ状態となるよう設定される。また、スイッチ素子との接続においては、コンタクトプラグ(104または110)や配線(101または111)を介さず直接に不揮発性記憶素子の電極(105または107)と接続するような構成も可能である。
図13(a)から(d)は本発明の実施の形態4における不揮発性記憶素子40の要部の製造方法を示す断面図である。これらを用いて、本実施の形態4の不揮発性記憶素子40の主要部の製造方法について説明する。また、図13(a)以前の工程は、図4(a)〜(e)と同様であるので、説明を省略する。
次に、本発明に係る不揮発性記憶装置の実施の形態について説明する。
図14は、本発明の実施の形態5における不揮発性記憶装置400の構成を示すブロック図である。この不揮発性記憶装置400は、実施の形態1〜4のいずれかにおける不揮発性記憶素子(本図では可変抵抗の記号で表現されている)を記憶素子として有する記憶装置であり、半導体基板上にメモリ本体部401を備えている。このメモリ本体部401は、マトリクス状に配置された複数の1T1R型のメモリセルを有するメモリセルアレイ402と、行選択回路408、ワード線ドライバWLD及びソース線ドライバSLDから構成される行ドライバ407と、列選択回路403と、情報の書き込みを行うための書き込み回路406と、選択ビット線に流れる電流量を検出し、データ「1」または「0」の判別を行うセンスアンプ404と、端子DQを介して入出力データの入出力処理を行うデータ入出力回路405とを具備している。
次に、以上のように構成された不揮発性記憶装置400の動作について、情報を書き込む場合の書き込みサイクルと情報を読み出す場合の読み出しサイクルとに分けて説明する。
次に、本発明に係る不揮発性記憶素子の設計支援方法の実施の形態について説明する。
15、25、35、45 抵抗変化素子
100、200 基板
101、201 第1の配線
102、202 第1の層間絶縁層
103、203 第1のコンタクトホール
104、204 第1のコンタクトプラグ
105、205 下部電極
106、116、126、136、207 抵抗変化層
106x、1161、2071 第1の抵抗変化層
106y、1162、1262、2072 第2の抵抗変化層
116a、207a 第2の遷移金属酸化物
116b、207b 第1の遷移金属酸化物
116c、207c 第3の遷移金属酸化物
107、208 上部電極
107a 第1の上部電極
107b 第2の上部電極
108、209 第2の層間絶縁層
109、210 第2のコンタクトホール
110、211 第2のコンタクトプラグ
111、212 第2の配線
206 電流制御層
206a 低抵抗領域
206b 高抵抗領域
400 不揮発性記憶装置
401 メモリ本体部
402 メモリセルアレイ
403 列選択回路
404 センスアンプ
405 データ入出力回路
406 書き込み回路
407 行ドライバ
408 行選択回路
409 アドレス入力回路
410 制御回路
411 書き込み用電源
412 LR化用電源
413 HR化用電源
S1 上部電極及び下部電極の面積
S2、S4 第2の遷移金属酸化物の平面方向の最大面積
S2a、S2b 第2の遷移金属酸化物の平面方向の面積
S3 第3の遷移金属酸化物の平面方向の最大面積
S5 第5の遷移金属酸化物の平面方向の最大面積
Claims (13)
- 半導体基板上に形成された第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在され、両電極間に与えられる電圧の極性に応じて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、
前記抵抗変化層は、第1の抵抗変化層と第2の抵抗変化層との少なくとも2層から構成され、
前記第1の抵抗変化層の第1の面は、前記第1の電極と接続され、
前記第1の抵抗変化層の第2の面は、前記第2の抵抗変化層の第1の面と接続され、
前記第1の抵抗変化層は、第1の遷移金属酸化物から構成され、
前記第2の抵抗変化層は、第2の遷移金属酸化物と第3の遷移金属酸化物とから構成され、
前記第2の遷移金属酸化物の酸素不足度は、前記第1の遷移金属酸化物の酸素不足度及び前記第3の遷移金属酸化物の酸素不足度のいずれよりも高く、
前記第3の遷移金属酸化物は、前記第1の抵抗変化層の前記第2の面の少なくとも一部と接し、
前記第2の遷移金属酸化物は、前記第1の抵抗変化層の前記第2の面の残りの部分と接し、
前記抵抗変化層における抵抗値の変化は、前記第1の抵抗変化層及び前記第2の抵抗変化層のうち、前記第1の抵抗変化層中に形成された導電パスであるフィラメントにおける酸化還元反応によって起こる
不揮発性記憶素子。 - 前記第2の遷移金属酸化物と前記第3の遷移金属酸化物とは、同じ遷移金属で構成される
請求項1に記載の不揮発性記憶素子。 - 前記第2の遷移金属酸化物は、前記第2の抵抗変化層の中心側に配置され、
前記第3の遷移金属酸化物は、前記第2の抵抗変化層の周縁側に配置される
請求項1に記載の不揮発性記憶素子。 - 前記第2の遷移金属酸化物は、前記第2の抵抗変化層の周縁側に配置され、
前記第3の遷移金属酸化物は、前記第2の抵抗変化層の中心側に配置される
請求項1に記載の不揮発性記憶素子。 - さらに、前記第2の抵抗変化層と前記第1電極又は前記第2電極との間に介在された電流制御層を備え、
前記電流制御層は、前記第3の遷移金属酸化物と接する高抵抗領域と、前記第2の遷移金属酸化物と接する低抵抗領域とから構成され、
前記電流制御層の低抵抗領域と前記第2の遷移金属酸化物とが接する面積は、前記第2の遷移金属酸化物と前記第1の遷移金属酸化物とが接する面積より小さい
請求項1に記載の不揮発性記憶素子。 - 前記第1の遷移金属酸化物、前記第2の遷移金属酸化物、前記第3の遷移金属酸化物及び前記電流制御層は、同種の遷移金属酸化物で構成され、
前記高抵抗領域は、第4の遷移金属酸化物で構成され、
前記低抵抗領域は、第5の遷移金属酸化物で構成され、
前記第4の遷移金属酸化物の酸素不足度は、前記第2の遷移金属酸化物の酸素不足度より低く、
前記第5の遷移金属酸化物の酸素不足度は、前記第2の遷移金属酸化物の酸素不足度より高い
請求項5に記載の不揮発性記憶素子。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載の不揮発性記憶素子とスイッチ素子とが直列に接続されて構成されるメモリセルを複数個具備するメモリセルアレイと、
前記メモリセルアレイが具備する複数のメモリセルの中から少なくとも一つのメモリセルを構成するスイッチ素子をONさせることで、少なくとも一つのメモリセルを選択する選択回路と、
前記選択回路で選択されたメモリセルを構成する不揮発性記憶素子に書き込み用の電圧パルスを印加する書き込み回路と、
前記選択回路で選択されたメモリセルを構成する不揮発性記憶素子に流れる電流量を検出することで、当該不揮発性記憶素子に記憶されていたデータの判別を行うセンスアンプと
を備える不揮発性記憶装置。 - 半導体基板上に形成された第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在され、両電極間に与えられる電圧の極性に応じて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、
