JP4719697B2 - 表示装置とその製造方法 - Google Patents
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Description
そして、ソース電極とドレイン電極とが離間している空間をチャネル領域と定義し、薄膜トランジスタはチャネル領域に形成されている有機半導体層を含むように構成できる。
また、チャネル領域を取り囲みながらチャネル領域の少なくとも一部を露出させる隔壁をさらに有し、有機半導体層は隔壁の内部に位置するように構成できる。
そして、ソース電極、ドレイン電極及び画素電極は、ITO(indium tin oxide)及びIZO(indium zinc oxide)のうちのいずれか1つを含むように構成できる。
ここで、データ配線はゲート線と絶縁状態で交差するデータ線を含み、層間絶縁膜にはデータ線とドレイン電極を相互接続させるドレイン接触孔を形成することができる。
また、ドレイン電極は、円、楕円及び多角形のうちのいずれか1つの形状でなる環状であり、ソース電極は島状でドレイン電極の内部に位置するように構成できる。
そして、導電膜は、チャネル領域に入射する光を遮断するように構成できる。
また、本発明に係る表示装置は、絶縁基板と;絶縁基板上に形成されているデータ配線と;データ配線と電気的に接続されているドレイン電極と;ドレイン電極と離間するように形成され、ドレイン電極によって取り囲まれた島状のソース電極と;ソース電極と電気的に接続されている導電膜と;導電膜と電気的に接続されている画素電極とを含む。
そして、導電膜はデータ配線と同時に形成され、ドレイン電極とソース電極とが離間する空間を覆うように構成できる。
本発明に係る表示装置の製造方法は、絶縁基板上に導電膜を含むデータ配線を形成する段階と;データ配線上にソース接触孔、ドレイン接触孔及び画素接触孔を有するように層間絶縁膜を形成する段階と;層間絶縁膜上に前記ソース接触孔を通じて前記導電膜と接続されている少なくとも1つのソース電極、ソース電極と離間するようにソース電極の周縁に沿って形成されているドレイン電極、及び画素接触孔を通じて導電膜と接続されている画素電極を形成する段階とを含むことを特徴とする。
そして、ソース電極、ドレイン電極及び画素電極を形成する段階は、層間絶縁膜上に金属層を形成した後、金属層をパターニングしてソース電極と前記ドレイン電極を形成する段階と;層間絶縁膜上にITO(indium tin oxide)及びIZO(indium zinc oxide)のうちのいずれか1つを含む電極物質層を形成した後、電極物質層をパターニングして画素電極を形成する段階とを含むように構成できる。
ここで、電極物質層は、ITO(indium tin oxide)及びIZO(indiumzinc oxide)のうちのいずれか1つを含むように構成できる。
また、データ配線と絶縁状態で交差して画素領域を定義するゲート線と、ゲート線から分岐して有機半導体層上に位置するゲート電極とを含むゲート配線を形成する段階をさらに含むように構成できる。
説明に先立って、本発明の説明において、色々な種類の表示装置の中で液晶表示装置を一例として挙げて説明する。また、以下において、ある膜(層)が他の膜(層)の‘上に’形成されて(位置して)いるということは、2つの膜(層)が接している場合だけでなく、2つの膜(層)の間に他の膜(層)が存在する場合も含む。そして、以下の説明においては、液晶表示装置を構成するさまざまな構成要素の中で、従来の技術と区別される特徴の薄膜トランジスタ基板について詳細に説明し、それ以外の構成要素は従来の技術による。
本発明による薄膜トランジスタ基板100は、絶縁基板110と;絶縁基板110上に形成され、一方向に延長されているデータ線121と、データ線121から分離されている導電膜123を含むデータ配線121、123と;データ配線121、123を覆っている層間絶縁膜130と;層間絶縁膜130上に形成されているドレイン電極141、ソース電極143及び画素電極145と;ドレイン電極141とソース電極143とが離間している空間に形成されている有機半導体層150と;データ線121と絶縁状態で交差するゲート線161と、ゲート線161から分岐して有機半導体層150上に形成されているゲート電極163とを含むゲート配線161、163とを含む。
絶縁基板110上には層間絶縁膜130がデータ配線121、123を覆っている。層間絶縁膜130には、データ線121とドレイン電極141の間、ソース電極143と導電膜123の間、及び画素電極145と導電膜123の間をそれぞれ接続するためのドレイン接触孔131、ソース接触孔133、及び画素接触孔135が形成されている。導電膜123上に位置する層間絶縁膜130は、導電膜123がフローティング電極として作用することを防止し、導電膜123を平坦化する。そして、導電膜123は、ソース電極143と接続されてソース電極143の役割を果たすので、上部のゲート電極163と導電膜123の間にキャパシタンス(capacitance)Cが形成される。このようなキャパシタンスは寄生容量として作用し、薄膜トランジスタの特性を低下させる。これを最小化するために、本発明に適用される層間絶縁膜130は誘電率の低いものを用いることが好ましい。より詳しくは、1〜5の誘電率を有する層間絶縁膜130を用いることができる。
ドレイン電極141、ソース電極143及び画素電極145は、ITO(indium tinoxide)またはIZO(indium zinc oxide)などの透明な導電物質を含むことができる。一方、他の実施形態として、ドレイン電極141とソース電極143は、仕事関数が高いAl、Cr、Mo、Au、Pt、Pd、Cu、AlNdのうちの少なくともいずれか1つを利用して形成することができ、画素電極145はITOまたはIZOからなることができる。
有機半導体層150の上部には有機物質からなるゲート絶縁膜155が形成されている。有機半導体層150とゲート電極163とが直接接触するか、またはその間に無機絶縁膜が介在するように位置している場合、有機半導体層150の特性が劣化するおそれがある。ゲート絶縁膜155は、有機半導体層150とゲート電極163の直接接触を防止しながら、有機半導体層150の特性が維持されるようにする。ゲート絶縁膜155は、有機膜の単一層であるか、または有機膜と無機膜を含む複層構造とすることができる。
以下、図3a〜図6bを参照して本発明による表示装置の製造方法について説明する。図3a〜図6bは本発明による薄膜トランジスタ基板の製造方法を順に説明するための平面図と断面図である。
層間絶縁膜130が有機膜の場合には、スピンコーティングまたはスリットコーティング方法によって形成することができ、無機膜の場合には、化学気相蒸着(CVD)、プラズマ強化化学気相蒸着(PECVD)法によって形成することができる。本発明においては、導電膜123とゲート電極163の間に発生する寄生容量を最小化するために、低誘電率の有機膜で形成することが好ましく、必要に応じて無機膜をさらに含むように構成できる。そして、本発明による層間絶縁膜130は1〜5の誘電率を有するように構成できる。そして、層間絶縁膜130上に所定のパターンを有する感光性有機膜を形成し、この感光性有機膜を遮断膜として利用したエッチング工程を通じてデータ線121と導電膜123の一部を露出させるドレイン接触孔131、ソース接触孔133及び画素接触孔135を形成する。
本発明は、液晶表示装置またはOLED(organic light emitting diode)、電気泳動表示装置(electro phoretic indication display)などの表示装置に用いることができる。なお、本発明のいくつかの実施形態においては、ゲート電極が半導体層の上部に形成されている構造について説明したが、本発明はゲート電極が半導体層の下部に形成されている構造にも適用できることは勿論である。この場合、上述した導電膜の役割を果たす別途の構成要素が付加され得る。
110 絶縁基板
121 データ線
123 導電膜
130 層間絶縁膜
131 ドレイン接触孔
133 ソース接触孔
135 画素接触孔
141 ドレイン電極
143 ソース電極
145 画素電極
150 有機半導体層
155 ゲート絶縁膜
161 ゲート線
163 ゲート電極
170 保護膜
Claims (13)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されるデータ線と、前記データ線から分離されている導電膜と、
前記データ線上にドレイン接触孔、前記導電膜上にソース接触孔及び画素接触孔を有するように形成される層間絶縁膜と、
前記ソース接触孔を通じて前記導電膜と電気的に接続されている少なくとも1つのソース電極と、前記ソース電極と離間し、前記ソース電極を取り囲んで形成されているドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極とが離間している空間をチャネル領域と定義し、前記チャネル領域に形成されている半導体層と、前記半導体層上に形成されているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記チャネル領域を覆うゲート電極を含む薄膜トランジスタと、
前記データ線と絶縁状態で交差して画素領域を定義するゲート線と、前記ゲート線から分岐する前記ゲート電極とを含むゲート配線と、
前記画素接触孔を通じて前記導電膜と電気的に接続されている画素電極と、
を含むことを特徴とする表示装置。 - 前記半導体層は、有機半導体層であることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記チャネル領域を取り囲みながら前記チャネル領域を露出させる隔壁をさらに含み、
前記有機半導体層は、前記隔壁の内部に位置していることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。 - 前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記画素電極は、ITO(indium tin oxide)及びIZO(indium zinc oxide)のうちのいずれか1つを含むことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記層間絶縁膜は、1〜5の誘電率を有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記ドレイン電極は、円、楕円及び多角形のうちのいずれか1つの形状でなる環状であり、前記ソース電極は島(island)状で前記ドレイン電極の内部に位置していることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記導電膜は、前記チャネル領域に入射する光を遮断することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 絶縁基板上にデータ線と、前記データ線から分離されている導電膜を形成する段階と、
前記データ線上にドレイン接触孔、前記導電膜上にソース接触孔及び画素接触孔を有するように層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に、前記ソース接触孔を通じて前記導電膜と接続されている少なくとも1つのソース電極、前記ソース電極と離間し前記ソース電極を取り囲みながら前記ソース電極を露出させるドレイン電極、及び前記画素接触孔を通じて前記導電膜と接続されている画素電極を形成する段階と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極とが離間している空間をチャネル領域と定義し、前記チャネル領域に半導体層を形成する段階と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記データ配線と絶縁交差して画素領域を定義するゲート線と、前記ゲート線から分岐して前記チャネル領域を覆うゲート電極とを含むゲート配線を形成する段階と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記画素電極を形成する段階は、
前記層間絶縁膜上に金属層を形成した後、前記金属層をパターニングして前記ソース電極と前記ドレイン電極を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上にITO(indium tin oxide)及びIZO(indium zinc oxide)のうちのいずれか1つを含む電極物質層を形成した後、前記電極物質層をパターニングして前記画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項8に記載の表示装置の製造方法。 - 前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記画素電極を形成する段階は、
前記層間絶縁膜上に電極物質層を形成する段階と、
