TWI705524B - 半導體製造裝置、半導體裝置之製造方法及夾頭 - Google Patents

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Abstract

[課題] 以上推單元上推晶粒之時，有晶粒變形彎曲之情形。 [解決手段] 半導體製造裝置具備：具有保持貼附晶粒之切割膠帶的晶圓環保持器的晶粒供給部，和具有複數上推塊體的上推單元，和從上述切割膠帶吸附晶粒的夾頭部。上述夾頭部具備夾頭、保持上述夾頭的夾頭保持器。上述夾頭以彈性體所形成，在與上述上推塊體的接觸上述切割膠帶之處對應的位置具有吸引孔。

Description

半導體製造裝置、半導體裝置之製造方法及夾頭
本揭示係關於半導體製造裝置，例如能夠適用於具備例如夾頭(collet)的晶粒接合器。
一般而言，將該被稱為晶粒之半導體晶片搭載在例如配線基板或引線框架等(以下，總稱為基板)之表面的晶粒接合器中，一般而言，重覆進行藉由使用被稱為夾頭等之吸附噴嘴而將晶粒搬運至基板上，賦予按壓力，並且藉由對接合材加熱，重複進行接合的動作(作業)。
根據晶粒接合器等之半導體製造裝置的晶粒接合工程之中，有剝離從半導體晶圓(以下，稱為晶圓)被分割之晶粒的剝離工程。在剝離工程中，藉由上推單元從切割膠帶背面上推晶粒，一個一個從被保持於晶粒供給部的切割膠帶剝離，使用夾頭等之吸附噴嘴搬運至基板上。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2015-76410號公報
[發明所欲解決之課題]
以上推單元上推晶粒之時，有晶粒變形彎曲之情形。 本揭示之課題在於提供晶粒之彎曲少的半導體製造裝置。 其他之課題和新穎之特徵從本說明書之記載及附件圖面明顯可知。 [用以解決課題之手段]
若簡單說明本揭示中代表性之內容的概要則如同下述般。 即是，半導體製造裝置具備：具有保持貼附晶粒之切割膠帶的晶圓環保持器的晶粒供給部，和具有複數上推塊體的上推單元，和從上述切割膠帶吸附晶粒的夾頭部。上述夾頭部具備夾頭、保持上述夾頭的夾頭保持器。上述夾頭以彈性體所形成，在與上述上推塊體的接觸上述切割膠帶之處對應的位置具有吸引孔。 [發明效果]
若藉由上述半導體製造裝置時，可以減少晶粒之彎曲。
近年來，以推動半導體裝置之高密度安裝為目的，發展封裝體之薄型化。例如，在配線基板上三次元性地安裝複數片晶粒的疊層封裝體被實用化。於組裝如此之疊層封裝體之時，因為了防止封裝體厚度之增加，要求將晶粒之厚度薄化至20μm以下(例如，使成為10~15μm)，故晶粒之剛性變小容易彎曲。
再者，在三次元NAND型快閃記憶體(3D-NAND)中，雖然在矽基板上，連續性地疊層複數而形成氧化矽膜/多晶矽膜之薄膜之層，但是晶粒彎曲時，在內部元件容易產生裂紋。
於是，在實施型態中，配合上推單元之複數上推塊體之凸部(接觸晶粒之位置)，在以橡膠等之彈性體所構成之夾頭配置真空吸引孔(吸引孔)。複數上推塊體之間隔(密度)藉由晶粒之厚度和切割膠帶之吸附力而決定。
上推塊體和晶粒經由切割膠帶而接觸之部分藉由切割膠帶之吸附力，上推塊體下降時，吸入晶粒，使發生晶粒變形。 (1)在相當於保持晶粒全體之夾頭的上推塊體之凸部分的部分配置真空吸引孔。依此，被選擇性地強力吸引，防止晶粒變形(彎曲)。晶粒變形因係晶粒之厚度和上推塊體之凸部分之吸附力所致，故依此藉由夾頭側之吸附面積和上推塊體之面積的調整。或是 (2)對準上推單元之複數上推塊體之位置而在夾頭配置真空吸引溝(吸引溝)。並且，具有吸引溝的夾頭對準各上推塊體之凸部(接觸晶粒之位置)，具有較溝寬更大的吸引孔。因對準各上推塊體之位置的吸引部分全體係以溝所構成，故晶粒之吸附面積增加，並且各區域也被連結，因可以有效地吸附。
若藉由實施型態時，可以減少晶粒拾取、切割膠帶剝離時之晶粒之變形(彎曲)，可以降低不良。比起在凸部無吸引孔之情況，晶粒變形量減少1/5以下。晶粒拾取時之晶粒變形變少，可以降低不良，並且可以拾取更薄的晶粒。再者，可以防止3D-NAND之元件內部的裂紋等。
以下，針對實施例及變形例使用圖面進行說明。但是，在以下之說明中，對相同構成要素賦予相同符號，省略重覆說明。另外，為了使說明更明確，雖然有圖面比起實際態樣，針對各部之寬度、厚度、形狀等，以示意性表示之情形，但是此僅為一例，並非用以限定本發明之解釋。 [實施例]
圖1為與實施例有關之晶粒接合器之概略的上視圖。圖2為從圖1中之箭頭A方向觀看時，說明拾取頭及接合頭之動作的圖示。
晶粒接合器10大致具有：供給安裝在成為一個或複數的最終1封裝體的印刷有製品區域(以下，稱為封裝區域P)之基板S的晶粒D的供給部1、拾取部2、中間平台部3、接合部4、搬運部5、基板供給部6、基板搬出部7，和監視各部之動作且進行控制的控制部8。Y軸方向係晶粒接合器10之前後方向，X軸方向為左右方向。晶粒供給部1被配置在晶粒接合器10之前方側，接合部4被配置在深側。
首先，晶粒供給部1係供給安裝於基板S之封裝區域P的晶粒D。晶粒供給部1具有保持晶圓11之晶圓保持台12和以從晶圓11上推晶粒D之虛線所示的上推單元13。晶粒供給部1係藉由無圖示之驅動手段在XY方向移動，使拾取之晶粒D移動至上推單元13之位置。
拾取部2具有拾取晶粒D之拾取頭21、使拾取頭21移動至Y方向之拾取頭之Y驅動部23，和使夾頭部22升降、旋轉及X方向移動的無圖示的各驅動部。拾取頭21具有將被上推的晶粒D吸附保持在前端的夾頭部22(也參照圖2)，從晶粒供給部1拾取晶粒D，載置於中間平台31。拾取頭21具有使夾頭部22升降、旋轉及X方向移動的無圖示之各驅動部。
中間平台部3具有暫時性地載置晶粒D之中間平台31，和用以辨識中間平台31上之晶粒D的平台辨識攝影機32。
接合部4係以從中間平台31拾取晶粒D，接合於被搬運來的基板S之封裝區域P上，或是疊層於已被接合於基板S之封裝區域P之上的晶粒上之形式進行接合。接合部4具有與拾取頭21相同將晶粒D吸附保持於前端的夾頭42(也參照圖2)的接合頭41、使接合頭41移動至Y方向之Y驅動部43，和攝影基板S之封裝區域P之位置辨識標記(無圖示)，辨識接合位置之基板辨識攝影機44。 藉由如此之構成，接合頭41根據平台辨識攝影機32之攝影資料而補正拾取位置、姿勢，從中間平台31拾取晶粒D，且根據基板辨識攝影機44之攝影資料將晶粒D接合於基板。
搬運部5具有抓取搬運基板S之基板搬運爪51和基板S移動之搬運通道52。基板S係藉由利用沿著搬運通道52而設置的無圖示之滾珠輪桿驅動被設置在搬運通道52之基板搬運爪51之無圖示的螺帽而移動。 藉由如此之構成，基板S係從基板供給部6沿著搬運通道52而移動至接合位置，於接合後，移動至基板搬出部7，將基板S交給至基板搬出部7。
控制部8具備儲存監視且控制晶粒接合器10之各部之動作的程式(軟體)的記憶體，和實行被儲存於記憶體之程式的中央處理裝置(CPU)。
接著，針對晶粒供給部1之構成，使用圖3及圖4進行說明。圖3為表示晶粒供給部之外觀斜視圖的圖示。圖4為表示晶粒供給部之主要部位的概略剖面圖。
晶粒供給部1具備在水平方向(XY方向)移動的晶圓保持台12，在上下方向移動的上推單元13。晶圓保持台12具備保持晶圓環14之擴張環15，和被保持在晶圓環14且將接合複數之晶粒D的切割膠帶16予以水平定位的支持環17。上推單元13被配置在支持環17之內側。
晶粒供給部1係於晶粒D之上推時，使保持晶圓環14之擴充環15下降。其結果，被保持在晶圓環14之切割膠帶16被拉長，晶粒D之間隔變寬，藉由上推單元13從晶粒D下方上推晶粒D，提升晶粒D之拾取性。另外，隨著薄型化，將晶粒接合於基板的接合劑從液狀成為薄膜狀，在晶圓11和切割膠帶16之間貼合被稱為晶粒黏接膜(DAF)18之薄膜狀的接合材料。在具有晶粒黏接膜18之晶圓11中，切割係對晶圓11和晶粒黏接膜18進行。因此，在剝離工程中，從切割膠帶16剝離晶圓11和晶粒黏接膜18。另外，之後，忽視晶粒黏接膜18之存在，說明剝離工程。
接著，針對上推單元使用圖5進行說明。圖5(A)係圖4之上推單元的上視圖。圖5(B)係圖5(A)之A1-A2中之主要部分的剖面圖。
上推單元13大致具有上推塊體部131、包圍上推塊體部131之周邊部132，和圓筒狀之半球形本體134。上推塊體部131具有在俯視下呈矩形狀之第三塊體(中央塊體)131c、包圍第三塊體131c之外側的第二塊體(中間塊體)131b、包圍第二塊體131b之外側的第一塊體(最外周塊體)131a。上推塊體部131在俯視下呈矩形狀，被構成與晶粒D之平面形狀相似形狀。在第一塊體131a和第二塊體131b和第三塊體131c的各個上面具有凹凸，在圖5(A)中，為以濃顏色的四角形表示的間斷性地配置凸部(突起部)的間斷塊體。在第一塊體131a和第二塊體131b和第三塊體131c和周邊部132之間具備間隙。
被設置在上推單元13之上面之周邊部132的複數吸引孔(無圖示)之各個內部，於使上推單元13上升而使其上面接觸於切割膠帶16之背面之時，藉由無圖示之吸引機構被減壓。此時，切割膠帶16之背面被吸引至下方，與上推單元13之上面(周邊部132之上面及第一塊體131a和第二塊體131b和第三塊體131c之上面之凸部)密接。周邊部132係密接拾取對象之晶粒D之外側之切割膠帶16。另外，在第一塊體131a和第二塊體131b和第三塊體131c和周邊部132之間具有間隙(吸引孔)，其吸引孔之吸引機構和周邊部132之複數吸引孔的吸引機構為共通，同時進行吸附之ON/FF。
接著，針對本案發明者研究的技術(以下，稱為比較例)使用圖6進行說明。圖6為表示與比較例有關之夾頭部和上推單元之主要部分的縱剖面圖，圖6(A)為表示夾頭部下降而與晶粒D接觸之狀態的圖示，圖6(B)係表示上推單元上推塊體部之狀態的圖示，圖6(C)係表示夾頭部上升之狀態的圖示。
如圖6所示般，夾頭部22R具有夾頭25R、保持夾頭25R之夾頭保持器24。在夾頭25R以等間隔地陣列狀地設置有複數真空吸引孔251R。在夾頭保持器24之中央具有真空吸引孔26，在夾頭保持器24之夾頭25R之上面側具有真空吸引溝27。真空吸引孔251R被連接於真空吸引溝27。夾頭25R在俯視下呈與晶粒D相同的矩形狀，使成為與晶粒D相同程度的大小。夾頭25R為彈性體，其厚度為5mm左右。另外，上推單元13與圖5之實施例之上推單元13相同者。
與比較例有關之拾取動作係從作為切割膠帶16上之目標的晶粒D(剝離對象晶粒)被定位在上推單元13和夾頭部22R之時點開始。當定位完成時，藉由經由上推單元13之吸引孔而抽真空，晶粒膠帶16被吸附於上推單元13之上面。如圖6(A)所示般，在其狀態夾頭部22R朝向晶粒D之裝置面而一面抽真空一面下降，且著地。
在此，上推單元13之主要部亦即上推塊體部131(第一塊體131a、第二塊體131b、第三塊體131c)上升時，維持晶粒D被夾於夾頭部22R和上推塊體部131之狀態而上升。此時，維持切割膠帶16之周邊部被真空吸附於周邊部132之狀態。因在晶粒D周邊進行切割膠帶16之剝離，故使例如第一塊體131a下降。第一塊體131a和晶粒D接觸之部分藉由切割膠帶16之黏接力(吸附力)，第一塊體131a下降時切割膠帶16彎曲而在晶粒D周邊進行切割膠帶16之剝離。
但是，藉由晶粒D變薄等，剛性變小時，如以圖6(B)之虛線包圍之處所示般，晶粒D隨著切割膠帶16之彎曲而變形(晶粒D收縮變形)而在晶粒D產生彎曲。如此一來，在與夾頭下面之間產生間隙，空氣流入夾頭部22R之真空吸引系統(發生洩漏)。一旦洩漏且晶粒D分離時，無法再次保持彎曲至較吸附面更下方的晶粒D，就算如圖6(C)所示般，上升夾頭部22R，亦無法拾取晶粒D。
接著，針對與實施例有關之夾頭，使用圖7進行說明。圖7係說明與實施例有關之夾頭的圖示，圖7(A)為上推單元之上視圖，圖7(B)為夾頭之下視圖。
如上述般，第一塊體(最外周塊體)131a和第二塊體(中間塊體)131b和第三塊體(中央塊體)131c之上面分別具有凹凸，為間斷地配置凸部(突起部)的間斷塊體。例如，第一塊體131a具有18個凸部，第二塊體131b具有12個凸部，第三塊體131c具有10個凸部。與實施例有關之夾頭25之真空吸引孔251(參照圖8)，被配置在與第一塊體131a和第二塊體131b和第三塊體131c之凸部對應的位置。 例如，在與第一塊體131a之凸部P1a~P1r對應之位置，夾頭25具有真空吸引孔251之一部分亦即吸引孔H1a~H1r。夾頭25之各吸引孔之直徑較第一塊體131a、第二塊體131b及第三塊體131c之各凸部之上面小，例如相同的大小。
因夾頭25在晶粒D經由切割膠帶16而與第一塊體131a和第二塊體131b和第三塊體131c之各凸部接觸之部分，具有真空吸引孔251，吸引晶粒D，故可以抑制晶粒D之彎曲。另外，雖然夾頭25不一定要在晶粒D經由切割膠帶16而與第一塊體131a和第二塊體131b之各凸部接觸之部分，具有吸引孔，但是以晶粒D經由切割膠帶16而與第三塊體131c之各凸部接觸之部分具有吸引孔為佳。
接著，針對與實施例有關之夾頭部之構成及拾取動作，使用圖8、圖9進行說明。圖8為表示與實施例有關之夾頭部和上推單元之主要部分的剖面圖，圖8(A)為表示夾頭部下降而與晶粒D接觸之狀態的圖示，圖8(B)係表示上推單元上推塊體部之狀態的圖示，圖8(C)係表示夾頭部上升之狀態的圖示。圖9為表示拾取動作之處理流程的流程圖。
如圖8所示般，夾頭部22具有夾頭25、保持夾頭25之夾頭保持器24。在夾頭25設置真空吸引孔251。在夾頭保持器24之中央具有真空吸引孔26，在夾頭保持器24之夾頭25之上面側具有真空吸引溝27。真空吸引孔251被連接於真空吸引溝27。如圖7所示般，夾頭25在俯視下呈與晶粒D相同的矩形狀，使成為與晶粒D相同程度的大小。夾頭25係由彈性體(例如矽橡膠)所形成，其厚度為5mm左右。
步驟S1：控制部8係以拾取的晶粒D位於上推單元13之正上方之方式，移動晶圓保持台12，將剝離對象晶粒位置對準於上推單元13和夾頭部22。
步驟S2：以上推單元13之上面接觸於切割膠帶16之背面之方式，移動上推單元13。此時，如圖8(A)所示般，控制部8係藉由以上推塊體部131之第一塊體131a、第二塊體131b、第三塊體131c形成與周邊部132之表面相同平面之方式，經由周邊部132之吸引孔和塊體間之間隙而進行抽真空，將切割膠帶16吸附於上推單元13之上面。
步驟S3：如圖8(A)所示般，控制部8係一面對進行抽真空，一面使夾頭部22下降，且降落在剝離對象之晶粒D上，推壓至晶粒D而藉由具有真空吸引孔251之夾頭25吸附晶粒D。
步驟S4：控制部8係使上推單元13之主要部亦即上推塊體部131之第一塊體131a、第二塊體131b及第三塊體131c上升。依此，晶粒D雖然在維持被夾於夾頭部22和上推塊體部131之狀態下上升，但是切割膠帶16之周邊部被真空吸附於上推塊體部131之周邊部132。
步驟S5：控制部8為了在晶粒D周邊進行切割膠帶16之剝離，使第一塊體131a下降。第一塊體131a之凸部和晶粒D接觸之部分藉由切割膠帶16之黏接力(吸附力)，第一塊體131a下降時，切割膠帶16彎曲。另外，因藉由在與第一塊體131a之凸部對應之處具有吸引孔之夾頭25，吸附晶粒D之周邊，可以縮小晶粒之彎曲發生，故在晶粒D周邊，進行切割膠帶16之剝離。
步驟S6：控制部8使第二塊體131b下降。
步驟S7：控制部8使夾頭部22上升。依此，如圖8(C)所示般，晶粒D從切割膠帶16剝離。如圖6之比較例般，晶粒D不隨著切割膠帶16之彎曲變形(晶粒D不收縮變形)，故可以縮小晶粒D之彎曲發生。如此一來，可以抑制與夾頭下面之間的間隙發生，可以抑制空氣流入夾頭部22之真空吸引系統(洩漏發生)之情形。
步驟S8：控制部8係以上推塊體部131之第一塊體131a、第二塊體131b及第三塊體131c形成與周邊部132之表面相同平面之方式，停止周邊部132之吸引孔和塊體間之間隙所致的切割膠帶16之吸附。控制部8係以上推塊體部131之上面從切割膠帶16之背面分離之方式移動上推單元13。
步驟S9：控制部8判斷從晶圓11之拾取是否結束。YES之情況結束，NO之情況返回至步驟S1。
控制部8重複步驟S1~S9，拾取晶圓11之良品的晶粒。
另外，雖然與實施例有關之夾頭部被安裝於拾取頭21，從晶粒供給部1拾取晶粒D而載置於中間平台31，但是亦可以當作接合於基板S等之接合頭之夾頭使用。
接著，針對使用與實施例有關之晶粒接合器的半導體裝置之製造方法，使用圖10進行說明。圖10係表示半導體裝置之製造方法的流程圖。
步驟S11：係將保持貼附從晶圓11被分割之晶粒D的切割膠帶16的晶圓環14儲存於晶圓卡匣(無圖示)，搬入至晶粒接合器10。控制部8係將晶圓環14從填充有晶圓環14之晶圓卡匣供給至晶粒供給部1。再者，準備基板S，搬入至晶粒接合器10。控制部8係以基板供給部6將基板S載置於搬運通道52。
步驟S12：控制部8係從被保持於晶圓環14之切割膠帶16拾取晶粒D。
步驟S13：控制部8係將拾取到的晶粒D，搭載至基板S之封裝區域P上或疊層於已接合的晶粒上。更具體而言，控制部8係將從切割膠帶16拾取到的晶粒D載置於中間平台31，以接合頭41從中間平台31再次拾取晶粒D，接合於被搬運來的基板S之封裝區域P。
步驟S14：控制部8係以基板搬運爪51將基板S移動至基板搬出部7，將基板S交給基板搬出部7而從晶粒接合器10搬出基板S。
(變形例) 以下，針對代表性的變形例，例示幾個。在以下之變形例之說明中，針對具有與在上述實施例中說明者相同的構成及功能之部分，設為能夠使用與上述實施例相同之符號者。而且，針對如此之部分的說明，設為能夠在技術性不矛盾之範圍內，適當援用在上述實施例中之說明者。再者，能夠在技術性不矛盾之範圍內，適當、複合性地適用上述實施例之一部分及複數變形例之全部或一部分。
(變形例1) 變形例1雖然與上推塊體部131之構成相同，但是係夾頭之吸引孔之位置等不同的例。
圖11係說明與變形例1有關之夾頭的圖示，圖11(A)係與變形例1-1有關之夾頭的下視圖，圖11(B)係與變形例1-2有關之夾頭之下視圖，圖11(C)係與變形例1-3有關之夾頭之下視圖，圖11(D)係與實施例有關之夾頭之下視圖，圖11(E)係表示上推塊體部的上視圖。
(變形例1-1) 在實施例中，如圖11(D)所示般，夾頭25在第一塊體131a、第二塊體131b及第三塊體131c所有的凸部對應的位置具有吸引孔，如圖11(A)所示般，變形例1-1之夾頭25A在與第一塊體131a之所有凸部對應之位置具有吸引孔，但在與第二塊體131b之凸部對應之位置不具有吸引孔，而在與第三塊體131c之一部分之凸部對應之位置具有吸引孔。在與第三塊體131c之中央之兩處的凸部對應之位置不具有吸引孔。因夾頭25A之吸引孔的數量較實施例之夾頭25少，故製作較實施例容易。因夾頭25A在與第一塊體131a之所有凸部對應之位置具有吸引孔，故具有與實施例相同的作用效果。
(變形例1-2) 如圖11(B)所示般，變形例1-2之夾頭25B係在與第一塊體131a之所有凸部對應之位置、與第二塊體131b之所有凸部對應之位置及與除了第三塊體131c之中心之兩處之外的所有凸部分對應之位置具有吸引孔。再者，夾頭25B具有連接與第一塊體131a對應之吸引孔H1a~H1r的吸引溝T1、連接與第二塊體131b對應之吸引孔的吸引溝T2，及連接與第三塊體131c對應之吸引孔的吸引溝T3。夾頭25B之各吸引孔之直徑較第一塊體131a、第二塊體131b及第三塊體131c之各凸部之上面小，且較吸引溝T1~T3之寬度大。夾頭25B之各吸引孔之直徑係例如相同的大小，吸引溝T1~T3之各個寬度係相同的大小。
(變形例1-3) 如圖11(C)所示般，變形例1-3之夾頭25C在與第一塊體131a之四角落的凸部P1a、P1f、P1j、Plo對應之位置具有吸引孔H1a、H1f、H1j、H1o，在與第二塊體131b之所有凸部對應之位置具有吸引孔H2a、H2b、H2c、H2d、H2e、H2f、H2g、H2h、H2i、H2j、H2k、H2l，在與除了第三塊體131c之中央之兩處之外的所有凸部對應的位置，具有吸引孔。再者，夾頭25C具有連接與第一塊體131a對應之吸引孔H1a、H1f、H1j、H1o的吸引溝T1。吸引孔H1a、H1f、H1j、H1o之直徑大於吸引溝T1之寬度。夾頭25C之各吸引孔之直徑較第一塊體131a、第二塊體131b及第三塊體131c之各凸部之上面小，例如相同的大小。
(變形例1-4) 圖14係與說明與變形例1-4有關之夾頭的圖示，圖14(A)係與變形例1-4有關之夾頭部和上推單元之主要部分的剖面圖，圖14(B)係圖14(A)之重要部分之放大示意圖。
在實施例及變形例1-1~1-3中，雖然夾頭之各吸引孔之直徑係相同的大小，但是如圖14所示般，在變形例1-4中，使與第一塊體(最外周塊體)對應之位置的夾頭之吸引孔之直徑大於與其他塊體(第二塊體及第三塊體)對應之位置的吸引孔之直徑。依此，夾頭25G可以增大接近於晶粒D之端部之處的吸附力。 再者，如圖14(C)所示般，上推塊體部131(第一塊體131a)之塊體尺寸構成較晶粒D之尺寸(晶粒尺寸)小2×d1(例如0.5mm左右)，夾頭25G之尺寸構成較晶粒尺寸大2×d2(例如0.5mm左右)，將夾頭25G之吸引孔251G之中最外周之吸引孔(H1a~H1r)之一部分配置成朝第一塊體131a(上推塊體部131)之外側偏移d3(例如0.25mm左右)。
依此，因夾頭251G以增大晶粒D之更接近於端部之處的吸附力，故可以更減少晶粒D之變形。
在本變形例中，雖然進行使與最外周之塊體對應之位置的夾頭之吸引孔之直徑大於與其他塊體對應之位置的吸引孔之直徑的處理，和使夾頭之最外周之吸引孔之一部分朝上推塊體之外側偏移的處理之雙方，但是即使其中之任一方亦可。
再者，即使將與第二塊體131b及第三塊體131c對應之位置的夾頭25G之吸引孔之一部分配置成分別朝第二塊體131b及第三塊體131c之外側偏移亦可。
雖然夾頭25G之吸引孔之配置係針對實施例之夾頭25之吸引孔之配置相同的例進行說明，但是即使針對變形例1-1~1-3亦可以適用。再者，亦可以適用於後述變形例2之夾頭及上推單元。
(變形例2) 實施例之上推塊體部之上面具有凹凸，係間斷性地配置凸部(具有複數凸部)的間斷塊體，變形例2之上推塊體部之上面係連續性地配置凸部(凸部為一個)的連續塊體。
圖12係表示與變形例2有關之上推單元的圖示，圖12(A)係上推單元的上視圖。圖12(B)係圖12(A)之A1-A2中之主要部分的剖面圖。圖13係說明與變形例2有關之夾頭的圖示，圖13(A)係與變形例2-1有關之夾頭的下視圖，圖13(B)係與變形例2-2有關之夾頭之下視圖，圖13(C)係與變形例2-3有關之夾頭之下視圖，圖13(D)係表示上推塊體部的上視圖。
與變形例2有關之上推單元之構造及動作除上推塊體部131D之上面之形狀之外，其他與實施例相同。在第一塊體131a和第二塊體131b和第三塊體131c之各個上面，無實施例般的凹凸，係連續性地配置凸部之連續塊體。
藉由上推單元13D，切割膠帶16之背面被吸引至下方之時，第一塊體131Da和第二塊體131Db和第三塊體131Dc之上面全體密接。
(變形例2-1) 如圖13(A)所示般，變形例2-1之夾頭25D在與第一塊體131Da之四角落對應之位置具有吸引孔H11~H14、在與第二塊體131Db之四角落對應之位置具有吸引孔H21~H24，及在與第三塊體131Dc之四角落對應之位置具有吸引孔H31~H34。再者，夾頭25D具有連接與第一塊體131Da對應之吸引孔H11~H14的吸引溝T1、連接與第二塊體131Db對應之吸引孔H21~H24的吸引溝T2，及連接與第三塊體131Dc對應之吸引孔H31~H34的吸引溝T3。夾頭25D之各吸引孔之直徑較第一塊體131a、第二塊體131b及第三塊體131c之上面之寬度小，且較吸引溝T1~T3之寬度大。夾頭25D之各吸引孔之直徑係例如相同的大小，吸引溝T1~T3之各個寬度係相同的大小。
(變形例2-2) 如圖13(B)所示般，變形例2-2之夾頭25E相對於變形例2-1之夾頭25D，進一步具有連接吸引孔H11、H22、H31之吸引溝T4，和連接吸引孔H12、H22、H32之吸引溝T5，和連接吸引孔H13、H23、H33之吸引溝T6，和連接吸引孔H14、H24、H34之吸引溝T7。吸引溝T4~T7之寬度與吸引溝T1~T3之寬度相同。
(變形例2-3) 如圖13(C)所示般，變形例2-3之夾頭25F在與第一塊體131Da之四角落對應之位置具有吸引孔H11~H14、在與第二塊體131Db之四角落對應之位置具有吸引孔H21~H24，及在與第三塊體131Dc之四角落對應之位置具有吸引孔H31~H34。再者，夾頭25D具有在俯視螺旋狀地連接吸引孔H14、H11、H12、H13、H21、H22、H23、H34、H32、H33之吸引溝T11。夾頭25D之各吸引孔之直徑較第一塊體131a、第二塊體131b及第三塊體131c之上面之寬度小，且較吸引溝T11之寬度大。夾頭25D之各吸引孔之直徑係例如相同的大小。
以上，雖然根據實施例及變形例對本發明者所創作岀之發明進行具體性說明，但是本發明並不限定於上述實施例及變形例，當然可以做各種變更。
例如，在實施例中，雖然說明上推塊體部以第一塊體至第三塊體之三個塊體所構成之例，但是不限定於此，若為複數塊體即可。
在實施例中，雖然夾頭之各吸引孔被連接於夾頭保持器之真空吸引溝，但是即使以分割真空吸引溝等使成為能夠獨立於每個夾頭之吸引孔或吸引溝而進行真空吸引亦可。
在實施例中，雖然在第一塊體、第二塊體、第三塊體之間斷凸部(突起部)具有被連接於半球形本體之吸引孔，但是即使在第一塊體、第二塊體、第三塊體之間斷凸部(突起部)設置吸引孔進行吸引亦可。
在變形例1-4中，雖然使與第一塊體(最外周塊體)對應之位置的夾頭之吸引孔之直徑大於與其他塊體(第二塊體及第三塊體)對應之位置之吸引孔之直徑大，但是即使更大於第一塊體之塊體尺寸(塊體寬度)亦可。再者，在變形例中，雖然夾頭之各吸引溝係相同的寬度，但是即使將吸引溝之寬度塞滿第一塊體之塊體尺寸亦可，並且即使較塊體尺寸寬亦可。
在實施例中，雖然說明使用晶粒黏接膜之例，但是即使設置在基板塗佈黏接劑之預成形部而不使用晶粒黏接膜亦可。
再者，在實施例中，雖然針對以拾取頭從晶粒供給部拾取晶粒而載置於中間平台，以接合頭將被載置於中間平台之晶粒接合於基板之晶粒接合器進行說明，但是不限定於此，能夠適用於從晶粒供給部拾取晶粒的半導體製造裝置。 例如，亦能夠適用於無中間平台和拾取頭，而以接合頭將晶粒供給部之晶粒接合於基板的晶粒接合器。 再者，亦能夠適用於無中間平台和接合頭，而將以拾取頭從晶粒供給部拾取到的晶粒載置於托盤等之晶粒分類機。
1‧‧‧晶粒供給部 11‧‧‧晶圓 13‧‧‧上推單元 16‧‧‧切割膠帶 2‧‧‧拾取部 21‧‧‧拾取頭 22‧‧‧夾頭部 25‧‧‧夾頭 251‧‧‧真空吸引孔 3‧‧‧中間平台部 31‧‧‧中間平台 4‧‧‧接合部 41‧‧‧接合頭 8‧‧‧控制部 10‧‧‧晶粒接合器 D‧‧‧晶粒 S‧‧‧基板
圖1為從上方觀看與實施例有關之晶粒接合器的概念圖。 圖2為從圖1中之箭頭A方向觀看時，說明拾取頭及接合頭之動作的圖示。 圖3為表示圖1之晶粒供給部之外觀斜視圖的圖示。 圖4為表示圖1之晶粒供給部之主要部位的概略剖面圖。 圖5為說明圖4之上推單元的圖示。 圖6為與比較例有關之夾頭部和上推單元之主要部分的剖面圖。 圖7為說明與實施例有關之夾頭的圖示。 圖8為與實施例有關之夾頭部和上推單元之主要部分的剖面圖。 圖9為用以說明與實施例有關之晶粒接合器之拾取動作的流程圖。 圖10為表示與實施例有關之半導體裝置之製造方法的流程圖。 圖11為說明與變形例1有關之夾頭的圖示。 圖12為說明與變形例2有關之上推單元的圖示。 圖13為說明與變形例2有關之夾頭的圖示。 圖14為說明與變形例1-4有關之夾頭的圖示。
13‧‧‧上推單元
16‧‧‧切割膠帶
22‧‧‧夾頭部
24‧‧‧夾頭保持器
25‧‧‧夾頭
26‧‧‧真空吸引孔
27‧‧‧真空吸引溝
131‧‧‧上推塊體部
131a‧‧‧第一塊體
131b‧‧‧第二塊體
131c‧‧‧第三塊體
132‧‧‧周邊部
251‧‧‧真空吸引孔
D‧‧‧晶粒

Claims (15)

  1. 一種半導體製造裝置，具備：晶粒供給部，其係具有保持黏貼晶粒之切割膠帶的晶圓環保持器；上推單元，其具有複數上推塊體；及夾頭部，其係從上述切割膠帶吸附晶粒，上述夾頭部具備：夾頭：和夾頭保持器，其保持上述夾頭，上述複數上推塊體具有位於最外側之外周塊體，和位於中央之中央塊體，和位於上述外周塊體和上述中央塊體之間的中間塊體，上述外周塊體在上面間斷性地具有複數凸部，上述夾頭以彈性體所形成，在與上述上推塊體的接觸上述切割膠帶之處對應的位置，且與上述外周塊體對應的位置具有吸引孔，上述吸引孔被配置在與上述複數凸部的接觸上述切割膠帶之處對應的各個位置。
  2. 如請求項1之半導體製造裝置，其中上述夾頭進一步在與上述中央塊體及上述中間塊體對應之位置具有吸引孔。
  3. 一種半導體製造裝置，具備：晶粒供給部，其係具有保持黏貼晶粒之切割膠帶的晶圓環保持器；上推單元，其具有複數上推塊體；及夾頭部，其係從上述切割膠帶吸附晶粒，上述夾頭部具備：夾頭：和夾頭保持器，其保持上述夾頭，上述複數上推塊體具有位於最外側之外周塊體，和位於中央之中央塊體，和位於上述外周塊體和上述中央塊體之間的中間塊體，上述外周塊體在上面間斷性地具有複數凸部，上述夾頭以彈性體所形成，在與上述上推塊體的接觸上述切割膠帶之處對應的位置，且與上述外周塊體對應的位置具有吸引孔，上述夾頭進一步在與上述晶粒接觸之面具有被連接於上述吸引孔的吸引溝，上述吸引孔被配置在與上述外周塊體之四角落的接觸上述切割膠帶之處分別對應的位置。
  4. 如請求項3之半導體製造裝置，其中上述吸引孔之直徑大於上述吸引溝之寬度。
  5. 如請求項3之半導體製造裝置，其中 上述夾頭進一步在與上述中央塊體及上述中間塊體對應之位置具有吸引孔。
  6. 如請求項1至5中之任一項之半導體製造裝置，其中進一步具備安裝上述夾頭的拾取頭。
  7. 如請求項6之半導體製造裝置，其中進一步具備：中間平台，其係載置以上述拾取頭被拾取的晶粒；和接合頭，其係將被載置於上述中間平台之晶粒接合於基板或已被接合的晶粒上。
  8. 如請求項1至5中之任一項之半導體製造裝置，其中上述晶粒進一步在上述晶粒和上述切割膠帶之間具備晶粒黏接膜。
  9. 一種半導體裝置之製造方法，具備：(a)準備半導體製造裝置之工程，該半導體製造裝置具備：具有複數上推塊體之上推單元，和從切割膠帶吸附晶粒的夾頭部，上述夾頭部具備：夾頭，和保持上述夾頭的夾頭保持器，上述複數上推塊體具有位於最外側之外周塊體，和位於中央之中央塊體，和位於上述外周塊體和上述中央塊體之間的中間塊體，上述外周塊體在上面間斷性地具有複數凸部，上述夾頭由彈性體所形成，在與上述上推 塊體的接觸上述切割膠帶之處對應的位置，且與上述外周塊體對應的位置，具有吸引孔或被連接於吸引孔之吸引溝，上述吸引孔被配置在與上述複數凸部的接觸上述切割膠帶之處對應的各個位置；(b)準備保持具有晶粒之切割膠帶的晶圓環之工程；及(c)以上述夾頭部拾取上述晶粒之工程。
  10. 如請求項9之半導體裝置之製造方法，其中具備：(d)準備基板之工程；和(e)將上述晶粒接合於上述基板或已被接合之晶粒上之工程。
  11. 如請求項10之半導體裝置之製造方法，其中上述(c)工程進一步具有將上述拾取到的晶粒載置於中間平台之工程，上述(e)工程進一步具有從上述中間平台拾取上述晶粒之工程。
  12. 一種夾頭，其係與具有複數上推塊體之上推單元協同作用而從貼附晶粒之切割膠帶吸附上述晶粒，該複數上推塊體係由位於最外側之外周塊體，和位於中央之中央塊體，和位於上述外周塊體和上述中央塊體之間的中間塊體 構成，上述外周塊體在上面間斷性地具有複數凸部，該夾頭之特徵在於：上述夾頭以彈性體所形成，在與上述上推塊體的接觸上述切割膠帶之處對應的位置，且與上述複數上推塊體之中的最外周塊體對應的位置，具有吸引孔，上述吸引孔被配置在與上述複數凸部的接觸上述切割膠帶之處對應的各個位置。
  13. 如請求項12之夾頭，其中進一步在與上述晶粒接觸之面具有被連接於上述吸引孔的吸引溝，上述吸引孔被配置在與上述外周塊體之四角落的接觸上述切割膠帶之處分別對應的位置。
  14. 如請求項13之夾頭，其中上述吸引孔之直徑大於上述吸引溝之寬度。
  15. 如請求項12之夾頭，其中進一步在與上述複數上推塊體之中位於中央的中央塊體及位於上述最外周塊體和上述中央塊體之間的中間塊體對應之位置，具有吸引孔。
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