前記抵抗変化層は、第1の抵抗変化層と第2の抵抗変化層との少なくとも2層から構成され、
前記抵抗値の変化は、前記第1の抵抗変化層及び前記第2の抵抗変化層のうち、前記第1の抵抗変化層中に形成された導電パスであるフィラメントにおける酸化還元反応によって起こる不揮発性記憶素子の製造方法であって、
半導体基板上に、下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に第2の遷移金属酸化物を形成する工程と、
前記第2の遷移金属酸化物上に第1の遷移金属酸化物で構成される第1の抵抗変化層を形成する工程と、
前記第1の抵抗変化層上に上部電極を形成する工程と、
前記第2の遷移金属酸化物の一部を酸化することで第3の遷移金属酸化物を形成することにより、前記第1の抵抗変化層に接する前記第2の遷移金属酸化物と前記第1の抵抗変化層に接する前記第3の遷移金属酸化物とで構成される第2の抵抗変化層を形成する工程と
を有する不揮発性記憶素子の製造方法。 - 半導体基板上に形成された第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在され、両電極間に与えられる電圧の極性に応じて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層とを備え、
前記抵抗変化層は、第1の抵抗変化層と第2の抵抗変化層との少なくとも2層から構成され、
前記抵抗値の変化は、前記第1の抵抗変化層及び前記第2の抵抗変化層のうち、前記第1の抵抗変化層中に形成された導電パスであるフィラメントにおける酸化還元反応によって起こる不揮発性記憶素子の製造方法であって、
半導体基板上に、下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に第1の遷移金属酸化物で構成される第1の抵抗変化層を形成する工程と、
前記第1の抵抗変化層上に第2の遷移金属酸化物を形成する工程と、
前記第2の遷移金属酸化物上に上部電極を形成する工程と、
前記第2の遷移金属酸化物の一部を酸化することで第3の遷移金属酸化物を形成することにより、前記第1の抵抗変化層に接する前記第2の遷移金属酸化物と前記第1の抵抗変化層に接する前記第3の遷移金属酸化物とで構成される第2の抵抗変化層を形成する工程と
を有する不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記第2の遷移金属酸化物を酸化する工程では、前記第2の遷移金属酸化物の露出した側面部を酸化することで、前記第2の抵抗変化層の中心側に前記第2の遷移金属酸化物を形成するとともに前記第2の抵抗変化層の周縁側に前記第3の遷移金属酸化物を形成する
請求項8又は9に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 前記第2の遷移金属酸化物を酸化する工程では、前記第1の抵抗変化層に被覆された前記第2の遷移金属酸化物の表面の一部を前記第1の抵抗変化層と共に酸化することで、前記第2の抵抗変化層の中心側に前記第3の遷移金属酸化物を形成するとともに前記第2の抵抗変化層の周縁側に前記第2の遷移金属酸化物を形成する
請求項8に記載の不揮発性記憶素子の製造方法。 - 請求項1記載の不揮発性記憶素子の設計を支援する方法であって、
前記第2の遷移金属酸化物の平面方向の寸法と前記不揮発性記憶素子の初期化電圧との依存関係を算出する算出ステップと、
設計の対象となる不揮発性記憶素子に要求される初期化電圧を受け付ける受け付けステップと、
前記算出ステップで算出された依存関係を参照することで、前記受け付けステップで受け付けた初期化電圧に対応する前記第2の遷移金属酸化物の平面方向の寸法を特定する特定ステップと、
前記特定ステップで特定された寸法を出力する出力ステップと
を含む不揮発性記憶素子の設計支援方法。 - 前記算出ステップでは、
前記寸法が異なる複数の請求項1記載の不揮発性記憶素子を製造する製造ステップと、
前記製造ステップで製造された複数の不揮発性記憶素子を初期化することで、初期化電圧を計測する計測ステップと、
前記複数の不揮発性記憶素子について、前記寸法と前記初期化電圧とを対応づけることで、前記依存関係を決定する決定ステップとを含む
請求項12記載の不揮発性記憶素子の設計支援方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011533041A JP5001464B2 (ja) | 2010-03-19 | 2011-03-16 | 不揮発性記憶素子、その製造方法、その設計支援方法および不揮発性記憶装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010064897 | 2010-03-19 | ||
JP2010064897 | 2010-03-19 | ||
PCT/JP2011/001543 WO2011114725A1 (ja) | 2010-03-19 | 2011-03-16 | 不揮発性記憶素子、その製造方法、その設計支援方法および不揮発性記憶装置 |
JP2011533041A JP5001464B2 (ja) | 2010-03-19 | 2011-03-16 | 不揮発性記憶素子、その製造方法、その設計支援方法および不揮発性記憶装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012072615A Division JP5436603B2 (ja) | 2010-03-19 | 2012-03-27 | 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5001464B2 true JP5001464B2 (ja) | 2012-08-15 |
JPWO2011114725A1 JPWO2011114725A1 (ja) | 2013-06-27 |
Family
ID=44648837
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011533041A Active JP5001464B2 (ja) | 2010-03-19 | 2011-03-16 | 不揮発性記憶素子、その製造方法、その設計支援方法および不揮発性記憶装置 |
JP2012072615A Active JP5436603B2 (ja) | 2010-03-19 | 2012-03-27 | 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012072615A Active JP5436603B2 (ja) | 2010-03-19 | 2012-03-27 | 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8437173B2 (ja) |
EP (1) | EP2549535B1 (ja) |
JP (2) | JP5001464B2 (ja) |
KR (1) | KR101312906B1 (ja) |
CN (1) | CN102428560B (ja) |
WO (1) | WO2011114725A1 (ja) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8223539B2 (en) * | 2010-01-26 | 2012-07-17 | Micron Technology, Inc. | GCIB-treated resistive device |
WO2012023269A1 (ja) * | 2010-08-17 | 2012-02-23 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
WO2013038647A1 (ja) | 2011-09-16 | 2013-03-21 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶素子の製造方法、及び不揮発性記憶装置の製造方法 |
WO2013054506A1 (ja) * | 2011-10-11 | 2013-04-18 | パナソニック株式会社 | 半導体記憶素子の製造方法 |
JP5351363B1 (ja) * | 2011-10-24 | 2013-11-27 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置 |
US9082968B2 (en) | 2011-11-17 | 2015-07-14 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Variable resistance non-volatile memory device and manufacturing method thereof |
US8854864B2 (en) * | 2011-12-02 | 2014-10-07 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory element and nonvolatile memory device |
WO2013084412A1 (ja) * | 2011-12-07 | 2013-06-13 | パナソニック株式会社 | クロスポイント型不揮発性記憶装置とそのフォーミング方法 |
JP5412012B1 (ja) * | 2012-01-25 | 2014-02-12 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子とその製造方法 |
US9130167B2 (en) | 2012-03-29 | 2015-09-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Method of manufacturing a nonvolatile memory device having a variable resistance element whose resistance value changes reversibly upon application of an electric pulse |
US8964448B2 (en) | 2012-08-09 | 2015-02-24 | Micron Technology, Inc. | Memory cells having a plurality of resistance variable materials |
KR101607820B1 (ko) * | 2012-09-05 | 2016-03-30 | 가부시키가이샤 아루박 | 저항 변화 소자 및 그 제조 방법 |
JP5571833B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2014-08-13 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶素子の製造方法 |
US20140091272A1 (en) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Resistance variable memory structure and method of forming the same |
US9231197B2 (en) * | 2012-11-12 | 2016-01-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Logic compatible RRAM structure and process |
US8742390B1 (en) * | 2012-11-12 | 2014-06-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Logic compatible RRAM structure and process |
JP2014103326A (ja) * | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子およびその製造方法 |
FR3001571B1 (fr) * | 2013-01-30 | 2016-11-25 | Commissariat Energie Atomique | Procede de programmation d'un dispositif memoire a commutation bipolaire |
US20140273525A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Intermolecular, Inc. | Atomic Layer Deposition of Reduced-Leakage Post-Transition Metal Oxide Films |
JP6092696B2 (ja) * | 2013-04-15 | 2017-03-08 | シャープ株式会社 | 可変抵抗素子を用いたメモリセル |
JP2015015309A (ja) | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 株式会社東芝 | 記憶装置 |
EP2838327B1 (en) * | 2013-08-16 | 2018-11-14 | NGK Insulators, Ltd. | Heat dissipating circuit board and electronic device |
US9257640B2 (en) | 2013-09-12 | 2016-02-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Memory device and method for manufacturing the same |
US8981334B1 (en) * | 2013-11-01 | 2015-03-17 | Micron Technology, Inc. | Memory cells having regions containing one or both of carbon and boron |
US9627612B2 (en) | 2014-02-27 | 2017-04-18 | International Business Machines Corporation | Metal nitride keyhole or spacer phase change memory cell structures |
