JP4619004B2 - プログラマブル導電ランダムアクセスメモリ及びその検知方法 - Google Patents
プログラマブル導電ランダムアクセスメモリ及びその検知方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4619004B2 JP4619004B2 JP2003570359A JP2003570359A JP4619004B2 JP 4619004 B2 JP4619004 B2 JP 4619004B2 JP 2003570359 A JP2003570359 A JP 2003570359A JP 2003570359 A JP2003570359 A JP 2003570359A JP 4619004 B2 JP4619004 B2 JP 4619004B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- line
- variable resistance
- resistance memory
- digit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0009—RRAM elements whose operation depends upon chemical change
- G11C13/0011—RRAM elements whose operation depends upon chemical change comprising conductive bridging RAM [CBRAM] or programming metallization cells [PMCs]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
- G11C2013/0042—Read using differential sensing, e.g. bit line [BL] and bit line bar [BLB]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/004—Reading or sensing circuits or methods
- G11C2013/0054—Read is performed on a reference element, e.g. cell, and the reference sensed value is used to compare the sensed value of the selected cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/0069—Writing or programming circuits or methods
- G11C2013/009—Write using potential difference applied between cell electrodes
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/79—Array wherein the access device being a transistor
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Dram (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Programmable Controllers (AREA)
Description
Claims (56)
- 可変抵抗記憶素子の格納された値を検知する方法であって、
ディジットライン及びディジット相補ラインを、予め設定された電圧値にプリチャージし、
前記可変抵抗記憶素子と前記ディジットラインとの間に結合されたアクセストランジスタに、前記可変抵抗記憶素子を読み出すのに十分であるが、前記可変抵抗記憶素子をプログラムするのに不十分であるゲート電圧を印加し、
前記ディジットラインの電圧と、前記ディジット相補ラインの電圧とを比較して、前記可変抵抗記憶素子の論理状態を抵抗レベルで決定することを特徴とする方法。 - 前記プリチャージを実行する際に、前記ディジットライン及び前記ディジット相補ラインを約Vddにプリチャージすることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記プリチャージを実行する際に、プリチャージ制御信号をプリチャージ回路で受信するとともに、前記ディジットライン及び前記ディジット相補ラインを約Vddに結合することを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記プリチャージを実行する際に、前記ディジットラインの電圧と前記ディジット相補ラインの電圧とを等しくすることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記起動を実行する際に、前記アクセストランジスタのゲートに結合した行ラインを起動することを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記比較を実行する前の予め設定された期間中に前記ディジットラインの電圧をディスチャージすることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記ディスチャージを実行する際に、前記予め設定された電圧に更なる電圧を加えたものにほぼ等しい電圧値から前記ディジットラインの電圧をディスチャージすることを特徴とする請求項6記載の方法。
- 前記更なる電圧が、前記アクセストランジスタに結合した前記ディジットラインと行ラインとの間の寄生容量に起因することを特徴とする請求項7記載の方法。
- 前記可変抵抗記憶素子の低抵抗レベルを読み出すことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記可変抵抗記憶素子に低抵抗レベルを再書込みすることを特徴とする請求項9記載の方法。
- 前記可変抵抗記憶素子の高抵抗レベルを読み出すことを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記可変抵抗記憶素子の第2端子に電圧を印加し、その電圧を0Vと予め設定された電圧との間とすることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 前記印加を実行する際に、前記電圧をセルプレートに印加して、前記可変抵抗記憶素子の前記第2端子に結合することを特徴とする請求項12記載の方法。
- 可変抵抗メモリセルを読み出す方法であって、
前記可変抵抗メモリセルの抵抗素子の第1部分に結合した前記可変抵抗メモリセルのセルプレートの電圧を、第1の予め設定された電圧に設定し、
前記可変抵抗メモリセルのアクセストランジスタの第1端子及び基準導体を、第2の予め設定された電圧にチャージし、前記第1端子を前記可変抵抗メモリセルの列ラインに結合し、前記トランジスタの第2端子を前記抵抗素子の第2部分に結合し、前記第1端子及び前記基準導体を、コンパレータの入力に結合し、
前記可変抵抗メモリセルを読み出すために、前記アクセストランジスタのゲートを、第3の予め設定された電圧にチャージし、前記ゲートを、前記可変抵抗メモリセルの行ラインに結合し、前記第3の予め設定された電圧が、前記可変抵抗メモリセルを読み出すのに十分であるが前記可変抵抗メモリセルをプログラムするのに不十分であり、
前記第1端子を、前記抵抗素子を通じて、前記予め設定された電圧からディスチャージし、
前記可変抵抗メモリセルの論理状態を決定するために、ディスチャージを実行した後の予め設定された期間中に前記第1端子の電圧と前記第2の予め設定された電圧とを比較することを特徴とする方法。 - 前記第2の予め設定された電圧を、前記第1の予め設定された電圧より高くすることを特徴とする請求項14記載の方法。
- 前記放電を実行する際に、前記第1端子を、前記第2の予め設定された電圧と僅かにことなる第4の予め設定された電圧からディスチャージし、前記第4の予め設定された電圧が、前記列ラインに関連した寄生容量に起因することを特徴とする請求項14記載の方法。
- 前記第3の予め設定された電圧を、前記可変抵抗メモリセルが読み出された後に前記可変抵抗メモリセルに前記抵抗レベルを再書込みするのに十分なレベルにチャージすることを特徴とする請求項14記載の方法。
- 前記チャージを実行する際に、前記第3の予め設定された電圧を前記第2の予め設定された電圧まで増大することを特徴とする請求項17記載の方法。
- 前記増大を実行する際に、前記第3の予め設定された電圧のレベルを約Vddまで増大することを特徴とする請求項18記載の方法。
- 前記可変抵抗メモリセルに前記高抵抗レベルを再書込みすることを特徴とする請求項17記載の方法。
- 前記設定を行う際に、前記セルプレートの電圧を約Vddに設定することを特徴とする請求項14記載の方法。
- 前記設定を行う際に、前記セルプレートの電圧を約Vdd/2に設定することを特徴とする請求項14記載の方法。
- トランジスタの第1端子をチャージする際に、前記第1端子及び前記基準導体を約Vddにチャージすることを特徴とする請求項14記載の方法。
- ゲートをチャージする際に、前記抵抗素子を読み出すのに十分である値であるが前記可変抵抗メモリセルをプログラムすることができる値より下の値に前記ゲートをチャージすることを特徴とする請求項14記載の方法。
- 前記ゲートをチャージする際に、前記ゲートを、前記第1の予め設定された電圧と前記第2の予め設定された電圧との間の電圧レベルにチャージすることを特徴とする請求項24記載の方法。
- 前記第1端子をディスチャージする際に、前記第1端子を、約Vddに更なる電圧を加えたものからディスチャージすることを特徴とする請求項16記載の方法。
- 前記第1端子をディスチャージする際に、前記第1端子を、約Vddに約0.1Vを加えたものからディスチャージすることを特徴とする請求項26記載の方法。
- 前記比較を実行する際に、前記ディスチャージの実行の開始後の約15〜30nsに前記第1端子の電圧と前記第2の予め設定された電圧とを比較することを特徴とする請求項14記載の方法。
- 前記可変抵抗メモリセルが論理ハイ状態を有するのを決定することを特徴とする請求項14記載の方法。
- 前記可変抵抗メモリセルが論理ロー状態を有するのを決定することを特徴とする請求項14記載の方法。
- 可変抵抗メモリセルの格納された値を検知する方法であって、
前記可変抵抗メモリセルのアクセストランジスタの第1端子に結合したディジットラインを、第1の予め設定した電圧にプリチャージし、
前記可変抵抗メモリセルのセルプレートを第2の予め設定された電圧にチャージし、前記第2の予め設定された電圧を、0Vと前記第1の予め設定された電圧との間とし、
前記アクセストランジスタのゲートに結合した行ラインに第3の予め設定された電圧を印加して、前記可変抵抗メモリセルの両端間の結果的に得られる電圧が、前記可変抵抗メモリセルの論理状態を読み出すのに十分であるが、前記可変抵抗メモリセルをプログラムするのには不十分であることを特徴とする方法。 - 可変抵抗メモリセルの格納された値を検知する方法であって、
ディジットラインを基準電圧値にプリチャージし、前記ディジットラインを、前記可変抵抗メモリセルのアクセストランジスタの第1端子に結合し、
前記可変抵抗メモリセルのセルプレートを第1の予め設定された電圧にチャージし、前記第1の予め設定された電圧を、0Vと前記基準電圧値との間の値とし、
前記可変抵抗メモリセルの行ラインを、第2の予め設定された電圧を印加することによって起動し、前記第2の予め設定された電圧が、前記可変抵抗メモリセルを読み出すのに十分であるが、前記可変抵抗メモリセルをプログラムするのに不十分であり、
前記可変抵抗メモリセルの論理状態を決定するために、前記ディジットラインで読み出された電圧と、前記基準電圧とを比較することを特徴とする方法。 - 可変抵抗メモリ構造であって、
ディジットライン及びディジット相補ラインと、
読出し動作前に、前記ディジットライン及びディジット相補ラインを、予め設定された電圧値にプリチャージする回路と、
読出し動作中に可変抵抗記憶素子を前記ディジットラインに結合するアクセストランジスタと、
当該可変抵抗メモリ構造を読み出すのに十分であるが、前記可変抵抗メモリ構造をプログラムするのに不十分である、前記アクセストランジスタのゲート電圧を供給する行ラインと、
前記読出し動作中に前記ディジットラインの電圧と前記ディジット相補ラインの電圧とを比較して、前記可変抵抗記憶素子の論理状態を抵抗レベルで決定するセンス増幅器とを具えることを特徴とする可変抵抗メモリ構造。 - 前記予め設定された電圧を約Vddとしたことを特徴とする請求項33記載の構造。
- 前記可変抵抗記憶素子が、第1及び第2電極を有するカルコゲニドガラスを含むことを特徴とする請求項33記載の構造。
- 前記カルコゲニドガラスがGe,Se及びAg組成を有することを特徴とする請求項35記載の構造。
- 前記ディジットラインと前記メモリ構造の行ラインとの間に可変寄生容量を更に具え、前記読出し動作中、前記可変寄生容量によって、前記ディジットラインが、前記予め設定された電圧より高い電圧レベルにチャージされることを特徴とする請求項33記載の構造。
- 前記ディジット相補ラインを、前記可変抵抗メモリセルに関連するメモリアレイとは異なるメモリアレイに関連させることを特徴とする請求項33記載の構造。
- 前記ディジットライン及び前記ディジット相補ラインを前記予め設定された電圧に等しくする等化回路を更に具えることを特徴とする請求項33記載の構造。
- 可変抵抗記憶素子と、
列ラインと、
行ラインと、
前記プログラマブル導電記憶素子の第1端子に第1電圧を印加する導体と、
前記行ラインに印加されるゲート電圧に応答して前記可変抵抗記憶素子の他の端子に前記列ラインを選択的に結合するトランジスタであって、前記ゲート電圧が、前記可変抵抗記憶素子を読み出すのに十分であるが、前記可変抵抗記憶素子をプログラムするのに不十分である、トランジスタと、
前記列ライン及び基準導体に結合したセンス増幅器と、
前記行ラインにゲート電圧を印加する前に、前記列ライン及び基準導体を、予め設定された電圧にプリチャージするプリチャージ回路とを具え、
前記センス増幅器が、前記ゲート電圧を前記行ラインに印加した後に前記可変抵抗記憶素子の抵抗値を決定するために前記列ラインの電圧と基準ラインの電圧とを比較することを特徴とする半導体メモリ。 - 前記第1電圧を、0Vと約Vddとの間の電圧としたことを特徴とする請求項40記載のメモリ。
- 前記可変抵抗記憶素子が、第1及び第2電極を有するカルコゲニドガラスを含むことを特徴とする請求項40記載のメモリ。
- 前記カルコゲニドガラスがGe,Se及びAg組成を有することを特徴とする請求項42記載のメモリ。
- 前記列ラインに関連した可変寄生容量を更に具え、前記可変寄生容量によって、前記列ラインが、前記行ラインに印加される前記ゲート電圧に応答して前記プリチャージ回路によって印加される前記予め設定された電圧より高い電圧レベルにチャージされることを特徴とする請求項40記載のメモリ。
- 前記可変寄生容量によって、前記列ラインが、前記プリチャージ回路によって印加される前記予め設定された電圧より高い約0.1Vにチャージされることを特徴とする請求項44記載のメモリ。
- 前記センス増幅器が、
Nセンス増幅器と、
