JP4616734B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4616734B2 JP4616734B2 JP2005258200A JP2005258200A JP4616734B2 JP 4616734 B2 JP4616734 B2 JP 4616734B2 JP 2005258200 A JP2005258200 A JP 2005258200A JP 2005258200 A JP2005258200 A JP 2005258200A JP 4616734 B2 JP4616734 B2 JP 4616734B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing container
- heater
- processing
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
このように、従来例の装置では、処理容器10内のシリコン基板8を加熱する基板加熱ヒータ55の他に、処理容器10の側面を加熱する側面加熱ヒータ12と、処理容器10の底面を加熱する底面加熱ヒータ13とを設けて、壁面全面にヒータを取り付けている。なお、この種の装置では、処理容器10の底壁15の厚みaは処理容器10の側壁14の厚みbよりも薄くなっているものが通常である。
例えば、処理容器の側面形状が複雑になる例としては、処理容器を上部から見たとき、熱的な対称性から、できるだけ軸対称(円形)に近いことが望ましいが、実際には加工上の問題等から六角形等の多角形をしている。そのため処理容器の側面は複数の面から構成される。また、ウェハの搬送口や排気口、その他調整用のポート等が処理容器側面に取り付けられるので、それだけ形状も複雑となる。
また、ヒータの出力の関係や製作上の問題で分割数が多くなると、ヒータの数が多くなったり、あるいはヒータ分割の仕方によて制御が複雑になったりすることになる。
処理容器の底面部の厚みが側面部の厚みよりも厚いと、底面部から側面部への熱伝導によるエネルギーの移動量を大きくできるので、処理容器の底面部側に設けられたヒータで底面部側を加熱してやれば、処理容器の底面のみならず側面も加熱することができる。したがって、少ないヒータ数で処理容器の全体を均一な温度に保つことができる。
処理容器の側面部の厚さに対する底面部の厚さの比を、例えば1以上と大きくすれば、底面部から側面部へのエネルギー移動量を充分大きくできるので、側面部側にヒータを設けなくても、処理容器の全体を均一な温度に保つことができる。
図1は実施の形態における枚葉式の基板処理装置の縦断面図である。
上容器26には、シリコン基板8に対してガスを供給する複数の供給口(図示せず)が設けられる。ガス供給口は、例えば、ガスを供給するための2系統のラインがそれぞれ連結され、一方の系統は金属酸化膜、例えばアルミニウム酸化膜の有機液体原料であるTMA(Al(CH3)3:トリメチルアルミニウム)を供給するTMA供給ラインが連結され、他方の系統は例えば原料と反応性の高いガスである水を供給する水供給ラインが連結されている。
基板支持台3は、例えば、石英、カーボン、セラミックス、炭化ケイ素(SiC)、酸化アルミニウム(Al2O3)、又は窒化アルミニウム(AlN)などで構成される。
ここで、ウォームウォール型の反応容器とは、反応容器の壁面を反応生成物が付着しない程度の低温(基板温度(処理温度)より低い温度)に加熱した状態で基板を処理するタイプの反応容器のことをいう。コールドウォール型と同様、基板を加熱するための熱の大部分を、反応容器の壁面を加熱することにより得るのではなく、基板は、基板支持台に設けられたヒータで直接加熱したり、ヒータにより加熱した基板支持台からの伝熱により加熱したりする。
ALDは、原料Aを基板へ供給して吸着させ(工程1)、吸着後残留原料Aを排気し(工程2)、排気後原料Bを基板へ供給して原料Aと反応させて成膜し(工程3)、成膜後残留原料Bを排気する(工程4)という4つの工程を1サイクルとして、これを複数回繰り返す方法である。ガス供給タイミングは、原料Aと原料Bとを交互に供給する間に、パージガスによる排気を挟むようになっている。
そこで、これを解決するために、本実施の形態では、図1に示すように、処理容器10の底壁15の外側に底壁面を加熱する底面加熱ヒータ13を設けるとともに、処理容器10の底面部である底壁15の厚さを側面部である側壁14の厚さよりも厚くして、底壁15から側壁14の方向への熱伝導によりエネルギーの移動量をより大きくしている。
なお、処理容器10の内側面の段差32は、処理容器10内の流れの問題等に由来するもので、とくに熱伝導には関係ない。
(1)処理容器の底壁の厚みを側壁の厚みよりも厚くしたので、少ない壁面加熱ヒータ数で処理容器の全体を均一な温度に保つことができる。
(2)少ないヒータの数、制御ゾーン数で処理容器の壁面全体を均一な温度で保つことができる。ここで、均一な温度の値とは±10℃程度である。従来例と実施の形態のヒータ数、制御ゾーン数の比較をすると、基本的に1つのヒータ毎に1つの制御系を設けているので、ヒータ数と制御ゾーン数は同じであるが、その数が従来例では8個くらいであるのが、実施の形態では2個くらいに低減できる。
(3)処理容器の底壁の体積が大きくなるため底壁の熱容量が増し、底壁は熱的な外乱に影響されにくくなる。すなわち側壁は曲面あるいは多平面からなることが多いので、外乱を受けやすいが、側壁に対して外乱が入っても、底壁の熱容量を大きくしておくことによって、底壁から側壁へのエネルギーの速やかな供給が可能となり、側壁に対する外乱を吸収し、壁面全体を均一な温度で保つことができる。
10 処理容器
13 底面加熱ヒータ
14 処理容器の側壁(側面部)
15 処理容器の底壁(底面部)
55 基板加熱ヒータ
Claims (1)
- 基板を処理する処理容器と、
前記処理容器内の前記基板を加熱するヒータと、
前記処理容器の壁面を加熱するヒータとを有し、
前記処理容器の壁面を加熱するヒータは、前記処理容器の底面部側のみに設けられ、前記処理容器の底面部の厚みが側面部の厚みよりも厚いことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005258200A JP4616734B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005258200A JP4616734B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007073692A JP2007073692A (ja) | 2007-03-22 |
JP4616734B2 true JP4616734B2 (ja) | 2011-01-19 |