US9876167B2 (en) | 2014-04-02 | 2018-01-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | High yield RRAM cell with optimized film scheme |
US9577191B2 (en) * | 2014-04-02 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | RRAM cell bottom electrode formation |
KR102225782B1 (ko) | 2014-07-28 | 2021-03-10 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
CN106206449B (zh) * | 2015-01-08 | 2019-05-24 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 具有优化的膜方案的高良率rram单元 |
US9455402B2 (en) * | 2015-01-23 | 2016-09-27 | Macronix International Co., Ltd. | Resistive memory device with ring-shaped metal oxide on top surfaces of ring-shaped metal layer and barrier layer |
TWI605622B (zh) * | 2016-04-27 | 2017-11-11 | 國立中山大學 | 電阻式記憶體 |
JP6290487B1 (ja) * | 2017-03-17 | 2018-03-07 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
JP2018160547A (ja) | 2017-03-22 | 2018-10-11 | 東芝メモリ株式会社 | 記憶装置 |
JP2020043192A (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | キオクシア株式会社 | 記憶装置 |
US11276732B2 (en) * | 2019-09-20 | 2022-03-15 | International Business Machines Corporation | Semiconductor memory devices formed using selective barrier metal removal |
US11114153B2 (en) * | 2019-12-30 | 2021-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | SRAM devices with reduced coupling capacitance |
FR3113783B1 (fr) | 2020-09-02 | 2022-08-12 | Commissariat Energie Atomique | Memoire resistive a zone de commutation entre deux regions dielectriques de dopages et/ou constantes dielectriques different(e)s |
TWI744165B (zh) * | 2021-01-06 | 2021-10-21 | 華邦電子股份有限公司 | 電阻式隨機存取記憶體及其製造方法 |
CN113611796A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-11-05 | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 | 电阻式随机存取存储器及其制作方法 |
Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005041303A1 (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 抵抗変化素子、その製造方法、その素子を含むメモリ、およびそのメモリの駆動方法 |
WO2008047770A1 (fr) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Fujitsu Limited | Élément variable en résistance |
JP2009135370A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-18 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
WO2010004705A1 (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
JP2010015662A (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-21 | Panasonic Corp | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
WO2010021134A1 (ja) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置およびメモリセルの形成方法 |
WO2010064444A1 (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子及びその製造方法 |
WO2010064446A1 (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-10 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置 |
WO2010064410A1 (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-10 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子 |
WO2010086916A1 (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-05 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化素子およびその製造方法 |
JP2010287683A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4983394A (en) | 1990-05-03 | 1991-01-08 | Warner-Lambert Company | Flavor enhancing and medicinal taste masking agent |
US7563748B2 (en) | 2003-06-23 | 2009-07-21 | Cognis Ip Management Gmbh | Alcohol alkoxylate carriers for pesticide active ingredients |
