JP2004153279A - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】EUVリソグラフィ装置における多層ミラーといったような、1つ以上のバックミンスターフラーレンを含有する少なくとも1層を有する光学素子を提供する。典型的にバックミンスターフラーレンはキャッピング層として存在し、光学素子のアウターキャッピング層として提供されるか、あるいは、異なる材料から形成されたアウターキャッピング層に隣接するサブキャッピング層を形成する。代替的または追加的に、バックミンスターフラーレン含有層は多層ミラーにおける2層間の中間層として存在する。
【選択図】図1
Description
− マスク。マスクの概念はリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、様々なハイブリッドマスクタイプのみならず、バイナリマスク、レベンソンマスク、減衰位相シフトマスクといったようなマスクタイプも含まれる。放射線ビームにこのようなマスクを配置することにより、マスクに照射する放射線の、マスクパターンに従う選択的透過(透過性マスクの場合)や選択的反射(反射性マスクの場合)を可能にする。マスクの場合、その支持構造は一般的に、入射する放射線ビームの所望する位置にマスクを保持しておくことが可能であり、かつ、必要な場合、ビームに対して運動させることの可能なマスクテーブルである。
− プログラマブルミラーアレイ。このようなデバイスの一例として、粘弾性制御層および反射面を有するマトリクスアドレス可能面があげられる。こうした装置の基本的原理は、(例えば)反射面のアドレスされた領域は入射光を回折光として反射するが、アドレスされていない領域は入射光を非回折光として反射するといったことである。適切なフィルタを使用することにより、回折光のみを残して上記非回折光を反射ビームからフィルタすることが可能である。この方法において、ビームはマトリクスアドレス可能面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。プログラマブルミラーアレイのまた別の実施形態では小さな複数のミラーのマトリクス配列を用いる。そのミラーの各々は、適した局部電界を適用することによって、もしくは圧電作動手段を用いることによって、軸を中心に個々に傾けられている。もう一度言うと、ミラーはマトリクスアドレス可能であり、それによりアドレスされたミラーはアドレスされていないミラーとは異なる方向に入射の放射線ビームを反射する。このようにして、反射されたビームはマトリクスアドレス可能ミラーのアドレスパターンに従いパターン形成される。必要とされるマトリクスアドレッシングは適切な電子手段を用いて実行される。前述の両方の状況において、パターニング手段は1つ以上のプログラマブルミラーアレイから構成可能である。ここに参照を行ったミラーアレイに関するより多くの情報は、例えば、米国特許第US5,296,891号および同第US5,523,193号、並びに、PCT特許種出願第WO98/38597および同WO98/33096から得ることが出来る。詳細はこれらの文献を参照されたい。プログラマブルミラーアレイの場合、上記支持構造は、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これは必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。
− プログラマブルLCDアレイ。このような構成の例が米国特許第US5,229,872号に開示されている。詳細については、当該文献を参照されたい。上記同様、この場合における支持構造も、例えばフレームもしくはテーブルとして具体化され、これも必要に応じて、固定式となるか、もしくは可動式となる。簡潔化の目的で、本文の残りを、特定の箇所において、マスクおよびマスクテーブルを必要とする例に限定して導くものとする。しかし、こうした例において論じられる一般的な原理は、既に述べたようなパターニング手段のより広範な状況において理解されるべきである。
1. ステップモードにおいて、マスクテーブルMTは基本的に静止状態に保たれている。そして、マスクの像全体が1回の作動(すなわち1回の「フラッシュ」)で目標部分Cに投影される。次に基板テーブルWTがx方向および/あるいはy方向にシフトされ、異なる目標部分CがビームPBにより照射され得る。
2. スキャンモードにおいて、基本的に同一シナリオが適用されるが、但し、ここでは、所定の目標部分Cは1回の「フラッシュ」では露光されない。代わって、マスクテーブルMTが、速度vにて所定方向(いわゆる「走査方向」、例えばy方向)に運動可能であり、それによってビームPBがマスクの像を走査する。これと同時に、基板テーブルWTが速度V=Mvで、同一方向あるいは反対方向に運動する。ここで、MはレンズPLの倍率(一般的にM=1/4あるいは1/5)である。このように、解像度を妥協することなく、比較的大きな目標部分Cを露光することが可能となる。
Claims (12)
- 放射線の投影ビームを供給する放射線システムと、所望するパターンに従って投影ビームをパターン化するパターニング手段を支持する支持構造と、基板を保持する基板テーブルと、パターン化されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムとから成るリソグラフィ投影装置において、1つ以上のバックミンスターフラーレンからなる少なくとも1層を有する少なくとも1つの光学素子を備えていることを特徴とするリソグラフィ投影装置。
- 光学素子はその表面に1層以上のキャッピング層を有し、該キャッピング層の少なくとも1層は1つ以上のバックミンスターフラーレンからなることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記の1つ以上のキャッピング層の外側(アウター)層は1つ以上のバックミンスターフラーレンからなることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- 光学素子はその表面に単一キャッピング層を有することを特徴とする請求項3に記載の装置。
- 光学素子は、アウターキャッピング層とアウターキャッピング層と光学素子間に、サブキャッピング層を含む少なくとも2層のキャッピング層を有し、該サブキャッピング層は1つ以上のバックミンスターフラーレンからなることを特徴とする請求項2に記載の装置。
- サブキャッピング層はアウターキャッピング層に隣接することを特徴とする請求項5に記載の装置。
- 光学素子は多層ミラーであることを特徴とする前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 1つ以上のバックミンスターフラーレンからなる層は、多層ミラーにおける2層間の1つ以上の界面に存在することを特徴とする請求項7に記載の装置。
- 1つ以上のバックミンスターフラーレンからなるキャッピング層は厚さが1nmから3nm、あるいは7nmから8nmであることを特徴とする前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 1つ以上のフラーレンからなるキャッピング層は、1層から5層、望ましくは2層から3層のバックミンスターフラーレン分子の層を有することを特徴とする前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 前記の1つ以上のバックミンスターフラーレンはC60からなることを特徴とする前記請求項のいずれか1項に記載の装置。
- 放射線感光材料の層により少なくとも部分的に覆われた基板を提供するステップと、放射線システムを用いて放射線の投影ビームを供給するステップと、パターニング手段を用いて投影ビームのその断面にパターンを与えるステップと、放射線感光材料の層の目標部分に放射線のパターン化されたビームを投影するステップとからなるデバイス製造方法において、1つ以上のバックミンスターフラーレンからなる少なくとも1層を有する少なくとも1つの光学素子を提供することを特徴とするデバイス製造方法。
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