JP4720220B2 - 炭化珪素インゴットおよびその製造方法 - Google Patents
炭化珪素インゴットおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4720220B2 JP4720220B2 JP2005065691A JP2005065691A JP4720220B2 JP 4720220 B2 JP4720220 B2 JP 4720220B2 JP 2005065691 A JP2005065691 A JP 2005065691A JP 2005065691 A JP2005065691 A JP 2005065691A JP 4720220 B2 JP4720220 B2 JP 4720220B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- single crystal
- surface layer
- crystal
- carbide single
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 202
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 202
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 212
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 144
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 113
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 71
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 28
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 28
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 23
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 22
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 14
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000003245 coal Substances 0.000 claims 2
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 claims 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 18
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 10
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 8
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 3
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
また、請求項2に記載の発明は、表面層は炭化珪素結晶よりなるとともに、炭化珪素単結晶および表面層には不純物としてアルミニウムがドープされてなり、表面層での厚さ方向におけるアルミニウム濃度が、炭化珪素単結晶の外周面でのアルミニウム濃度から傾斜をもって増加していることにより、表面層と炭化珪素単結晶とのアルミニウム濃度の差によって表面層に圧縮応力が作用していることを特徴としている。
このような構成によれば、加工時におけるクラックの発生を防止することができる。
となる。
以下、本発明を具体化した実施の形態を説明するに先立ち、第1の参考例を図面に従って説明する。
図1には本参考例における炭化珪素インゴット10を示す。また、図1において炭化珪素インゴット10を切断加工ラインにて切断(スライス)したときの平面図を図2に示す。
表面層12の膜厚に関して詳しい説明を加えると、表面層12の必要厚さは、炭化珪素単結晶11と表面層12との不純物の濃度差や不純物の種類によって誘起される応力が異なるため、一定値には決められないが、実験的に100μmあると効果が認められた。また、表面層12が厚い場合には、炭化珪素単結晶11に歪が生じたり、表面層12の形成に長時間を必要としたりなど、不具合を生じるため、2mm以下とすることが望ましい。
石英管20は、円筒状をなし、立設した状態で配置されている。この石英管20の下面開口部は蓋材21にて密閉状態で塞がれるとともに、上面開口部は蓋材22を用いて密閉状態で塞がれている。また、石英管20の外周部は二重管構造をなし、冷却水を流すことができるようになっている。このようにして、石英管20および蓋材21,22により密閉容器が構成されており、本例では真空容器として用いられる。
図5の容器24内に炭化珪素固形原料25を配置するとともに、台座27に種結晶(炭化珪素単結晶基板)1を固定して容器24の開口部に配置する。そして、ポンプ28,29を用いて石英管20の内部の気体を抜く。さらに、アルゴンガスを石英管20内に流しつつ、誘導コイル30,31による誘導加熱により容器24、炭化珪素固形原料25および種結晶1を昇温する。すると、炭化珪素固形原料25の昇華が開始され、種結晶(炭化珪素単結晶基板)1から単結晶が成長する。この成長時において窒素を導入して窒素雰囲気下でN型の炭化珪素単結晶11を成長させる。