KR100682926B1 (ko) * | 2005-01-31 | 2007-02-15 | 삼성전자주식회사 | 저항체를 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US8031509B2 (en) * | 2008-12-19 | 2011-10-04 | Unity Semiconductor Corporation | Conductive metal oxide structures in non-volatile re-writable memory devices |
DE602006020138D1 (de) | 2005-06-29 | 2011-03-31 | Compumedics Ltd | Sensoranordnung mit leitfähiger brücke |
KR100960208B1 (ko) * | 2005-07-29 | 2010-05-27 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | 저항 기억 소자 및 불휘발성 반도체 기억 장치 |
JP3889023B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-07 | シャープ株式会社 | 可変抵抗素子とその製造方法並びにそれを備えた記憶装置 |
JP4854233B2 (ja) * | 2005-08-15 | 2012-01-18 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | スイッチング素子 |
CN101395716B (zh) | 2006-03-08 | 2011-11-02 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储元件、非易失性存储装置、以及它们的制造方法 |
KR101206034B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2012-11-28 | 삼성전자주식회사 | 산소결핍 금속산화물을 이용한 비휘발성 메모리 소자 및 그제조방법 |
TW200801513A (en) | 2006-06-29 | 2008-01-01 | Fermiscan Australia Pty Ltd | Improved process |
CN101636840B (zh) * | 2006-11-17 | 2011-05-25 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储元件、非易失性存储器件、非易失性半导体器件以及非易失性存储元件的制造方法 |
KR101083166B1 (ko) * | 2007-06-05 | 2011-11-11 | 파나소닉 주식회사 | 비휘발성 기억 소자 및 그 제조 방법, 및 그 비휘발성 기억소자를 이용한 비휘발성 반도체 장치 |
KR101307253B1 (ko) * | 2007-06-29 | 2013-09-11 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 저항변화기록소자의 정보기록방법, 저항변화기록소자의제조방법 및 이를 이용한 저항변화기록소자 |
JPWO2009122569A1 (ja) | 2008-04-01 | 2011-07-28 | 株式会社東芝 | 情報記録再生装置 |
JP5488458B2 (ja) | 2008-04-07 | 2014-05-14 | 日本電気株式会社 | 抵抗変化素子及びその製造方法 |
WO2009128142A1 (ja) * | 2008-04-15 | 2009-10-22 | 株式会社 東芝 | 情報記録再生装置 |
CN101779287B (zh) * | 2008-05-22 | 2011-12-21 | 松下电器产业株式会社 | 电阻变化型非易失性存储装置 |
WO2010000020A1 (en) | 2008-06-30 | 2010-01-07 | Cathrx Ltd | A catheter |
JP2010040728A (ja) | 2008-08-05 | 2010-02-18 | Nec Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US8350245B2 (en) * | 2008-12-10 | 2013-01-08 | Panasonic Corporation | Variable resistance element and nonvolatile semiconductor memory device using the same |
US7983065B2 (en) * | 2009-04-08 | 2011-07-19 | Sandisk 3D Llc | Three-dimensional array of re-programmable non-volatile memory elements having vertical bit lines |
US8188833B2 (en) * | 2009-04-14 | 2012-05-29 | Panasonic Corporation | Variable resistance element and manufacturing method of the same |
JP4778117B2 (ja) * | 2009-05-28 | 2011-09-21 | パナソニック株式会社 | メモリセルアレイ、メモリセルアレイの製造方法、不揮発性記憶装置、および、クロスポイント型のメモリセルアレイを構成するメモリセル |
US8325508B2 (en) * | 2009-06-08 | 2012-12-04 | Panasonic Corporation | Writing method for variable resistance nonvolatile memory element, and variable resistance nonvolatile memory device |
US8223539B2 (en) * | 2010-01-26 | 2012-07-17 | Micron Technology, Inc. | GCIB-treated resistive device |
JP5148025B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2013-02-20 | パナソニック株式会社 | 不揮発性半導体記憶素子の製造方法 |
-
2011
- 2011-03-16 US US13/320,654 patent/US8437173B2/en active Active
- 2011-03-16 CN CN201180002106.XA patent/CN102428560B/zh active Active
- 2011-03-16 WO PCT/JP2011/001543 patent/WO2011114725A1/ja active Application Filing
- 2011-03-16 JP JP2011533041A patent/JP5001464B2/ja active Active
- 2011-03-16 KR KR1020117027200A patent/KR101312906B1/ko active IP Right Grant
- 2011-03-16 EP EP11755916.1A patent/EP2549535B1/en active Active
-
2012
- 2012-03-27 JP JP2012072615A patent/JP5436603B2/ja active Active
Patent Citations (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005041303A1 (ja) * | 2003-10-23 | 2005-05-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 抵抗変化素子、その製造方法、その素子を含むメモリ、およびそのメモリの駆動方法 |
WO2008047770A1 (fr) * | 2006-10-16 | 2008-04-24 | Fujitsu Limited | Élément variable en résistance |
JP2009135370A (ja) * | 2007-12-03 | 2009-06-18 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
JP2010015662A (ja) * | 2008-07-07 | 2010-01-21 | Panasonic Corp | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
WO2010004705A1 (ja) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
WO2010021134A1 (ja) * | 2008-08-20 | 2010-02-25 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置およびメモリセルの形成方法 |
WO2010064446A1 (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-10 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置 |
WO2010064410A1 (ja) * | 2008-12-04 | 2010-06-10 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子 |
WO2010064444A1 (ja) * | 2008-12-05 | 2010-06-10 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子及びその製造方法 |
WO2010086916A1 (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-05 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化素子およびその製造方法 |
JP2010287683A (ja) * | 2009-06-10 | 2010-12-24 | Toshiba Corp | 不揮発性記憶装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5436603B2 (ja) | 2014-03-05 |
WO2011114725A1 (ja) | 2011-09-22 |
JP2012182462A (ja) | 2012-09-20 |
EP2549535A4 (en) | 2014-03-19 |
EP2549535A1 (en) | 2013-01-23 |
US8437173B2 (en) | 2013-05-07 |
US20120063201A1 (en) | 2012-03-15 |
KR101312906B1 (ko) | 2013-09-30 |
CN102428560A (zh) | 2012-04-25 |
KR20120022955A (ko) | 2012-03-12 |
JPWO2011114725A1 (ja) | 2013-06-27 |
EP2549535B1 (en) | 2015-11-04 |
CN102428560B (zh) | 2014-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5001464B2 (ja) | 不揮発性記憶素子、その製造方法、その設計支援方法および不揮発性記憶装置 | |
JP5144840B2 (ja) | 不揮発性記憶素子、その製造方法、不揮発性記憶装置及び不揮発性記憶素子の設計支援方法 | |
JP5039857B2 (ja) | 記憶装置およびその製造方法 | |
JP5468087B2 (ja) | 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置 | |
JP5899474B2 (ja) | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性記憶素子の製造方法、及び不揮発性記憶装置の製造方法 | |
WO2010021134A1 (ja) | 抵抗変化型不揮発性記憶装置およびメモリセルの形成方法 | |
JP5128718B2 (ja) | 不揮発性記憶素子の駆動方法および不揮発性記憶装置 | |
JP5395314B2 (ja) | 不揮発性記憶素子および不揮発性記憶装置 | |
JP2012244017A (ja) | 不揮発性記憶素子及びその製造方法並びに不揮発性記憶装置 | |
JP5380612B2 (ja) | 不揮発性記憶素子の駆動方法及び初期化方法、並びに不揮発性記憶装置 | |
US8692222B2 (en) | Nonvolatile memory element and method of manufacturing the nonvolatile memory element | |
JP5571833B2 (ja) | 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶素子の製造方法 | |
JP2008072031A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
CN103999218B (zh) | 非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性存储元件的制造方法及非易失性存储装置的制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120424 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5001464 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150525 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |