JP4731152B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1に従う半導体記憶装置1の概略ブロック図である。
図7は、本発明の実施の形態2に従う半導体記憶装置1aの概略ブロック図である。
図12は、本発明の実施の形態3に従う半導体記憶装置1bの概略ブロック図である。
上記の実施の形態3においては、同一行の行アドレスが選択された場合にワード線WLBを駆動することなく、ワード線WLAのみを駆動し、ビット線対BLAPと、ビット線対BLBPとをイコライズ回路30を用いて短絡することにより適切に両ポートPAおよびPBを用いて所定の動作を実行する方式について説明した。本実施の形態4においては、イコライズ回路30を用いることなく、同一行の行アドレスが選択された場合に適切に両ポートPAおよびPBを用いて所定の動作を実行する方式について説明する。
Claims (4)
- 行列状に配置された複数のメモリセルと、行に対応して設けられた複数の第1のワード線と、行に対応して設けられた複数の第2のワード線と、列に対応して設けられた複数の第1のビット線対と、列に対応して設けられた複数の第2のビット線対とを有したメモリアレイであって、前記複数のメモリセルの各々は、互いに相補な論理状態を記憶する第1及び第2の記憶ノードと、前記第1及び第2の記憶ノードの間に接続されるフリップフロップ回路と、ゲートが対応する行の第1のワード線に接続され、対応する列の第1のビット線対の一方と前記第1の記憶ノードとを電気的に結合する第1のゲートトランジスタと、ゲートが対応する行の第1のワード線に接続され、対応する列の第1のビット線対の他方と前記第2の記憶ノードとを電気的に結合する第2のゲートトランジスタと、ゲートが対応する行の第2のワード線に接続され、対応する列の第2のビット線対の一方と前記第1の記憶ノードとを電気的に結合する第3のゲートトランジスタと、ゲートが対応する行の第2のワード線に接続され、対応する列の第2のビット線対の他方と前記第2の記憶ノードとを電気的に結合する第4のゲートトランジスタとを有したメモリアレイと、
前記メモリアレイの列に対応して設けられ、各々は対応する列の第1のビット線対と接続する第1の接続ノードと、対応する列の第2のビット線対と接続する第2の接続ノードと、前記第1の接続ノードと前記第2の接続ノードのいずれかを選択しその選択された側の接続ノードと電気的に結合する第3の接続ノードとを有した複数の切替回路と、
前記複数の第1のビット線対と電気的に結合され、その複数の第1のビット線対を介して前記メモリアレイに対してデータの読出し及びデータの書き込みを行う第1のセンスアンプ及びライトドライバと、
前記複数の切替回路のそれぞれ第3の接続ノードと電気的に結合され、前記第1及び第2接続ノードのうちの第3の接続ノードと電気的に結合した側の接続ノードに接続するビット線対を介して前記メモリアレイに対してデータの読出し及びデータの書き込みを行う第2のセンスアンプ及びライトドライバと、
前記メモリアレイの行に対応して設けられ、各々は第1の行アドレス信号に基づいて対応する行の第1のワード線を駆動する複数の第1のワードドライバユニットと、
前記メモリアレイの行に対応して設けられ、各々は第2の行アドレス信号に基づいて対応する行の第2のワード線を駆動し、前記第2の行アドレス信号が前記第1の行アドレス信号と一致するときには対応する行の第2のワード線の駆動を禁止する複数の第2のワードドライバユニットとを備え、
前記複数の第1のビット線対の一方の端に前記第1のセンスアンプ及びライトドライバが接続され、前記複数の第1のビット線対の他方の端にそれぞれ前記複数の切替回路が接続され、前記複数のメモリセルは、前記複数の第1のビット線対における前記第1のセンスアンプ及びライトドライバと前記複数の切替回路との間を接続する対応する列の第1のビット線対の経路からそれぞれ分岐して対応する列の第1のビット線対に接続されている、半導体記憶装置。 - 前記第1の行アドレス信号と前記第2の行アドレス信号とが一致しているかどうかを判定し、一致しているときは前記第1の接続ノードを選択するよう前記複数の切替回路を制御するアドレス比較回路をさらに備える、請求項1記載の半導体記憶装置。
- 前記複数の切替回路の各々は、
前記第1の接続ノードと前記第3の接続ノードとの間に接続された第1のトランスファゲートと、
前記第2の接続ノードと前記第3の接続ノードとの間に接続された第2のトランスファゲートとを有した、請求項1又は請求項2記載の半導体記憶装置。 - 前記第1の行アドレス信号をデコードして、前記複数の第1のワードドライバユニット各々を制御する第1の行選択信号を出力する第1の行デコーダと、
前記第2の行アドレス信号をデコードして、前記複数の第2のワードドライバユニット各々を制御する第2の行選択信号を出力する第2の行デコーダとをさらに備え、
前記複数の第2のワードドライバユニットの各々は、前記第1および第2の行選択信号の入力に基づいて、対応する行の前記第2のワード線の駆動を制御する、請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
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