JP4734747B2 - 電流制限回路及び電源回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は電流制限回路及び電源回路に係り、特に、過電流保護を行うための電流制限回路及び電源回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
図4は従来の一例の回路構成図を示す。
【0003】
従来の電源回路1は、基準電圧生成回路11、検出回路12、制御回路13、電流制御トランジスタQ2、電流制限回路14を含む構成とされている。
【0004】
基準電圧生成回路11は、電流源21、ツェナーダイオード22から構成され、入力端子Tinと接地端子Tgndとの間に接続される。基準電圧生成回路11は、ツェナーダイオード22のツェナー電圧により基準電圧Vzを生成する。基準電圧生成回路11で生成された基準電圧Vzは、制御回路13に供給される。
【0005】
検出回路12は、抵抗R5、R6から構成され、出力端子Toutと接地端子Tgndとの間に接続される。検出回路12は、抵抗R5、R6により出力端子Toutと接地端子Tgndとの間の出力電圧Voutを分圧する。抵抗R5、R6により分圧された電圧は、出力電圧Voutに対応した電圧である。この電圧は、検出電圧Vsとして制御回路13に供給される。
【0006】
制御回路13は、差動増幅回路31、トランジスタQ1から構成される。差動増幅回路31の非反転入力端子には、基準電圧生成回路11から基準電圧Vzが印加され、差動増幅回路31の反転入力端子には、検出回路12から分圧電圧が印加される。
【0007】
差動増幅回路31は、基準電圧Vzと検出電圧Vsとの差に応じた電流を出力する。差動増幅回路31の出力電流は、トランジスタQ1のベースに供給される。
【0008】
トランジスタQ1は、NPNトランジスタから構成される。トランジスタQ1のベースには、差動増幅回路31及び電流制限回路14の出力が供給される。また、トランジスタQ1のコレクタは電流制御トランジスタQ2、及び電流制限回路14を構成するトランジスタQ3のベースに接続され、エミッタは接地端子Tgndに接続される。
【0009】
トランジスタQ1は、差動増幅回路31及び電流制限回路14の出力に応じて電流制御トランジスタQ2及び電流制限回路14を構成するトランジスタQ3のベース電位を制御する。電流制御トランジスタQ2は、PNPトランジスタから構成される。電流制御トランジスタQ2は、エミッタが入力端子Tinに接続され、コレクタが出力端子Toutに接続され、ベースがトランジスタQ1のコレクタに接続される。電流制御トランジスタQ2は、トランジスタQ1のコレクタ電位に応じた電流を入力端子Tinから出力端子Toutに供給する。
【0010】
電流制限回路14は、トランジスタQ3〜Q6、抵抗R1〜R4、ダイオードD1を含む構成とされている。
【0011】
抵抗R3、R4は、出力端子Toutと接地端子Tgndとの間に直列に接続されており、出力電圧Voutを分圧する。分圧された電圧は、トランジスタQ4のベースに供給される。
【0012】
トランジスタQ4は、PNPトランジスタから構成される。トランジスタQ4のベースは抵抗R3と抵抗R4との接続点に接続され、エミッタは抵抗R2を介してトランジスタQ3のコレクタに接続され、コレクタはトランジスタQ5のコレクタ及びベースに接続される。
【0013】
トランジスタQ5は、NPNトランジスタから構成される。トランジスタQ5のコレクタはトランジスタQ4のコレクタ接続され、エミッタは接地端子Tgndに接続され、ベースはトランジスタQ4のコレクタ及びトランジスタQ6のベースに接続される。
【0014】
トランジスタQ6は、NPNトランジスタから構成される。トランジスタQ6のコレクタはトランジスタQ1のベースに接続され、エミッタは接地端子Tgndに接続され、ベースはトランジスタQ5のベース及びコレクタに接続されている。トランジスタQ5、Q6は、カレントミラー回路を構成しており、トランジスタQ4のコレクタ電流に応じた電流をトランジスタQ1のベースから引き込む。
【0015】
抵抗R1及びダイオードD1は、トランジスタQ3のコレクタと接地端子Tgndとの間に直列接続され、トランジスタQ4のコレクタ電流Ic4の温度補正を行う。
【0016】
トランジスタQ3はPNPトランジスタから構成されている。トランジスタQ3のエミッタは入力端子Tinに接続され、コレクタは抵抗R1、R2に接続され、ベースはトランジスタQ1のコレクタに接続されている。トランジスタQ3は、トランジスタQ1のコレクタ電位に応じた電流を抵抗R1及び抵抗R2に供給する。なお、トランジスタQ2、Q3は、トランジスタQ2のコレクタ電流をI0とすると、トランジスタQ3のコレクタ電流が(I0/n)となるように素子の面積が設定されている。
【0017】
トランジスタQ4がオフのときには、ダイオードD1の順方向電圧をVD1とすると、トランジスタQ3のコレクタ電位Vaは、
Va=VD1+R1×(I0/n)
で表わすことができる。
【0018】
抵抗R3と抵抗R4との接続点の電位をVb、トランジスタQ4のベース−エミッタ間電圧をVbe4としたとき、トランジスタQ3のコレクタ電位Vaが
Va=Vb+Vbe4
になると、トランジスタQ4がオンする。
【0019】
トランジスタQ4のコレクタ電流Ic4は、
で表すことができる。
【0020】
上記トランジスタQ4のコレクタ電流Ic4がトランジスタQ5、Q6より構成されるカレントミラー回路によりトランジスタQ1のベースより引き込まれる。これにより、トランジスタQ1のコレクタ電流が減少し、トランジスタQ2のコレクタ電流が低減し、出力電流I0が制限される。
【0021】
このとき、出力電流I0と出力電圧V0との特性は、フの字特性を示す。
【0022】
図4は従来の一例の電流−電圧特性図を示す。
【0023】
上記電源回路1で、電圧Vbが低減し、トランジスタQ4の飽和領域に入ると、トランジスタQ4のコレクタ電流Ic4が飽和する。このため、図4に示すように出力電流I0が所定の電流Icで飽和していた。
【0024】
【発明が解決しようとする課題】
しかるに、従来の電源回路1は、図4に示すような電流−電圧特性を持つため、素子によるショート電流にバラツキ、温度特性によるショート電流のバラツキが発生する。これにより電源回路毎に発熱量のバラツキが発生する。また、過電流負荷時の起動時に図4にAで示す飽和部分で、出力電圧V0の立ち上がりなだらかになるので、起動不良が発生する可能性がある。
【0025】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、電流−電圧特性を理想のフの字特性に近似できる電流制限回路及び電源回路を提供することを目的とする。
【0026】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項1は、出力電圧(Vout)に応じた検出電圧(Vb)を生成する検出回路(R3、R4)と、前記検出電圧(Vb)に応じた制御電流を生成する制御電流生成回路(Q4〜Q6)とを有し、前記制御電流に応じて出力電流を制限する電流制限回路(101)において、
前記検出回路(R3、R4)と前記制御電流生成回路(Q4〜Q6)との間に設けられ、前記制御電流生成回路(Q4〜Q6)が飽和動作しないように前記検出電圧(Vb)を制御する飽和動作防止回路(D2)を設けてなる。
【0027】
請求項2は、前記制御電流生成回路(Q4〜Q6)を、前記検出電圧(Vb)がベースに供給され、コレクタから前記制御電流を出力するトランジスタ(Q4)を含む構成とし、前記飽和動作防止回路(D2)は、前記検出電圧を前記トランジスタ(Q4)が飽和動作しないようにシフトさせるように動作させる。
【0028】
請求項3は、前記飽和動作防止回路(D2)は、前記検出回路(R3、R4)と前記トランジスタ(Q4)のベースとの間に直列に接続されたダイオードであることを特徴とする。
【0029】
請求項4は、前記制御電流生成回路(Q4、Q6)から出力される制御電流を前記飽和動作防止回路(D2)の温度特性に応じて補正する温度特性補正回路(D3)を設けてなる。
【0030】