前記Nセンス増幅器に結合されたPセンス増幅器とを具え、
前記Nセンス増幅器及び前記Pセンス増幅器が、前記列ラインの電圧値と前記基準導体の電圧値とを比較することを特徴とする請求項40記載のメモリ。 - 前記基準導体を、前記記憶素子に関連したメモリアレイと異なるメモリアレイに関連させることを特徴とする請求項40記載のメモリ。
- 前記基準導体に関連したダミー行ラインを更に具え、前記ダミー行ラインが、通常はダミー行ライン電圧で起動され、前記ゲート電圧が前記行ラインに印加されると、前記ダミー行ラインが不作動状態になり、前記基準導体の前記予め設定された電圧が、前記ダミー行ラインに関連した列ラインの寄生容量によって減少することを特徴とする請求項40記載のメモリ。
- プロセッサと、
前記プロセッサに結合した可変抵抗記憶素子からなる半導体メモリ構造とを具え、
前記半導体メモリ構造が、
ディジットライン及びディジット相補ラインと、
読出し動作前に、前記ディジットライン及び前記ディジット相補ラインを、予め設定された電圧値にプリチャージする回路と、
読出し動作中に前記可変抵抗記憶素子を前記ディジットラインに結合するアクセストランジスタと、
前記可変抵抗記憶素子を読み出すのに十分であるが、前記可変抵抗記憶素子をプログラムするのに不十分である、前記アクセストランジスタのゲート電圧を供給する行ラインと、
前記可変抵抗記憶素子の論理状態を抵抗レベルで決定するために前記読出し動作中に前記ディジットラインの電圧と前記ディジット相補ラインの電圧とを比較するセンス増幅器とを具えることを特徴とするプロセッサシステム。 - 前記予め設定された電圧を約Vddとしたことを特徴とする請求項49記載のシステム。
- 前記可変抵抗記憶素子が、第1及び第2電極を有するカルコゲニドガラスを含むことを特徴とする請求項49記載のシステム。
- 前記カルコゲニドガラスがGe,Se及びAg組成を有することを特徴とする請求項51記載のシステム。
- 前記可変抵抗記憶素子の前記ディジットラインと行ラインとの間の可変寄生容量を更に具え、前記可変寄生容量によって、前記ディジットラインが、前記読出し動作中に前記予め設定された電圧より高い電圧レベルにチャージされることを特徴とする請求項49記載のシステム。
- 前記ディジット相補ラインを、前記可変抵抗記憶素子に関連したメモリアレイと異なるメモリアレイに関連させることを特徴とする請求項49記載のシステム。
- プロセッサと、
前記プロセッサに結合した半導体メモリとを具え、
前記半導体メモリが、
可変抵抗記憶素子と、
列ラインと、
行ラインと、
前記可変抵抗記憶素子の第1端子に第1電圧を印加する導体と、
前記行ラインに印加されるゲート電圧に応答して、前記可変抵抗記憶素子の他の端子に前記列ラインを選択的に結合するトランジスタであって、前記ゲート電圧が、前記可変抵抗記憶素子を読み出すのに十分であるが、前記可変抵抗記憶素子をプログラムするのに不十分である、トランジスタと、
前記列ライン及び基準導体に結合したセンス増幅器と、
前記行ラインにゲート電圧を印加する前に、前記列ライン及び基準導体を、予め設定された電圧にプリチャージするプリチャージ回路とを有し、
前記センス増幅器が、前記ゲート電圧が前記行ラインに印加された後に前記可変抵抗記憶素子の抵抗値を決定するために前記列ラインの電圧と基準ラインの電圧とを比較することを特徴とするプロセッサシステム。 - 可変抵抗記憶素子からなる半導体メモリセルを読み出す方法であって、
ディジットライン及びディジット相補ラインを、予め設定された電圧値にプリチャージし、
前記可変抵抗記憶素子と前記ディジットラインとの間に結合されたアクセストランジスタに、前記可変抵抗記憶素子を読み出すのに十分であるが、前記可変抵抗記憶素子をプログラムするのに不十分であるゲート電圧を印加し、
前記ディジットラインの電圧と、前記ディジット相補ラインの電圧とを比較して、前記可変抵抗記憶素子の論理状態を抵抗レベルで決定することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/076,486 US6791885B2 (en) | 2002-02-19 | 2002-02-19 | Programmable conductor random access memory and method for sensing same |
PCT/US2003/003674 WO2003071549A1 (en) | 2002-02-19 | 2003-02-10 | Programmable conductor random access memory and method for sensing same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005518627A JP2005518627A (ja) | 2005-06-23 |
JP4619004B2 true JP4619004B2 (ja) | 2011-01-26 |
Family
ID=27732505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003570359A Expired - Fee Related JP4619004B2 (ja) | 2002-02-19 | 2003-02-10 | プログラマブル導電ランダムアクセスメモリ及びその検知方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6791885B2 (ja) |
EP (1) | EP1476877B1 (ja) |
JP (1) | JP4619004B2 (ja) |
KR (1) | KR100626508B1 (ja) |
CN (2) | CN101261880B (ja) |
AT (1) | ATE396482T1 (ja) |
AU (1) | AU2003210901A1 (ja) |
DE (1) | DE60321138D1 (ja) |
TW (1) | TW587250B (ja) |
WO (1) | WO2003071549A1 (ja) |
Families Citing this family (93)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7102150B2 (en) | 2001-05-11 | 2006-09-05 | Harshfield Steven T | PCRAM memory cell and method of making same |
US6951805B2 (en) * | 2001-08-01 | 2005-10-04 | Micron Technology, Inc. | Method of forming integrated circuitry, method of forming memory circuitry, and method of forming random access memory circuitry |
US6881623B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-04-19 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices, method of forming a programmable memory cell of memory circuitry, and a chalcogenide comprising device |
US6955940B2 (en) | 2001-08-29 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices |
US6646902B2 (en) | 2001-08-30 | 2003-11-11 | Micron Technology, Inc. | Method of retaining memory state in a programmable conductor RAM |
US6998696B2 (en) * | 2001-09-21 | 2006-02-14 | Casper Michael D | Integrated thin film capacitor/inductor/interconnect system and method |
US6560155B1 (en) * | 2001-10-24 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | System and method for power saving memory refresh for dynamic random access memory devices after an extended interval |
US6791859B2 (en) | 2001-11-20 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Complementary bit PCRAM sense amplifier and method of operation |
US6909656B2 (en) * | 2002-01-04 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | PCRAM rewrite prevention |
US6867064B2 (en) * | 2002-02-15 | 2005-03-15 | Micron Technology, Inc. | Method to alter chalcogenide glass for improved switching characteristics |
US6791885B2 (en) | 2002-02-19 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor random access memory and method for sensing same |
US7151273B2 (en) | 2002-02-20 | 2006-12-19 | Micron Technology, Inc. | Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory |
US6864500B2 (en) * | 2002-04-10 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor memory cell structure |
US6731528B2 (en) * | 2002-05-03 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Dual write cycle programmable conductor memory system and method of operation |
US6825135B2 (en) | 2002-06-06 | 2004-11-30 | Micron Technology, Inc. | Elimination of dendrite formation during metal/chalcogenide glass deposition |
US6890790B2 (en) * | 2002-06-06 | 2005-05-10 | Micron Technology, Inc. | Co-sputter deposition of metal-doped chalcogenides |
US7364644B2 (en) | 2002-08-29 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | Silver selenide film stoichiometry and morphology control in sputter deposition |
US6864521B2 (en) | 2002-08-29 | 2005-03-08 | Micron Technology, Inc. | Method to control silver concentration in a resistance variable memory element |
US7010644B2 (en) | 2002-08-29 | 2006-03-07 | Micron Technology, Inc. | Software refreshed memory device and method |
US7800932B2 (en) * | 2005-09-28 | 2010-09-21 | Sandisk 3D Llc | Memory cell comprising switchable semiconductor memory element with trimmable resistance |
US7022579B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-04-04 | Micron Technology, Inc. | Method for filling via with metal |
US7050327B2 (en) * | 2003-04-10 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Differential negative resistance memory |
US6870784B2 (en) * | 2003-05-28 | 2005-03-22 | Micron Technology, Inc. | Integrated charge sensing scheme for resistive memories |
US6903361B2 (en) * | 2003-09-17 | 2005-06-07 | Micron Technology, Inc. | Non-volatile memory structure |
US7050319B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Memory architecture and method of manufacture and operation thereof |
JP4385778B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2009-12-16 | ソニー株式会社 | 記憶装置 |
US7583551B2 (en) | 2004-03-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Power management control and controlling memory refresh operations |
DE102004018859B3 (de) * | 2004-04-19 | 2005-09-15 | Infineon Technologies Ag | Verwendung einer Speicherschaltung zum Bereitstellen einer Information für eine vorgegebene Zeitdauer |
US7326950B2 (en) | 2004-07-19 | 2008-02-05 | Micron Technology, Inc. | Memory device with switching glass layer |
KR100610008B1 (ko) * | 2004-07-19 | 2006-08-08 | 삼성전자주식회사 | 버스트 리드동작에 적합한 상변화 메모리 장치 및 그에따른 데이터 리딩방법 |
US7354793B2 (en) | 2004-08-12 | 2008-04-08 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a PCRAM device incorporating a resistance-variable chalocogenide element |
US7365411B2 (en) | 2004-08-12 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory with temperature tolerant materials |
DE102004045219B4 (de) * | 2004-09-17 | 2011-07-28 | Qimonda AG, 81739 | Anordnung und Verfahren zum Auslesen von Widerstandsspeicherzellen |
JP2006114087A (ja) | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Sony Corp | 記憶装置及び半導体装置 |
JP2006134398A (ja) | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Sony Corp | 記憶装置及び半導体装置 |
DE102004061548A1 (de) * | 2004-12-21 | 2006-06-29 | Infineon Technologies Ag | Integration von 1T1R-CBRAM-Speicherzellen |
US7374174B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-05-20 | Micron Technology, Inc. | Small electrode for resistance variable devices |
US20060131555A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable devices with controllable channels |
DE102005001253A1 (de) * | 2005-01-11 | 2006-07-20 | Infineon Technologies Ag | Speicherzellenanordnung, Verfahren zu deren Herstellung und Halbleiterspeichereinrichtung |
US7317200B2 (en) | 2005-02-23 | 2008-01-08 | Micron Technology, Inc. | SnSe-based limited reprogrammable cell |
US7505309B2 (en) * | 2005-04-20 | 2009-03-17 | Micron Technology, Inc. | Static RAM memory cell with DNR chalcogenide devices and method of forming |
US7709289B2 (en) | 2005-04-22 | 2010-05-04 | Micron Technology, Inc. | Memory elements having patterned electrodes and method of forming the same |
US7427770B2 (en) | 2005-04-22 | 2008-09-23 | Micron Technology, Inc. | Memory array for increased bit density |
JP4428284B2 (ja) * | 2005-04-25 | 2010-03-10 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置およびその書込み方法 |
JP4475174B2 (ja) * | 2005-06-09 | 2010-06-09 | ソニー株式会社 | 記憶装置 |
US7274034B2 (en) | 2005-08-01 | 2007-09-25 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable memory device with sputtered metal-chalcogenide region and method of fabrication |
US7332735B2 (en) | 2005-08-02 | 2008-02-19 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory cell and method of formation |
US7579615B2 (en) | 2005-08-09 | 2009-08-25 | Micron Technology, Inc. | Access transistor for memory device |
US7251154B2 (en) | 2005-08-15 | 2007-07-31 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus providing a cross-point memory array using a variable resistance memory cell and capacitance |
US7254073B2 (en) * | 2005-09-29 | 2007-08-07 | Infineon Technologies Ag | Memory device having an array of resistive memory cells |
KR100674997B1 (ko) * | 2005-10-15 | 2007-01-29 | 삼성전자주식회사 | 상 변화 메모리 장치 및 상 변화 메모리 장치의 독출 동작제어방법 |
DE102006052397B4 (de) * | 2005-11-07 | 2009-12-31 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher, nichflüchtiges Halbleiterspeicherelement, Verfahren zum Lesen einer Phasenwechsel-Speicherzelle und System |
KR100745600B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 상 변화 메모리 장치 및 그것의 읽기 방법 |
US7369424B2 (en) * | 2005-11-09 | 2008-05-06 | Industrial Technology Research Institute | Programmable memory cell and operation method |
US20070195580A1 (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-23 | Heinz Hoenigschmid | Memory circuit having a resistive memory cell and method for operating such a memory circuit |
DE102006008492B4 (de) * | 2006-02-23 | 2008-09-11 | Infineon Technologies Ag | Speicherschaltung mit einer Widerstandsspeicherzelle und Verfahren zum Betreiben einer solchen Speicherschaltung |
EP1835509A1 (de) | 2006-03-14 | 2007-09-19 | Qimonda AG | Speicherzelle, Speicher mit einer Speicherzelle und Verfahren zum Einschreiben von Daten in eine Speicherzelle |
DE102006011688B4 (de) * | 2006-03-14 | 2008-09-11 | Infineon Technologies Ag | Speicherzelle, Speicher mit einer Speicherzelle und Verfahren zum Einschreiben von Daten in eine Speicherzelle |
US7450414B2 (en) * | 2006-07-31 | 2008-11-11 | Sandisk 3D Llc | Method for using a mixed-use memory array |
US20080025069A1 (en) * | 2006-07-31 | 2008-01-31 | Scheuerlein Roy E | Mixed-use memory array with different data states |
US7486537B2 (en) * | 2006-07-31 | 2009-02-03 | Sandisk 3D Llc | Method for using a mixed-use memory array with different data states |
US7869253B2 (en) * | 2006-08-21 | 2011-01-11 | Qimonda Ag | Method of determining a memory state of a resistive memory cell and device measuring the memory state of a resistive memory cell |
US7560723B2 (en) | 2006-08-29 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Enhanced memory density resistance variable memory cells, arrays, devices and systems including the same, and methods of fabrication |
US7505348B2 (en) * | 2006-10-06 | 2009-03-17 | International Business Machines Corporation | Balanced and bi-directional bit line paths for memory arrays with programmable memory cells |
KR100781550B1 (ko) | 2006-11-08 | 2007-12-03 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 장치 및 그 파이어링 방법 |
US7619917B2 (en) * | 2006-11-28 | 2009-11-17 | Qimonda North America Corp. | Memory cell with trigger element |
US7382647B1 (en) * | 2007-02-27 | 2008-06-03 | International Business Machines Corporation | Rectifying element for a crosspoint based memory array architecture |
TWI334604B (en) * | 2007-06-25 | 2010-12-11 | Ind Tech Res Inst | Sensing circuits of phase change memory |
KR101374319B1 (ko) * | 2007-08-24 | 2014-03-17 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 그것의 동작 방법 |
US7890892B2 (en) | 2007-11-15 | 2011-02-15 | International Business Machines Corporation | Balanced and bi-directional bit line paths for memory arrays with programmable memory cells |
WO2009070633A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. | Read reference circuit for a sense amplifier within a chalcogenide memory device |
ATE546360T1 (de) | 2007-11-30 | 2012-03-15 | Bae Systems Plc | Verbesserungen im zusammenhang mit temperaturüberwachung |
US7729163B2 (en) * | 2008-03-26 | 2010-06-01 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory |
US7881100B2 (en) * | 2008-04-08 | 2011-02-01 | Micron Technology, Inc. | State machine sensing of memory cells |
US8467236B2 (en) | 2008-08-01 | 2013-06-18 | Boise State University | Continuously variable resistor |
US7825479B2 (en) | 2008-08-06 | 2010-11-02 | International Business Machines Corporation | Electrical antifuse having a multi-thickness dielectric layer |
CN101393769B (zh) * | 2008-10-23 | 2013-10-16 | 复旦大学 | 电阻存储器的激活操作方法 |
KR101201858B1 (ko) | 2010-08-27 | 2012-11-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
KR101201857B1 (ko) | 2010-08-27 | 2012-11-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 데이터 읽기방법 |
US8194441B2 (en) * | 2010-09-23 | 2012-06-05 | Micron Technology, Inc. | Phase change memory state determination using threshold edge detection |
US8750018B2 (en) * | 2012-06-04 | 2014-06-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Sense amplifier circuitry for resistive type memory |
US20140293676A1 (en) * | 2013-03-03 | 2014-10-02 | Adesto Technologies Corporation | Programmable impedance memory elements and corresponding methods |
US9633708B2 (en) | 2013-12-05 | 2017-04-25 | Tohoku University | Semiconductor storage device using STT-MRAM |
US9286975B2 (en) * | 2014-03-11 | 2016-03-15 | Intel Corporation | Mitigating read disturb in a cross-point memory |
CN104766627B (zh) * | 2015-04-21 | 2018-05-08 | 中国科学院微电子研究所 | 一种抗读干扰的阻变存储器读方法 |
CN105609142B (zh) * | 2016-03-10 | 2018-07-31 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 嵌入式闪存的检测电路和微调方法、嵌入式闪存 |
US9640250B1 (en) * | 2016-05-16 | 2017-05-02 | Qualcomm Incorporated | Efficient compare operation |
US10304514B2 (en) * | 2017-07-05 | 2019-05-28 | Micron Technology, Inc. | Self-reference sensing for memory cells |
WO2019112068A1 (ja) | 2017-12-08 | 2019-06-13 | 国立大学法人東北大学 | 抵抗変化型素子を備えた記憶回路及びセンスアンプ |
CN111433852A (zh) * | 2017-12-12 | 2020-07-17 | 索尼半导体解决方案公司 | 半导体电路和半导体电路*** |
US10403336B2 (en) | 2017-12-28 | 2019-09-03 | Micron Technology, Inc. | Techniques for precharging a memory cell |
US10438657B2 (en) * | 2018-02-28 | 2019-10-08 | Sandisk Technologies Llc | Resistance and gate control in decoder circuits for read and write optimization |
US11705176B2 (en) | 2020-08-07 | 2023-07-18 | Tohoku University | Storage circuit provided with variable resistance type elements, and its test device |
Family Cites Families (196)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3271591A (en) | 1963-09-20 | 1966-09-06 | Energy Conversion Devices Inc | Symmetrical current controlling device |
US3622319A (en) | 1966-10-20 | 1971-11-23 | Western Electric Co | Nonreflecting photomasks and methods of making same |
US3868651A (en) | 1970-08-13 | 1975-02-25 | Energy Conversion Devices Inc | Method and apparatus for storing and reading data in a memory having catalytic material to initiate amorphous to crystalline change in memory structure |
US3743847A (en) | 1971-06-01 | 1973-07-03 | Motorola Inc | Amorphous silicon film as a uv filter |
US4267261A (en) * | 1971-07-15 | 1981-05-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for full format imaging |
US3961314A (en) * | 1974-03-05 | 1976-06-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Structure and method for producing an image |
US3966317A (en) * | 1974-04-08 | 1976-06-29 | Energy Conversion Devices, Inc. | Dry process production of archival microform records from hard copy |
DE2712735B1 (de) | 1977-03-23 | 1978-09-14 | Ibm Deutschland | Lese-/Schreibzugriffschaltung zu Speicherzellen eines Speichers und Verfahren zu ihrem Betrieb |
US4177474A (en) | 1977-05-18 | 1979-12-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | High temperature amorphous semiconductor member and method of making the same |
JPS5565365A (en) * | 1978-11-07 | 1980-05-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern forming method |
DE2901303C2 (de) | 1979-01-15 | 1984-04-19 | Max Planck Gesellschaft Zur Foerderung Der Wissenschaften E.V., 3400 Goettingen | Festes Ionenleitermaterial, seine Verwendung und Verfahren zu dessen Herstellung |
US4312938A (en) * | 1979-07-06 | 1982-01-26 | Drexler Technology Corporation | Method for making a broadband reflective laser recording and data storage medium with absorptive underlayer |
US4269935A (en) * | 1979-07-13 | 1981-05-26 | Ionomet Company, Inc. | Process of doping silver image in chalcogenide layer |
US4316946A (en) * | 1979-12-03 | 1982-02-23 | Ionomet Company, Inc. | Surface sensitized chalcogenide product and process for making and using the same |
US4499557A (en) * | 1980-10-28 | 1985-02-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Programmable cell for use in programmable electronic arrays |
US4405710A (en) | 1981-06-22 | 1983-09-20 | Cornell Research Foundation, Inc. | Ion beam exposure of (g-Gex -Se1-x) inorganic resists |
US4737379A (en) * | 1982-09-24 | 1988-04-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Plasma deposited coatings, and low temperature plasma method of making same |
US4545111A (en) | 1983-01-18 | 1985-10-08 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for making, parallel preprogramming or field programming of electronic matrix arrays |
US4608296A (en) | 1983-12-06 | 1986-08-26 | Energy Conversion Devices, Inc. | Superconducting films and devices exhibiting AC to DC conversion |
US4795657A (en) * | 1984-04-13 | 1989-01-03 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of fabricating a programmable array |
US4668968A (en) * | 1984-05-14 | 1987-05-26 | Energy Conversion Devices, Inc. | Integrated circuit compatible thin film field effect transistor and method of making same |
US4673957A (en) * | 1984-05-14 | 1987-06-16 | Energy Conversion Devices, Inc. | Integrated circuit compatible thin film field effect transistor and method of making same |
US4670763A (en) * | 1984-05-14 | 1987-06-02 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thin film field effect transistor |
US4843443A (en) * | 1984-05-14 | 1989-06-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thin film field effect transistor and method of making same |
US4769338A (en) | 1984-05-14 | 1988-09-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thin film field effect transistor and method of making same |
US4678679A (en) | 1984-06-25 | 1987-07-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Continuous deposition of activated process gases |
US4646266A (en) * | 1984-09-28 | 1987-02-24 | Energy Conversion Devices, Inc. | Programmable semiconductor structures and methods for using the same |
US4664939A (en) * | 1985-04-01 | 1987-05-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Vertical semiconductor processor |
US4637895A (en) | 1985-04-01 | 1987-01-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Gas mixtures for the vapor deposition of semiconductor material |
US4710899A (en) | 1985-06-10 | 1987-12-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Data storage medium incorporating a transition metal for increased switching speed |
US4671618A (en) * | 1986-05-22 | 1987-06-09 | Wu Bao Gang | Liquid crystalline-plastic material having submillisecond switch times and extended memory |
US4766471A (en) | 1986-01-23 | 1988-08-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thin film electro-optical devices |
US4818717A (en) * | 1986-06-27 | 1989-04-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for making electronic matrix arrays |
US4728406A (en) * | 1986-08-18 | 1988-03-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method for plasma - coating a semiconductor body |
US4809044A (en) * | 1986-08-22 | 1989-02-28 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thin film overvoltage protection devices |
US4845533A (en) | 1986-08-22 | 1989-07-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thin film electrical devices with amorphous carbon electrodes and method of making same |
US4853785A (en) | 1986-10-15 | 1989-08-01 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electronic camera including electronic signal storage cartridge |
US4788594A (en) | 1986-10-15 | 1988-11-29 | Energy Conversion Devices, Inc. | Solid state electronic camera including thin film matrix of photosensors |
US4847674A (en) | 1987-03-10 | 1989-07-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | High speed interconnect system with refractory non-dogbone contacts and an active electromigration suppression mechanism |
US4800526A (en) * | 1987-05-08 | 1989-01-24 | Gaf Corporation | Memory element for information storage and retrieval system and associated process |
US4775425A (en) | 1987-07-27 | 1988-10-04 | Energy Conversion Devices, Inc. | P and n-type microcrystalline semiconductor alloy material including band gap widening elements, devices utilizing same |
US4891330A (en) * | 1987-07-27 | 1990-01-02 | Energy Conversion Devices, Inc. | Method of fabricating n-type and p-type microcrystalline semiconductor alloy material including band gap widening elements |
US5272359A (en) | 1988-04-07 | 1993-12-21 | California Institute Of Technology | Reversible non-volatile switch based on a TCNQ charge transfer complex |
US5424781A (en) * | 1988-06-28 | 1995-06-13 | Ultimatte Corporation | Backing color and luminance nonuniformity compensation for linear image compositing |
GB8910854D0 (en) | 1989-05-11 | 1989-06-28 | British Petroleum Co Plc | Semiconductor device |
US5159661A (en) | 1990-10-05 | 1992-10-27 | Energy Conversion Devices, Inc. | Vertically interconnected parallel distributed processor |
US5314772A (en) * | 1990-10-09 | 1994-05-24 | Arizona Board Of Regents | High resolution, multi-layer resist for microlithography and method therefor |
JPH0770731B2 (ja) * | 1990-11-22 | 1995-07-31 | 松下電器産業株式会社 | 電気可塑性素子 |
US5296716A (en) * | 1991-01-18 | 1994-03-22 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom |
US5596522A (en) * | 1991-01-18 | 1997-01-21 | Energy Conversion Devices, Inc. | Homogeneous compositions of microcrystalline semiconductor material, semiconductor devices and directly overwritable memory elements fabricated therefrom, and arrays fabricated from the memory elements |
US5341328A (en) | 1991-01-18 | 1994-08-23 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically erasable memory elements having reduced switching current requirements and increased write/erase cycle life |
US5536947A (en) | 1991-01-18 | 1996-07-16 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory element and arrays fabricated therefrom |
US5166758A (en) | 1991-01-18 | 1992-11-24 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically erasable phase change memory |
US5534712A (en) | 1991-01-18 | 1996-07-09 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically erasable memory elements characterized by reduced current and improved thermal stability |
US5335219A (en) | 1991-01-18 | 1994-08-02 | Ovshinsky Stanford R | Homogeneous composition of microcrystalline semiconductor material, semiconductor devices and directly overwritable memory elements fabricated therefrom, and arrays fabricated from the memory elements |
US5534711A (en) | 1991-01-18 | 1996-07-09 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom |
US5406509A (en) * | 1991-01-18 | 1995-04-11 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom |
US5414271A (en) * | 1991-01-18 | 1995-05-09 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically erasable memory elements having improved set resistance stability |
US5128099A (en) | 1991-02-15 | 1992-07-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Congruent state changeable optical memory material and device |
US5219788A (en) * | 1991-02-25 | 1993-06-15 | Ibm Corporation | Bilayer metallization cap for photolithography |
JP3185248B2 (ja) * | 1991-05-28 | 2001-07-09 | 日本電気株式会社 | センスアンプ回路 |
US5177567A (en) * | 1991-07-19 | 1993-01-05 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thin-film structure for chalcogenide electrical switching devices and process therefor |
US5359205A (en) | 1991-11-07 | 1994-10-25 | Energy Conversion Devices, Inc. | Electrically erasable memory elements characterized by reduced current and improved thermal stability |
SE469822B (sv) * | 1992-02-07 | 1993-09-27 | Sandvik Ab | Hårdmetallvals för valsning av metallband och trådplattning |
US5238862A (en) | 1992-03-18 | 1993-08-24 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a stacked capacitor with striated electrode |
US5512328A (en) * | 1992-08-07 | 1996-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for forming a pattern and forming a thin film used in pattern formation |
US5350484A (en) | 1992-09-08 | 1994-09-27 | Intel Corporation | Method for the anisotropic etching of metal films in the fabrication of interconnects |
US5818749A (en) | 1993-08-20 | 1998-10-06 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit memory device |
BE1007902A3 (nl) * | 1993-12-23 | 1995-11-14 | Philips Electronics Nv | Schakelelement met geheugen voorzien van schottky tunnelbarriere. |
US5500532A (en) * | 1994-08-18 | 1996-03-19 | Arizona Board Of Regents | Personal electronic dosimeter |
JP2643870B2 (ja) * | 1994-11-29 | 1997-08-20 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
US5543737A (en) | 1995-02-10 | 1996-08-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Logical operation circuit employing two-terminal chalcogenide switches |
US5789758A (en) | 1995-06-07 | 1998-08-04 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide memory cell with a plurality of chalcogenide electrodes |
US6420725B1 (en) | 1995-06-07 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for forming an integrated circuit electrode having a reduced contact area |
US5879955A (en) * | 1995-06-07 | 1999-03-09 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating an array of ultra-small pores for chalcogenide memory cells |
JP3363154B2 (ja) | 1995-06-07 | 2003-01-08 | ミクロン テクノロジー、インコーポレイテッド | 不揮発性メモリセル内のマルチステート材料と共に使用するスタック/トレンチダイオード |
US5869843A (en) * | 1995-06-07 | 1999-02-09 | Micron Technology, Inc. | Memory array having a multi-state element and method for forming such array or cells thereof |
US5751012A (en) * | 1995-06-07 | 1998-05-12 | Micron Technology, Inc. | Polysilicon pillar diode for use in a non-volatile memory cell |
US5714768A (en) * | 1995-10-24 | 1998-02-03 | Energy Conversion Devices, Inc. | Second-layer phase change memory array on top of a logic device |
US5694054A (en) | 1995-11-28 | 1997-12-02 | Energy Conversion Devices, Inc. | Integrated drivers for flat panel displays employing chalcogenide logic elements |
US5591501A (en) * | 1995-12-20 | 1997-01-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Optical recording medium having a plurality of discrete phase change data recording points |
US6653733B1 (en) * | 1996-02-23 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Conductors in semiconductor devices |
US5796671A (en) * | 1996-03-01 | 1998-08-18 | Wahlstrom; Sven E. | Dynamic random access memory |
US5687112A (en) | 1996-04-19 | 1997-11-11 | Energy Conversion Devices, Inc. | Multibit single cell memory element having tapered contact |
US5852870A (en) | 1996-04-24 | 1998-12-29 | Amkor Technology, Inc. | Method of making grid array assembly |
US5851882A (en) | 1996-05-06 | 1998-12-22 | Micron Technology, Inc. | ZPROM manufacture and design and methods for forming thin structures using spacers as an etching mask |
US5761115A (en) | 1996-05-30 | 1998-06-02 | Axon Technologies Corporation | Programmable metallization cell structure and method of making same |
US5814527A (en) | 1996-07-22 | 1998-09-29 | Micron Technology, Inc. | Method of making small pores defined by a disposable internal spacer for use in chalcogenide memories |
US5789277A (en) | 1996-07-22 | 1998-08-04 | Micron Technology, Inc. | Method of making chalogenide memory device |
US5998244A (en) * | 1996-08-22 | 1999-12-07 | Micron Technology, Inc. | Memory cell incorporating a chalcogenide element and method of making same |
KR100201040B1 (ko) * | 1996-08-26 | 1999-06-15 | 다니구찌 이찌로오; 기타오카 다카시 | 위상 쉬프트 마스크 및 그 제조 방법 |
US5883827A (en) * | 1996-08-26 | 1999-03-16 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for reading/writing data in a memory system including programmable resistors |
US5825046A (en) | 1996-10-28 | 1998-10-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Composite memory material comprising a mixture of phase-change memory material and dielectric material |
US6087674A (en) | 1996-10-28 | 2000-07-11 | Energy Conversion Devices, Inc. | Memory element with memory material comprising phase-change material and dielectric material |
US5846889A (en) | 1997-03-14 | 1998-12-08 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Infrared transparent selenide glasses |
US5998066A (en) | 1997-05-16 | 1999-12-07 | Aerial Imaging Corporation | Gray scale mask and depth pattern transfer technique using inorganic chalcogenide glass |
US5766115A (en) * | 1997-05-13 | 1998-06-16 | Huang; Kou-Ming | Hip training device |
US5995431A (en) * | 1997-06-11 | 1999-11-30 | Texas Instruments Incorporated | Bit line precharge circuit with reduced standby current |
US6031287A (en) * | 1997-06-18 | 2000-02-29 | Micron Technology, Inc. | Contact structure and memory element incorporating the same |
US5933365A (en) | 1997-06-19 | 1999-08-03 | Energy Conversion Devices, Inc. | Memory element with energy control mechanism |
US6051511A (en) | 1997-07-31 | 2000-04-18 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for reducing isolation stress in integrated circuits |
DE69825923T2 (de) | 1997-12-04 | 2005-09-01 | Axon Technologies Corp., Scottsdale | Programmierbare aggregierende Unterflächenmetallisierungsstruktur |
US6011757A (en) * | 1998-01-27 | 2000-01-04 | Ovshinsky; Stanford R. | Optical recording media having increased erasability |
JPH11265995A (ja) * | 1998-03-17 | 1999-09-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6297170B1 (en) | 1998-06-23 | 2001-10-02 | Vlsi Technology, Inc. | Sacrificial multilayer anti-reflective coating for mos gate formation |
US5912839A (en) | 1998-06-23 | 1999-06-15 | Energy Conversion Devices, Inc. | Universal memory element and method of programming same |
US6141241A (en) | 1998-06-23 | 2000-10-31 | Energy Conversion Devices, Inc. | Universal memory element with systems employing same and apparatus and method for reading, writing and programming same |
JP3507706B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2004-03-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US6469364B1 (en) | 1998-08-31 | 2002-10-22 | Arizona Board Of Regents | Programmable interconnection system for electrical circuits |
US6388324B2 (en) * | 1998-08-31 | 2002-05-14 | Arizona Board Of Regents | Self-repairing interconnections for electrical circuits |
US6487106B1 (en) * | 1999-01-12 | 2002-11-26 | Arizona Board Of Regents | Programmable microelectronic devices and method of forming and programming same |
US6635914B2 (en) | 2000-09-08 | 2003-10-21 | Axon Technologies Corp. | Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same |
US6825489B2 (en) * | 2001-04-06 | 2004-11-30 | Axon Technologies Corporation | Microelectronic device, structure, and system, including a memory structure having a variable programmable property and method of forming the same |
US6177338B1 (en) * | 1999-02-08 | 2001-01-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Two step barrier process |
US6072716A (en) | 1999-04-14 | 2000-06-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Memory structures and methods of making same |
US6143604A (en) | 1999-06-04 | 2000-11-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for fabricating small-size two-step contacts for word-line strapping on dynamic random access memory (DRAM) |
US6350679B1 (en) * | 1999-08-03 | 2002-02-26 | Micron Technology, Inc. | Methods of providing an interlevel dielectric layer intermediate different elevation conductive metal layers in the fabrication of integrated circuitry |
US6423628B1 (en) | 1999-10-22 | 2002-07-23 | Lsi Logic Corporation | Method of forming integrated circuit structure having low dielectric constant material and having silicon oxynitride caps over closely spaced apart metal lines |
US6314014B1 (en) | 1999-12-16 | 2001-11-06 | Ovonyx, Inc. | Programmable resistance memory arrays with reference cells |
US6914802B2 (en) * | 2000-02-11 | 2005-07-05 | Axon Technologies Corporation | Microelectronic photonic structure and device and method of forming the same |
US6865117B2 (en) | 2000-02-11 | 2005-03-08 | Axon Technologies Corporation | Programming circuit for a programmable microelectronic device, system including the circuit, and method of forming the same |
JP2001237380A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-08-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 可変抵抗素子およびそれを用いた半導体装置 |
US6501111B1 (en) | 2000-06-30 | 2002-12-31 | Intel Corporation | Three-dimensional (3D) programmable device |
US6563156B2 (en) | 2001-03-15 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Memory elements and methods for making same |
US6440837B1 (en) | 2000-07-14 | 2002-08-27 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a contact structure in a semiconductor device |
US6404665B1 (en) | 2000-09-29 | 2002-06-11 | Intel Corporation | Compositionally modified resistive electrode |
US6563164B2 (en) * | 2000-09-29 | 2003-05-13 | Ovonyx, Inc. | Compositionally modified resistive electrode |
US6339544B1 (en) | 2000-09-29 | 2002-01-15 | Intel Corporation | Method to enhance performance of thermal resistor device |
US6567293B1 (en) * | 2000-09-29 | 2003-05-20 | Ovonyx, Inc. | Single level metal memory cell using chalcogenide cladding |
US6429064B1 (en) | 2000-09-29 | 2002-08-06 | Intel Corporation | Reduced contact area of sidewall conductor |
US6555860B2 (en) * | 2000-09-29 | 2003-04-29 | Intel Corporation | Compositionally modified resistive electrode |
JP4726290B2 (ja) * | 2000-10-17 | 2011-07-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路 |
US6653193B2 (en) | 2000-12-08 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Resistance variable device |
US6649928B2 (en) | 2000-12-13 | 2003-11-18 | Intel Corporation | Method to selectively remove one side of a conductive bottom electrode of a phase-change memory cell and structure obtained thereby |
US6696355B2 (en) * | 2000-12-14 | 2004-02-24 | Ovonyx, Inc. | Method to selectively increase the top resistance of the lower programming electrode in a phase-change memory |
US6569705B2 (en) * | 2000-12-21 | 2003-05-27 | Intel Corporation | Metal structure for a phase-change memory device |
US6437383B1 (en) | 2000-12-21 | 2002-08-20 | Intel Corporation | Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same |
US6534781B2 (en) | 2000-12-26 | 2003-03-18 | Ovonyx, Inc. | Phase-change memory bipolar array utilizing a single shallow trench isolation for creating an individual active area region for two memory array elements and one bipolar base contact |
US6646297B2 (en) | 2000-12-26 | 2003-11-11 | Ovonyx, Inc. | Lower electrode isolation in a double-wide trench |
US6531373B2 (en) * | 2000-12-27 | 2003-03-11 | Ovonyx, Inc. | Method of forming a phase-change memory cell using silicon on insulator low electrode in charcogenide elements |
US6687427B2 (en) * | 2000-12-29 | 2004-02-03 | Intel Corporation | Optic switch |
US6638820B2 (en) | 2001-02-08 | 2003-10-28 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices, method of precluding diffusion of a metal into adjacent chalcogenide material, and chalcogenide comprising devices |
US6727192B2 (en) | 2001-03-01 | 2004-04-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of metal doping a chalcogenide material |
US6348365B1 (en) * | 2001-03-02 | 2002-02-19 | Micron Technology, Inc. | PCRAM cell manufacturing |
US6818481B2 (en) | 2001-03-07 | 2004-11-16 | Micron Technology, Inc. | Method to manufacture a buried electrode PCRAM cell |
US6449203B1 (en) * | 2001-03-08 | 2002-09-10 | Micron Technology, Inc. | Refresh controller and address remapping circuit and method for dual mode full/reduced density DRAMs |
US6734455B2 (en) | 2001-03-15 | 2004-05-11 | Micron Technology, Inc. | Agglomeration elimination for metal sputter deposition of chalcogenides |
US6678198B2 (en) * | 2001-03-16 | 2004-01-13 | Broadcom Corporation | Pseudo differential sensing method and apparatus for DRAM cell |
US6473332B1 (en) | 2001-04-04 | 2002-10-29 | The University Of Houston System | Electrically variable multi-state resistance computing |
JP4886160B2 (ja) | 2001-05-07 | 2012-02-29 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | セルフアセンブリによるポリマーフィルムを用いた記憶装置およびその製造方法 |
US7102150B2 (en) | 2001-05-11 | 2006-09-05 | Harshfield Steven T | PCRAM memory cell and method of making same |
US6501675B2 (en) * | 2001-05-14 | 2002-12-31 | International Business Machines Corporation | Alternating reference wordline scheme for fast DRAM |
US6480438B1 (en) | 2001-06-12 | 2002-11-12 | Ovonyx, Inc. | Providing equal cell programming conditions across a large and high density array of phase-change memory cells |
US6589714B2 (en) | 2001-06-26 | 2003-07-08 | Ovonyx, Inc. | Method for making programmable resistance memory element using silylated photoresist |
US6613604B2 (en) | 2001-08-02 | 2003-09-02 | Ovonyx, Inc. | Method for making small pore for use in programmable resistance memory element |
US6462984B1 (en) | 2001-06-29 | 2002-10-08 | Intel Corporation | Biasing scheme of floating unselected wordlines and bitlines of a diode-based memory array |
US6487113B1 (en) | 2001-06-29 | 2002-11-26 | Ovonyx, Inc. | Programming a phase-change memory with slow quench time |
US6570784B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-05-27 | Ovonyx, Inc. | Programming a phase-change material memory |
US6511862B2 (en) * | 2001-06-30 | 2003-01-28 | Ovonyx, Inc. | Modified contact for programmable devices |
US6511867B2 (en) * | 2001-06-30 | 2003-01-28 | Ovonyx, Inc. | Utilizing atomic layer deposition for programmable device |
US6514805B2 (en) * | 2001-06-30 | 2003-02-04 | Intel Corporation | Trench sidewall profile for device isolation |
US6642102B2 (en) | 2001-06-30 | 2003-11-04 | Intel Corporation | Barrier material encapsulation of programmable material |
US6673700B2 (en) * | 2001-06-30 | 2004-01-06 | Ovonyx, Inc. | Reduced area intersection between electrode and programming element |
US6605527B2 (en) | 2001-06-30 | 2003-08-12 | Intel Corporation | Reduced area intersection between electrode and programming element |
US6951805B2 (en) * | 2001-08-01 | 2005-10-04 | Micron Technology, Inc. | Method of forming integrated circuitry, method of forming memory circuitry, and method of forming random access memory circuitry |
US6590807B2 (en) | 2001-08-02 | 2003-07-08 | Intel Corporation | Method for reading a structural phase-change memory |
US6737312B2 (en) * | 2001-08-27 | 2004-05-18 | Micron Technology, Inc. | Method of fabricating dual PCRAM cells sharing a common electrode |
US6881623B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-04-19 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices, method of forming a programmable memory cell of memory circuitry, and a chalcogenide comprising device |
US6955940B2 (en) * | 2001-08-29 | 2005-10-18 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices |
US6784018B2 (en) * | 2001-08-29 | 2004-08-31 | Micron Technology, Inc. | Method of forming chalcogenide comprising devices and method of forming a programmable memory cell of memory circuitry |
US6646902B2 (en) * | 2001-08-30 | 2003-11-11 | Micron Technology, Inc. | Method of retaining memory state in a programmable conductor RAM |
US20030047765A1 (en) * | 2001-08-30 | 2003-03-13 | Campbell Kristy A. | Stoichiometry for chalcogenide glasses useful for memory devices and method of formation |
US6709958B2 (en) * | 2001-08-30 | 2004-03-23 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit device and fabrication using metal-doped chalcogenide materials |
US6507061B1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-01-14 | Intel Corporation | Multiple layer phase-change memory |
EP2112659A1 (en) * | 2001-09-01 | 2009-10-28 | Energy Convertion Devices, Inc. | Increased data storage in optical data storage and retrieval systems using blue lasers and/or plasmon lenses |
US6545287B2 (en) | 2001-09-07 | 2003-04-08 | Intel Corporation | Using selective deposition to form phase-change memory cells |
US6586761B2 (en) | 2001-09-07 | 2003-07-01 | Intel Corporation | Phase change material memory device |
WO2003028098A2 (en) | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Axon Technologies Corporation | Programmable chip-to-substrate interconnect structure and device and method of forming same |
US6690026B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-02-10 | Intel Corporation | Method of fabricating a three-dimensional array of active media |
WO2003032392A2 (en) | 2001-10-09 | 2003-04-17 | Axon Technologies Corporation | Programmable microelectronic device, structure, and system, and method of forming the same |
US6566700B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-05-20 | Ovonyx, Inc. | Carbon-containing interfacial layer for phase-change memory |
US6545907B1 (en) * | 2001-10-30 | 2003-04-08 | Ovonyx, Inc. | Technique and apparatus for performing write operations to a phase change material memory device |
US6456524B1 (en) * | 2001-10-31 | 2002-09-24 | Hewlett-Packard Company | Hybrid resistive cross point memory cell arrays and methods of making the same |
US6576921B2 (en) | 2001-11-08 | 2003-06-10 | Intel Corporation | Isolating phase change material memory cells |
US6815818B2 (en) * | 2001-11-19 | 2004-11-09 | Micron Technology, Inc. | Electrode structure for use in an integrated circuit |
US6791859B2 (en) * | 2001-11-20 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Complementary bit PCRAM sense amplifier and method of operation |
US6873538B2 (en) | 2001-12-20 | 2005-03-29 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor random access memory and a method for writing thereto |
US6667900B2 (en) | 2001-12-28 | 2003-12-23 | Ovonyx, Inc. | Method and apparatus to operate a memory cell |
US6625054B2 (en) | 2001-12-28 | 2003-09-23 | Intel Corporation | Method and apparatus to program a phase change memory |
US6512241B1 (en) * | 2001-12-31 | 2003-01-28 | Intel Corporation | Phase change material memory device |
US6909656B2 (en) | 2002-01-04 | 2005-06-21 | Micron Technology, Inc. | PCRAM rewrite prevention |
US20030143782A1 (en) | 2002-01-31 | 2003-07-31 | Gilton Terry L. | Methods of forming germanium selenide comprising devices and methods of forming silver selenide comprising structures |
US6791885B2 (en) | 2002-02-19 | 2004-09-14 | Micron Technology, Inc. | Programmable conductor random access memory and method for sensing same |
US6671710B2 (en) | 2002-05-10 | 2003-12-30 | Energy Conversion Devices, Inc. | Methods of computing with digital multistate phase change materials |
US6918382B2 (en) * | 2002-08-26 | 2005-07-19 | Energy Conversion Devices, Inc. | Hydrogen powered scooter |
US6760268B2 (en) * | 2002-11-26 | 2004-07-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus for establishing a reference voltage in a memory |
-
2002
- 2002-02-19 US US10/076,486 patent/US6791885B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-02-10 CN CN2008100915787A patent/CN101261880B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-10 KR KR1020047012895A patent/KR100626508B1/ko active IP Right Grant
- 2003-02-10 AU AU2003210901A patent/AU2003210901A1/en not_active Abandoned
- 2003-02-10 JP JP2003570359A patent/JP4619004B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-10 AT AT03742713T patent/ATE396482T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-02-10 CN CNB038087685A patent/CN100483545C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-10 DE DE60321138T patent/DE60321138D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-10 WO PCT/US2003/003674 patent/WO2003071549A1/en active Application Filing
- 2003-02-10 EP EP03742713A patent/EP1476877B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-18 TW TW092103281A patent/TW587250B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-08-16 US US10/918,386 patent/US6954385B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101261880A (zh) | 2008-09-10 |
DE60321138D1 (de) | 2008-07-03 |
ATE396482T1 (de) | 2008-06-15 |
EP1476877B1 (en) | 2008-05-21 |
WO2003071549A1 (en) | 2003-08-28 |
CN100483545C (zh) | 2009-04-29 |
JP2005518627A (ja) | 2005-06-23 |
CN101261880B (zh) | 2011-06-15 |
TW587250B (en) | 2004-05-11 |
TW200303549A (en) | 2003-09-01 |
CN1647210A (zh) | 2005-07-27 |
US6954385B2 (en) | 2005-10-11 |
US20050018493A1 (en) | 2005-01-27 |
US6791885B2 (en) | 2004-09-14 |
EP1476877A1 (en) | 2004-11-17 |
AU2003210901A1 (en) | 2003-09-09 |
KR20040096587A (ko) | 2004-11-16 |
US20030156463A1 (en) | 2003-08-21 |
KR100626508B1 (ko) | 2006-09-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4619004B2 (ja) | プログラマブル導電ランダムアクセスメモリ及びその検知方法 | |
US6937528B2 (en) | Variable resistance memory and method for sensing same | |
CN108475519B (zh) | 包含存储器及其操作的设备及方法 | |
US6731528B2 (en) | Dual write cycle programmable conductor memory system and method of operation | |
JP4081011B2 (ja) | プログラマブルコンダクタランダムアクセスメモリ及びその書込み方法 | |
US9324426B2 (en) | Method for improving sensing margin of resistive memory | |
US9734905B2 (en) | Non-volatile memory using bi-directional resistive elements | |
US9496030B2 (en) | Resistive memory device implementing selective memory cell refresh | |
KR20110094240A (ko) | 불휘발성 반도체 메모리 디바이스 | |
CN102054530A (zh) | 存储器件和读取存储器件的方法 | |
US7583546B2 (en) | Apparatus and method of operating an integrated circuit | |
US9401207B2 (en) | Pseudo SRAM using resistive elements for non-volatile storage | |
JPWO2007074504A1 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み方法 | |
JP4189269B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置、その書き込み・リセット方法、及び、その読み出し方法 | |
JP3588376B2 (ja) | 強誘電体メモリ | |
CN219658388U (zh) | 记忆体装置及其写入电路 | |
Zhang et al. | A Write-Verification Method for Non-Volatile Memory | |
JP3620588B2 (ja) | 半導体記憶装置の駆動方法 | |
JPH0785661A (ja) | 半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070501 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070515 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070814 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070814 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080418 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080527 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20080829 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100916 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101026 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131105 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |