JP4821013B2 - アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法 - Google Patents
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まず、鋳型として、図1および図2に示すように、平面形状が略矩形の下側鋳型部材10の底面部10aの上面に10mmの間隔で離間した2つの階段状の側壁を有する凹部10bが形成され、これらの凹部10bのそれぞれが、39mm×39mm×0.4mmのアルミニウム板を形成し得る形状および大きさのアルミニウム板形成部10cと、このアルミニウム板形成部10cの上部に隣接して形成され、アルミニウム板形成部10cの上部に40mm×40mm×0.635mmのセラミックス基板と略等しい形状および大きさで且つそのセラミックス基板を収容し得る形状および大きさのセラミックス基板収容部10dとからなり、下側鋳型部材10の上部に平面形状が略矩形の(図示しない)上側鋳型部材を被せたときにセラミックス基板の上部に隣接して110mm×60mm×6mmのアルミニウムベース板を形成し得る形状および大きさのアルミニウムベース板形成部10eが形成されるカーボン製鋳型を用意した。なお、この鋳型の上側鋳型部材には、アルミニウム溶湯を鋳型内に注湯するための(図示しない)注湯口が形成されている。また、下側鋳型部材10には、アルミニウムベース板形成部10eとアルミニウム板形成部10cとの間に延びる(図示しない)溶湯流路が形成され、セラミックス基板収容部10d内にセラミックス基板を収容したときにもアルミニウムベース板形成部10eとアルミニウム板形成部10cとの間が連通するようになっている。
実施例1と同様のAl−Ti−B合金をTiが0.1重量%になるように添加した以外は実施例1と同様の方法により得られた接合体について、実施例1と同様の評価を行ったところ、アルミニウムベース板の裏面のアルミニウムの結晶粒径は3〜5mm程度であり、アルミニウム回路板とセラミックス基板との間の接合界面およびセラミックス基板とアルミニウムベース板との間の接合界面に接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、加熱前後の反りの変化は−20〜30μmであり、ばらつきが小さかった。さらに、ヒートサイクルを3000回行った後にも接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、得られた接合体から切り出したサンプルの熱伝導率を測定したところ、214W/mKであり、熱伝導率の低下は純アルミニウムの熱伝導率238W/mKと比べて約10%の低下に留まり、放熱性に及ぼす影響は小さかった。
Al−Ti−B合金の代わりにCaを添加した以外は実施例1と同様の方法により得られた接合体について、実施例1と同様の評価を行ったところ、アルミニウムベース板の裏面のアルミニウムの結晶粒径は5〜10mm程度であり、アルミニウム回路板とセラミックス基板との間の接合界面およびセラミックス基板とアルミニウムベース板との間の接合界面に接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、加熱前後の反りの変化は−50〜50μmであり、ばらつきがそれ程大きくなかった。さらに、ヒートサイクルを3000回行った後にも接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、得られた接合体から切り出したサンプルの熱伝導率を測定したところ、214W/mKであり、熱伝導率の低下は純アルミニウムの熱伝導率238W/mKと比べて約10%の低下に留まり、放熱性に及ぼす影響が小さかった。
Al−Ti−B合金の代わりにSrを添加した以外は実施例1と同様の方法により得られた接合体について、実施例1と同様の評価を行ったところ、アルミニウムベース板の裏面のアルミニウムの結晶粒径は5〜10mm程度であり、アルミニウム回路板とセラミックス基板との間の接合界面およびセラミックス基板とアルミニウムベース板との間の接合界面に接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、加熱前後の反りの変化は−50〜50μmであり、ばらつきがそれ程大きくなかった。さらに、ヒートサイクルを3000回行った後にも接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、得られた接合体から切り出したサンプルの熱伝導率を測定したところ、214W/mKであり、熱伝導率の低下は純アルミニウムの熱伝導率238W/mKと比べて約10%の低下に留まり、放熱性に及ぼす影響が小さかった。
Al−Ti−B合金の代わりにSiを添加した以外は実施例1と同様の方法により得られた接合体について、実施例1と同様の評価を行ったところ、アルミニウムベース板の裏面のアルミニウムの結晶粒径は5〜10mm程度であり、アルミニウム回路板とセラミックス基板との間の接合界面およびセラミックス基板とアルミニウムベース板との間の接合界面に接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、加熱前後の反りの変化は−50〜50μmであり、ばらつきがそれ程大きくなかった。さらに、ヒートサイクルを3000回行った後にも接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、得られた接合体から切り出したサンプルの熱伝導率を測定したところ、202W/mKであり、熱伝導率の低下は純アルミニウムの熱伝導率238W/mKと比べて約15%の低下に留まり、放熱性に及ぼす影響が小さかった。
Al−Ti−B合金の代わりにCuを添加した以外は実施例1と同様の方法により得られた接合体について、実施例1と同様の評価を行ったところ、アルミニウムベース板の裏面のアルミニウムの結晶粒径は5〜10mm程度であり、アルミニウム回路板とセラミックス基板との間の接合界面およびセラミックス基板とアルミニウムベース板との間の接合界面に接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、加熱前後の反りの変化は−50〜50μmであり、ばらつきがそれ程大きくなかった。さらに、ヒートサイクルを3000回行った後にも接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、得られた接合体から切り出したサンプルの熱伝導率を測定したところ、221W/mKであり、熱伝導率の低下は純アルミニウムの熱伝導率238W/mKと比べて約7%の低下に留まり、放熱性に及ぼす影響が小さかった。
セラミックス基板として96%アルミナ基板を使用し、その大きさを40mm×40mm×0.25mmとした以外は実施例1と同様の方法により得られた接合体について、実施例1と同様の評価を行ったところ、アルミニウムベース板の裏面のアルミニウムの結晶粒径は1〜3mm程度であり、アルミニウム回路板とセラミックス基板との間の接合界面およびセラミックス基板とアルミニウムベース板との間の接合界面に接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、ヒートサイクルを3000回行った後にも接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックの発生が認められなかった。このとき、アルミニウムの結晶粒界の段差は、大きいところでも100μm以下であった。
Al−Ti−B合金を添加しなかった以外は実施例1と同様の方法により得られた接合体について、実施例1と同様の評価を行ったところ、アルミニウムベース板の裏面のアルミニウムの結晶粒径は5〜50mm程度と大きかった。また、アルミニウム回路板とセラミックス基板との間の接合界面およびセラミックス基板とアルミニウムベース板との間の接合界面に接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、加熱前後の反りの変化は−100〜50μmであり、ばらつきが大きかった。なお、ヒートサイクルを3000回行った後にも接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。
Al−Ti−B合金を添加しなかった以外は実施例6と同様の方法により得られた接合体について、実施例1と同様の評価を行ったところ、アルミニウムベース板の裏面のアルミニウム結晶粒経は5〜50mm程度と大きかった。また、アルミニウム回路板とセラミックス基板との間の接合界面およびセラミックス基板とアルミニウムベース板との間の接合界面に接合欠陥が認められず、セラミックス基板にクラックが認められなかった。また、ヒートサイクルを3000回行った後に接合欠陥が認められなかったが、セラミックス基板にクラックが発生していた。このとき、アルミニウムの結晶粒界の段差は、大きいところで300μm程度であり、セラミックス基板にクラックが発生した部分はアルミニウムの結晶粒界の段差が大きい部分にほぼ対応していた。
10a 底面部
10b 凹部
10c アルミニウム板形成部
10d セラミックス基板収容部
10e アルミニウムベース板形成部
12 アルミニウム板
14 セラミックス基板
16 アルミニウムベース板
Claims (9)
- 鋳型内にセラミックス基板を設置した後、このセラミックス基板の一方の面に接触するようにアルミニウム溶湯を鋳型内に注湯し、冷却してアルミニウム溶湯を固化させることにより、セラミックス基板の一方の面にアルミニウムベース板を直接接触させて接合するアルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法において、TiB系合金をTiが0.05〜1.0重量%になるようにアルミニウム溶湯に加えて、鋳型内に注湯することを特徴とする、アルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法。
- 前記TiB系合金をTiが0.1〜0.5重量%になるように加えることを特徴とする、請求項1に記載のアルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法。
- 鋳型内にセラミックス基板を設置した後、このセラミックス基板の一方の面に接触するようにアルミニウム溶湯を鋳型内に注湯し、冷却してアルミニウム溶湯を固化させることにより、セラミックス基板の一方の面にアルミニウムベース板を直接接触させて接合するアルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法において、0.3〜0.7重量%のCa、SrまたはAlNをアルミニウム溶湯に加えて、鋳型内に注湯することを特徴とする、アルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法。
- セラミックス基板にアルミニウムベース板が接合したアルミニウム−セラミックス接合基板において、アルミニウムベース板が、0.05〜1.0重量%のTiを含有するようにTiB系合金が添加されたアルミニウム合金からなり、且つ純アルミニウムからなる部材の熱伝導率の80%以上の熱伝導率を有し、アルミニウムベース板の結晶粒径が10mm以下であることを特徴とする、アルミニウム−セラミックス接合基板。
- 前記アルミニウムベース板が0.1〜0.5重量%のTiを含有することを特徴とする、請求項4に記載のアルミニウム−セラミックス接合基板。
- セラミックス基板にアルミニウムベース板が接合したアルミニウム−セラミックス接合基板において、アルミニウムベース板が、0.3〜0.7重量%のCa、SrまたはAlNが添加されたアルミニウム合金からなり、且つ純アルミニウムからなる部材の熱伝導率の80%以上の熱伝導率を有し、アルミニウムベース板の結晶粒径が10mm以下であることを特徴とする、アルミニウム−セラミックス接合基板。
- 前記アルミニウムベース板の熱伝導率が純アルミニウムからなる部材の熱伝導率の90%以上であることを特徴とする、請求項4乃至6のいずれかに記載のアルミニウム−セラミックス接合基板。
- 前記アルミニウムベース板の結晶粒径が3mm以下であることを特徴とする、請求項4乃至7のいずれかに記載のアルミニウム−セラミックス接合基板。
- 前記アルミニウム−セラミックス接合基板が、セラミックス基板にアルミニウム溶湯を接触させて冷却することによりセラミックス基板にアルミニウムベース板が直接接触して接合したアルミニウム−セラミックス接合基板であることを特徴とする、請求項4乃至8のいずれかに記載のアルミニウム−セラミックス接合基板。
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