前記電極物質層をパターニングして前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記画素電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項8に記載の表示装置の製造方法。 - 前記電極物質層は、ITO(indium tin oxide)及びIZO(indium zinc oxide)のうちのいずれか1つを含むことを特徴とする請求項10に記載の表示装置の製造方法。
- 前記層間絶縁膜は、1〜5の誘電率を有する有機膜を含むことを特徴とする請求項8に記載の表示装置の製造方法。
- 前記半導体層は、有機半導体層であることを特徴とする請求項8に記載の表示装置の製造方法。
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US8879013B2 (en) * | 2011-12-26 | 2014-11-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Thin-film transistor liquid crystal display device, substrate, and manufacturing method |
JP6175244B2 (ja) * | 2012-02-09 | 2017-08-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
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JP2016146422A (ja) * | 2015-02-09 | 2016-08-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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KR102410524B1 (ko) * | 2015-07-03 | 2022-06-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102367215B1 (ko) * | 2015-08-31 | 2022-02-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
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US11827459B2 (en) * | 2020-10-16 | 2023-11-28 | Artimus Robotics Inc. | Control of conveyor systems using hydraulically amplified self-healing electrostatic (HASEL) actuators |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002190605A (ja) * | 2000-10-12 | 2002-07-05 | Sanyo Electric Co Ltd | トランジスタ及びそれを備える表示装置 |
JP2004048036A (ja) * | 1994-08-31 | 2004-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2004087682A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Chi Mei Electronics Corp | 薄膜トランジスタ、画像表示素子および画像表示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5414283A (en) * | 1993-11-19 | 1995-05-09 | Ois Optical Imaging Systems, Inc. | TFT with reduced parasitic capacitance |
JPH08160469A (ja) | 1994-08-31 | 1996-06-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP3356429B2 (ja) | 2000-04-11 | 2002-12-16 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置および液晶プロジェクタ装置 |
WO2002084756A1 (en) * | 2001-04-10 | 2002-10-24 | Sarnoff Corporation | Method and apparatus for providing a high-performance active matrix pixel using organic thin-film transistors |
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JP4945885B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2012-06-06 | 大日本印刷株式会社 | 有機半導体材料、有機半導体装置、装置、及び有機半導体構造物の製造方法 |
US20060131669A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Douglas Albagli | Thin film transistor for imaging system |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004048036A (ja) * | 1994-08-31 | 2004-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP2002190605A (ja) * | 2000-10-12 | 2002-07-05 | Sanyo Electric Co Ltd | トランジスタ及びそれを備える表示装置 |
JP2004087682A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-03-18 | Chi Mei Electronics Corp | 薄膜トランジスタ、画像表示素子および画像表示装置 |
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