JP4800524B2 - 半導体装置の製造方法、及び、製造装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 47
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 10
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 25
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
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- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
- H01L23/49513—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/27—Manufacturing methods
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/27—Manufacturing methods
- H01L2224/274—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the layer connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
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- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、チップが積層された半導体装置の製造方法、製造装置、及び、半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来から、半導体装置の高集積化を目的として、1つのダイパッド上に種類の異なる複数のチップが積層された半導体装置が開発されている。
以下、図3にて、従来の半導体装置の製造方法について、簡単に説明する。図3は、従来の半導体装置の製造方法のフロー図である。
【0003】
同図において、1a、1bはダイシングされたチップを有するウエハ、3a、3bはウエハ1a、1b上のチップ、5a、5bはチップ3a、3bをダイパッド12上に搬送するコレット、7aはチップ3aとチップ3bとの間に設けられたダイボンド材、7bはチップ3bとダイパッド12との間に設けられたダイボンド材、12はステージ上に載置されたダイパッド、15はチップ3a、3bが積層された半導体装置、20a、20bはそれぞれ半導体装置の製造装置としてのダイボンダを示す。
【0004】
同図に示すように、まず、第1のダイボンダ20a内の図示せぬウエハ保持部に、第1のウエハ1bが載置される。ここで、第1のダイボンダ20a内には、第1のウエハ1bを複数枚搭載した図示せぬウエハカセットが、挿脱自在に設置されている。そして、第1のウエハ1bは、ウエハカセットからウエハ保持部に、ウエハ搬送部により搬送されたものである。
【0005】
次に、ダイシングされたウエハ1b上のチップ3bを、コレット5aにより、1つピックアップする。そして、裏面にフィルム状のダイボンド材7bが形成されたチップ3bを、コレット5aにより、ダイパッド12を備えたリードフレームを保持するステージ上に搬送する。
【0006】
そして、ステージを加熱するとともに、コレット5aを図中の矢印方向に移動して、チップ3bをダイパッド12に圧接することで、チップ3bは、ダイパッド12に接合される。
このように、第1のチップ3bが接合されたダイパッド12は、第1のダイボンダ20aの装置外に搬送される。
【0007】
次に、第1のダイボンダ20aの外に搬送されたチップ3bを搭載したダイパッド12は、第2のダイボンダ20b内の図示せぬステージに搬送される。
他方、第2のダイボンダ20b内の図示せぬウエハ保持部には、第2のウエハ1aが載置される。ここで、第2のダイボンダ20b内には、第2のウエハ1aを複数枚搭載した図示せぬウエハカセットが、挿脱自在に設置されている。そして、第2のウエハ1aは、ウエハカセットからウエハ保持部に、ウエハ搬送部により搬送されたものである。また、第2のウエハ1aは、第1のウエハ1bとは異なるウエハである。すなわち、第2のウエハ1a上に形成された第2のチップ3aと、第1のウエハ1b上に形成された第1のチップ3bとには、それぞれ別の素子や回路が形成されており、そのチップの大きさも異なる。
【0008】
次に、ダイシングされたウエハ1a上のチップ3aを、コレット5bにより、1つピックアップする。そして、裏面にフィルム状のダイボンド材7aが形成されたチップ3aを、コレット5bにより、ダイパッド12を備えたリードフレームを保持するステージ上に搬送する。
【0009】
そして、ステージを加熱するとともに、コレット5bを図中の矢印方向に移動して、チップ3aをダイパッド12上のチップ3bに圧接することで、第2のチップ3aは、第1のチップ3bに接合される。
こうして、ダイパッド12上には、2つの異なるチップ3a、3bが積層される。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
上述の従来の半導体装置の製造方法では、ダイパッドに積層されるチップの数と同数のダイボンダが必要となっていた。
詳しくは、ダイパッドへの下段のチップのボンディング工程は、第1のダイボンダで行われ、下段のチップへの上段のチップのボンディング工程は、第2のダイボンダで行われる。すなわち、1つのボンディング工程ごとに、1台のダイボンダを必要としていた。
【0011】
これは、1台のダイボンダで複数のボンディング工程を実施しようとすると、各工程間でダイボンダの段取り変更を行わなければならず、装置の稼働率が低下してしまうからである。
このように、異なるボンディング工程ごとに、ダイボンダを用意すれば、装置の稼働率を向上することができる。しかし、それでもなお、ダイパッドを、1つのダイボンダから別のダイボンダへと移動させる工程には、比較的時間を要するという問題があり、これが量産性向上の妨げになっていた。
さらに、複数のダイボンダを用意しているために、全体の設備の規模も大きくなり、設備費も高くなるという問題があった。
【0012】
この発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、複数のチップが積層される半導体装置の積層工程における工程時間が短く、設備の規模が比較的小さく、設備費も比較的低廉な半導体装置の製造方法、製造装置、及び、半導体装置を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
この発明の請求項1記載の発明にかかる半導体装置の製造方法は、ダイボンダ内に複数のウエハを載置する工程と、上記ダイボンダ内にて、上記複数のウエハからそれぞれ切り出した複数のチップを、ダイボンド材を介して、接合する工程と、上記ダイボンダ内にて、上記接合工程にて積層された複数のチップを、ダイボンド材を介して、ダイパッド上に接合する工程とを備えたものである。
【0014】
また、請求項2記載の発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記請求項1記載の発明において、上記積層された複数のチップ上にさらに単数又は複数のチップを積層する工程を含むものである。
【0015】
また、請求項3記載の発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記請求項1又は請求項2に記載の発明において、上記複数のチップが積層された上記ダイパッドの積層面の裏面に、さらに単数又は複数のチップを積層する工程を含むものである。
【0016】
また、請求項4記載の発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記請求項1〜請求項3のいずれかに記載の発明において、上記ダイボンダは予備ステージを備え、上記予備ステージは、上記チップとの対向面が上記ダイボンド材と接合しないように形成されたものである。
【0017】
また、この発明の請求項5記載の発明にかかる半導体装置は、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の半導体装置の製造方法で製造したものである。
【0018】
また、この発明の請求項6記載の発明にかかる半導体装置の製造装置は、複数のウエハをそれぞれ保持する複数のウエハ保持部と、上記複数のウエハ保持部に保持された上記複数のウエハから複数のチップをそれぞれ切り出して搬送するチップ搬送部と、上記チップ搬送部にて搬送された上記複数のチップを積層して、ダイボンド材を介して接合するための予備ステージと、上記予備ステージ上で接合された上記複数のチップを、上記予備ステージからダイパッド上に搬送する積層チップ搬送部と、上記積層チップ搬送部にて搬送された上記複数のチップを、ダイボンド材を介して上記ダイパッド上に接合するためのステージとを備えたことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【0019】
また、請求項7記載の発明にかかる半導体装置の製造方法は、上記請求項6に記載の発明において、上記予備ステージは、上記チップとの対向面が上記ダイボンド材と接合しないように形成されたものである。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号を付しており、その重複説明は適宜に簡略化ないし省略する。
【0021】
実施の形態.
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図1は、この発明の実施の形態を示す半導体装置の製造方法のフロー図である。また、図2は、この発明の実施の形態を示す半導体装置の製造装置の概略図である。
図1、図2において、1a、1bはダイシングされたチップを有するウエハ、3a、3bはウエハ1a、1b上のチップ、5aは2つのチップ3a、3bをそれぞれ予備ステージ上に搬送するコレット、5bは積層されたチップ3a、3bをダイパッド上に搬送するコレット、7aはチップ3aとチップ3bとの間に設けられたダイボンド材、7bはチップ3bとダイパッド12との間に設けられたダイボンド材、10はチップ3aとチップ3bとを積層するための予備ステージ、11はダイボンド7aを介して接合されたチップ3aとチップ3bとの積層チップ、12はステージ上に載置されたダイパッド、15はチップ3a、3bが積層された半導体装置、17はダイパッド12を備えたリードフレーム、20は半導体装置の製造装置としてのダイボンダを示す。
【0022】
図1に示すように、まず、ダイボンダ20内の図示せぬ第1のウエハ保持部に、第1のウエハ1aが載置される。他方、ダイボンダ20内の図示せぬ第2のウエハ保持部に、第2のウエハ1bが載置される。ここで、ダイボンダ20内には、第1のウエハ1aを複数枚搭載した図示せぬ第1のウエハカセットと、第2のウエハ1bを複数枚搭載した図示せぬ第2のウエハカセットとが、それぞれ、挿脱自在に設置されている。そして、第1のウエハ1aは第1のウエハカセットから第1のウエハ保持部に、第2のウエハ1bは第2のウエハカセットから第2のウエハ保持部に、ウエハ搬送部により搬送されたものである。
【0023】
次に、第2のウエハ1b上のチップ3bを、コレット5aにより、1つピックアップする。そして、裏面にフィルム状のダイボンド材7bが予め形成されたチップ3bを、コレット5aにより、予備ステージ10上の所定位置に搬送する。
その後、第1のウエハ1a上のチップ3aを、コレット5aにより、1つピックアップする。そして、裏面にフィルム状のダイボンド材7aが予め形成されたチップ3aを、コレット5aにより、予備ステージ10に載置されたチップ3b上に搬送する。
【0024】
そして、予備ステージ10を加熱するとともに、コレット5aを図中の矢印方向に移動して、一方のチップ3aを他方のチップ3bに圧接することで、双方のチップ3a、3bは接合されて積層チップ11を形成する。
ここで、予備ステージ10の表面(チップ3bとの接触面である。)には、例えば、ダイボンド7bに対する接合性の悪い材料がコーティングされている。これにより、予備ステージ10を加熱して、コレット5aによる加圧をすることで、2つのチップ3a、3bのみが接合され、チップ3bと予備ステージ10とは接合されないことになる。
【0025】
次に、予備ステージ10上の積層チップ11を、コレット5bにより、ダイパッド12が載置された図示せぬステージ上に向けて搬送する。
そして、ステージを加熱するとともに、コレット5bを図中の矢印方向に移動して、積層チップ11をダイパッド12に圧接することで、積層チップ11はダイパッド12に接合されて半導体装置15を形成する。
ここで、ダイパッド12は、図2に示すリードフレーム17上に複数設けられており、リードフレーム17がステージ上を図中の矢印方向に移動して、上述の工程が繰り返されることで、複数のダイパッド12に次々と積層チップ11が接合されることになる。
【0026】
なお、本実施の形態における半導体装置の製造装置としてのダイボンダ20は、主として、複数のウエハ保持部と、チップ搬送部としてのコレット5aと、予備ステージ10と、積層チップ搬送部としてのコレット5bと、ダイパッド12を載置するステージとによって、構成されるものである。
そして、このようなダイボンダ20内で、ダイパッド12上にチップ3a、3bが積層された半導体装置15は、その後、ワイヤボンディング工程、パッケージ工程等を経て、最終的な製品としての半導体装置の形態を完成させることになる。
【0027】
以上説明したように、本実施の形態における半導体装置の製造方法は、ダイボンダ20内に、複数のチップ3a、3bを積層するためにステージとは異なる予備ステージ10を設けているために、1台のダイボンダ20内で、複数のチップ3a、3bをダイパッド12上に積層することができる。これによって、複数のチップ3a、3bを積層する積層工程における工程時間が短くなり全体の生産性が向上するとともに、設備の規模が比較的小さくなり、設備費を比較的安くすることができる。
【0028】
なお、本実施の形態では、チップ3aの裏面に形成されるダイボンド材7aや、チップ3bの裏面に形成されるダイボンド材7bとして、フィルム状のダイボンド材を用いた。これに対して、ダイボンド7a、7bとして、ペースト状のダイボンド材を用いる場合についても、本発明を適用することができる。その場合には、ダイボンド7aは、接合前に、予めチップ3bにおけるチップ3aとの対向面側に形成される。また、ダイボンド7bは、接合前に、予めダイパッド12における積層チップ11との対向面側に形成される。このように、ペースト状のダイボンド材を用いたときでも、本実施の形態と同様の効果を奏することになる。
【0029】
また、本実施の形態では、チップ搬送部としてのコレット5aと、積層チップ搬送部としてのコレット5bとを、別々の部材として構成したが、同一部材とすることもできる。
また、本実施の形態では、2つのウエハ1a、1bから予備ステージ10へのそれぞれのチップ3a、3bの搬送を、1つのコレット5aにて行ったが、それぞれのチップ3a、3bごとにコレットを用意して、2つのコレットにより搬送工程を行うこともできる。
【0030】
さらに、本実施の形態では、2つのウエハ1a、1bを、ダイボンダ20内に載置したが、それよりも多いウエハを装置内に載置することもできる。この場合、予備ステージ10上にて、ウエハの数に応じた複数のチップを積層した後に、ダイパッド12上にその積層チップを搬送することになる。
また、本実施の形態により、積層されるチップ3a、3bは、同一種類のチップであってもよいし、異なる種類のチップであってもよい。
【0031】
また、本実施の形態で示した工程によりチップ3a、3bが積層された半導体装置15上に、さらに単数又は複数のチップを積層することができる。例えば、チップ3a、3bが積層された半導体装置15に対して、本実施の形態で示した工程を繰り返して行うことができる。具体的には、半導体装置15を、さらにダイボンダ20に設置して、その上に予備ステージ10で積層された積層チップ11を接合する。この場合にも、本実施の形態と同様の効果を奏することになる。
【0032】
また、本実施の形態で示した工程によりチップ3a、3bが積層された半導体装置15の積層面の裏面に、さらに単数又は複数のチップを積層することができる。例えば、チップ3a、3bが積層された半導体装置15に対して、本実施の形態で示した工程を繰り返して行うことができる。具体的には、チップ3a、3bが積層されたダイパッド12の積層面の裏面にチップを積層する。すなわち、チップ3a、3bが積層された半導体装置15を、逆さまにして、裏面側が上方を向くようにダイボンダ20のステージに載置する。そして、半導体装置15の裏面上に、予備ステージ10で積層された積層チップ11を接合することができる。この場合にも、本実施の形態と同様の効果を奏することになる。
【0033】
なお、本発明が上記実施の形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、実施の形態の中で示唆した以外にも、実施の形態は適宜変更され得ることは明らかである。また、上記構成部材の数、位置、形状等は上記実施の形態に限定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にすることができる。
【0034】
【発明の効果】
本発明は以上のように構成されているので、複数のチップを積層する積層工程の時間が短く生産性の高い、設備の規模が比較的小さく、設備費が比較的低廉な半導体装置の製造方法、製造装置、及び、半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の実施の形態を示す半導体装置の製造方法のフロー図である。
【図2】 この発明の実施の形態を示す半導体装置の製造装置の概略図である。
【図3】 従来の半導体装置の製造方法のフロー図である。
【符号の説明】
1a、1b ウエハ、 3a、3b チップ、 5a、5b コレット、
7a、7b ダイボンド材、 10 予備ステージ、 11 積層チップ、 12 ダイパッド、 15 半導体装置、 17 リードフレーム、
20、20a、20b ダイボンダ。
Claims (4)
- ダイボンダ内に複数のウエハを載置する工程と、
上記ダイボンダ内にて、上記複数のウエハからそれぞれ切り出した複数のチップを、ダイボンド材を介して、接合する工程と、
上記ダイボンダ内にて、上記接合工程にて積層された複数のチップを、ダイボンド材を介して、ダイパッド上に接合する工程とを備え、
上記ダイボンダは予備ステージを備え、
上記予備ステージの、上記チップとの対向面には、上記ダイボンド材よりも、上記チップとの接合性の悪い材料がコーティングされていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上記積層された複数のチップ上にさらに単数又は複数のチップを積層する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 上記複数のチップが積層された上記ダイパッドの積層面の裏面に、さらに単数又は複数のチップを積層する工程を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 複数のウエハをそれぞれ保持する複数のウエハ保持部と、
上記複数のウエハ保持部に保持された上記複数のウエハから複数のチップをそれぞれ切り出して搬送するチップ搬送部と、
上記チップ搬送部にて搬送された上記複数のチップを積層して、ダイボンド材を介して接合するための予備ステージと、
上記予備ステージ上で接合された上記複数のチップを、上記予備ステージからダイパッド上に搬送する積層チップ搬送部と、
上記積層チップ搬送部にて搬送された上記複数のチップを、ダイボンド材を介して上記ダイパッド上に接合するためのステージとを備え、
上記予備ステージの、上記チップとの対向面には、上記ダイボンド材よりも、上記チップとの接合性の悪い材料がコーティングされていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001273082A JP4800524B2 (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | 半導体装置の製造方法、及び、製造装置 |
US10/090,842 US6784021B2 (en) | 2001-09-10 | 2002-03-06 | Semiconductor device, method of fabricating the same and semiconductor device fabricating apparatus |
US10/798,345 US6995468B2 (en) | 2001-09-10 | 2004-03-12 | Semiconductor apparatus utilizing a preparatory stage for a chip assembly |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001273082A JP4800524B2 (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | 半導体装置の製造方法、及び、製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003086758A JP2003086758A (ja) | 2003-03-20 |
JP4800524B2 true JP4800524B2 (ja) | 2011-10-26 |
Family
ID=19098348
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001273082A Expired - Fee Related JP4800524B2 (ja) | 2001-09-10 | 2001-09-10 | 半導体装置の製造方法、及び、製造装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6784021B2 (ja) |
JP (1) | JP4800524B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4800524B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2011-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び、製造装置 |
JP2003100781A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
US6682955B2 (en) * | 2002-05-08 | 2004-01-27 | Micron Technology, Inc. | Stacked die module and techniques for forming a stacked die module |
JP2005045023A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP4055762B2 (ja) * | 2004-05-25 | 2008-03-05 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
TW200628029A (en) * | 2004-12-06 | 2006-08-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Component mounting apparatus and component mounting method |
TW200727446A (en) | 2005-03-28 | 2007-07-16 | Toshiba Kk | Stack type semiconductor device manufacturing method and stack type electronic component manufacturing method |
JP4594777B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2010-12-08 | 株式会社東芝 | 積層型電子部品の製造方法 |
JP4508016B2 (ja) * | 2005-07-07 | 2010-07-21 | パナソニック株式会社 | 部品実装方法 |
JP4548310B2 (ja) * | 2005-11-07 | 2010-09-22 | パナソニック株式会社 | 電子部品実装方法 |
US8037918B2 (en) * | 2006-12-04 | 2011-10-18 | Stats Chippac, Inc. | Pick-up heads and systems for die bonding and related applications |
US7550828B2 (en) * | 2007-01-03 | 2009-06-23 | Stats Chippac, Inc. | Leadframe package for MEMS microphone assembly |
JP5460984B2 (ja) | 2007-08-17 | 2014-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5268305B2 (ja) | 2007-08-24 | 2013-08-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP5560538B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2014-07-30 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9136213B2 (en) * | 2012-08-02 | 2015-09-15 | Infineon Technologies Ag | Integrated system and method of making the integrated system |
US20140048946A1 (en) * | 2012-08-17 | 2014-02-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Sensor packages and method of packaging dies of various sizes |
JP6408394B2 (ja) * | 2015-02-06 | 2018-10-17 | 株式会社ジェイデバイス | 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び製造装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3591921A (en) * | 1968-09-30 | 1971-07-13 | Varo | Method for making rectifier stacks |
US5090609A (en) * | 1989-04-28 | 1992-02-25 | Hitachi, Ltd. | Method of bonding metals, and method and apparatus for producing semiconductor integrated circuit device using said method of bonding metals |
AU4242693A (en) * | 1992-05-11 | 1993-12-13 | Nchip, Inc. | Stacked devices for multichip modules |
JPH06151701A (ja) | 1992-11-09 | 1994-05-31 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP3262728B2 (ja) | 1996-02-19 | 2002-03-04 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US5952725A (en) * | 1996-02-20 | 1999-09-14 | Micron Technology, Inc. | Stacked semiconductor devices |
KR100199293B1 (ko) * | 1996-11-08 | 1999-06-15 | 윤종용 | 반도체 패키지 제조 장치 |
JP3425315B2 (ja) * | 1997-01-21 | 2003-07-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JPH11219984A (ja) * | 1997-11-06 | 1999-08-10 | Sharp Corp | 半導体装置パッケージおよびその製造方法ならびにそのための回路基板 |
JP3494901B2 (ja) * | 1998-09-18 | 2004-02-09 | シャープ株式会社 | 半導体集積回路装置 |
JP2000269243A (ja) | 1999-03-12 | 2000-09-29 | Shibaura Mechatronics Corp | ペレットボンディング方法及び装置 |
JP2000294724A (ja) | 1999-04-09 | 2000-10-20 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP4128319B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2008-07-30 | 株式会社新川 | マルチチップボンディング方法及び装置 |
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JP4800524B2 (ja) * | 2001-09-10 | 2011-10-26 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法、及び、製造装置 |
US6620651B2 (en) * | 2001-10-23 | 2003-09-16 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Adhesive wafers for die attach application |
-
2001
- 2001-09-10 JP JP2001273082A patent/JP4800524B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-03-06 US US10/090,842 patent/US6784021B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-12 US US10/798,345 patent/US6995468B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20030049915A1 (en) | 2003-03-13 |
US6995468B2 (en) | 2006-02-07 |
US6784021B2 (en) | 2004-08-31 |
US20040180468A1 (en) | 2004-09-16 |
JP2003086758A (ja) | 2003-03-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A711 | Notification of change in applicant |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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