ここで、成長終期において成長雰囲気中の窒素濃度を減少させる。詳しくは、成長終期において窒素の供給を停止する。これにより、図3に示すように、それまで成長した炭化珪素単結晶11の表面に窒素濃度の低い炭化珪素結晶よりなる表面層12が形成される(窒素濃度ngの炭化珪素単結晶11の表面に窒素濃度nsの表面層12が形成される)。その結果、図4に示すように、炭化珪素単結晶11の表面全体に、自身に圧縮応力が作用することにより炭化珪素単結晶11に引張応力が働く表面層12が形成される。
[実施例1−1]
昇華法によってSiC単結晶成長を実施した。
N型結晶基板を作製するため、雰囲気(アルゴン)ガス中に10%の窒素を混合して成長を実施した。成長時間は、50時間である。ただし、成長時間の最後の2時間は、窒素の供給を停止し、Ar雰囲気で成長を行った。
[比較例]
昇華法によってSiC単結晶成長を実施した。原料温度は2300〜2400℃、種結晶温度は2200〜2250℃、雰囲気(Ar)圧力は100〜200Paとした。
[実施例1−2]
昇華法によってSiC単結晶成長を実施した。原料温度は2300〜2400℃、種結晶温度は2200〜2250℃、雰囲気(Ar)圧力は100〜200Paとした。
この結晶(インゴット)をスライスし、ウエハ状に加工し、エッチングによってウエハ内の欠陥の分布を観察した。
このことからも、表面層12の厚さt1は、2mm以下で、炭化珪素単結晶11の直径Dの20%以下であるとよいことが分かる。
(イ)炭化珪素インゴット10においては、柱状をなす炭化珪素単結晶11における少なくとも外周面に、自身に圧縮応力が作用することにより炭化珪素単結晶11に引張応力が働く表面層12を形成した。これにより、加工時におけるクラックの発生を防止すること
ができる。
(ロ)過剰な圧縮応力は成長結晶の品質を劣化させるため不都合であり、表面層12を形成する手法も簡便であることが望ましい。この観点において、表面層12は、炭化珪素結晶よりなり、当該表面層12と炭化珪素単結晶11との不純物濃度の差によって自身に圧縮応力が作用するようにしている。これにより、容易に適切な応力の大きさに調整(コントロール)することができる。また、母相となる成長結晶(炭化珪素単結晶)から連続成長することによって簡便に表面層12を形成できる。
(ハ)不純物が窒素であり、表面層12の方が炭化珪素単結晶11よりも窒素濃度が低くなっているものを用いており、これにより、表面層12として自身に圧縮応力が作用することにより炭化珪素単結晶11に引張応力が働くようにすることができる。
(ニ)表面層12の厚さt1が100μm以上、2mm以下であり、クラックの発生防止および炭化珪素単結晶11での歪の発生抑制という観点から好ましいものとなる。
(ホ)表面層12の厚さt1が、炭化珪素単結晶11の直径Dの0.1%〜20%であり、クラックの発生防止および炭化珪素単結晶11での歪の発生抑制という観点から好ましいものとなる。
(ヘ)炭化珪素インゴットの製造方法として、成長終期において成長雰囲気中の窒素濃度を減少させ、それまで成長した炭化珪素単結晶11の表面に、窒素濃度の低い炭化珪素結晶よりなる表面層12を形成するようにした。これによって連続成長という簡便な手法にて表面層12を形成することができる。
(第1の実施の形態)
次に、第1の実施の形態を、第1の参考例との相違点を中心に説明する。
[実施例2]
昇華法によってSiC単結晶成長を実施した。成長条件は実施例1−1と同じである。実施例1−1と異なるのは、成長時間の最後の2時間、窒素を10%から0%まで徐々に減らしながら供給したことである。これによって、表面に形成される表面層(SiC層)12は緩やかな窒素濃度勾配をもつことができた。
本実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(第2の参考例)
次に、第2の参考例を、第1の参考例との相違点を中心に説明する。
そして、図8に示すように、表面層12の方が炭化珪素単結晶(成長結晶)11よりもアルミニウム濃度が高くなっている。
[実施例3]
昇華法によってSiC単結晶成長を実施した。原料温度は2300〜2400℃、種結晶温度は2200〜2250℃、雰囲気(Ar)圧力は100〜200Paとした。
具体的には、成長面側には約1mm、結晶側面側には約0.2mmのAl濃度の大きい表面層12が形成された。
この成長結晶(インゴット)を加工し、ウエハを作製したが、クラック等の発生は認められなかった。
不純物がアルミニウムであり、表面層12の方が炭化珪素単結晶11よりもアルミニウム濃度が高くなっているものを用いることにより、表面層12として自身に圧縮応力が作用することにより炭化珪素単結晶11に引張応力が働くようにすることができる。
(第2の実施の形態)
次に、第2の実施の形態を、第2の参考例との相違点を中心に説明する。
昇華法によってSiC単結晶成長を実施した。成長条件等は実施例3と同じである。異なるのは、成長時間の最後の2時間、トリメチルアルミニウムを10%から20%まで徐々に増やしながら供給したことである。これによって、表面層(SiC層)12は緩やかなアルミニウム濃度勾配をもつことができた。
本実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
蓋材21には混合ガス供給管41が貫通した状態で固定され、混合ガス供給管41により石英管20と蓋材21,22からなる真空容器の内外が連通している。混合ガス供給管41を通してモノシラン(SiH4)とプロパン(C3H8)との混合ガスを真空容器(石英管20)内に供給することができるようになっている。また、混合ガス供給管41を通してアルゴンガスと窒素ガスを真空容器(石英管20)内に供給することができるようになっている。真空容器(石英管20)内において混合ガス供給管41の上端部には筒状の容器40が接続され、外部からのガスが容器40内に導かれる。容器40の上側開口部には台座27が配置され、台座27には種結晶1が接合されている。その他の構成は図5と同じであり、同一符号を付すことによりその説明は省略する。
Claims (4)
- 柱状をなす炭化珪素単結晶(11)における少なくとも外周面に、自身に圧縮応力が作用することにより前記炭化珪素単結晶(11)に引張応力が働く表面層(12)を形成してなる炭化珪素インゴットであって、
前記表面層(12)は炭化珪素結晶よりなるとともに、前記炭化珪素単結晶(11)および前記表面層(12)には不純物として窒素がドープされてなり、
前記表面層(12)での厚さ方向における窒素濃度が、前記炭化珪素単結晶(11)の外周面での窒素濃度から傾斜をもって減少していることにより、前記表面層(12)と前記炭化珪素単結晶(11)との窒素濃度の差によって前記表面層(12)に圧縮応力が作用していることを特徴とする炭化珪素インゴット。 - 柱状をなす炭化珪素単結晶(11)における少なくとも外周面に、自身に圧縮応力が作用することにより前記炭化珪素単結晶(11)に引張応力が働く表面層(12)を形成してなる炭化珪素インゴットであって、
前記表面層(12)は炭化珪素結晶よりなるとともに、前記炭化珪素単結晶(11)および前記表面層(12)には不純物としてアルミニウムがドープされてなり、
前記表面層(12)での厚さ方向におけるアルミニウム濃度が、前記炭化珪素単結晶(11)の外周面でのアルミニウム濃度から傾斜をもって増加していることにより、前記表面層(12)と前記炭化珪素単結晶(11)とのアルミニウム濃度の差によって前記表面層(12)に圧縮応力が作用していることを特徴とする炭化珪素インゴット。 - 容器(24)内において炭化珪素固形原料(25)を加熱昇華させて種結晶(1)から炭化珪素単結晶(11)を成長させる、あるいは、容器(40)内に珪素を含むガスと炭素を含むガスを導入して加熱した種結晶(1)から炭化珪素単結晶(11)を成長させる炭化珪素インゴットの製造方法において、
成長終期において成長雰囲気中の窒素濃度を時間と共に傾斜をもって減少させ、それまで成長した炭化珪素単結晶(11)の表面に、窒素濃度の低い炭化珪素結晶よりなる表面層(12)を形成するようにしたことを特徴とする炭化珪素インゴットの製造方法。 - 容器(24)内において炭化珪素固形原料(25)を加熱昇華させて種結晶(1)から炭
化珪素単結晶(11)を成長させる、あるいは、容器(40)内に珪素を含むガスと炭素を含むガスを導入して加熱した種結晶(1)から炭化珪素単結晶(11)を成長させる炭化珪素インゴットの製造方法において、
成長終期において成長雰囲気中のアルミニウム濃度を時間と共に傾斜をもって増加させ、それまで成長した炭化珪素単結晶(11)の表面に、アルミニウム濃度の高い炭化珪素結晶よりなる表面層(12)を形成するようにしたことを特徴とする炭化珪素インゴットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005065691A JP4720220B2 (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 炭化珪素インゴットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005065691A JP4720220B2 (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 炭化珪素インゴットおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006248825A JP2006248825A (ja) | 2006-09-21 |
JP4720220B2 true JP4720220B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=37089704
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005065691A Active JP4720220B2 (ja) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | 炭化珪素インゴットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4720220B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4879686B2 (ja) * | 2006-09-21 | 2012-02-22 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット、及び炭化珪素単結晶基板 |
JP5061038B2 (ja) * | 2008-06-13 | 2012-10-31 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶の研削方法 |
JP2011071254A (ja) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 炭化珪素基板およびその製造方法 |
JP5994248B2 (ja) * | 2011-12-26 | 2016-09-21 | 住友電気工業株式会社 | インゴット、基板および基板群 |
JP2016098120A (ja) * | 2014-11-18 | 2016-05-30 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶インゴットおよび炭化珪素単結晶基板 |
JP6678437B2 (ja) * | 2015-11-26 | 2020-04-08 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶インゴットの製造方法及びSiC単結晶インゴット並びにSiC単結晶ウェハ |
JP6647040B2 (ja) * | 2015-12-28 | 2020-02-14 | 昭和電工株式会社 | 種結晶、種結晶の製造方法、SiCインゴットの製造方法及びSiCウェハの製造方法 |
EP3382067B1 (en) | 2017-03-29 | 2021-08-18 | SiCrystal GmbH | Silicon carbide substrate and method of growing sic single crystal boules |
JP7422479B2 (ja) | 2017-12-22 | 2024-01-26 | 株式会社レゾナック | SiCインゴット及びSiCインゴットの製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003104799A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3590485B2 (ja) * | 1996-08-26 | 2004-11-17 | 新日本製鐵株式会社 | 単結晶炭化珪素インゴット及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-03-09 JP JP2005065691A patent/JP4720220B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003104799A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-09 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴットおよびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006248825A (ja) | 2006-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4720220B2 (ja) | 炭化珪素インゴットおよびその製造方法 | |
KR101530057B1 (ko) | 탄화규소 단결정 기판 및 그 제조 방법 | |
CN102630257B (zh) | 碳化硅单晶的制造方法 | |
JP4585359B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2014509584A (ja) | 単結晶インゴットの製造方法およびこれによって製造された単結晶インゴットとウェハ | |
JP2004099340A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
US20230340691A1 (en) | Production method for silicon monocrystal | |
US11795576B2 (en) | Production method of silicon carbide wafer, production method of semiconductor substrate, and production method of silicon carbide semiconductor device | |
JP2024508945A (ja) | 高品質単結晶炭化ケイ素の成長方法 | |
JP5614387B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法、及び炭化珪素単結晶インゴット | |
KR102239736B1 (ko) | 탄화규소 잉곳의 제조방법 및 이에 따라 제조된 탄화규소 잉곳 | |
JP2016052961A (ja) | 炭化珪素単結晶、及びその製造方法 | |
JP6119642B2 (ja) | 半導体単結晶の製造方法 | |
JP2018080085A (ja) | 半導体シリコン単結晶の製造方法 | |
JP6335716B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
JP6334253B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの加工方法 | |
JP2012031004A (ja) | 半絶縁性GaAs単結晶ウエハ | |
JP2011079693A (ja) | 半導体単結晶の製造装置 | |
KR102236396B1 (ko) | 탄화규소 잉곳의 제조방법 및 탄화규소 잉곳 제조용 시스템 | |
JP6594148B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴット | |
JP2018080084A (ja) | 半導体シリコン単結晶の製造方法 | |
KR102346307B1 (ko) | 실리콘 단결정 제조방법 및 실리콘 단결정 웨이퍼 | |
JP2011184213A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2003137694A (ja) | 炭化珪素単結晶育成用種結晶と炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 | |
JP2009274903A (ja) | シリコン単結晶及びシリコンウェーハの製造方法並びに該方法により製造されたシリコンウェーハ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070604 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110321 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4720220 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |