CN110034741B - 弹性波装置 - Google Patents
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Abstract
本发明的课题在于，使得不易产生裂缝。弹性波装置(1)具备基板(11)、IDT电极(12)、间隔层(13)、覆盖构件(14)、以及保护层(15)。间隔层设置在基板上，且包围IDT电极。覆盖构件设置在间隔层上，且与IDT电极分离，具有间隔层侧的第一主面(141)和与第一主面对置的第二主面(142)。保护层(15)具有与第二主面相接的第三主面(153)、与第三主面对置的第四主面(154)、以及与第四主面相连的侧面(155)。在保护层中的侧面中的至少一部分，在从基板的厚度方向(D1)的俯视下，包含侧面与第四主面的交线(156)的部分位于比基板的外缘(113)靠内侧。
Description
技术领域
本发明普遍地涉及弹性波装置，特别是，涉及用于谐振器或滤波器的弹性波装置。
背景技术
以往，已知有用于谐振器或滤波器的弹性波装置(例如，参照专利文献1)。
在专利文献1记载的弹性波装置具备压电基板、包含IDT电极的振动部、支承层(间隔层)、覆盖层(覆盖构件)、以及保护层。在专利文献1记载的弹性波装置中，在压电基板上形成有IDT电极。此外，在专利文献1记载的弹性波装置中，在振动部的周围呈框状形成有支承层，在支承层上配置有覆盖层，在覆盖层上形成有保护层。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-278972号公报
可是，在使专利文献1记载的以往的弹性波装置安装于安装基板时，存在安装基板相对于弹性波装置倾斜的情况。在这样的情况下，在专利文献1记载的以往的弹性波装置中，有时弹性波装置中的保护层的角部会与安装基板碰撞。也就是说，有时会产生弹性波装置对安装基板的角部撞击。因此，存在有可能在保护层或安装基板产生裂缝这样的问题。
发明内容
发明要解决的课题
本发明是鉴于上述的方面而完成的发明，本发明的目的在于，提供一种能够使得不易产生裂缝的弹性波装置。
用于解决课题的技术方案
本发明的一个方式涉及的弹性波装置具备基板、IDT电极、间隔层、覆盖构件、以及保护层。所述基板在至少一部分具有压电性。所述IDT电极设置在所述基板上。所述间隔层设置在所述基板上，且包围所述IDT电极。所述覆盖构件设置在所述间隔层上，并与所述IDT电极分离。所述覆盖构件具有所述间隔层侧的第一主面和与所述第一主面对置的第二主面。所述保护层设置在所述覆盖构件上，并具有与所述第二主面相接的第三主面、与所述第三主面对置的第四主面、以及与所述第四主面相连的侧面。在所述保护层中的所述侧面中的至少一部分，在从所述基板的厚度方向的俯视下，包含所述侧面与所述第四主面的交线的部分位于比所述基板的外缘靠内侧。
发明效果
根据本发明的上述方式涉及的弹性波装置，能够使得不易产生裂缝。
附图说明
图1是本发明的实施方式1涉及的弹性波装置的剖视图。
图2是本发明的实施方式1涉及的弹性波装置的俯视图。
图3是在本发明的实施方式1涉及的弹性波装置中安装到安装基板时的剖视图。
图4A～图4F是示出本发明的实施方式1涉及的弹性波装置的制造方法的工序图。
图5A～图5E是示出本发明的实施方式1涉及的弹性波装置的制造方法的工序图。
图6是本发明的实施方式2涉及的弹性波装置的剖视图。
附图标记说明
1、la：弹性波装置，11：基板，111：主面，112：主面，113：外缘，12：IDT电极，121：电极指，13：间隔层，131：贯通孔，14：覆盖构件，141：第一主面，142：第二主面，15、15a：保护层，151、151a：中央区域，152、152a：区域，153、153a：第三主面，154、154a：第四主面，155、155a：侧面，156、156a：交线，16：布线层，161：焊盘电极，17：外部连接电极，171：贯通过孔，172：外部电极，18：图案层，19：保护阻挡层，191：贯通孔，2：安装基板，21：端子，3：电子部件模块，4：安装吸嘴，41：吸引孔，51：晶片，52：树脂膜，53：树脂膜，54：贯通孔，55：树脂膜，D1：厚度方向，D2：方向，L1：距离，S1：空间。
具体实施方式
以下，参照附图对实施方式1、实施方式2涉及的弹性波装置进行说明。
在下述的实施方式等中说明的图1～图3、图4A～图4F、图5A～图5E、以及图6是示意性的图，图中的各构成要素的大小、厚度各自之比未必反映了实际的尺寸比。此外，图1是图2的X1-X1线剖视图。
(实施方式1)
(1)弹性波装置的整体结构
首先，参照附图对实施方式1涉及的弹性波装置的整体结构进行说明。
如图1所示，实施方式1涉及的弹性波装置1具备基板11、IDT(InterdigitalTransducer，叉指换能器)电极12、间隔层13、覆盖构件14、保护层15、多个(在图示例子中为两个)布线层16、以及多个(在图示例子中为两个)外部连接电极17。实施方式1涉及的弹性波装置1是WLP(Wafer Level Package：晶片级封装)型的弹性波装置，例如用作SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)滤波器。在此，所谓WLP型的弹性波装置1，是以如下方式得到的类型的弹性波装置，即，以晶片级进行用于在基板11设置IDT电极12、间隔层13、覆盖构件14、保护层15、布线层16、以及外部连接电极17的工序，最后将晶片切断。
如图3所示，弹性波装置1安装到安装基板2。由弹性波装置1和安装基板2构成电子部件模块3。
(2)弹性波装置的各构成要素
接着，参照附图对实施方式1涉及的弹性波装置1的各构成要素进行说明。
(2.1)基板
如图1所示，基板11对IDT电极12进行支承。基板11具有在厚度方向D1上处于相互相反侧的主面111以及主面112。如图2所示，基板11的俯视形状(从厚度方向D1观察基板11时的外周形状)为正方形，但是并不限于正方形，例如，也可以是长方形那样的正方形以外的四边形。此外，基板11的俯视形状也可以是四边形以外的形状。
基板11是由压电材料构成的压电基板。作为基板11的压电材料，可使用钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)、或石英等适当的压电材料。
(2.2)IDT电极
如图1所示，IDT电极12在基板11的厚度方向D1上与基板11的主面111对置地设置。在此，所谓“IDT电极12与基板11的主面111对置地设置”，包括：IDT电极12以与基板11的主面111隔离的状态与主面111对置地设置的情况；以及IDT电极12设置在基板11的主面111上的情况。在图1的例子中，IDT电极12设置在基板11的主面111上。另外，IDT电极12以与基板11的主面111隔离的状态与主面111对置地设置的情况例如包括如下情况，即，在基板11的主面111上设置有氧化膜等，并在该氧化膜上设置有IDT电极12。
IDT电极12包含多个电极指121和两个汇流条(未图示)。多个电极指121在与厚度方向D1正交的方向D2上并列地配置。两个汇流条形成为将方向D2作为长边方向的长条状，并与多个电极指121电连接。更详细地，多个电极指121具有多个第一电极指和多个第二电极指。多个第一电极指与两个汇流条中的第一汇流条电连接。多个第二电极指与两个汇流条中的第二汇流条电连接。
IDT电极12的材料是铝(Al)、铜(Cu)、铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、或以这些金属中的任一者为主体的合金等适当的金属材料。此外，IDT电极12也可以具有层叠了由这些金属或合金构成的多个金属膜的构造。
(2.3)间隔层
如图1所示，间隔层13在基板11的主面111侧与基板11的外缘113分离地设置。在图1的例子中，间隔层13设置在基板11的主面111上。间隔层13是外周形状为长方形的框状，在从基板11的厚度方向D1的俯视下包围IDT电极12。而且，间隔层13具有使IDT电极12露出的贯通孔131。在此，所谓间隔层13设置在基板11的主面111侧，是指在基板11的厚度方向D1上与和主面111对置的主面112相比设置在主面111的附近。
间隔层13具有电绝缘性。间隔层13的材料例如为环氧树脂或聚酰亚胺类树脂等合成树脂。此外，在厚度方向D1上，间隔层13的厚度大于IDT电极12的厚度。
(2.4)覆盖构件
如图1所示，覆盖构件14设置在间隔层13上，使得堵住间隔层13的贯通孔131。覆盖构件14在基板11的厚度方向D1上与IDT电极12分离。覆盖构件14具有间隔层13侧的第一主面141和与第一主面141对置的第二主面142。覆盖构件14为平板状。虽然覆盖构件14的俯视形状(从基板11的厚度方向D1观察时的外周形状)为长方形，但是并不限于长方形，例如也可以是正方形那样的长方形以外的四边形。此外，覆盖构件14的俯视形状也可以是四边形以外的形状。覆盖构件14的外周形状小于基板11的外周形状。
覆盖构件14具有电绝缘性。覆盖构件14的材料例如是环氧类树脂或聚酰亚胺类树脂等合成树脂。另外，覆盖构件14可以由单一材料形成，也可以由多种材料形成。此外，覆盖构件14也可以由上述树脂以外的适当的电绝缘性材料形成。
另外，覆盖构件14和间隔层13优选在相同的热固化工序中固化。因此，构成覆盖构件14的树脂和构成间隔层13的树脂优选为在相同的温度区域固化的树脂。更优选由相同的树脂形成覆盖构件14和间隔层13。由此，能够通过相同的温度区域中的加热使间隔层13和覆盖构件14固化，能够谋求加热工序的简化。进而，在是相同的树脂的情况下，还能够有效地提高覆盖构件14与间隔层13的接合强度。
可是，在弹性波装置1中，将被覆盖构件14、间隔层13、以及基板11包围的空间S1设为惰性气体环境。惰性气体环境例如为N2气环境。
(2.5)保护层
如图1以及图2所示，保护层15形成为对覆盖构件14进行覆盖。更详细地，保护层15形成为对基板11的主面111的一部分、间隔层13、以及覆盖构件14进行覆盖。
保护层15具有电绝缘性。保护层15的材料例如为环氧类树脂或聚酰亚胺类树脂等合成树脂。另外，保护层15可以由单一材料形成，也可以由多种材料形成。此外，保护层15也可以由上述树脂以外的适当的电绝缘性材料形成。
上述那样的保护层15具有中央区域151和位于中央区域151的周围的区域152。此外，保护层15具有第三主面153、第四主面154、以及侧面155。第三主面153与第二主面142相接。第四主面154在基板11的厚度方向D1上与第三主面153对置。侧面155与第四主面154相连。换句话说，侧面155从第四主面154的周围朝向基板11侧设置。
区域152是至少包含基板11的厚度方向D1上的保护层15的前端部的区域，且是如下的区域，即，随着在厚度方向D1上从基板11远离，在与厚度方向D1正交的方向D2上，保护层15的侧面155与基板11的外缘113之间的距离L1变长。也就是说，在图1的上侧，保护层15的前端部的周围凹陷。在图1中，越靠上侧，距离L1变得越长，在方向D2上，保护层15的侧面155位于越靠内侧的位置。换句话说，在保护层15中的侧面155，在从基板11的厚度方向D1的俯视下，包含侧面155与第四主面154的交线156的部分位于比基板11的外缘113靠内侧。再换句话说，在从厚度方向D1的俯视下，保护层15的侧面155中的第四主面154侧的部分位于比基板11的外缘113靠内侧。在此，所谓的“保护层15的前端部”，是指在基板11的厚度方向D1上保护层15中的与接触于覆盖构件14的部分相反侧的部分。也就是说，所谓“保护层15的前端部”，是指保护层15中的设置有后述的外部电极172侧的部分。
此外，如图1以及图2所示，保护层15遍及全周形成，使得随着从基板11远离，保护层15的侧面155与基板11的外缘113之间的距离L1变长。也就是说，保护层15的区域152遍及全周设置。换句话说，保护层15的侧面155遍及保护层15的全周设置，且在从基板11的厚度方向D1的俯视下，包含侧面155与第四主面154的交线156的部分位于比基板11的外缘113靠内侧。再换句话说，在从厚度方向D1的俯视下，保护层15的侧面155中的第四主面154侧的部分位于比基板11的外缘113靠内侧。
(2.6)布线层
如图1所示，布线层16设置在基板11的主面111，使IDT电极12和后述的贯通过孔171电连接。布线层16包含两个焊盘电极161。焊盘电极161介于基板11与间隔层13之间，位于比间隔层13的外周靠内侧，且位于比间隔层13的内周靠外侧。
布线层16由铝、铜、铂、金、银、钛、镍、铬、钼、钨、或以这些金属中的任一者为主体的合金等适当的金属材料形成。此外，布线层16也可以具有层叠了由这些金属或合金构成的多个金属膜的构造。
(2.7)外部连接电极
如图1以及图3所示，在弹性波装置1中，外部连接电极17是用于与安装基板2电连接的电极。外部连接电极17与IDT电极12电连接，包含贯通过孔171和外部电极172。
贯通过孔171在基板11的厚度方向D1上贯通间隔层13、覆盖构件14、以及保护层15。贯通过孔171例如由铜或镍、或者以这些金属中的任一者为主体的合金等适当的金属材料形成。
外部电极172形成在贯通过孔171上，使得露出在外部。外部电极172例如由铜、镍或金、或者以这些金属中的任一者为主体的合金等适当的金属材料形成。
(3)弹性波装置向安装基板的安装
如图3所示，弹性波装置1在使用具有吸引孔41的安装吸嘴4(筒夹、吸附件)载置于安装基板2之后，通过加热、加压等安装于安装基板2。由此，形成电子部件模块3。
在将弹性波装置1安装到安装基板2时，安装吸嘴4吸附基板11的主面112。然后，安装吸嘴4在基板11的厚度方向D1上使外部电极172侧朝向安装基板2，即，使保护层15侧朝向安装基板2。
此时，如图3所示，存在安装基板2相对于弹性波装置1倾斜的情况。像上述的那样，弹性波装置1的保护层15的前端部(图3的下端部)凹陷。换句话说，保护层15具有区域152，该区域152是包含厚度方向D1上的保护层15的前端部的区域，其中，随着在厚度方向D1上从基板11远离，在与厚度方向D1正交的方向D2上，保护层15的侧面155与基板11的外缘113之间的距离L1变长。也就是说，在从厚度方向D1的俯视下，保护层15的侧面155中的第四主面154侧的部分位于比基板11的外缘113靠内侧。因此，即使安装基板2相对于弹性波装置1倾斜，也能够使弹性波装置1对安装基板2的角部撞击降低。由此，能够抑制向保护层15的裂缝的产生，并且能够使多个外部电极172中的每一个与安装基板2的端子21稳定地接触。
(4)弹性波装置的制造方法
接着，参照图4A～图4F以及图5A～图5E对实施方式1涉及的弹性波装置1的制造方法进行说明。实施方式1涉及的弹性波装置1通过第一工序至第十一工序来制造。
在第一工序中，如图4A所示，准备成为多个弹性波装置1的基板11的基础的晶片51。
在第二工序中，如图4B所示，通过薄膜精细加工技术在晶片51上形成多个(在图示例子中为两个)IDT电极12和多个(在图示例子中为四个)焊盘电极161。
在第三工序中，如图4C所示，涂敷树脂，使得覆盖晶片51的整个上表面，形成成为多个间隔层13的基础的树脂膜52。
在第四工序中，如图4D所示，通过光刻法将树脂膜52图案化，形成多个(在图示例子中为两个)间隔层13。在第四工序中，树脂膜52未通过加热而被固化。
在第五工序中，如图4E所示，通过层压加工在间隔层13上形成成为覆盖构件14的基础的树脂膜53。通过树脂膜53堵住间隔层13的贯通孔131。在实施了层压加工之后，对整体进行加热。由此，使间隔层13以及覆盖构件14固化。其结果是，覆盖构件14与间隔层13接合，形成IDT电极12所面向的空间S1。
在第六工序中，如图4F所示，通过激光加工等形成多个(在图示例子中为四个)贯通孔54，使得穿过间隔层13以及覆盖构件14。由此，使多个焊盘电极161露出。此外，除去树脂膜53中的相邻的两个间隔层13间的部分，使得树脂膜53沿着间隔层13的外周。
在第七工序中，如图5A所示，形成多个(在图示例子中为四个)贯通过孔171。更详细地，首先，形成晶种层(基底膜)。接着，用光掩模对晶种层进行图案化，形成阻挡膜，使得形成有贯通过孔171的部位露出。然后，通过电解镀覆对晶种层中的露出的部分形成贯通过孔171。此后，除去阻挡膜，进而，将除去的阻挡膜下的晶种层除去。
在第八工序中，如图5B所示，形成成为保护层15的基础的树脂膜55。更详细地，首先，涂敷成为树脂膜55的基础的树脂并使其固化，使得对晶片51的一部分、间隔层13、覆盖构件14、以及贯通过孔171进行覆盖。接着，对树脂膜55进行磨削，直至露出贯通过孔171。
在第九工序中，如图5C所示，在贯通过孔171上形成外部电极172。更详细地，首先，形成晶种层。接着，在晶种层上用光掩模对晶种层进行图案化，形成阻挡膜，使得外部电极172的位置露出。然后，通过电解镀覆对晶种层中的露出的部分形成外部电极172。此后，除去阻挡膜，进而，将除去的阻挡膜下的晶种层除去。
在第十工序中，如图5D所示，在成为弹性波装置1的端部的区域中除去树脂膜55的一部分。更详细地，在图5D的箭头方向上对树脂膜55照射激光而进行烧蚀(ablation)加工。在上述区域中，通过按每个位置改变激光的目标深度，从而除去树脂膜55的一部分，使得树脂膜55的表面成为给定的形状。
在第十一工序中，如图5E所示，通过划片装置等将树脂膜55以及晶片51切断。由此，能够得到多个(在图示例子中为两个)弹性波装置1。
另外，上述制造方法是弹性波装置1的制造方法的一个例子，弹性波装置1也可以使用其它制造方法来制造。
(5)效果
像以上说明的那样，在实施方式1涉及的弹性波装置1中，随着在基板11的厚度方向D1上从基板11远离，保护层15的侧面155位于靠内侧的位置。换句话说，在弹性波装置1中，在保护层15中的侧面155，在从基板11的厚度方向D1的俯视下，包含侧面155与第四主面154的交线156的部分位于比基板11的外缘113靠内侧。再换句话说，在弹性波装置1中，在从厚度方向D1的俯视下，保护层15的侧面155中的至少第四主面154侧的部分位于比基板11的外缘靠内侧。即，在基板11的厚度方向D1上，保护层15的前端部凹陷。由此，在使弹性波装置1安装于安装基板2时，即使安装基板2相对于弹性波装置1倾斜，也能够降低弹性波装置1的角部与安装基板2碰撞(弹性波装置1对安装基板2的角部撞击)。其结果是，能够使得不易产生裂缝。进而，能够抑制基于保护层15的密封性的下降。
在实施方式1涉及的弹性波装置1中，遍及全周，随着从基板11远离，保护层15的侧面155位于靠内侧的位置。换句话说，保护层15的侧面155遍及保护层15的全周进行设置，且包含侧面155与第四主面154的交线156的部分位于比基板11的外缘113靠内侧。再换句话说，保护层15的侧面155遍及保护层15的全周进行设置，且侧面155中的第四主面154侧的部分位于比基板11的外缘113靠内侧。由此，在使弹性波装置1安装于安装基板2时，无论安装基板2相对于弹性波装置1怎样倾斜，均能够降低弹性波装置1的角部与安装基板2碰撞，因此能够抑制在保护层15产生裂缝。
在实施方式1涉及的弹性波装置1中，设置有贯通间隔层13、覆盖构件14、以及保护层15的贯通过孔171。由此，能够提高被基板11、间隔层13、以及覆盖构件14包围的空间S1的气密性，因此能够使可靠性提高。
(6)变形例
以下，对实施方式1的变形例进行说明。
在弹性波装置1中，保护层15的区域152并不限定于遍及保护层15的全周进行设置。保护层15的区域152只要设置在保护层15的至少一部分即可。
弹性波装置1也可以是代替作为压电基板的基板11而具备高声速支承基板和压电膜的结构。在该结构中，在高声速支承基板上设置有压电膜。高声速支承基板是传播的弹性波(体波(bulk wave))的声速与在压电膜传播的弹性波的声速相比为高速的基板。
弹性波装置1也可以是代替基板11而具备高声速支承基板、低声速膜、以及压电膜的结构。在该结构中，在高声速支承基板上依次设置有低声速膜、压电膜。低声速膜是传播的弹性波(体波)的声速与在压电膜传播的弹性波的声速相比为低速的膜。
弹性波装置1也可以是代替基板11而具备支承基板、高声速膜、低声速膜、以及压电膜的结构。在该结构中，在支承基板上依次层叠有高声速膜、低声速膜、压电膜。高声速膜是传播的弹性波(体波)的声速与在压电膜传播的弹性波的声速相比为高速的膜。
根据实施方式1以及上述的各变形例，弹性波装置1只要具备在至少一部分具有压电性的基板即可。
虽然在实施方式1中，在从基板11的厚度方向D1的俯视下，保护层15的侧面155中的第四主面154侧的部分位于比基板11的外缘113靠内侧，但是作为实施方式1的变形例，也可以是，在从基板11的厚度方向D1的俯视下，保护层15的侧面155的全部位于比基板11的外缘113靠内侧。总之，只要在从基板11的厚度方向D1的俯视下，保护层15的侧面155中的至少第四主面154侧的部分位于比基板11的外缘113靠内侧即可。
在上述的各变形例涉及的弹性波装置1中，也达到与实施方式1涉及的弹性波装置1同样的效果。
(实施方式2)
实施方式2涉及的弹性波装置1a与实施方式1涉及的弹性波装置1(参照图1)的不同点在于，如图6所示，具备图案层18。另外，关于实施方式2涉及的弹性波装置1a，对于与实施方式1涉及的弹性波装置1同样的构成要素，标注相同的附图标记，并省略说明。
(1)弹性波装置的结构
如图6所示，弹性波装置1a具备图案层18和保护阻挡层19。此外，弹性波装置1a代替保护层15(参照图1)而具备保护层15a。另外，弹性波装置1a与实施方式1涉及的弹性波装置1同样地具备基板11、IDT电极12、间隔层13、覆盖构件14、布线层16、以及外部连接电极17。
图案层18设置在覆盖构件14的第二主面142上。图案层18例如构成包含电感器或电容器的电抗元件。图案层18可以与IDT电极12电连接，也可以与IDT电极12电独立地设置。
保护层15a与保护层15同样地具有中央区域151a和位于中央区域151a的周围的区域152a。此外，保护层15a与实施方式1的保护层15同样地具有第三主面153a、第四主面154a、以及侧面155a。第三主面153a与第二主面142相接。第四主面154a在基板11的厚度方向D1上与第三主面153a对置。侧面155a与第四主面154a相连。换句话说，侧面155a从第四主面154a的周围朝向基板11侧设置。另外，关于实施方式2的保护层15a，对于与实施方式1的保护层15同样的结构以及功能，将省略说明。
在保护层15a的中央区域151a中，贯通了形成有图案层18的部位，使得图案层18露出。
在保护层15a的区域152a中，与保护层15的区域152同样地，随着在基板11的厚度方向D1上从基板11远离，在与厚度方向D1正交的方向D2上，保护层15a的侧面155a与基板11的外缘113之间的距离L1变长。换句话说，在保护层15a中的侧面155a，在从基板11的厚度方向D1的俯视下，包含侧面155a与第四主面154a的交线156a的部分位于比基板11的外缘113靠内侧。再换句话说，在从厚度方向D1的俯视下，保护层15a的侧面155a中的第四主面154a侧的部分位于比基板11的外缘113靠内侧。
保护阻挡层19设置在保护层15a上。保护阻挡层19具有贯通孔191，使得外部连接电极17的外部电极172的至少一部分露出。保护阻挡层19形成为，在方向D2上不比保护层15a突出。保护阻挡层19是为了在将焊料设置于外部电极172时使焊料的润湿扩展降低而设置的。
(2)弹性波装置的制造方法
接着，对实施方式2涉及的弹性波装置1a的制造方法进行说明。实施方式2涉及的弹性波装置1a通过第一工序至第十二工序来制造。对于与实施方式1涉及的弹性波装置1的制造方法同样的地方，适当地省略说明。
在第一工序中，准备成为多个弹性波装置1a的基板11的基础的晶片。
在第二工序中，在晶片上形成多个IDT电极12和多个焊盘电极161。
在第三工序中，涂敷树脂，使得覆盖晶片的整个上表面，形成成为多个间隔层13的基础的树脂膜。
在第四工序中，将上述树脂层图案化，形成多个间隔层13。
在第五工序中，通过层压加工在间隔层13上形成成为覆盖构件14的基础的树脂膜。通过上述树脂膜堵住间隔层13的贯通孔131。在实施了层压加工之后，对整体进行加热。
在第六工序中，形成多个贯通孔，使得穿过间隔层13以及覆盖构件14。此外，除去上述树脂膜中的相邻的两个间隔层13间的部分，使得上述树脂膜沿着间隔层13的外周。
在第七工序中，形成多个贯通过孔171以及图案层18。更详细地，首先，形成晶种层。接着，用光掩模对晶种层进行图案化，形成阻挡膜，使得露出形成有贯通过孔171以及图案层18的部位。然后，在第六工序中形成的贯通孔形成贯通过孔171。此外，在覆盖构件14的第二主面142形成图案层18。此后，除去阻挡膜，进而，将除去的阻挡膜下的晶种层除去。
在第八工序中，形成成为保护层15a的基础的树脂膜。更详细地，首先，涂敷成为上述树脂膜的基础的树脂并使其固化，使得对晶片的一部分、间隔层13、覆盖构件14、贯通过孔171进行覆盖。接着，对上述树脂膜进行磨削，直至露出贯通过孔171。
在第九工序中，在贯通过孔171上形成外部电极172。
在第十工序中，在保护层15a以及外部电极172上形成成为保护阻挡层19的基础的阻挡膜。更详细地，首先，形成晶种层，接着，用光掩模对晶种层进行图案化，形成阻挡膜，使得外部电极172的一部分露出。
在第十一工序中，在成为弹性波装置1a的端部的区域中除去在第八工序中形成的树脂膜以及在第十工序中形成的阻挡膜的一部分。更详细地，对树脂膜以及阻挡膜照射激光而进行烧蚀加工。在上述区域中，通过按每个位置改变激光的目标深度，从而除去树脂膜的一部分以及阻挡膜的一部分，使得树脂膜以及阻挡膜的表面成为给定的形状。
在第十二工序中，通过划片装置等将树脂膜以及晶片切断。由此，能够得到多个弹性波装置1a。
另外，上述制造方法是弹性波装置1a的制造方法的一个例子，弹性波装置1a也可以使用其它制造方法来制造。
(3)效果
像以上说明的那样，根据实施方式2涉及的弹性波装置1a，能够使图案层18为一体，因此即使追加图案层18，也能够抑制大型化。
(4)变形例
以下，对实施方式2的变形例进行说明。
作为实施方式2的变形例，与实施方式1的变形例同样地，弹性波装置1a也可以是代替基板11而具备高声速支承基板和压电膜的结构。或者，弹性波装置1a也可以是代替基板11而具备高声速支承基板、低声速膜、以及压电膜的结构，还可以是具备支承基板、高声速膜、低声速膜、以及压电膜的结构。
虽然在实施方式2中，在从基板11的厚度方向D1的俯视下，保护层15a的侧面155a中的第四主面154a侧的部分位于比基板11的外缘113靠内侧，但是作为实施方式2的变形例，也可以是，在从基板11的厚度方向D1的俯视下，保护层15a的侧面155a的全部位于比基板11的外缘113靠内侧。总之，只要在从基板11的厚度方向D1的俯视下，保护层15a的侧面155a中的至少第四主面154a侧的部分位于比基板11的外缘113靠内侧即可。
在上述的各变形例涉及的弹性波装置1a中，也达到与实施方式2涉及的弹性波装置1a同样的效果。
以上说明的实施方式以及变形例只不过是本发明的各种各样的实施方式以及变形例中的一部分。此外，只要能够达到本发明的目的，实施方式以及变形例能够根据设计等进行各种变更。
(总结)
通过以上说明的实施方式以及变形例，公开了以下的方式。
第一方式涉及的弹性波装置(1；1a)具备基板(11)、IDT电极(12)、间隔层(13)、覆盖构件(14)、以及保护层(15；15a)。基板(11)在至少一部分具有压电性。IDT电极(12)设置在基板(11)上。间隔层(13)设置在基板(11)上，且包围IDT电极(12)。覆盖构件(14)设置在间隔层(13)上，并与IDT电极(12)分离。覆盖构件(14)具有间隔层(13)侧的第一主面(141)和与第一主面(141)对置的第二主面(142)。保护层(15；15a)设置在覆盖构件(14)上，并具有与第二主面(142)相接的第三主面(153；153a)、与第三主面(153；153a)对置的第四主面(154；154a)、以及与第四主面(154；154a)相连的侧面(155；155a)。在保护层(15；15a)中的侧面(155；155a)中的至少一部分，在从基板(11)的厚度方向(D1)的俯视下，包含侧面(155；155a)与第四主面(154；154a)的交线(156；156a)的部分位于比基板(11)的外缘(113)靠内侧。
根据第一方式涉及的弹性波装置(1；1a)，在保护层(15；15a)的侧面(155；155a)中的至少一部分，包含侧面(155；155a)与第四主面(154；154a)的交线(156；156a)的部分位于比基板(11)的外缘(113)靠内侧。即，在基板(11)的厚度方向(D1)上，保护层(15；15a)的前端部凹陷。由此，在使弹性波装置(1；1a)安装于安装基板(2)时，即使安装基板(2)相对于弹性波装置(1；1a)倾斜，也能够降低弹性波装置(1；1a)的角部与安装基板(2)碰撞。其结果是，能够使得不易产生裂缝。进而，能够抑制基于保护层(15；15a)的密封性的下降。
在第二方式涉及的弹性波装置(1；1a)中，在第一方式中，保护层(15；15a)的侧面(155；155a)遍及保护层(15；15a)的全周进行设置，且在从厚度方向(D1)的俯视下，包含侧面(155；155a)与第四主面(154；154a)的交线(156；156a)的部分位于比基板(11)的外缘(113)靠内侧。
根据第二方式涉及的弹性波装置(1；1a)，在使弹性波装置(1；1a)安装于安装基板(2)时，无论安装基板(2)相对于弹性波装置(1；1a)怎样倾斜，均能够降低弹性波装置(1；1a)的角部与安装基板(2)碰撞，因此能够抑制在保护层(15；15a)产生裂缝。
第三方式涉及的弹性波装置(1；1a)在第一方式或第二方式中还具备外部连接电极(17)。外部连接电极(17)与IDT电极(12)电连接。外部连接电极(17)包含贯通过孔(171)。贯通过孔(171)贯通间隔层(13)、覆盖构件(14)以及保护层(15；1Sa)。
根据第三方式涉及的弹性波装置(1；1a)，能够提高被基板(11)、间隔层(13)、以及覆盖构件(14)包围的空间(S1)的气密性，因此能够使可靠性提高。
第四方式涉及的弹性波装置(1a)在第一方式～第三方式中的任一个中还具备图案层(18)。图案层(18)设置在保护层(15；15a)的内部。
根据第四方式涉及的弹性波装置(1a)，能够使图案层(18)为一体，因此即使追加图案层(18)，也能够抑制大型化。
Claims (3)
1.一种弹性波装置，具备：
基板，在至少一部分具有压电性；
IDT电极，设置在所述基板上；
间隔层，设置在所述基板上，且包围所述IDT电极；
覆盖构件，设置在所述间隔层上，与所述IDT电极分离，且具有所述间隔层侧的第一主面和与所述第一主面对置的第二主面；
保护层，设置在所述覆盖构件上，具有与所述第二主面相接的第三主面、与所述第三主面对置的第四主面、以及与所述第四主面相连的侧面；以及
外部连接电极，与所述IDT电极电连接，
所述外部连接电极包含贯通所述间隔层、所述覆盖构件以及所述保护层的贯通过孔，
在所述基板的厚度方向上的、所述保护层的至少包含与接触于所述覆盖构件的部分相反侧的部分的区域中，随着在所述厚度方向上从所述基板远离，在与所述厚度方向正交的方向上，所述保护层的所述侧面与所述基板的外缘之间的距离变长。
2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，
所述保护层的所述侧面遍及所述保护层的全周设置。
3.根据权利要求1或2所述的弹性波装置，其中，
还具备：图案层，设置在所述保护层的内部。
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Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1839543A (zh) * | 2004-07-14 | 2006-09-27 | 株式会社村田制作所 | 压电器件 |
| CN1945968A (zh) * | 2005-10-04 | 2007-04-11 | 富士通媒体部品株式会社 | 表面声波器件及其制造方法 |
| CN101232276A (zh) * | 2007-01-23 | 2008-07-30 | 富士通媒体部品株式会社 | 声波器件 |
| JP2012119928A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Kyocera Corp | 弾性波装置およびその製造方法 |
| JP2016123020A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
| CN105794108A (zh) * | 2013-12-27 | 2016-07-20 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160019023A1 (en) * | 2013-03-15 | 2016-01-21 | Cornell University | Low-power acoustic data acquisition system and methods |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1839543A (zh) * | 2004-07-14 | 2006-09-27 | 株式会社村田制作所 | 压电器件 |
| CN1945968A (zh) * | 2005-10-04 | 2007-04-11 | 富士通媒体部品株式会社 | 表面声波器件及其制造方法 |
| CN101232276A (zh) * | 2007-01-23 | 2008-07-30 | 富士通媒体部品株式会社 | 声波器件 |
| JP2012119928A (ja) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Kyocera Corp | 弾性波装置およびその製造方法 |
| CN105794108A (zh) * | 2013-12-27 | 2016-07-20 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| JP2016123020A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波素子および通信装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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