Family
ID=37934896
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005258200A Active JP4616734B2 (ja) | 2005-09-06 | 2005-09-06 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4616734B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08273992A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Hitachi Ltd | 接合装置 |
JP2000150330A (ja) * | 1998-11-04 | 2000-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP2001332465A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式処理装置 |
-
2005
- 2005-09-06 JP JP2005258200A patent/JP4616734B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08273992A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Hitachi Ltd | 接合装置 |
JP2000150330A (ja) * | 1998-11-04 | 2000-05-30 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
JP2001332465A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Tokyo Electron Ltd | 枚葉式処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007073692A (ja) | 2007-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6703496B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム | |
JP4759073B2 (ja) | 基板支持体、基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2009044023A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2009016832A (ja) | 除去可能なサセプタを伴う熱バッチリアクタ | |
JP2010010513A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
US7700054B2 (en) | Substrate processing apparatus having gas side flow via gas inlet | |
KR101474758B1 (ko) | 종형 배치식 성막 장치 | |
JP2010287877A (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
US20180171467A1 (en) | Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Apparatus and Non-Transitory Computer-Readable Recording Medium | |
WO2012153591A1 (ja) | 成膜装置 | |
TWI807192B (zh) | 氣體導入構造、熱處理裝置及氣體供給方法 | |
TWI686504B (zh) | 氮化膜之形成方法及記錄媒體 | |
JP4971954B2 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および加熱装置 | |
JP2011132568A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP5087283B2 (ja) | 温度制御システム、基板処理装置、及び半導体装置の製造方法 | |
JP4616734B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP3904497B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20010110291A (ko) | 기판처리방법 | |
US20140038394A1 (en) | Method and apparatus of forming compound semiconductor film | |
JP4553227B2 (ja) | 熱処理方法 | |
JP2012136743A (ja) | 基板処理装置 | |
JP5571157B2 (ja) | 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置 | |
JP2009016426A (ja) | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 | |
JP2004095940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009289807A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080829 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100723 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100917 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101012 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101022 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4616734 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131029 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |