JP7281146B2 - 弾性波デバイス - Google Patents
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Description
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、第1の金属と第2の金属の合金からなり、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対の櫛型電極であるIDTと、
前記圧電基板上に形成され、前記IDTを構成する合金からなる下地層上に形成された、第1の金属と第2の金属の合金からなり、前記IDTに電気的に接続されたパターン配線と、
前記パターン配線に含まれるパッドにボンディングされたバンプと、
前記バンプを介して前記パターン配線と電気的に接続された配線基板と、
前記圧電基板と前記配線基板に挟まれた空間を、密閉された中空となるように封止する封止部と
を備える弾性波デバイスであって、
前記IDTを構成する第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率が、前記パターン配線を構成する第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率よりも高く、
前記IDTを構成している第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率は、前記パターン配線を構成している第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率の3倍であり、
前記第1の金属は、アルミニウムであり、前記第2の金属は、銅であり、前記IDTを構成している第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率は1.5%であり、かつ、前記パターン配線を構成している第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率は0.5%である弾性波デバイスとした。
前記バンプを介して前記パターン配線と電気的に接続された配線基板と、
前記圧電基板と前記配線基板に挟まれた空間を、密閉された中空となるように封止する封止部とを有することが、本発明の一形態とされる。
前記金属膜の第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率は、前記パターン配線の第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率よりも高いことを特徴とする、弾性波デバイスの製造方法である。
図1は、本実施例にかかる弾性波デバイス1の断面図である。図1に示すように、本実施例にかかる弾性波デバイス1は、圧電基板3を有する。圧電基板3は、本実施形態では、タンタル酸リチウム単結晶からなる。圧電基板3は、他の圧電単結晶、例えば、ニオブ酸リチウムまたは水晶などの圧電単結晶、あるいは、圧電セラミックスを用いて形成されてもよい。
図4(a)から図4(d)は、本実施例にかかる弾性波デバイス1の製造方法を示す図である。以下、図4(a)から図4(d)を用いて、本実施例にかかる弾性波デバイス1の製造方法を説明する。なお、図示はしないが、圧電基板3にはサファイア基板がFAB(Fast Atomic Beam)などによる活性化処理をされた上で接合される。
次に、本発明にかかる弾性波デバイスの他の製造方法を説明する。図5(a)から図5(d)は、本発明にかかる弾性波デバイスの他の製造方法を説明する図である。
3 圧電基板
5 IDT
5a 反射器
5b 櫛形電極
5c 電極指
5d バスバー
5M 金属膜
7 パターン配線
7M 金属膜
9 バンプ
11 配線基板
11a ランドパッド
11b 外部接続端子
13 封止部
15 支持基板
In 入力パッド
Out 出力パッド
GND グランドパッド
PR フォトレジスト
Claims (3)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、第1の金属と第2の金属の合金からなり、互いに間挿し合う複数本の電極指を有する一対の櫛型電極であるIDTと、
前記圧電基板上に形成され、前記IDTを構成する合金からなる下地層上に形成された、第1の金属と第2の金属の合金からなり、前記IDTに電気的に接続されたパターン配線と、
前記パターン配線に含まれるパッドにボンディングされたバンプと、
前記バンプを介して前記パターン配線と電気的に接続された配線基板と、
前記圧電基板と前記配線基板に挟まれた空間を、密閉された中空となるように封止する封止部と
を備える弾性波デバイスであって、
前記IDTを構成する第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率が、前記パターン配線を構成する第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率よりも高く、
前記IDTを構成している第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率は、前記パターン配線を構成している第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率の3倍であり、
前記第1の金属は、アルミニウムであり、前記第2の金属は、銅であり、前記IDTを構成している第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率は1.5%であり、かつ、前記パターン配線を構成している第1の金属と第2の金属総量に対する第2の金属の含有率は0.5%である弾性波デバイス。 - 前記圧電基板は、タンタル酸リチウムまたはニオブ酸リチウムである、請求項1に記載の弾性波デバイス。
- 前記圧電基板は、前記IDT及び前記パターン配線が形成された面とは反対の主面に、サファイア、シリコン、多結晶アルミナ、多結晶スピネル、水晶、または、ガラスからなる基板が接合された、請求項1に記載の弾性波デバイス。
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