JP4845980B2 - 弾性表面波素子および弾性表面波装置 - Google Patents
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Description
極膜では引張応力が働くのに対して圧縮応力を発生させることができ、結果としてバリア層の膜応力を低減させることが可能となり、電極剥離が発生せず、特性不良が生じず、電気的接続を充分に確保することができる。
膜,Si膜等が用いられる。中間電極層7を構成する密着電極層3、内部に少なくとも一層以上の不純物含有層5を介在させた積層体からなるバリア層4,5および最上部のAu電極層6は、スパッタリング法または蒸着法等の薄膜形成法により形成する。中間電極層7の所定の形状を得るには、リフトオフ法、フォトリソグラフィ法またはメタルマスクを用いた薄膜形成法等が用いられる。
ことが、共振器あるいはフィルタとしの所期の特性を得るうえで好適である。また、IDT電極8のSAWの伝搬路の両端に、SAWを反射し効率よく共振させるための反射器を設けてもよい。
薄いと半田に対するバリア性が劣り、1.5μmより厚いと膜応力が著しく大きくなるため
膜厚として0.5μm〜1.5μmの範囲であることが好ましい。バリア層4,5に介在させる不純物含有層5に含ませる不純物としては、C(炭素)、S(硫黄)、O(酸素)の1種以上の元素が用いられるが、このうち膜応力を低減させる効果が大きいためC,Oが好ましい。また、Niを用いたバリア層4,5の不純物含有層5として炭素を不純物として用いた場合、電極の電気抵抗を低減することができ、結果として挿入損失を向上させる効果もある。
mのアルミナ基板を用いた。アルミナ基板には合計1μm膜厚のAu及びNiを無電解め
っきにて形成した。
有層5が介在するNi電極4,5が10000Å、Au電極6が2000Åであった。Cr電極3
は、Al−Cu電極パッド2との密着性を改善させるためのものであり、バリア層Ni電極4,5は、スパッタ成膜中にCとS濃度の高いNiターゲット材に切替えてスパッタリングすることにより、内部に2層のCとS濃度の高い不純物含有層5を介在させた積層体よりなり、半田食われを防止するために設けている。電極パターンは、リフトオフ法により形成した。
μmであった。
2,21:電極パッド
3,23:密着層(下部層)
4,5,24:バリア層
5:不純物含有層
6,16,25:Au電極層(上部層)
7,17,26:中間電極層
8,35:IDT電極
9:引き出し電極
10:保護膜
22:レジスト
33:接続体
34:電極パターン
36,37:パッケージ部材
38:蓋体
61:回路基板
62:接続電極
63:接続部材
64:樹脂
Claims (3)
- 圧電基板と、
該圧電基板上に設けられた励振電極層と、
前記圧電基板に設けられた、前記励振電極層に接続された電極パッド層と、
NiまたはCuからなり、前記電極パッド層上に設けられ、CおよびSを不純物として含む不純物含有層を有するバリア層と、を備え、
前記バリア層を上面から深さ方向にSIMS分析した際のスペクトルにおいて、前記不純物のピークが、前記バリア層と前記電極パッド層との界面および前記バリア層の前記上面より離れた、前記不純物含有層に存在する弾性表面波素子。 - 前記Cのピークまたは前記Sのピークが、それぞれ複数箇所に存在する請求項1に記載の弾性表面波素子。
- 請求項1または2に記載の弾性表面波素子と、該弾性表面波素子が実装され、前記バリア層に半田またはAuで接続されている接続電極を有した回路基板と、を有する弾性表面波装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009035155A JP4845980B2 (ja) | 2009-02-18 | 2009-02-18 | 弾性表面波素子および弾性表面波装置 |
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JP2003304949A Division JP4349863B2 (ja) | 2003-08-28 | 2003-08-28 | 弾性表面波装置およびその製造方法 |
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JP2009152626A JP2009152626A (ja) | 2009-07-09 |
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JP (1) | JP4845980B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP3378334B2 (ja) * | 1994-01-26 | 2003-02-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置実装構造体 |
JP3223869B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2001-10-29 | 日本電気株式会社 | 不純物濃度の定量方法 |
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