請求項5は、出力電圧に応じて第1の検出電圧を生成する第1の検出回路(12)と、前記第1の検出電圧に応じて出力電流を前記出力電圧が一定になるように制御する制御回路(11,13)と、前記出力電圧に応じて第2の検出電圧を生成する第2の検出回路(R3、R4)と、前記第2の検出電圧に応じて制御電流を生成し、前記制御回路(11、13)を制御する制御電流生成回路(Q4〜Q6)とを有する電源回路において、
前記第2の検出回路(R3、R4)と前記制御電流生成回路(Q4〜Q6)との間に設けられ、前記制御電流生成回路(Q4〜Q6)が飽和動作しないように前記検出電圧を制御する飽和動作防止回路(D2)を設けてなる。
【0031】
本発明によれば、飽和動作防止回路(D2)により制御電流生成回路(Q4〜Q6)が飽和動作しないように前記検出電圧を制御することにより、制御電流生成回路(Q4〜Q6)が飽和動作して、出力電流を制限できなくなることがないので、出力電流を常に制限することができる。このため、所望の特性、例えば、正しいフの字特性を得ることができる。よって、出力電流のばらつきを防止でき、したがって、回路の発熱量を一定にできる。
【0032】
【発明の実施の形態】
図1は本発明の一実施例の回路構成図を示す。同図中、図3と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【0033】
本実施例の電源回路100は、電流制限回路101の構成が図3に示す従来の電源回路1と相違する。本実施例の電源制限回路101は、図3に示す従来の電流制限回路14において、抵抗R3と抵抗R4との接続点と、トランジスタQ4のベースとの間にダイオードD2を挿入するとともに、ダイオードD1と接地端子Tgndとの間にダイオードD3を挿入した構成とされている。
【0034】
ダイオードD2は、アノードがトランジスタQ4のベースに接続され、カソードが抵抗R3と抵抗R4との接続点に接続される。トランジスタQ4のベース電圧は、抵抗R3と抵抗R4との接続点の電位VbをダイオードD3の順方向電圧分だけシフトアップした電圧となる。
【0035】
このため、抵抗R3と抵抗R4との接続点の電圧Vbが「0」になったとき、トランジスタQ4のベース電圧は、ダイオードD2の順方向電圧に保持される。
このため、出力電圧V0が「0」になる前に、トランジスタQ4が飽和することがない。すなわち、出力電圧V0が「0」になる前に、出力電流I0が飽和することがない。
【0036】
ダイオードD3は、抵抗R1及びダイオードD1に直列に接続される。ダイオードD3は、ダイオードD2の温度特性による電圧変化を保証するための素子である。ダイオードD3は、ダイオードD2と略同じ温度特性を有するものを用いる。
【0037】
例えば、ダイオードD2、D3が正の温度特性を有する場合、周囲温度が上昇すると、ダイオードD2に流れる電流が増加する。このため、トランジスタQ4のコレクタ電流が増加しようとする。しかし、このとき、ダイオードD3に流れる電流が増加する。このため、トランジスタQ4のエミッタ電流が減少する。よって、トランジスタQ4のコレクタ電流Ic4には変化が現れない。
【0038】
図2は本発明の一実施例の電流−電圧特性図を示す。
【0039】
本実施例の電源回路100によれば、出力端子Toutが短絡し、抵抗R3と抵抗R4との接続点の電圧Vbが「0」、すなわち、出力電圧V0が「0」になったときに、トランジスタQ4が飽和しない。このため、図2に示すように出力電流I0と出力電圧V0との特性を理想的なフの字特性とすることができる。
【0040】
よって、ショート電流のバラツキ、温度特性によるショート電流のバラツキを低減でき、ショート電流を安定化できる。このため、電源回路毎の発熱量のバラツキを低減できる。
【0041】
なお、本実施例では、ダイオードD2、D3は、ダイオード接続されたトランジスタで構成してもよい。また、単なる抵抗であってもよい。要はトランジスタQ4のベース電圧を抵抗R3、R4の接続点からシフトアップできるものであればよい。
【0042】
【発明の効果】
上述の如く、本発明によれば、飽和動作防止回路により制御電流生成回路が飽和動作しないように前記検出電圧を制御することにより、制御電流生成回路が飽和動作して、出力電流を制限できなくなることがないので、出力電流を常に制限することができ、よって、所望の特性、例えば、理想的なフの字特性を得ることができる。このため、出力電流のばらつきを防止でき、したがって、回路の発熱量を一定にできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の回路構成図である。
【図2】本発明の一実施例の電流−電圧特性図である。
【図3】従来の一例の回路構成図である。
【図4】従来の一例の電流−電圧特性図である。
【符号の説明】
11 基準電圧生成回路
12 検出回路
13 制御回路
21 電流源
22 ツェナーダイオード
31 差動増幅回路
Q2 電流制御用トランジスタ
100 電源回路
101 電流制限回路
D2、D3 ダイオード
Claims (6)
- 出力電圧に応じた検出電圧を生成する検出回路と、前記検出電圧に応じた制御電流を生成する制御電流生成回路とを有し、前記制御電流生成回路は、前記検出電圧がベースに供給され、コレクタから前記制御電流を出力するトランジスタを含む構成とし、前記制御電流に応じて出力電流を制限する電流制限回路において、
前記検出回路と前記トランジスタのベースとの間に直列に設けられ、前記トランジスタが飽和動作しないように前記検出電圧をシフトさせる第1のダイオードと、
前記トランジスタのエミッタ側とグランドとの間にカソードをグランド側にして直列に設けられた第2のダイオード及び第3のダイオードとを有することを特徴とする電流制限回路。 - 前記第1のダイオードと前記第2のダイオードとの温度特性が同じである、請求項1に記載の電流制限回路。
- 出力電圧に応じた検出電圧を生成する検出回路と、前記検出電圧に応じた制御電流を生成する制御電流生成回路とを有し、前記制御電流生成回路は、前記検出電圧がベースに供給され、コレクタから前記制御電流を出力するトランジスタを含む構成とし、前記制御電流に応じて出力電流を制限する電流制限回路において、
前記検出回路と前記トランジスタのベースとの間に直列に設けられ、前記トランジスタが飽和動作しないように前記検出電圧をシフトさせる第1のダイオードと、
前記トランジスタのエミッタ側とグランドとの間にカソードをグランド側にして直列に設けられた第2のダイオードとを有し、
前記第1のダイオードと前記第2のダイオードとの温度特性が同じ、ことを特徴とする電流制限回路。 - 出力電圧に応じて第1の検出電圧を生成する第1の検出回路と、前記第1の検出電圧に応じて出力電流を前記出力電圧が一定になるように制御する制御回路と、前記出力電圧に応じて第2の検出電圧を生成する第2の検出回路と、前記第2の検出電圧に応じて前記制御回路を制御する制御電流生成回路とを有し、前記制御電流生成回路は、前記第2の検出電圧がベースに供給され、コレクタから制御電流を出力するトランジスタを含む構成とする電源回路において、
前記第2の検出回路と前記トランジスタのベースとの間に直列に設けられ、前記トランジスタが飽和動作しないように前記第2の検出電圧をシフトさせる第1のダイオードと、
前記トランジスタのエミッタ側とグランドとの間にカソードをグランド側にして直列に設けられた第2のダイオード及び第3のダイオードとを有することを特徴とする電源回路。 - 前記第1のダイオードと前記第2のダイオードとの温度特性が同じである、請求項4に記載の電源回路。
- 出力電圧に応じて第1の検出電圧を生成する第1の検出回路と、前記第1の検出電圧に応じて出力電流を前記出力電圧が一定になるように制御する制御回路と、前記出力電圧に応じて第2の検出電圧を生成する第2の検出回路と、前記第2の検出電圧に応じて前記制御回路を制御する制御電流生成回路とを有し、前記制御電流生成回路は、前記第2の検出電圧がベースに供給され、コレクタから制御電流を出力するトランジスタを含む構成とする電源回路において、
前記第2の検出回路と前記トランジスタのベースとの間に直列に設けられ、前記トランジスタが飽和動作しないように前記第2の検出電圧をシフトさせる第1のダイオードと、
前記トランジスタのエミッタ側とグランドとの間にカソードをグランド側にして直列に設けられた第2のダイオードとを有し、
前記第1のダイオードと前記第2のダイオードとの温度特性が同じ、ことを特徴とする電源回路。
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