JP4612876B2 - Radiation detection apparatus, scintillator panel, manufacturing method thereof, and radiation detection system - Google Patents

Radiation detection apparatus, scintillator panel, manufacturing method thereof, and radiation detection system Download PDF

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Description

本発明は医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられる放射線を電気信号として検出する放射線検出装置に係わり、特に柱状結晶構造のシンチレータ層（蛍光体層）を有する放射線検出装置の柱状結晶のシンチレータの保護層に関するものである。なお、本明細書では、Ｘ線の他、α線、β線、γ線等の電磁波も、放射線に含まれるものとする。   The present invention relates to a radiation detection apparatus that detects radiation used as an electrical signal for medical diagnostic equipment, non-destructive testing equipment, and the like, and more particularly to a columnar crystal scintillator of a radiation detection apparatus having a scintillator layer (phosphor layer) having a columnar crystal structure. It is related with the protective layer. Note that in this specification, in addition to X-rays, electromagnetic waves such as α rays, β rays, and γ rays are included in radiation.

近年、少なくとも大面積の平面に形成された光電変換素子の表面にＸ線を照射することによって発光するシンチレータ（蛍光体）層を積層したデジタル放射線検出装置が商品化されている。   In recent years, digital radiation detection devices in which a scintillator (phosphor) layer that emits light by irradiating X-rays on the surface of a photoelectric conversion element formed on at least a large area plane has been commercialized.

これらデジタル放射線検出装置の中でも、高感度で高鮮鋭な装置として、特許文献１、特許文献２等に開示されているように、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ等の電気素子が２次元に配置されている光電変換素子部からなる光検出器（「センサーパネル」とも言う）上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するためのシンチレータ層を直接形成してなる放射線検出装置（「直接蒸着タイプ」又は「直接タイプ」等とも言う）が知られている。   Among these digital radiation detection devices, as disclosed in Patent Document 1, Patent Document 2, etc., as a highly sensitive and sharp device, a plurality of electric elements such as photosensors and TFTs are two-dimensionally arranged. Radiation detection device (“directly”) that directly forms a scintillator layer for converting radiation into light that can be detected by a photoelectric conversion element on a photodetector (also referred to as a “sensor panel”) comprising a photoelectric conversion element unit. Also known as “deposition type” or “direct type”).

また、特許文献３等に開示されているように、複数のフォトセンサー及びＴＦＴ（Ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：薄膜トランジスタ）等の電気素子が２次元に配置されている光電変換素子部からなる光検出器上に、放射線を光電変換素子で検出可能な光に変換するためのシンチレータ層を支持基板に形成したシンチレータパネルを貼り合わせてなる放射線検出装置（「貼り合わせタイプ」又は「間接タイプ」等とも言う）が知られている。シンチレータ層として、例えば、蒸着によって形成される柱状結晶構造を有するＣｓＩを主成分とする材料が知られており、このようなシンチレータ層への外界からの水分の進入を防止するためにシンチレータ保護層を形成することが行われている。特に、ＣｓＩ材料は吸湿材料であり、水分を吸収することによって、解像度が劣化する問題が発生する。   Further, as disclosed in Patent Document 3 and the like, a plurality of photosensors and electric elements such as TFTs (Thin Film Transistors) are arranged on a photodetector including a photoelectric conversion element portion arranged two-dimensionally. A radiation detection device (also referred to as “bonding type” or “indirect type”) in which a scintillator panel in which a scintillator layer for converting radiation into light that can be detected by a photoelectric conversion element is formed on a support substrate is bonded. Are known. As the scintillator layer, for example, a material mainly composed of CsI having a columnar crystal structure formed by vapor deposition is known. In order to prevent moisture from entering the scintillator layer from the outside, a scintillator protective layer is used. Has been made to form. In particular, the CsI material is a hygroscopic material, and there is a problem that the resolution is deteriorated by absorbing moisture.

特許文献１において、ガラス基板の表面に形成された光電変換素子の表面に保護層を形成して光検出器を準備し、前記保護層の表面に柱状結晶構造を有するＣｓＩからなるシンチレータ層を蒸着法によって直接形成し、光検出器及びシンチレータ層の表面を被覆するようにＣＶＤ法による有機薄膜からなるシンチレータ保護層を形成した放射線検出装置が開示されている。有機薄膜の材料としてポリパラキシリレンが開示されている。   In Patent Document 1, a protective layer is formed on the surface of a photoelectric conversion element formed on the surface of a glass substrate to prepare a photodetector, and a scintillator layer made of CsI having a columnar crystal structure is deposited on the surface of the protective layer. There is disclosed a radiation detection apparatus in which a scintillator protective layer made of an organic thin film is formed by a CVD method so as to be directly formed by a method and cover the surfaces of a photodetector and a scintillator layer. Polyparaxylylene is disclosed as a material for organic thin films.

特許文献２では光検出器の表面に保護層を介して柱状結晶構造を有するＣｓＩからなるシンチレータ層を蒸着によって形成し、光検出器及びシンチレータ層の表面を被覆するようにシンチレータ保護層を形成し、前記シンチレータ保護層の外周部を光検出器の表面に密着させる被覆樹脂を備えている放射線検出装置が開示されている。   In Patent Document 2, a scintillator layer made of CsI having a columnar crystal structure is formed on the surface of a photodetector via a protective layer by vapor deposition, and a scintillator protective layer is formed so as to cover the surfaces of the photodetector and the scintillator layer. In addition, a radiation detection apparatus is disclosed that includes a coating resin that causes the outer peripheral portion of the scintillator protective layer to adhere to the surface of the photodetector.

特許文献３では、カーボン基板からなる支持基板上に順次、反射性金属薄膜からなる反射層、シンチレータ下地層が配された支持部材上に、蒸着によって形成されたシンチレータ層、支持部材及びシンチレータ層の表面を被覆するように設けられた有機膜（ポリパラキシリレン）からなるシンチレータ保護層、が形成されたシンチレータパネルを、光検出器上に貼り合わせて形成された放射線検出装置が開示されている。
特開２０００−２８４０５３号公報（米国特許第６２６２４２２号） 特許第３０２９８７３号（米国特許第６２７８１１８号） 特開２０００−３５６６７９号公報（米国特許出願公開第２００２／０１７６１３号） In Patent Document 3, a scintillator layer formed by vapor deposition, a support member, and a scintillator layer are formed on a support member in which a reflective layer made of a reflective metal thin film and a scintillator underlayer are sequentially arranged on a support substrate made of a carbon substrate. A radiation detection device is disclosed in which a scintillator panel on which a scintillator protective layer made of an organic film (polyparaxylylene) provided to cover the surface is formed is bonded to a photodetector. .
JP 2000-284053 A (US Pat. No. 6,262,422) Patent No. 3029873 (US Pat. No. 6,278,118) JP 2000-356679 A (US Patent Application Publication No. 2002/017613)

しかしながら、蒸着によって形成されるＣｓＩ：Ｎａ、およびＣｓＩ：Ｔｌ等のハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有するシンチレータ層は、シンチレータ層の形成時に異常成長（スプラッシュ）欠陥が発生する場合がある。特に、人体撮影用の放射検出装置においては、シンチレータ層の厚さが４００μｍ以上必要であり、その際に異常成長部は、直径３００μｍ以上、高さが２０μｍ以上の突起状になることがある。さらに突起状の異常成長部の周辺にドーナツ状に深さ２０μｍ以上の凹部が形成される場合がある。このような突起部と凹部からなるシンチレータ層の異常成長欠陥部をカバーし、防湿機能を満足させるためには、シンチレータ保護層の厚さは２０μｍ以上必要であることを発明者らは見出した。しかしながら、上記特許文献に開示されているポリパラキシリレン製有機膜を用いたシンチレータ保護層では、ＣＶＤ法により形成されるため、シンチレータ保護層の成膜速度はおおよそ１００−２０００オングストローム／分と遅く、２０μｍのシンチレータ保護層を形成するための成膜時間は２０００分から１００分必要となり、生産性が悪いという問題を有する。   However, a scintillator layer having a columnar crystal structure made of an alkali halide such as CsI: Na and CsI: Tl formed by vapor deposition may cause abnormal growth (splash) defects when the scintillator layer is formed. In particular, in a radiation detection apparatus for photographing a human body, the thickness of the scintillator layer is required to be 400 μm or more, and in that case, the abnormally grown portion may be a protrusion having a diameter of 300 μm or more and a height of 20 μm or more. Furthermore, a concave portion having a depth of 20 μm or more may be formed in a donut shape around the protruding abnormally grown portion. The inventors have found that the thickness of the scintillator protective layer is required to be 20 μm or more in order to cover the abnormally grown defect portion of the scintillator layer composed of such protrusions and recesses and satisfy the moisture-proof function. However, since the scintillator protective layer using the polyparaxylylene organic film disclosed in the above patent document is formed by the CVD method, the film formation rate of the scintillator protective layer is as slow as about 100 to 2000 angstroms / minute. The film formation time for forming the 20 μm scintillator protective layer is required to be 2000 to 100 minutes, which has the problem of poor productivity.

また、Ｘ線デジタルカメラのような大面積な（たとえば４３ｃｍ×４３ｃｍ）放射線検出装置に用いるポリパラキシリレン製の有機膜からなるシンチレータ保護層をＣＶＤ法で成膜すると、シンチレータ保護層の面内の膜厚分布が大きくなる。上記特許文献１，２のような放射線検出装置において、シンチレータ層によって発せられた光が反射膜によって反射されて光電変換素子に入射される際に、シンチレータ保護層の面内の膜厚分布によって光路長に差が生じる。その結果、取得された画像の解像度が低下してしまうという問題を有する。また、上記特許文献３のような放射線検出装置においては、シンチレータ層によって発せられた光が受光素子に入射される際に、シンチレータ保護層の面内の膜厚分布によって光路長に差が生じ、その結果取得された画像の解像度が低下してしまうという問題を有する。   Further, when a scintillator protective layer made of an organic film made of polyparaxylylene used in a large area (for example, 43 cm × 43 cm) radiation detection apparatus such as an X-ray digital camera is formed by the CVD method, the in-plane of the scintillator protective layer The film thickness distribution increases. In the radiation detection apparatuses such as Patent Documents 1 and 2, when the light emitted by the scintillator layer is reflected by the reflection film and enters the photoelectric conversion element, the optical path is determined by the in-plane film thickness distribution of the scintillator protection layer. There is a difference in length. As a result, there is a problem that the resolution of the acquired image is lowered. In addition, in the radiation detection apparatus such as Patent Document 3, when light emitted by the scintillator layer is incident on the light receiving element, a difference occurs in the optical path length due to the film thickness distribution in the surface of the scintillator protection layer, As a result, there is a problem that the resolution of the acquired image is lowered.

また、ポリパラキシリレン製有機膜は、上記特許文献１，２の保護層、及び上記特許文献３のシンチレータ下地層との密着性が悪く、シンチレータ保護層と保護層またはシンチレータ保護層とシンチレータ下地層の界面において剥離もしくは隙間が生じ、シンチレータ保護層と保護層界面およびシンチレータ保護層とシンチレータ下地層界面における耐湿性・耐衝撃性が低下してしまうという問題を有する。また、特許文献１，２ではシンチレータ保護層端部に被覆樹脂を設けて耐湿性・耐衝撃性を確保しているが、構成部材が増えるためにコストが高くなってしまうという問題を有する。   Also, the organic film made of polyparaxylylene has poor adhesion to the protective layer of Patent Documents 1 and 2 and the scintillator underlayer of Patent Document 3, and the scintillator protective layer and the protective layer or the scintillator protective layer and the scintillator There is a problem that peeling or gaps occur at the interface of the base layer, and the moisture resistance and impact resistance at the scintillator protective layer / protective layer interface and the scintillator protective layer / scintillator underlayer interface decrease. Further, in Patent Documents 1 and 2, a coating resin is provided at the end of the scintillator protective layer to ensure moisture resistance and impact resistance, but there is a problem that the cost increases due to an increase in the number of components.

これらの課題を解決するために、本発明に係る放射線検出装置は、複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネル上に配された、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し、前記シンチレータ層の周囲において前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層と、を有し、前記シンチレータ保護層は、ホットメルト樹脂からなり、前記センサーパネルと密着する領域において、加熱加圧処理により圧着された領域を有し、前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄いことを特徴とする放射線検出装置である。 In order to solve these problems, a radiation detection device according to the present invention converts a sensor panel having a light receiving unit in which a plurality of photoelectric conversion elements are disposed, and radiation disposed on the sensor panel into light. a scintillator layer, covering the scintillator layer, anda scintillator protection layer in close contact with the sensor panel in the periphery of the scintillator layer, the scintillator protection layer, Ri Do a hot-melt resin, the adhesion with the sensor panel In the radiation detecting device, the region having a pressure-bonded region by heat and pressure treatment, wherein the pressure-bonded region is thinner than a portion around the region of the scintillator protective layer. is there.

また、本発明のシンチレータパネルは、支持部材と、前記支持部材上に配された放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し、前記シンチレータ層の周囲において前記支持部材と密着するシンチレータ保護層と、を有し、前記シンチレータ保護層はホットメルト樹脂からなり、前記支持部材と密着する領域において、加熱加圧処理により圧着された領域を有し、前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄いことを特徴とするシンチレータパネルである。 The scintillator panel of the present invention covers a support member, a scintillator layer that converts radiation disposed on the support member into light, and covers the scintillator layer, and is in close contact with the support member around the scintillator layer. includes a scintillator protection layer, wherein the scintillator protection layer is Ri Do from the hot-melt resin, in a region close contact with the support member has a region which is crimped by heat and pressure treatment, the crimped region, The scintillator panel is characterized in that the scintillator protective layer is thinner than a portion around the region of the scintillator protective layer .

本発明の放射線検出装置の製造方法は、複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層と、を有する放射線検出装置の製造方法において、前記シンチレータ層が形成された前記センサーパネルを用意し、溶融されたホットメルト樹脂を、前記シンチレータ層と前記シンチレータ層の周囲の前記センサーパネルとを直接被覆するよう設けて、前記シンチレータ保護層を形成する工程と、前記シンチレータ層の周囲において前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層の領域に加熱加圧処理を施して前記シンチレータ保護層と前記センサーパネルとを圧着させることによって、前記シンチレータ保護層のうち前記圧着された領域の厚みを当該領域の周囲の部分よりも薄くする工程とを含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法である。 A method of manufacturing a radiation detection apparatus according to the present invention includes a sensor panel having a light receiving portion in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged, a scintillator layer that is formed on the sensor panel and converts radiation into light, and the scintillator layer. In a manufacturing method of a radiation detection device having a scintillator protective layer that covers and adheres closely to the sensor panel, the sensor panel on which the scintillator layer is formed is prepared, and the melted hot melt resin is added to the scintillator layer and the scintillator layer. provided so as to cover and said sensor panel surrounding the scintillator layer directly, and forming the scintillator protection layer, a heating and pressurizing treatment to the region of the scintillator protection layer adhering to said sensor panel around the scintillator layer To apply pressure to the scintillator protective layer and the sensor panel And by the thickness of the crimped region of the scintillator protection layer is a manufacturing method of a radiation detecting apparatus which comprises a step of thinning than the portion of the periphery of the region.

本発明の放射線検出装置の製造方法は、複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層を含むシンチレータ保護部材と、を有する放射線検出装置の製造方法において、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層を有するシンチレータ保護部材を形成する第１工程と、前記シンチレータ層が形成された前記センサーパネルを用意し、前記シンチレータ保護層が前記シンチレータ層と前記シンチレータ層の周囲の前記センサーパネルとを直接被覆するように前記シンチレータ保護部材を前記シンチレータ層及び前記センサーパネルに密着させる第２工程と、前記シンチレータ層の周囲において前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層の領域に加熱加圧処理を施して前記シンチレータ保護層と前記センサーパネルとを圧着させることによって、前記シンチレータ保護層のうち前記圧着された領域の厚みを当該領域の周囲の部分よりも薄くする工程とを含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法である。 A method of manufacturing a radiation detection apparatus according to the present invention includes a sensor panel having a light receiving portion in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged, a scintillator layer that is formed on the sensor panel and converts radiation into light, and the scintillator layer. A scintillator protection member including a scintillator protection layer that covers and adheres to the sensor panel; and a first step of forming a scintillator protection member having a scintillator protection layer made of hot melt resin, prepare the sensor panel scintillator layer is formed, the scintillator protection layer is the scintillator layer and the sensor panel and directly covering said scintillator protection member said scintillator layer and the sensor panel as surrounding the scintillator layer a second step of adhering the said sheet The pressure-bonded region of the scintillator protective layer is formed by subjecting the scintillator protective layer and the sensor panel to pressure bonding by subjecting the region of the scintillator protective layer that is in close contact with the sensor panel around the scintillator layer to pressure-bond the scintillator protective layer and the sensor panel. And a step of making the thickness of the radiation detector thinner than the surrounding portion of the region .

本発明のシンチレータパネルの製造方法は、支持部材と、前記支持部材上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記支持部材と密着するシンチレータ保護層と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、前記シンチレータ層が形成された前記支持部材を用意し、溶融されたホットメルト樹脂を、前記シンチレータ層と前記シンチレータ層の周囲の前記支持部材とを直接被覆するよう設けて前記シンチレータ保護層を形成する工程と、前記シンチレータ層の周囲において前記支持部材と密着するシンチレータ保護層の領域に加熱加圧処理を施して前記シンチレータ保護層と前記支持部材とを圧着させることによって、前記シンチレータ保護層のうち前記圧着された領域の厚みを当該領域の周囲の部分よりも薄くする工程と、を含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法である。 A method of manufacturing a scintillator panel according to the present invention includes a support member, a scintillator layer that is formed on the support member and converts radiation into light, and a scintillator protective layer that covers the scintillator layer and adheres closely to the support member. In the method of manufacturing a scintillator panel, the support member on which the scintillator layer is formed is prepared, and the melted hot melt resin is provided so as to directly cover the scintillator layer and the support member around the scintillator layer. Forming the scintillator protective layer, and applying heat and pressure treatment to a region of the scintillator protective layer that is in close contact with the support member around the scintillator layer to press-bond the scintillator protective layer and the support member The thickness of the crimped region of the scintillator protective layer is the thickness of the region. A step of thinning than the portion of the circumference, is a manufacturing method of a scintillator panel, which comprises a.

また本発明のシンチレータパネルの製造方法は、支持部材と、前記支持部材上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記支持部材と密着するシンチレータ保護層と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層を有するシンチレータ保護部材を形成する第１工程と、前記シンチレータ層が形成された前記支持部材を用意し、前記シンチレータ保護層が前記シンチレータ層と前記シンチレータ層の周囲の前記支持部材とを直接被覆するように前記シンチレータ保護部材を前記シンチレータ層及び支持部材に密着させる第２工程と、前記シンチレータ層の周囲において前記支持部材と密着するシンチレータ保護層の領域に加熱加圧処理を施して前記シンチレータ保護層と前記支持部材とを圧着させることによって、前記シンチレータ保護層のうち前記圧着された領域の厚みを当該領域の周囲の部分よりも薄くする工程と、を含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法である。
また、本発明の放射線検出装置は、複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネル上に配された、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層の周囲における前記センサーパネルの領域において加熱加圧処理が施されて溶融したホットメルト樹脂が前記センサーパネルの表面の凹凸に入り込み、冷却による固化によって前記センサーパネルの表面に圧着された領域を有するとともに、前記シンチレータ層の表面及び側面と前記センサーパネルの表面の一部を被覆するように配されたシンチレータ保護層とを有し、前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄いことを特徴とする放射線検出装置である。
また本発明のシンチレータパネルは、支持部材と、前記支持部材上に配された放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層の周囲における前記支持部材の領域において加熱加圧処理が施されて溶融したホットメルト樹脂が前記支持部材の表面の凹凸に入り込み、冷却による固化によって前記支持部材の表面に圧着された領域を有するとともに、前記シンチレータ層の表面及び側面と前記支持部材の表面の一部を被覆するように配されたシンチレータ保護層とを有し、前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄いことを特徴とするシンチレータパネルである。 Further, the scintillator panel manufacturing method of the present invention includes a support member, a scintillator layer that is formed on the support member and converts radiation into light, a scintillator protective layer that covers the scintillator layer and adheres closely to the support member, A scintillator protection member having a scintillator protection layer made of a hot melt resin, and a support member on which the scintillator layer is formed, the scintillator protection layer being close contact and a second step of adhering the scintillator layer and the support member the scintillator protection member so as to cover said support member around the scintillator layer and the scintillator layer directly, and the supporting member around the scintillator layer Before applying heat and pressure treatment to the area of the scintillator protective layer By crimping the said support member and the scintillator protection layer, the scintillator panel comprising the the steps of thinner than portions around the crimped region the area the thickness of the scintillator protection layer It is a manufacturing method.
In addition, the radiation detection apparatus of the present invention includes a sensor panel having a light receiving unit in which a plurality of photoelectric conversion elements are disposed, a scintillator layer disposed on the sensor panel that converts radiation into light, and the scintillator layer. It enters the hot-melt resin melted is decorated heating and pressurizing treatment in the area of the sensor panel in surrounding the unevenness of the surface of the sensor panel, which is pressure wear surface before Symbol sensor panel by solidification by cooling region and has a, have a scintillator protection layer disposed to cover a portion of the surface and a side surface of the scintillator layer surface of the sensor panel, the crimped region is the one of the scintillator protection layer It is a radiation detection device characterized in that the thickness is thinner than the peripheral portion of the region .
In the scintillator panel of the present invention, the support member, the scintillator layer that converts the radiation disposed on the support member into light, and the region of the support member around the scintillator layer are heated and pressurized. molten hot melt resin enters the unevenness of the surface of the support member, and having a pressure wear areas on the surface before Symbol support member by a solidified by cooling, the support member and the surface and a side surface of the scintillator layer possess a scintillator protection layer disposed to cover the portion of the surface, the crimped region is characterized by a thickness less than the portion of the periphery of the region of the scintillator protection layer scintillator It is a panel.

本発明によれば、シンチレータ保護層の成膜時間が短縮され、生産性が向上する。またシンチレータ保護層の膜厚ばらつきを抑制することができる。さらにシンチレータ下地層や反射層保護層との密着性を向上させることができる。   According to the present invention, the film formation time of the scintillator protective layer is shortened and productivity is improved. Moreover, the film thickness variation of a scintillator protective layer can be suppressed. Furthermore, the adhesion to the scintillator underlayer and the reflective layer protective layer can be improved.

本発明の実施形態として、以下に図面を用いて詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

［第１の実施の形態］
図１は本発明に係わる直接蒸着タイプの放射線検出装置の模式的平面図を示す。図２は、図１のＡ−Ａ’断面図である。図１または図２において、１はガラス等の基板、２は光電変換素子、３は配線であり、光電変換素子２、配線３、及び薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によって受光部１５が構成されている。４は電気的接続部（取り出し配線）、５はセンサー保護層、６はシンチレータ下地層、１１は配線接続部、であり、１〜６、１１によって光検出器（センサーパネル）１６が構成されている。また、７はシンチレータ層、８はシンチレータ保護層、９は反射層、１０は反射層保護層であり、８〜１０によってシンチレータ保護部材が構成されている。また、シンチレータ保護部材の、受光部１５またはシンチレータ層７が形成された周囲の領域のセンサーパネル１６と接触する領域にホットプレス部１４が設けられている。また、１２は配線部材、１３は封止部材である。 [First Embodiment]
FIG. 1 is a schematic plan view of a direct vapor deposition type radiation detection apparatus according to the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ of FIG. In FIG. 1 or FIG. 2, 1 is a substrate such as glass, 2 is a photoelectric conversion element, 3 is a wiring, and the photoelectric conversion element 2, the wiring 3, and a thin film transistor (TFT) constitute a light receiving unit 15. Reference numeral 4 denotes an electrical connection portion (extraction wiring), 5 denotes a sensor protective layer, 6 denotes a scintillator underlayer, and 11 denotes a wiring connection portion. The photodetector (sensor panel) 16 is configured by 1 to 6 and 11. Yes. Reference numeral 7 denotes a scintillator layer, 8 denotes a scintillator protective layer, 9 denotes a reflective layer, 10 denotes a reflective layer protective layer, and 8 to 10 constitute a scintillator protective member. Moreover, the hot press part 14 is provided in the area | region which contacts the sensor panel 16 of the surrounding area | region in which the light-receiving part 15 or the scintillator layer 7 was formed of the scintillator protection member. Further, 12 is a wiring member, and 13 is a sealing member.

基板１は、光電変換素子２、配線３、及びＴＦＴ（不図示）からなる受光部１５が形成されるものであり、材料として、ガラス、耐熱性プラスチック等を好適に用いることができる。光電変換素子２はシンチレータ層７によって放射線から変換された光を電荷に変換するものであり、例えば、アモルファスシリコンなどの材料を用いることが可能である。光電変換素子２の構成は特に限定されず、ＭＩＳ型センサー、ＰＩＮ型センサー、ＴＦＴ型センサー等適宜用いることができる。配線３は信号配線の一部や光電変換素子に電圧（Ｖｓ）を印加するバイアス配線を示し、電気的接続部４は信号配線又は駆動配線を示す。光電変換素子２で光電変換された信号はＴＦＴによって読み出され、信号配線を介して信号処理回路に出力される。また行方向に配列されたＴＦＴのゲートは行ごとに駆動配線に接続され、ＴＦＴ駆動回路により行毎にＴＦＴが選択される。信号処理回路及びＴＦＴ駆動回路は基板１外に設けられ、光電変換素子２やＴＦＴとは電気的接続部４、配線接続部１１、配線部材１２を介して接続される。センサー保護層５は、受光部１５を被覆して保護するためのものであり、ＳｉＮ，ＳｉＯ2などの無機膜が好ましい。シンチレータ下地層６はセンサー保護層上に設けられ、材料としては、ポリイミド、パラキシリレン等の有機物質からなる耐熱性の樹脂が好ましい。たとえば、熱硬化型のポリイミド樹脂等を用いることが可能である。センサー保護膜５、シンチレータ下地層６は光電変換素子を保護する機能を有する。またシンチレータ下地層６はセンサーパネル１６の表面を平坦化する機能を有する。また、シンチレータ下地層６の表面は、シンチレータ層との密着性を向上させるために、シンチレータ下地層６の表面を大気圧プラズマ処理等の活性化処理を適宜用いてもよい。シンチレータ層７は、放射線を光電変換素子２が感知可能な波長の光に変換するものであり、柱状結晶構造を有するシンチレータが好ましい。柱状結晶構造を有するシンチレータは、発生した光が柱状結晶内を伝搬するので光散乱が少なく、解像度を向上させることができる。ただし、シンチレータ層７として柱状結晶構造を有するシンチレータ以外の材料を用いてもよい。柱状結晶構造を有するシンチレータ層７の材料としては、ハロゲン化アルカリを主成分とする材料が用いられる。たとえば、ＣｓＩ：Ｔｌ、ＣｓＩ：Ｎａ、ＣｓＢｒ：Ｔｌが用いられる。その作製方法は、たとえばＣｓＩ：Ｔｌでは、ＣｓＩとＴｌＩを同時に蒸着することで形成できる。シンチレータ保護層８は、シンチレータ層７に対して、外気からの水分の侵入を防止する防湿保護機能及び衝撃により構造破壊を防止する衝撃保護機能を有するものである。シンチレータ保護層８の厚さは２０〜２００μｍが好ましい。２０μｍ以下では、シンチレータ層７表面の凹凸、及びスプラッシュ欠陥を完全に被覆することができず、防湿保護機能が低下する恐れがある。一方、２００μｍを超えるとシンチレータ層７で発生した光もしくは反射層で反射された光のシンチレータ保護層８内での散乱が増加し、取得される画像の解像度及びＭＴＦ（Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｆａｎｃｔｉｏｎ）が低下する恐れがある。本発明において、シンチレータ保護層８としてホットメルト樹脂を用いることを特徴としている。ホットメルト樹脂を用いたシンチレータ保護層に関する説明は別途後述する。 The substrate 1 is formed with a photoelectric conversion element 2, a wiring 3, and a light receiving portion 15 including a TFT (not shown), and glass, heat-resistant plastic, or the like can be suitably used as a material. The photoelectric conversion element 2 converts light converted from radiation by the scintillator layer 7 into electric charges. For example, a material such as amorphous silicon can be used. The configuration of the photoelectric conversion element 2 is not particularly limited, and an MIS sensor, a PIN sensor, a TFT sensor, or the like can be used as appropriate. A wiring 3 indicates a bias wiring for applying a voltage (Vs) to a part of the signal wiring and the photoelectric conversion element, and an electrical connection portion 4 indicates a signal wiring or a driving wiring. The signal photoelectrically converted by the photoelectric conversion element 2 is read out by the TFT and output to the signal processing circuit via the signal wiring. The gates of the TFTs arranged in the row direction are connected to the drive wiring for each row, and the TFT is selected for each row by the TFT drive circuit. The signal processing circuit and the TFT drive circuit are provided outside the substrate 1, and are connected to the photoelectric conversion element 2 and the TFT through the electrical connection portion 4, the wiring connection portion 11, and the wiring member 12. The sensor protective layer 5 is for covering and protecting the light receiving portion 15 and is preferably an inorganic film such as SiN or SiO 2 . The scintillator underlayer 6 is provided on the sensor protective layer, and the material is preferably a heat resistant resin made of an organic substance such as polyimide or paraxylylene. For example, a thermosetting polyimide resin or the like can be used. The sensor protective film 5 and the scintillator base layer 6 have a function of protecting the photoelectric conversion element. The scintillator underlayer 6 has a function of flattening the surface of the sensor panel 16. Further, the surface of the scintillator underlayer 6 may be appropriately subjected to an activation treatment such as atmospheric pressure plasma treatment for improving the adhesion with the scintillator layer. The scintillator layer 7 converts radiation into light having a wavelength that can be sensed by the photoelectric conversion element 2, and is preferably a scintillator having a columnar crystal structure. In a scintillator having a columnar crystal structure, generated light propagates in the columnar crystal, so that light scattering is small and resolution can be improved. However, a material other than the scintillator having a columnar crystal structure may be used as the scintillator layer 7. As a material of the scintillator layer 7 having a columnar crystal structure, a material mainly composed of an alkali halide is used. For example, CsI: Tl, CsI: Na, and CsBr: Tl are used. For example, CsI: Tl can be formed by simultaneously depositing CsI and TlI. The scintillator protective layer 8 has a moisture-proof protective function for preventing moisture from entering from the outside air and an impact protective function for preventing structural destruction by impact with respect to the scintillator layer 7. The thickness of the scintillator protective layer 8 is preferably 20 to 200 μm. If it is 20 μm or less, the unevenness and splash defects on the surface of the scintillator layer 7 cannot be completely covered, and the moisture-proof protective function may be lowered. On the other hand, when the thickness exceeds 200 μm, scattering of the light generated in the scintillator layer 7 or the light reflected by the reflection layer in the scintillator protection layer 8 increases, and the resolution of the acquired image and MTF (Modulation Transfer Function) decrease. There is a fear. In the present invention, a hot melt resin is used as the scintillator protective layer 8. The description regarding the scintillator protective layer using hot-melt resin is separately mentioned later.

反射層９は、シンチレータ層７で変換して発せられた光のうち、光電変換素子２と反対側に進行した光を反射して光電変換素子２に導くことにより、光利用効率を向上させる機能を有するものである。また、反射層９は、光電変換素子２にシンチレータ層７で発生された光以外の外部光線を遮断し、光電変換素子２にノイズが入ることを防止する機能を更に有する。反射層９としては、金属箔または金属薄膜を用いることが好ましく、反射層９の厚さは１〜１００μｍが好ましい。１μｍより薄いと反射層９の形成時にピンホール欠陥が発生しやすく、また遮光性に劣る。一方、１００μｍを超えると、放射線の吸収量が大きく被撮影者が被爆する線量の増加につながる恐れがあり、また、シンチレータ層７とセンサーパネル１６の表面との段差を隙間無く覆うことが困難となる恐れがある。反射層９の材料としては、アルミニウム、金、銅、アルミ合金、などの特に限定されない金属材料を用いることができるが、反射特性の高い材料としては、アルミニウム、金が好ましい。反射層保護層１０は、反射層９の衝撃による破壊、及び水分による腐食を防止する機能を有し、樹脂フィルムを用いることが好ましい。反射層保護層１０の材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、塩化ビニル、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、などのフィルム材料を用いることが好ましい。反射層保護層１０の厚さは１０〜１００μｍが好ましい。   The reflection layer 9 has a function of improving the light utilization efficiency by reflecting the light that has traveled to the opposite side of the photoelectric conversion element 2 out of the light emitted by being converted by the scintillator layer 7 and guiding it to the photoelectric conversion element 2. It is what has. The reflective layer 9 further has a function of blocking external light rays other than the light generated in the scintillator layer 7 in the photoelectric conversion element 2 and preventing noise from entering the photoelectric conversion element 2. As the reflective layer 9, it is preferable to use a metal foil or a metal thin film, and the thickness of the reflective layer 9 is preferably 1 to 100 μm. If the thickness is less than 1 μm, pinhole defects are likely to occur when the reflective layer 9 is formed, and the light shielding property is poor. On the other hand, if it exceeds 100 μm, the amount of radiation absorbed is large, which may lead to an increase in the dose of exposure to the subject, and it is difficult to cover the step between the scintillator layer 7 and the surface of the sensor panel 16 without a gap. There is a fear. As the material of the reflective layer 9, metal materials such as aluminum, gold, copper, and aluminum alloy that are not particularly limited can be used, but aluminum and gold are preferable as materials having high reflective characteristics. The reflective layer protective layer 10 has a function of preventing the reflective layer 9 from being damaged by impact and corrosion due to moisture, and a resin film is preferably used. As a material for the reflective layer protective layer 10, it is preferable to use a film material such as polyethylene terephthalate, polycarbonate, vinyl chloride, polyethylene naphthalate, polyimide, or the like. The thickness of the reflective layer protective layer 10 is preferably 10 to 100 μm.

配線接続部１１は、電気的接続部４と配線部材１２とを電気的に接続するための部材であり、異方導電性接着剤などにより配線部材１２と電気的に接続される。配線部材１２は、光電変換素子２で変換された電気信号を読み出すためのＩＣ部品などを搭載した部材であり、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）などが好適に用いられる。封止部材１３は、配線部材１２及び電気的接続部４に対して、水分による腐食を防止する機能、衝撃による破壊を防止する機能、及び製造時に発生する受光部１５の破壊の原因となる静電気を防止する機能を有するものである。   The wiring connection part 11 is a member for electrically connecting the electrical connection part 4 and the wiring member 12, and is electrically connected to the wiring member 12 by an anisotropic conductive adhesive or the like. The wiring member 12 is a member on which an IC component or the like for reading an electric signal converted by the photoelectric conversion element 2 is mounted, and a TCP (Tape Carrier Package) or the like is preferably used. The sealing member 13 has a function of preventing corrosion due to moisture, a function of preventing damage due to impact, and a static electricity that causes damage to the light receiving part 15 that occurs during manufacturing, with respect to the wiring member 12 and the electrical connection part 4. It has the function to prevent.

ホットプレス部１４は、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８のシンチレータ層７周辺の領域とセンサーパネル１６との接触界面における防湿性を向上させるために設けられているものである。本実施形態では、シンチレータ層７の周辺部において、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８はシンチレータ下地層６と接している。ホットプレス部１４はシンチレータ保護部材の周辺部の一部または全体に設けることが可能である。本実施形態では、図１に示すようにシンチレータ保護部材の周辺部全体に設けられている。ホットプレス部１４は、加熱加圧手段３４（図１４に示す）によってホットメルト樹脂の厚さが他の部分より薄くなるよう部分的に加熱加圧処理され圧着（加圧により密着）された領域である。図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、加熱加圧手段３４によりシンチレータ保護層８をホットプレス処理した後、反射層９と光反射保護層１０を形成し、ホットプレス処理することでホットプレス部１４が形成される。シンチレータ保護層８、反射層９と反射層保護層１０をまとめてホットプレスしてもよい。図３（ａ）に図２のＸ方向から見たＣ−Ｃ’断面図を、図３（ｂ）にＸ方向から見たＤ−Ｄ’断面図を示す。４ａ〜４ｅは電気的接続部４の配線パターンを示す。シンチレータ下地層６のシンチレータ層７が形成された周囲の領域において、取り出し配線４の存在によりセンサー保護層５の表面には凹凸が生じる。その凹凸を緩和するために平坦化層として機能するシンチレータ下地層６を形成するが、シンチレータ下地層６の表面も完全に平坦とはならず、若干の凹凸を有する。そのような表面上にホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８を形成しても、図３（ｂ）に示されるように若干の隙間３１が生じる可能性がある。つまり、ホットプレス（加熱加圧）を行わない断面を示す図３（ｂ）の部分では、配線パターン４ａ〜４ｅの凸凹へのホットメルト樹脂の進入が不十分で、配線パターンとホットメルト樹脂の間に空隙が生じる場合がある。この隙間３１により、１）シンチレータ下地層６とシンチレータ保護層８との密着力の低下、２）隙間３１より侵入する大気中の水分によるシンチレータ層７の潮解、３）シンチレータ保護層８の防湿性の低下、を引き起こす可能性がある。そこで、シンチレータ下地層６とシンチレータ保護層８が接する領域Ｓにおいてシンチレータ層７が形成された領域を取り囲むように加熱加圧手段３４を用いてホットプレス処理（加熱加圧処理）を行うことにより、加熱により溶融したホットメルト樹脂が加圧によりシンチレータ下地層６の表面上の凹部に入り、冷却により硬化されてシンチレータ下地層６上の隙間３１を埋めて密着する。つまり、ホットプレス処理を行った断面を示す図３（ａ）の部分では、ホットメルト樹脂の溶融が十分に行われるため隙間３１の発生は抑制され、その結果密着力が向上し、周辺部の防湿性が向上する。ホットプレス処理としては、例えば圧力１〜１０ｋg/ｃｍ2、温度はホットメルト樹脂の溶融開始温度より１０〜５０℃以上の温度で１〜６０秒間行われる。 The hot press section 14 is provided to improve moisture resistance at the contact interface between the area around the scintillator layer 7 of the scintillator protective layer 8 made of hot melt resin and the sensor panel 16. In the present embodiment, the scintillator protective layer 8 made of hot melt resin is in contact with the scintillator base layer 6 at the periphery of the scintillator layer 7. The hot press part 14 can be provided in a part or the whole of the peripheral part of the scintillator protection member. In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the scintillator protection member is provided on the entire periphery. The hot press unit 14 is a region where the hot-melt resin is partially heated and pressed by the heating and pressurizing means 34 (shown in FIG. 14) so that the thickness of the hot melt resin is thinner than that of the other part, and is pressed (adhered by pressing). It is. As shown in FIGS. 14A and 14B, after the scintillator protective layer 8 is hot-pressed by the heating and pressurizing means 34, the reflective layer 9 and the light-reflective protective layer 10 are formed and hot-pressed. A hot press portion 14 is formed. The scintillator protective layer 8, the reflective layer 9, and the reflective layer protective layer 10 may be hot pressed together. 3A is a cross-sectional view taken along the line CC ′ viewed from the X direction in FIG. 2, and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along the line DD ′ viewed from the X direction. Reference numerals 4 a to 4 e denote wiring patterns of the electrical connection portion 4. In the surrounding area of the scintillator underlayer 6 where the scintillator layer 7 is formed, the surface of the sensor protective layer 5 is uneven due to the presence of the extraction wiring 4. A scintillator underlayer 6 that functions as a planarizing layer is formed to alleviate the unevenness, but the surface of the scintillator underlayer 6 is not completely flat and has some unevenness. Even if the scintillator protective layer 8 made of hot melt resin is formed on such a surface, there is a possibility that a slight gap 31 is generated as shown in FIG. That is, in the part of FIG. 3B showing a cross section where hot pressing (heating and pressing) is not performed, the hot melt resin has not sufficiently entered the unevenness of the wiring patterns 4a to 4e, and the wiring pattern and the hot melt resin There may be gaps between them. Due to the gap 31, 1) a decrease in adhesion between the scintillator underlayer 6 and the scintillator protective layer 8, 2) deliquescence of the scintillator layer 7 due to moisture in the atmosphere entering through the gap 31, and 3) moisture resistance of the scintillator protective layer 8 May cause a drop in Therefore, by performing a hot press process (heat press process) using the heating and pressurizing means 34 so as to surround the area where the scintillator layer 7 is formed in the area S where the scintillator underlayer 6 and the scintillator protective layer 8 are in contact with each other, The hot melt resin melted by heating enters the concave portion on the surface of the scintillator underlayer 6 by pressurization, is cured by cooling, and closes and closes the gap 31 on the scintillator underlayer 6. That is, in the portion of FIG. 3A showing the cross section subjected to the hot press treatment, the hot melt resin is sufficiently melted, so that the generation of the gap 31 is suppressed, and as a result, the adhesion is improved and the peripheral portion is improved. Improves moisture resistance. As the hot press treatment, for example, the pressure is 1 to 10 kg / cm 2 and the temperature is 10 to 50 ° C. or more from the melting start temperature of the hot melt resin for 1 to 60 seconds.

以下に、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８について、詳細に説明する。シンチレータ層を保護するために、特に柱状結晶構造を有するシンチレータ層７を保護するために、シンチレータ保護層８は下記１）〜１２）に示す機能が求められる。
１） 外部からの衝撃による破壊を防止する耐衝撃性を有する
２） 放射線源からの放射線を好適に透過する放射線透過性を有する
３） シンチレータ層７で発せられた光を好適に透過する光透過性を有する
４） シンチレータ層、センサーパネルまたは支持部材表面との高い密着性を有する
５） 透過光の光路差による解像度低下を防止する層厚の面内均一性を有する
６） 基板と反射層との熱膨張係数差に起因する応力を吸収する吸収性を有する
７） シンチレータ層及び受光部に悪影響を及ぼさない成膜（形成）温度を有する
８） 生産性に富んだ高い成膜（形成）速度を有する
９） 外気からの水分の侵入を防ぐ高い防湿性（耐湿性、非透水性）を有する
１０） 柱状結晶を溶解する水、極性溶媒、溶剤などを含まない
１１） 柱状結晶間へのしみ込みによる顕著な解像度の低下を招かない粘性を有する
１２） エタノールなど医療器具の消毒用溶剤に不溶または微溶である特性を有する
上記の機能を満たすシンチレータ保護層８の材料としては、ホットメルト樹脂を用いることが好ましい。ホットメルト樹脂は、水や溶剤を含まない、室温で固体であり、１００％不揮発性の熱可塑性材料からなる接着性樹脂と定義されるものである（Ｔｈｏｍａｓ.ｐ.Ｆｌａｎａｇａｎ,Ａｄｈｅｓｉｖｅ Ａｇｅ,９,Ｎｏ３,２８（１９９６））。ホットメルト樹脂は、樹脂温度が上昇すると溶融し、樹脂温度が低下すると固化するものである。また、ホットメルト樹脂は、加熱溶融状態で、他の有機材料、および無機材料に接着性をもち、常温で固体状態となり接着性を持たないものである。また、ホットメルト樹脂は極性溶媒、溶剤、および水を含んでいないので、潮解性を有するシンチレータ層（例えば、ハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有するシンチレータ層）に接触してもシンチレータ層を溶解しないため、シンチレータ保護層として使用され得る。ホットメルト樹脂は、熱可塑性樹脂を溶剤に溶かし溶媒塗布法によって形成された溶剤揮発硬化型の接着性樹脂とは異なる。またエポキシ等に代表される化学反応によって形成される化学反応型の接着性樹脂とも異なる。 Below, the scintillator protective layer 8 which consists of hot-melt resin is demonstrated in detail. In order to protect the scintillator layer, in particular to protect the scintillator layer 7 having a columnar crystal structure, the scintillator protection layer 8 is required to have the functions shown in the following 1) to 12).
1) It has impact resistance to prevent damage caused by external impacts 2) It has radiation permeability that suitably transmits radiation from a radiation source 3) Light transmission that preferably transmits light emitted by the scintillator layer 7 4) High adhesion to the surface of the scintillator layer, sensor panel or support member 5) In-plane uniformity of layer thickness to prevent resolution reduction due to optical path difference of transmitted light 6) Substrate and reflective layer 7) Has a film-forming (forming) temperature that does not adversely affect the scintillator layer and the light-receiving part 8) Has high productivity (film-forming) speed 9) High moisture resistance (moisture resistance, non-water permeability) to prevent moisture from entering from outside air 10) Does not contain water, polar solvent, solvent, etc. that dissolves columnar crystals 11) Blots between columnar crystals 12) It has a viscosity that does not cause a noticeable decrease in resolution due to the appearance of the resin. 12) It has a property of being insoluble or slightly soluble in a disinfecting solvent for medical devices such as ethanol. Is preferably used. A hot melt resin is one that is solid at room temperature and does not contain water or a solvent, and is defined as an adhesive resin made of a 100% non-volatile thermoplastic material (Thomas. P. Flanagan, Adhesive Age, 9, No. 3, 28 (1996)). The hot melt resin melts when the resin temperature rises and solidifies when the resin temperature falls. Further, the hot melt resin has adhesiveness to other organic materials and inorganic materials in a heated and melted state, and is in a solid state at room temperature and has no adhesiveness. Moreover, since the hot melt resin does not contain a polar solvent, a solvent, and water, the scintillator layer can be dissolved even if it contacts a scintillator layer having deliquescence (for example, a scintillator layer having a columnar crystal structure made of an alkali halide). Therefore, it can be used as a scintillator protective layer. The hot melt resin is different from a solvent volatile curable adhesive resin formed by dissolving a thermoplastic resin in a solvent and using a solvent coating method. It is also different from a chemically reactive adhesive resin formed by a chemical reaction typified by epoxy.

ホットメルト樹脂材料は主成分であるベースポリマー（ベース材料）の種類によって分類され、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリアミド系等を用いることができる。上記のごとくシンチレータ保護層８としては、防湿性が高く、またシンチレータから発生する可視光線を透過する光透過性が高いことが重要である。シンチレータ保護層８として必要とされる防湿性を満たすホットメルト樹脂としてポリオレフィン系樹脂、ポリエステル系樹脂が好ましい。特に吸湿率が低いポリオレフィン樹脂が好ましい。また光透過性の高い樹脂として、ポリオレフィン系樹脂が好ましい。したがってシンチレータ保護層８としてポリオレフィン系樹脂をベースにしたホットメルト樹脂がより好ましい。   Hot-melt resin materials are classified according to the type of base polymer (base material) that is the main component, and polyolefin-based, polyester-based, polyamide-based, and the like can be used. As described above, it is important for the scintillator protective layer 8 to have high moisture resistance and high light transmittance to transmit visible light generated from the scintillator. Polyolefin resins and polyester resins are preferred as hot melt resins that satisfy the moisture resistance required for the scintillator protective layer 8. Particularly preferred is a polyolefin resin having a low moisture absorption rate. A polyolefin resin is preferable as the resin having high light transmittance. Accordingly, a hot melt resin based on a polyolefin resin is more preferable as the scintillator protective layer 8.

なお、上述したように、シンチレータ下地層６とシンチレータ保護層８が接するシンチレータ層７が形成された周囲の領域において、シンチレータ層７が形成された領域を取り囲むようにホットプレス処理によりヒートシール（加熱加圧接着）を行うことが望ましく、このような目的からも、温度が上昇すると溶融し被着体に接着し、樹脂温度が冷却されると固化する性質を有する、ポリオレフィン系、ポリエステル系、ポリアミド系等のホットメルト樹脂が好適に用いられるものである。   As described above, in the surrounding area where the scintillator layer 7 where the scintillator underlayer 6 and the scintillator protective layer 8 are in contact is formed, heat sealing (heating) is performed so as to surround the area where the scintillator layer 7 is formed. It is desirable to carry out pressure bonding). For these purposes, polyolefin, polyester, and polyamide have the property of melting and adhering to the adherend when the temperature rises and solidifying when the resin temperature is cooled. Hot melt resins such as those are preferably used.

シンチレータ保護層８の形成温度としては、シンチレータ層７または受光部１５である光電変換素子２、配線３、ＴＦＴ（不図示）に悪影響を及ぼさない温度であることが要求される。シンチレータ保護層８に用いられるホットメルト樹脂の形成温度は、樹脂の溶融開始温度に依存する。シンチレータ保護層８に用いられるホットメルト樹脂の溶融開始温度は、７０℃以上で、１５０℃以下が好ましい。７０℃より低いと、製品の耐熱性、保存耐久性が劣る、１５０℃を超えると、シンチレータ層７の表面に貼りあわせる温度が１５０℃を超えた温度が必要となり、ガラス等からなる基板１とホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８の熱膨張差が大きくなり、基板１にシンチレータ保護層８を形成したときに基板１のそりが大きくなり好ましくない。上記ポリエステル系の樹脂では、７０℃から１５０℃で形成、密着処理可能な溶融粘度にするためには、多くの可塑剤が必要となる。この可塑剤はシンチレータ層７に拡散しシンチレータ層７の劣化等につながる恐れがある。したがって、ホットメルト樹脂の溶融開始温度範囲の好適な範囲を考慮すると、多くの可塑剤の使用を必要としないポリオレフィン系樹脂材料がより好ましい。   The formation temperature of the scintillator protective layer 8 is required to be a temperature that does not adversely affect the scintillator layer 7 or the photoelectric conversion element 2, the wiring 3, and the TFT (not shown) that are the light receiving portions 15. The formation temperature of the hot melt resin used for the scintillator protective layer 8 depends on the melting start temperature of the resin. The melting start temperature of the hot melt resin used for the scintillator protective layer 8 is 70 ° C. or higher and preferably 150 ° C. or lower. When the temperature is lower than 70 ° C., the heat resistance and storage durability of the product are inferior. When the temperature exceeds 150 ° C., the temperature to be bonded to the surface of the scintillator layer 7 is higher than 150 ° C. The difference in thermal expansion of the scintillator protective layer 8 made of hot-melt resin is increased, and when the scintillator protective layer 8 is formed on the substrate 1, the warp of the substrate 1 increases, which is not preferable. The above-mentioned polyester-based resin requires many plasticizers in order to obtain a melt viscosity that can be formed and adhered at 70 ° C. to 150 ° C. This plasticizer may diffuse into the scintillator layer 7 and lead to deterioration of the scintillator layer 7 or the like. Accordingly, considering a suitable range of the melting start temperature range of the hot melt resin, a polyolefin resin material that does not require the use of many plasticizers is more preferable.

柱状結晶構造を有するシンチレータ層７の柱状結晶間へのホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８のしみ込みは、ホットメルト樹脂の溶融時の粘性率（溶融粘度）に依存する。しみ込みに関して求められる溶融時の粘性率としては、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８の形成温度である１００〜１４０℃において、１×１０3Ｐａ・ｓ以上であることが望ましい。より好ましくは、 １．５×１０3Ｐａ・ｓ以上であることが望ましい。溶融時の粘性率が１×１０3Ｐａ・ｓに満たないとシンチレータ層７の柱状結晶間にホットメルト樹脂がしみ込み、シンチレータ層７で変換された光が散乱し、受光部１５で検出される画像の解像度が低下してしまう。 The penetration of the scintillator protective layer 8 made of hot melt resin between the columnar crystals of the scintillator layer 7 having a columnar crystal structure depends on the viscosity (melt viscosity) at the time of melting of the hot melt resin. The melting viscosity required for the penetration is preferably 1 × 10 3 Pa · s or more at 100 to 140 ° C., which is the formation temperature of the scintillator protective layer 8 made of hot melt resin. More preferably, it is 1.5 × 10 3 Pa · s or more. If the viscosity at the time of melting is less than 1 × 10 3 Pa · s, the hot melt resin penetrates between the columnar crystals of the scintillator layer 7, and the light converted by the scintillator layer 7 is scattered and detected by the light receiving unit 15. The resolution of the image will be reduced.

ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８とシンチレータ層７及び／またはシンチレータ下地層６との密着性は、樹脂溶融時の粘性率、樹脂の抗張力に依存する。密着性に関して求められる粘性率としては１×１０4Ｐａ・ｓ以下であることが望ましい。より好ましくは、 ６．０×１０3Ｐａ・ｓ以下であることが望ましい。溶融時の粘性率が１×１０4Ｐａ・ｓを超えてしまうとシンチレータ層７およびシンチレータ下地層６に対して必要とされる密着力が得られない。よって本発明のシンチレータ保護層８に用いられるホットメルト樹脂の粘性率としては、１００〜１４０℃において１×１０3〜１×１０4Ｐａ・ｓであることが望ましい。より好ましくは１．５×１０3〜６．０×１０3Ｐａ・ｓであることが望ましい。 The adhesion between the scintillator protective layer 8 made of hot melt resin and the scintillator layer 7 and / or the scintillator underlayer 6 depends on the viscosity at the time of resin melting and the tensile strength of the resin. The viscosity required for adhesion is preferably 1 × 10 4 Pa · s or less. More preferably, it is 6.0 × 10 3 Pa · s or less. If the viscosity at the time of melting exceeds 1 × 10 4 Pa · s, the adhesion required for the scintillator layer 7 and the scintillator underlayer 6 cannot be obtained. Therefore, the viscosity of the hot melt resin used for the scintillator protective layer 8 of the present invention is preferably 1 × 10 3 to 1 × 10 4 Pa · s at 100 to 140 ° C. More preferably, it is 1.5 × 10 3 to 6.0 × 10 3 Pa · s.

また、密着性に関して求められる抗張力としては４０〜３００Ｋｇ／ｃｍ2、好ましくは５０〜２００Ｋｇ／ｃｍ2であることが望ましい。抗張力が４０Ｋｇ／ｃｍ2に満たないと、シンチレータ保護層８として求められる強度が不足する恐れがある。また、抗張力が３００Ｋｇ／ｃｍ2を超えてしまうと、基板１とシンチレータ保護層８との間の熱膨張差によって引き起こされるシンチレータ保護層８とシンチレータ層７との層間剥離、またはシンチレータ層７とシンチレータ下地層６との層間剥離を防ぐことができない恐れがある。また、上記層間剥離は、抗張力のほかに破壊伸び率にも依存する。本発明にシンチレータ保護層８に用いられるホットメルト樹脂の破壊伸び率としては、４００％以上、好ましくは６００〜１０００％であることが望ましい。 The tensile strength required for adhesion is 40 to 300 Kg / cm 2 , preferably 50 to 200 Kg / cm 2 . If the tensile strength is less than 40 kg / cm 2 , the strength required for the scintillator protective layer 8 may be insufficient. Further, when the tensile strength exceeds 300 kg / cm 2 , delamination between the scintillator protective layer 8 and the scintillator layer 7 caused by a difference in thermal expansion between the substrate 1 and the scintillator protective layer 8 or the scintillator layer 7 and the scintillator. There is a possibility that delamination with the underlayer 6 cannot be prevented. Further, the delamination depends on the breaking elongation in addition to the tensile strength. The breaking elongation of the hot-melt resin used for the scintillator protective layer 8 in the present invention is 400% or more, preferably 600 to 1000%.

本発明におけるシンチレータ保護層８に用いられるホットメルト樹脂に求められる、溶融時粘性率、抗張力及び破壊伸び率による密着力、溶融開始温度は、
（１）ホットメルト樹脂中に含まれる共重合体の含有量、
（２）ホットメルト樹脂中に含まれる共重合体におけるアクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステルの含有量、
（３）ホットメルト樹脂中に含まれる添加剤の含有量、
の要素を単独あるいは２つ以上の要素の組み合わせにより変化させることによって制御することができる。以下にホットメルト樹脂に含まれる共重合体及び各種共重合体を構成する物質について説明する。 The adhesion strength required for the hot melt resin used for the scintillator protection layer 8 in the present invention, the viscosity at melting, the tensile strength and the elongation at break, and the melting start temperature are as follows:
(1) Content of copolymer contained in hot melt resin,
(2) Content of acrylic acid, acrylic acid ester, methacrylic acid, methacrylic acid ester in the copolymer contained in the hot melt resin,
(3) Content of additives contained in the hot melt resin,
These elements can be controlled by changing them individually or in combination of two or more elements. Hereinafter, the copolymer contained in the hot melt resin and substances constituting the various copolymers will be described.

本発明に於いて、シンチレータ保護層８に好適に用いられるポリオレフィン系のホットメルト樹脂は、Ａ．エチレン−酢酸ビニル共重合体、Ｂ．エチレン−アクリル酸共重合体、Ｃ．エチレン−アクリル酸エステル共重合体、Ｄ．エチレン−メタクリル酸共重合体、Ｅ．エチレン−メタクリル酸エステル共重合体、および、アイオノマー樹脂から選ばれる共重合体の少なくとも１種を主成分として含有することが好ましい。   In the present invention, the polyolefin-based hot melt resin suitably used for the scintillator protective layer 8 is A.I. An ethylene-vinyl acetate copolymer; Ethylene-acrylic acid copolymer, C.I. Ethylene-acrylic acid ester copolymer; Ethylene-methacrylic acid copolymer, E.I. It is preferable that at least one copolymer selected from an ethylene-methacrylic acid ester copolymer and an ionomer resin is contained as a main component.

以下に、上記５つの共重合体Ａ〜Ｅについて説明する。
Ａ． エチレン−酢酸ビニル共重合体は、エチレン単位；−ＣＨ2−ＣＨ2− と、酢酸ビニル；−ＣＨ2−ＣＨ（ＯＣＯＣＨ3）−の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔（ＣＨ2−ＣＨ2）a−ＣＨ2−ＣＨ（ＯＣＯＣＨ3）b−〕n （ａ，ｂ，ｎは整数）
で示される。エチレンに対する酢酸ビニルの含有量は２〜４０重量％であることが望ましい。ホットメルト樹脂の防湿性を高くするには酢酸ビニルの含有率を低くすることが好ましい。また、シンチレータとの接着力を高くするためには、酢酸ビニルの含有率を高くすることが好ましい。本発明におけるシンチレータ保護層８に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体の含有率が５〜２０％であることが好ましい。
Ｂ． エチレン−アクリル酸共重合体（ＥＡＡ）は、エチレン単位；−ＣＨ2−ＣＨ2− と、ポリエチレンの構造中にランダムにカルボキシル基が含まれた構造を有するアクリル酸；−ＣＨ2−ＣＨＣＯＯＨ− の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔（ＣＨ2−ＣＨ2）a−（ＣＨ2−ＣＨＣＯＯＨ）b−〕n （ａ，ｂ，ｎは整数）
で示される。エチレンに対するアクリル酸の含有率は４〜２０重量％であることが望ましい。上記酢酸ビニルと同様に、ホットメルト樹脂の防湿性を高くするにはアクリル酸の含有率を低くすることが好ましい。また、シンチレータ層との密着力を高くするためには、アクリル酸の含有率を高くすることが好ましい。本発明におけるシンチレータ保護層８に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−アクリル酸共重合体の含有率が５〜２０％であることが望ましい。
Ｃ． エチレン−アクリル酸エステル共重合体は、
エチレン単位；−ＣＨ2−ＣＨ2− と、アクリル酸エステル；−ＣＨ2−ＣＨＣＯＯＲ− の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔（ＣＨ2−ＣＨ2）a−（ＣＨ2−ＣＨＣＯＯＲ）b−〕n （ａ，ｂ，ｎは整数）
で示される（ここで、Ｒ：ＣＨ3，Ｃ2Ｈ5，Ｃ3Ｈ7のいずれかである）。エチレンに対するアクリル酸エステルの含有率は２〜３５重量％であることが望ましい。上記同様に、ホットメルト樹脂の防湿性を高くするにはアクリル酸エステルの含有率を低くすることが好ましい。また、シンチレータ層との密着力を高くするためには、アクリル酸エステルの含有量を高くすることが好ましい。本発明におけるシンチレータ保護層８に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−アクリル酸エステル共重合体の含有率が８〜２５％であることが望ましい。
Ｄ． エチレン−メタクリル酸共重合体は、
エチレン単位；−ＣＨ2−ＣＨ2− と、ポリエチレンの構造中にランダムにカルボキシル基が含まれる構造を有するメタクリル酸；−ＣＨ2−ＣＣＨ3ＣＯＯＨ− の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔（ＣＨ2−ＣＨ2）a−（ＣＨ2−ＣＣＨ3ＣＯＯＨ）b−〕n （ａ，ｂ，ｎは整数）
で示される。エチレンに対するメタクリル酸の含有率は２〜２０重量％であることが望ましい。上記同様に、ホットメルト樹脂の防湿率を高くするにはメタクリル酸の含有率を低くすることが好ましい。また、シンチレータ層との密着力を高くするためには、メタクリル酸の含有率を高くすることが好ましい。本発明におけるシンチレータ保護層８に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−メタクリル酸共重合体の含有率が５〜１５％であることが望ましい。
Ｅ． エチレン−メタクリル酸エステル共重合体は、
エチレン単位；−ＣＨ2−ＣＨ2− と、メタクリル酸エステル；−ＣＨ2−ＣＣＨ3ＣＯＯＲ− の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔（ＣＨ2−ＣＨ2）a−（ＣＨ2−ＣＣＨ3ＣＯＯＲ）b−〕n （ａ，ｂ，ｎは整数）
で示される。エチレンに対するメタクリル酸エステルの含有率は２〜２５重量％であることが望ましい。上記同様に、ホットメルト樹脂の防湿率を高くするにはメタクリル酸エステルの含有率を低くすることが好ましい。また、シンチレータ層との密着力を高くするためには、メタクリル酸エステルの含有率を高くすることが好ましい。本発明におけるシンチレータ保護層８に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−メタクリル酸エステル共重合体の含有率が３〜１５％であることが望ましい。 Hereinafter, the five copolymers A to E will be described.
A. The ethylene-vinyl acetate copolymer is a copolymer of a substance having a molecular structure of ethylene units; —CH 2 —CH 2 — and vinyl acetate; —CH 2 —CH (OCOCH 3 ) — ,
- [(CH 2 -CH 2) a -CH 2 -CH (OCOCH 3) b - ] n (a, b, n is an integer)
Indicated by The content of vinyl acetate with respect to ethylene is desirably 2 to 40% by weight. In order to increase the moisture resistance of the hot-melt resin, it is preferable to reduce the vinyl acetate content. Moreover, in order to make the adhesive force with a scintillator high, it is preferable to make the content rate of vinyl acetate high. As hot-melt resin used for the scintillator protective layer 8 in this invention, it is preferable that the content rate of an ethylene-vinyl acetate copolymer is 5 to 20%.
B. The ethylene-acrylic acid copolymer (EAA) comprises an ethylene unit; —CH 2 —CH 2 — and acrylic acid having a structure in which a carboxyl group is randomly included in the structure of polyethylene; —CH 2 —CHCOOH— It is a copolymer of a substance having a molecular structure, and the general formula is
- [(CH 2 -CH 2) a - (CH 2 -CHCOOH) b - ] n (a, b, n is an integer)
Indicated by The content of acrylic acid with respect to ethylene is desirably 4 to 20% by weight. Similar to the vinyl acetate, it is preferable to lower the acrylic acid content in order to increase the moisture resistance of the hot melt resin. In order to increase the adhesion with the scintillator layer, it is preferable to increase the content of acrylic acid. As hot-melt resin used for the scintillator protective layer 8 in this invention, it is desirable that the content rate of an ethylene-acrylic acid copolymer is 5 to 20%.
C. The ethylene-acrylate copolymer is
It is a copolymer of a substance having a molecular structure of ethylene unit; —CH 2 —CH 2 — and acrylic acid ester; —CH 2 —CHCOOR—, and the general formula is
- [(CH 2 -CH 2) a - (CH 2 -CHCOOR) b - ] n (a, b, n is an integer)
(Where R is any of CH 3 , C 2 H 5 , and C 3 H 7 ). The content of acrylic acid ester with respect to ethylene is desirably 2 to 35% by weight. As described above, in order to increase the moisture resistance of the hot melt resin, it is preferable to decrease the content of acrylic acid ester. Moreover, in order to make the adhesive force with a scintillator layer high, it is preferable to make content of acrylic ester high. As hot-melt resin used for the scintillator protective layer 8 in the present invention, it is desirable that the content of the ethylene-acrylic acid ester copolymer is 8 to 25%.
D. The ethylene-methacrylic acid copolymer is
It is a copolymer of ethylene units; —CH 2 —CH 2 — and methacrylic acid having a structure in which a carboxyl group is randomly included in the structure of polyethylene; —CH 2 —CCH 3 COOH—. The general formula is
- [(CH 2 -CH 2) a - (CH 2 -CCH 3 COOH) b - ] n (a, b, n is an integer)
Indicated by The content of methacrylic acid with respect to ethylene is desirably 2 to 20% by weight. Similarly to the above, it is preferable to reduce the content of methacrylic acid in order to increase the moisture resistance of the hot melt resin. In order to increase the adhesion with the scintillator layer, it is preferable to increase the content of methacrylic acid. As hot-melt resin used for the scintillator protective layer 8 in the present invention, the content of ethylene-methacrylic acid copolymer is desirably 5 to 15%.
E. The ethylene-methacrylate copolymer is
It is a copolymer of a substance having a molecular structure of ethylene unit; —CH 2 —CH 2 — and methacrylic acid ester; —CH 2 —CCH 3 COOR—, and the general formula is
- [(CH 2 -CH 2) a - (CH 2 -CCH 3 COOR) b - ] n (a, b, n is an integer)
Indicated by The content of the methacrylic acid ester with respect to ethylene is desirably 2 to 25% by weight. Similarly to the above, in order to increase the moisture resistance of the hot melt resin, it is preferable to decrease the content of methacrylic acid ester. Moreover, in order to make the adhesive force with a scintillator layer high, it is preferable to make the content rate of methacrylic acid ester high. As hot-melt resin used for the scintillator protective layer 8 in the present invention, the content of ethylene-methacrylic acid ester copolymer is desirably 3 to 15%.

本発明のシンチレータ保護層８に用いられるホットメルト樹脂としては、上記５種類の共重合体の少なくとも１種を含有するものであり、又２種以上の混合物を含有させてもよい。また本発明のシンチレータ保護層８に用いられるホットメルト樹脂において、同種の共重合体の２つ以上の異なる共重合体、例えばエチレン−メタクリル酸メチル共重合体とエチレン−メタクリル酸エチル共重合体の混合物をホットメルト樹脂中に含有させても良い。また、本発明のホットメルト樹脂において、ホットメルト樹脂に含まれる共重合体の重量平均分子量は約５，０００〜１，０００，０００であることが望ましい。
また、ホットメルト樹脂に添加する添加剤としては、例えば粘着付与剤や軟化剤が挙げられる。粘着付与剤としては例えばロジン，重合ロジン，水素添加ロジン，ロジンエステル等の天然樹脂及びその変成品，脂肪族化合物，脂環式化合物，芳香族，石油樹脂，テルペン樹脂，テルペン・フェノール樹脂，水素添加テルペン樹脂，クマロン樹脂などが挙げられる。また、軟化剤としては、例えばプロセスオイル，パラフィンオイル，ヒマシ油，ポリブテン，低分子量ポリイソプレン等が挙げられる。 The hot melt resin used for the scintillator protective layer 8 of the present invention contains at least one of the above five types of copolymers, and may contain a mixture of two or more. In the hot melt resin used for the scintillator protective layer 8 of the present invention, two or more different copolymers of the same type of copolymer, for example, ethylene-methyl methacrylate copolymer and ethylene-ethyl methacrylate copolymer are used. The mixture may be contained in the hot melt resin. In the hot melt resin of the present invention, the weight average molecular weight of the copolymer contained in the hot melt resin is preferably about 5,000 to 1,000,000.
Moreover, as an additive added to hot-melt resin, a tackifier and a softening agent are mentioned, for example. Examples of tackifiers include natural resins such as rosin, polymerized rosin, hydrogenated rosin, rosin ester, and modified products thereof, aliphatic compounds, alicyclic compounds, aromatics, petroleum resins, terpene resins, terpene / phenol resins, hydrogen Additive terpene resin, coumarone resin, etc. are mentioned. Examples of the softener include process oil, paraffin oil, castor oil, polybutene, and low molecular weight polyisoprene.

放射線検出装置（特に人体や動物撮影用の放射線検出装置）のシンチレータ保護層８に用いられるホットメルト樹脂としては、消毒用のアルコールが飛散してもシンチレータ保護層８の機能が損なわれないものが好ましい。消毒用のアルコールであるエチルアルコールに不溶または微溶のホットメルト樹脂としては、ホットメルト樹脂中の粘着付与材等の添加剤の含有量が２０％以下であることが好ましい。特に１０％以下であることが好ましい。エタノールは、放射線検出装置の使用環境である病院等で使用される溶剤であり、放射線検出装置に接触することがある。溶剤への溶解成分が２０％以下であればシンチレータ保護層８の溶解に起因する剥離が生じないことを発明者は見出した。また、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８と柱状結晶構造を有するシンチレータ層７との密着力を向上させるために、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８のシンチレータ層７に接する表面を、あらかじめ表面改質して該表面の臨界表面張力を４０×１０-3Ｊ／ｍ2以上、好ましくは４５×１０-3Ｊ／ｍ2以上とすることによって、密着力を向上させることができる。ホットメルト樹脂の組成として共重合体のアクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステル等の含有量を２０ｗｔ％以下とした場合、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８の臨界表面張力が３０〜３７×１０-3Ｊ／ｍ2となり、シンチレータ層７の表面、およびその周囲のセンサーパネル１６の表面に対する濡れ性が悪くなる。そのため、シンチレータ保護層８とシンチレータ層７及びセンサーパネル１６との密着性が若干低下する傾向にあるが、上記したホットメルト樹脂の表面を改質し臨界表面張力を向上させることで密着力向上させることができる。このとき表面改質の方法としては特に限定されないが、例えばコロナ放電処理、オゾン処理、アルカリ処理、アルゴンプラズマ処理、酸素プラズマ処理等が適宜用いられる。ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８の両表面にコロナ放電装置を用いてコロナ放電処理を行うことによって、シンチレータ保護層８の表面の臨界表面張力を向上させることができる。なお、本発明に於いて臨界表面張力の測定はＪＩＳ Ｋ−６７６８の方法に従って行ったものである。なお、本発明におけるシンチレータ保護層８とセンサーパネル１６との間で求められる密着力としては、９０°型剥離試験において０．１ｋｇ／２５ｍｍ以上が好ましい。 As a hot-melt resin used for the scintillator protective layer 8 of a radiation detection device (particularly, a radiation detection device for human or animal photography), the function of the scintillator protective layer 8 is not impaired even when disinfecting alcohol is scattered. preferable. As a hot melt resin insoluble or slightly soluble in ethyl alcohol which is an alcohol for disinfection, the content of an additive such as a tackifier in the hot melt resin is preferably 20% or less. In particular, it is preferably 10% or less. Ethanol is a solvent used in a hospital or the like that is an environment where the radiation detection apparatus is used, and may come into contact with the radiation detection apparatus. The inventors have found that if the component dissolved in the solvent is 20% or less, peeling due to the dissolution of the scintillator protective layer 8 does not occur. In order to improve the adhesion between the scintillator protective layer 8 made of hot melt resin and the scintillator layer 7 having a columnar crystal structure, the surface of the scintillator protective layer 8 made of hot melt resin that is in contact with the scintillator layer 7 is By modifying the surface to have a critical surface tension of 40 × 10 −3 J / m 2 or more, preferably 45 × 10 −3 J / m 2 or more, the adhesion can be improved. When the content of acrylic acid, acrylic acid ester, methacrylic acid, methacrylic acid ester and the like of the copolymer is 20 wt% or less as the composition of the hot melt resin, the critical surface tension of the scintillator protective layer 8 made of the hot melt resin is 30. It becomes -37 * 10 < -3 > J / m < 2 >, and the wettability with respect to the surface of the scintillator layer 7 and the surface of the surrounding sensor panel 16 worsens. For this reason, the adhesion between the scintillator protective layer 8 and the scintillator layer 7 and the sensor panel 16 tends to be slightly lowered, but the adhesion is improved by modifying the surface of the hot melt resin and improving the critical surface tension. be able to. At this time, the surface modification method is not particularly limited, and for example, corona discharge treatment, ozone treatment, alkali treatment, argon plasma treatment, oxygen plasma treatment, or the like is appropriately used. By performing corona discharge treatment on both surfaces of the scintillator protective layer 8 made of hot melt resin using a corona discharge device, the critical surface tension of the surface of the scintillator protective layer 8 can be improved. In the present invention, the critical surface tension is measured according to the method of JIS K-6768. In addition, as adhesive force calculated | required between the scintillator protective layer 8 and the sensor panel 16 in this invention, 0.1 kg / 25mm or more is preferable in a 90 degree type | mold peeling test.

ホットメルト樹脂をシンチレータ保護層としてシンチレータ層の表面に形成する方法としては、例えば以下に示す方法がある。
（１） ホットメルト樹脂を溶融し、塗布装置を用いて溶融した樹脂を直接、シンチレータ層７の表面に塗布し形成する方法（図４で説明）。
（２） ホットメルト樹脂を反射層９と反射層保護層１０とが積層されたシートに塗布してシンチレータ保護シートを形成し、シンチレータ保護シートを熱プレス、または熱ラミネートでシンチレータ層７の表面に形成する方法（図５、図６で説明）。
（３） 剥離基板上にホットメルト樹脂を作成してホットメルト樹脂シートを形成し、ホットメルト樹脂層側を熱プレスや熱ラミネート等でシンチレータ表面に形成し、その後剥離基板を剥がす方法。
（４） シンチレータ保護シートを作成し、真空プレス装置で圧着してシンチレータ表面に形成する方法（図７、図８で説明）。 Examples of a method for forming a hot melt resin as a scintillator protective layer on the surface of the scintillator layer include the following methods.
(1) A method in which a hot melt resin is melted and the melted resin is directly applied to the surface of the scintillator layer 7 by using a coating apparatus (described in FIG. 4).
(2) A hot-melt resin is applied to a sheet in which the reflective layer 9 and the reflective layer protective layer 10 are laminated to form a scintillator protective sheet, and the scintillator protective sheet is applied to the surface of the scintillator layer 7 by hot pressing or thermal lamination. Method of forming (explained in FIGS. 5 and 6).
(3) A method in which a hot melt resin is formed on a release substrate to form a hot melt resin sheet, the hot melt resin layer side is formed on the scintillator surface by hot pressing, thermal lamination, or the like, and then the release substrate is peeled off.
(4) A method of forming a scintillator protective sheet and forming it on the surface of the scintillator by pressure bonding with a vacuum press (explained in FIGS. 7 and 8).

図４に、上記（１）の方法を示す。ダイコータ、またはホットメルトアプリケーターを用いて溶融したホットメルト樹脂を直接、柱状結晶構造を有するシンチレータ層７の上に塗布し、放熱硬化することでシンチレータ保護層８を得ることができる。シンチレータ保護層８は、数秒から数分の形成時間で厚さ２０μｍ以上の成膜が可能である。図４（ａ）〜図４（ｃ）を用いて具体的に説明する。まず図４（ａ）に示すように、溶融されたホットメルト樹脂１８をタンク（不図示）及びダイコータ１７内に準備し、センサーパネル１６のシンチレータ下地層６（不図示）上の所定の位置に配置する。次に図４（ｂ）に示すように、シンチレータ下地層６の所定の位置より溶融されたホットメルト樹脂１８を射出しながらダイコータ１７を走査してシンチレータ層７の端面及び上面に塗布する。次に図４（ｃ）に示すように、シンチレータ層７及びその周囲のシンチレータ下地層６にホットメルト樹脂を塗布して被覆し、放熱硬化して終了する。   FIG. 4 shows the method (1). The scintillator protective layer 8 can be obtained by directly applying a hot melt resin melted by using a die coater or a hot melt applicator onto the scintillator layer 7 having a columnar crystal structure, followed by heat radiation curing. The scintillator protective layer 8 can be formed to a thickness of 20 μm or more in a formation time of several seconds to several minutes. This will be specifically described with reference to FIGS. 4 (a) to 4 (c). First, as shown in FIG. 4A, a melted hot melt resin 18 is prepared in a tank (not shown) and a die coater 17 and placed at a predetermined position on the scintillator underlayer 6 (not shown) of the sensor panel 16. Deploy. Next, as shown in FIG. 4B, the die coater 17 is scanned while injecting the hot melt resin 18 melted from a predetermined position of the scintillator underlayer 6, and applied to the end face and the upper face of the scintillator layer 7. Next, as shown in FIG. 4C, a hot melt resin is applied and coated on the scintillator layer 7 and the surrounding scintillator underlayer 6, and the process is terminated by heat radiation curing.

図５及び図６に、上記（２）の方法を示す。ここで説明する方法は、シンチレータ保護シートを作成し、該シートを熱ラミネートでシンチレータ層７の表面に形成する方法である。反射層保護層１０及び反射層９上に溶融したホットメルト樹脂を押し出しコート法により射出してシンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０の積層構造からなるシンチレータ保護シートを形成し、シンチレータ保護シートのシンチレータ保護層８側の表面をシンチレータ層７上に重ねて熱ロールラミネートすることで、シンチレータ保護層８をシンチレータ層７上に形成する。図５（ａ）、（ｂ）に示されるように、溶融されたホットメルト樹脂をタンク２０及びダイコータ１７内に準備するとともに、ロール状に準備された金属箔または金属蒸着膜等の反射層９及び反射層保護層１０の積層からなる積層シートを準備し、しわ取りロール２１，２２によってしわを伸ばされた積層シート上に成形ロール２３，２４間で溶融されたホットメルト樹脂を押し出しコート法によりホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８を塗布し、成形ロール２４により成形後、冷却ロール２５にて冷却硬化し、切断手段２６にて所定のサイズに切り出す。こうして、金属箔または金属蒸着膜９上にホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８を形成し、図５（ｂ）で示されるシンチレータ保護シートを形成する。次に図６（ａ）に示すように、得られたシンチレータ保護シートをセンサーパネル１６のシンチレータ下地層６上及びシンチレータ層７上に重ねて、熱ラミネートローラ２７によってホットメルト樹脂の溶融温度以上にホットメルト樹脂を加熱して溶融し、熱ラミネートローラ２７及び搬送ローラ２８を用いて放射線検出装置を移動させて、シンチレータ下地層６上のシンチレータ保護シート上の所定の開始位置からシンチレータ層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして所定の開始位置からシンチレータ層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。ここで放射線検出装置を平面で９０°回転させて再度、シンチレータ下地層上のシンチレータ保護シート上の所定の開始位置からシンチレータ層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして所定の開始位置からシンチレータ層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。こうして、図６（ｂ）に示すように、シンチレータ保護シートがシンチレータ層７及びセンサーパネル１６のシンチレータ下地層６に密着される。熱ラミネートロールの温度は９０〜１８０℃の範囲で調整する。熱ラミネートロールの回転速度は０．０１〜１ｍ/ｍｉｎの範囲で調整する。熱ラミネートロールの押圧力は、１〜５０ｋｇ/ｃｍ2の範囲で調整する。２本の熱ラミネートロール２７、２８の温度は、互いに異なってもよい。温度を変えることで、熱ラミネート後の放射線検出装置のガラス基板１のそり発生を軽減することが可能である。また、熱ラミネートロール２８の変わりに支持基盤を用い、熱ラミネートロール２７だけで加熱圧着してもよい。シンチレータ層が存在する部分と存在しない部分に生じる段差部分における、シンチレータ保護層８とセンサーパネル１６表面との密着性を高くするために、上記のように、二回の熱ロールラミネートをすることが好ましい。1回目の熱ロールラミネートにおいて、４角形からなる放射線検出装置の一方の対向する二辺側の段差部分が熱ラミネートロール２７、２８でおされ、シンチレータ保護層８とセンサーパネル１６を十分に密着することが可能となる。次に放射線検出装置を平面で９０°回転させて再度熱ロールラミネートすることで、放射線検出装置の他方の対向する二辺側の段差部分でシンチレータ保護層８とセンサーパネル１６とを十分に密着することが可能となる。 5 and 6 show the method (2). The method described here is a method of creating a scintillator protective sheet and forming the sheet on the surface of the scintillator layer 7 by thermal lamination. A hot melt resin melted on the reflective layer protective layer 10 and the reflective layer 9 is injected by an extrusion coating method to form a scintillator protective sheet having a laminated structure of the scintillator protective layer 8, the reflective layer 9, and the reflective layer protective layer 10. The scintillator protective sheet 8 is formed on the scintillator layer 7 by stacking the surface of the scintillator protective sheet on the side of the scintillator protective layer 8 on the scintillator layer 7 and laminating with heat rolls. As shown in FIGS. 5A and 5B, the molten hot melt resin is prepared in the tank 20 and the die coater 17, and the reflecting layer 9 such as a metal foil or a metal vapor deposition film prepared in a roll shape is prepared. And a reflective sheet protective layer 10 is prepared, and a hot melt resin melted between the forming rolls 23 and 24 is extruded onto the laminated sheet that has been wrinkled by the wrinkle removing rolls 21 and 22 by an extrusion coating method. A scintillator protective layer 8 made of hot melt resin is applied, molded with a molding roll 24, cooled and cured with a cooling roll 25, and cut into a predetermined size with a cutting means 26. In this way, the scintillator protection layer 8 made of hot melt resin is formed on the metal foil or the metal vapor deposition film 9, and the scintillator protection sheet shown in FIG. 5B is formed. Next, as shown in FIG. 6A, the obtained scintillator protection sheet is overlaid on the scintillator underlayer 6 and the scintillator layer 7 of the sensor panel 16 and is heated to a temperature higher than the melting temperature of the hot melt resin by the heat laminating roller 27. The hot-melt resin is heated and melted, and the radiation detecting device is moved using the thermal laminating roller 27 and the conveying roller 28, so that the scintillator layer 7 is moved from a predetermined start position on the scintillator protective sheet on the scintillator underlayer 6. The thermal laminating roller 27 is relatively moved so as to be thermocompression bonded from a predetermined start position to a position facing the scintillator layer 7. Here, the radiation detection apparatus is rotated by 90 ° in a plane, and again, the heat laminating roller 27 moves relative to the scintillator layer 7 from a predetermined start position on the scintillator protective sheet on the scintillator underlayer so as to move in a predetermined manner. Thermocompression bonding is performed from the starting position to a position facing the scintillator layer 7. Thus, as shown in FIG. 6B, the scintillator protection sheet is in close contact with the scintillator layer 7 and the scintillator base layer 6 of the sensor panel 16. The temperature of the heat laminating roll is adjusted in the range of 90 to 180 ° C. The rotational speed of the heat laminating roll is adjusted in the range of 0.01 to 1 m / min. The pressing force of the heat laminating roll is adjusted in the range of 1 to 50 kg / cm 2 . The temperatures of the two heat laminating rolls 27 and 28 may be different from each other. By changing the temperature, it is possible to reduce the occurrence of warping of the glass substrate 1 of the radiation detection apparatus after thermal lamination. Further, instead of the heat laminating roll 28, a support base may be used, and the heat laminating roll 27 alone may be used for heat pressure bonding. In order to increase the adhesion between the scintillator protective layer 8 and the surface of the sensor panel 16 at the step portion generated in the portion where the scintillator layer is present and the portion where the scintillator layer is not present, the heat roll lamination may be performed twice as described above. preferable. In the first hot roll laminating, the stepped portions on one opposite two sides of the quadrilateral radiation detection apparatus are covered with the thermal laminating rolls 27 and 28, and the scintillator protective layer 8 and the sensor panel 16 are sufficiently adhered. It becomes possible. Next, the scintillator protective layer 8 and the sensor panel 16 are sufficiently brought into close contact with each other on the two opposite side step portions of the radiation detection device by rotating the radiation detection device 90 ° on a plane and laminating again with a heat roll. It becomes possible.

次に、上記（３）の方法について説明する。この方法は、剥離可能な剥離基板上に溶融したホットメルト樹脂を押し出しコート法により射出して、シンチレータ保護層８、剥離基板からなるホットメルト樹脂シートを形成し、ホットメルト樹脂シートのシンチレータ保護層８側を熱プレスや熱ラミネート等でシンチレータ層７表面に形成し、その後剥離基板を剥がすものである。上記（３）の方法において、シンチレータ保護層８をシンチレータ層７およびセンサーパネル１６上に設ける工程は，上記（２）の方法の反射層９及び反射層保護層１０の積層からなる積層シートのかわりに剥離基板を用いたものである。シンチレータ保護層８がシンチレータ層７及びセンサーパネル１６の表面に熱ラミネートロール２７、２８にて加熱溶融によって密着された後、シンチレータ保護層８が冷却されて固化する前に剥離基板をシンチレータ保護層８から剥離する。剥離基板が剥離された後、反射層９及び反射層保護層１０の積層からなる積層シートをシンチレータ保護層８上に設けることによりシンチレータ保護部材を形成し、放射線検出装置が完成される。   Next, the method (3) will be described. In this method, a hot-melt resin melted on a peelable release substrate is injected by an extrusion coating method to form a scintillator protective layer 8 and a hot-melt resin sheet made of the release substrate, and the scintillator protective layer of the hot-melt resin sheet The 8 side is formed on the surface of the scintillator layer 7 by hot pressing, heat laminating or the like, and then the release substrate is peeled off. In the method (3), the step of providing the scintillator protective layer 8 on the scintillator layer 7 and the sensor panel 16 is replaced with a laminated sheet formed by laminating the reflective layer 9 and the reflective layer protective layer 10 in the method (2). A release substrate is used. After the scintillator protective layer 8 is adhered to the surface of the scintillator layer 7 and the sensor panel 16 by heat laminating rolls 27 and 28, the release substrate is attached to the release substrate before the scintillator protective layer 8 is cooled and solidified. Peel from. After the release substrate is peeled off, a scintillator protection member is formed by providing a laminated sheet consisting of a laminate of the reflective layer 9 and the reflective layer protective layer 10 on the scintillator protective layer 8, and the radiation detection apparatus is completed.

図７及び図８に、上記（４）の方法を示す。図７及び図８は、真空プレス方式によるシンチレータ保護膜の成膜方法を示している。この方法は、反射層保護層１０及び反射層９上に溶融したホットメルト樹脂を押し出しコート法により射出して、シンチレータ保護層８、反射層９、反射層保護層１０からなるシンチレータ保護シートを形成し、そのシンチレータ保護シートのシンチレータ保護層８側の表面をシンチレータ層７上に重ねて真空プレス装置で圧着するものである。図７に示すように、真空プレス装置内の加熱ステージ３０上に、シンチレータ層７を形成したセンサーパネル１６を配置し、シンチレータ層７の上にシンチレータ保護シート（図５（ｂ）に示したシンチレータ保護シート）を配置する。次に図８に示されるように、プレス部材３１（ダイヤフラムゴムなど）の放射線検出装置が配置された側の空間を減圧し且つプレス部材３１の放射線検出装置が配置された側と反対側の空間を加圧し、加熱ステージ３０でセンサーパネル１６側から加熱し且つヒータ２９で真空プレス装置内を加熱する。ダイヤフラムゴムによって、シンチレータ保護層８はシンチレータ層７の表面とセンサーパネル１６の表面に隙間無く密着するように加圧され、さらにホットメルト樹脂の溶融開始温度よりも１０〜６０℃程高い温度で、数秒〜数分加熱することでホットメルト樹脂が溶融する。加圧圧力は、１〜５０ｋg／ｃｍ2の範囲で調整する。こうして、ホットメルト樹脂が溶融して圧着される。加熱をとめて放熱により冷却し、その後、放射線検出装置が配置された空間の減圧及び放射線検出装置が配置された反対側の空間の加圧をとめる。そして、真空プレス装置内から放射線検出装置を取り出す。その結果、シンチレータ保護層８がシンチレータ層７の表面とセンサーパネル１６の表面に十分に密着された、放射線検出装置（図８）が形成される。ここで、シンチレータ保護シートの代わりに上記ホットメルト樹脂シートを用いてもよい。その場合には、上記（３）の方法と同様に、シンチレータ保護層８が冷却されて固化する前に剥離基板をシンチレータ保護層８から剥離し、その後積層シートをシンチレータ保護層８上に設けることにより放射線検出装置が形成される。上記方法（１）の直接塗布法では、従来のＣＶＤ法によりポリパラキシリレン製有機膜を形成する方法にくらべて短時間で同等の厚さのシンチレータ保護層が形成可能なため、製造の容易性、コスト、膜厚均一性において優れている。上記（２）、（３）、または（４）の方法では、シンチレータ保護シートまたはホットメルト樹脂シートはまとめて１０００枚以上の生産が可能である。シンチレータ保護用シートまたはホットメルト樹脂シートをシンチレータ層７の上に接着する時間は、１〜３０分程度で可能である。従って、従来のポリパラキシリレン製の有機膜を形成するためのＣＶＤ法よりも十分に早い成膜速度で、シンチレータ層７の表面および、センサーパネル１６の表面にシンチレータ保護層８を形成することが可能となる。シンチレータ保護シートまたはホットメルト樹脂シートの大きさは所定の大きさに設定可能で、シンチレータ保護シートまたはホットメルト樹脂シートの大きさを調整すれば、放射線検出装置のＩＣなどの配線部材１２を覆うことなく、シンチレータ保護層８を形成することができるために、ＣＶＤ法によって形成されたポリパラキシリレン製有機膜のようにシンチレータ保護層形成後、電気実装部のシンチレータ保護層を取り去る工程は不要である。 7 and 8 show the method (4). 7 and 8 show a method of forming a scintillator protective film by a vacuum press method. In this method, hot melt resin melted on the reflective layer protective layer 10 and the reflective layer 9 is injected by an extrusion coating method to form a scintillator protective sheet comprising the scintillator protective layer 8, the reflective layer 9, and the reflective layer protective layer 10. Then, the surface of the scintillator protective sheet on the scintillator protective layer 8 side is overlaid on the scintillator layer 7 and is pressure-bonded by a vacuum press device. As shown in FIG. 7, the sensor panel 16 in which the scintillator layer 7 is formed is disposed on the heating stage 30 in the vacuum press apparatus, and the scintillator protection sheet (the scintillator shown in FIG. 5B) is disposed on the scintillator layer 7. (Protective sheet) is placed. Next, as shown in FIG. 8, the space on the side of the press member 31 (diaphragm rubber or the like) where the radiation detection device is disposed is decompressed and the space on the opposite side of the press member 31 on which the radiation detection device is disposed. Is heated from the sensor panel 16 side by the heating stage 30 and the inside of the vacuum press apparatus is heated by the heater 29. By the diaphragm rubber, the scintillator protective layer 8 is pressed so as to be in close contact with the surface of the scintillator layer 7 and the surface of the sensor panel 16, and further at a temperature about 10 to 60 ° C. higher than the melting start temperature of the hot melt resin, The hot melt resin is melted by heating for several seconds to several minutes. The pressurizing pressure is adjusted in the range of 1 to 50 kg / cm 2 . Thus, the hot melt resin is melted and pressure-bonded. The heating is stopped and cooling is performed by heat radiation, and then the decompression of the space where the radiation detection device is arranged and the pressurization of the opposite space where the radiation detection device is arranged are stopped. And a radiation detection apparatus is taken out from the inside of a vacuum press apparatus. As a result, a radiation detection apparatus (FIG. 8) is formed in which the scintillator protective layer 8 is sufficiently adhered to the surface of the scintillator layer 7 and the surface of the sensor panel 16. Here, the hot melt resin sheet may be used instead of the scintillator protection sheet. In that case, similarly to the method (3) above, before the scintillator protective layer 8 is cooled and solidified, the release substrate is peeled off from the scintillator protective layer 8, and then the laminated sheet is provided on the scintillator protective layer 8. Thus, a radiation detection device is formed. In the direct coating method of the above method (1), a scintillator protective layer having the same thickness can be formed in a short time compared with the conventional method of forming an organic film made of polyparaxylylene by the CVD method. Excellent in performance, cost, and film thickness uniformity. In the above method (2), (3), or (4), 1000 or more scintillator protective sheets or hot melt resin sheets can be produced together. The time for adhering the scintillator protection sheet or hot melt resin sheet on the scintillator layer 7 can be about 1 to 30 minutes. Therefore, the scintillator protective layer 8 is formed on the surface of the scintillator layer 7 and the surface of the sensor panel 16 at a deposition rate sufficiently faster than the CVD method for forming a conventional organic film made of polyparaxylylene. Is possible. The size of the scintillator protection sheet or hot melt resin sheet can be set to a predetermined size, and if the size of the scintillator protection sheet or hot melt resin sheet is adjusted, the wiring member 12 such as an IC of the radiation detection apparatus is covered. Since the scintillator protective layer 8 can be formed, there is no need to remove the scintillator protective layer of the electrical mounting portion after the scintillator protective layer is formed like the polyparaxylylene organic film formed by the CVD method. is there.

［第２の実施の形態］
図９は本発明の第２の実施の形態を示す模式図である。本実施の形態では、図９に示されるように第１の実施の形態に加えて、センサーパネル１６裏面にそり矯正層３３を設けている。シンチレータ保護層８をセンサーパネル上に熱処理を用いて形成すると、センサーパネル１６とシンチレータ保護層８との間の熱膨張、熱収縮の相違によりセンサーパネル１６にそりが発生する場合がある。またシンチレータ保護層８の厚さが、一定厚以上（例えば、１００μｍ以上）に厚くなると、放射線検出装置の受光部１５を形成したガラス等の基板１にそりが発生する場合がある。ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８は１００−１６０℃の温度によってセンサーパネル１６のシンチレータ層７形成表面に設けられ、その後室温に戻りホットメルト樹脂は固化して形成される。したがって、ホットメルト樹脂が設けられる温度から室温に戻る温度差における、ホットメルト樹脂の熱膨張係数やホットメルト樹脂が形成されたシンチレータ保護フィルムの熱膨張係数と基板１の熱膨張係数との差異によって、基板１にそりが生じる。基板１にそりがあると、ＩＣ部品を搭載した配線部材１２たとえばＴＣＰをセンサーパネル１６の電気的接続部４に異方導電性接着剤などの配線接続部１１を用いて接着する際に、位置合わせが難しくなる。そこで本実施形態では、図９に示されるような、センサーパネル１６の裏面に接着層３２を介してそり強制層３３を設けることでセンサーパネル１６の基板１のそりを軽減できる。そり強制層３３の材質は、そりの原因がホットメルト樹脂の場合にはホットメルト樹脂の熱膨張係数を有する材料、そりの原因が反射層９と反射層保護層の積層からなる積層シートの場合には積層シートの熱膨張係数を有する材料が好ましい。そり矯正層３３に黒色等の着色材料を含有させて遮光機能をもたせることによって遮光層として用いてもよい。その際には、着色材料として、有機顔料や無機の顔料 を用いることが好ましい。有機顔料としては、ニトロ系色素、アゾ顔料、インダンスレン、チオインジゴペリノン、ペリレン、ジオキサジン、キナクリドン、フタロシアニン、イソインドリノン、キノフタロン系がある。無機顔料としては、カーボンブラック、黄鉛、カドミ黄、クローバーミリオン（オレンジ）ベンガラ、シュ、鉛丹、カドミ赤、ミネラルバイオレット（紫色）、コバルトブルー、コバルトグリーン、酸化クロム、酸化インジウム、酸化スズ、ビリジアン（緑）等がある。 [Second Embodiment]
FIG. 9 is a schematic diagram showing a second embodiment of the present invention. In the present embodiment, as shown in FIG. 9, a warp correction layer 33 is provided on the back surface of the sensor panel 16 in addition to the first embodiment. When the scintillator protective layer 8 is formed on the sensor panel using heat treatment, the sensor panel 16 may be warped due to a difference in thermal expansion and contraction between the sensor panel 16 and the scintillator protective layer 8. Further, when the thickness of the scintillator protective layer 8 is greater than a certain thickness (for example, 100 μm or more), warpage may occur in the substrate 1 such as glass on which the light receiving unit 15 of the radiation detection device is formed. The scintillator protective layer 8 made of hot melt resin is provided on the surface of the sensor panel 16 where the scintillator layer 7 is formed at a temperature of 100 to 160 ° C., and then returned to room temperature to form the hot melt resin solidified. Therefore, depending on the difference between the thermal expansion coefficient of the hot melt resin, the thermal expansion coefficient of the scintillator protective film on which the hot melt resin is formed, and the thermal expansion coefficient of the substrate 1 in the temperature difference from the temperature at which the hot melt resin is provided to room temperature. The substrate 1 is warped. If the substrate 1 is warped, the position of the wiring member 12 on which the IC component is mounted, such as TCP, is bonded to the electrical connection portion 4 of the sensor panel 16 by using the wiring connection portion 11 such as an anisotropic conductive adhesive. Matching becomes difficult. Therefore, in this embodiment, the warp of the substrate 1 of the sensor panel 16 can be reduced by providing the warp forcing layer 33 on the back surface of the sensor panel 16 via the adhesive layer 32 as shown in FIG. The material of the warp forcing layer 33 is a material having a thermal expansion coefficient of the hot melt resin when the cause of warpage is a hot melt resin, and the case where the cause of the warp is a laminated sheet composed of a laminate of the reflective layer 9 and the reflective layer protective layer. A material having a thermal expansion coefficient of a laminated sheet is preferable. The warp correction layer 33 may be used as a light shielding layer by containing a coloring material such as black to have a light shielding function. In that case, it is preferable to use an organic pigment or an inorganic pigment as the coloring material. Organic pigments include nitro dyes, azo pigments, indanthrene, thioindigoperinone, perylene, dioxazine, quinacridone, phthalocyanine, isoindolinone, and quinophthalone. Inorganic pigments include carbon black, yellow lead, cadmium yellow, clover million (orange) bengara, shrimp, red lead, cadmium red, mineral violet (purple), cobalt blue, cobalt green, chromium oxide, indium oxide, tin oxide, There are viridian (green).

［第３の実施の形態］
図１０、図１１は他の実施形態を示す。本実施形態はセンサーパネル１６と、ホットメルト樹脂層でシンチレータ層を覆ったシンチレータパネル４０とを貼り合わせた、貼り合わせタイプの放射線検出装置を示す。図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、シンチレータパネル４０は、支持基板４１上に、反射層４２、反射層保護層（シンチレータ下地層）４３、シンチレータ層７、シンチレータ保護層８を形成して作製される。シンチレータ層７が設けられる領域の外側における反射層保護層（シンチレータ下地層）４３の表面には、支持基板４１、反射層４２の影響を受けて段差及びそれに伴う凹凸が存在する。ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８はこの段差及び凹凸に溶融して入り込み、その後固化することによってシンチレータ層７及び反射層保護層（シンチレータ下地層）４３の表面に密着し、シンチレータ層７の表面及び側面、さらに反射層保護層（シンチレータ下地層）４３の表面の一部を被覆するように設けられる。シンチレータパネル４０にはホットプレス部４４が設けられ、このホットプレス部４４は反射層４２が形成された領域の外側において設けられるのが好ましい。反射層４２上の領域でホットプレスを行うと、反射層４２が熱により変形をおこし、反射光が所定の画素に入射されず、解像度低下の原因となる可能性があるためである。本実施の形態において、第１の実施形態と同様のものは、同じ番号により示され、説明は省略する。また、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８は、センサーパネル１６の代わりに支持基板４１、反射層４２、シンチレータ下地層４３からなる支持部材を用いたこと以外同様の方法により形成される。支持基板４１としては、アモルファスカーボン基板やＡｌ基板、ガラス基板、石英基板など種々の放射線透過性の基板を用いることが好ましい。反射層４２としては、Ａｌ，Ａｇ，Ｃｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｐｔ、およびＡｕなどの反射率の高い金属を用いることが好ましい。反射層保護層（シンチレータ下地層）４３としては、ＬｉＦ，ＭｇＦ2，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＭｇＯ，ＳｉＮの透明無機膜及びポリイミド等の透明有機膜を用いることが好ましい。また、反射層保護層（シンチレータ下地層）４３としては、反射層４２とシンチレータ層７との間で電気化学的腐食の発生を防止するために非導電性材料を用いることが好ましい。支持基板４１に導電性材料を用いた場合には、支持基板４１と反射層４２との間での電気化学的腐食を防止するために、支持基板４１と反射層４２の間に絶縁層を形成することが好ましい。図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、かかるシンチレータパネル４０とセンサーパネル１６をホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８の接着性を利用して貼り合わせる。貼り合わせ後、封止材４５により貼り合わされた放射線検出装置（センサーパネル１６とシンチレータパネル４０）の周囲を封止する。ここで、貼り合せにおいて、エポキシ樹脂等の一般的な接着材を別途用いてセンサーパネル１６とシンチレータパネル４０を貼り合わせてもよい。しかしながら別途接着材を用いると、シンチレータ層７から受光部１５までの距離が大きくなり、シンチレータ層７で発せられた光の散乱による解像度の低下が起こる恐れがある。図１２に貼り合わせタイプの放射線検出装置においてシンチレータパネル４０にそり矯正層４７を設けた場合を示す。図１０及び図１１を用いて説明した実施形態の放射線検出装置のシンチレータパネル裏面（シンチレータ層７及びシンチレータ保護層８が形成された面と反対側の面）にそり矯正層４７を接着層４６を介して設ける。支持基板４１とシンチレータ保護層８との間の熱膨張、熱収縮の相違により支持基板４１にそりが発生する場合があるが、シンチレータ保護層８に用いられるホットメルト樹脂とほぼ等しい熱膨張係数を有する樹脂からなるそり矯正層４７を基板４１の裏面（シンチレータ保護層８が形成された面と反対側の面）に接着層４６を介して形成する。 [Third Embodiment]
10 and 11 show another embodiment. The present embodiment shows a bonded type radiation detection apparatus in which a sensor panel 16 and a scintillator panel 40 having a scintillator layer covered with a hot melt resin layer are bonded together. As shown in FIGS. 10A and 10B, the scintillator panel 40 has a reflective layer 42, a reflective layer protective layer (scintillator base layer) 43, a scintillator layer 7, and a scintillator protective layer 8 formed on a support substrate 41. Is produced. On the surface of the reflective layer protective layer (scintillator base layer) 43 outside the region where the scintillator layer 7 is provided, there are steps and concavities and convexities due to the influence of the support substrate 41 and the reflective layer 42. The scintillator protective layer 8 made of hot melt resin melts and enters the steps and irregularities, and then solidifies to adhere closely to the surface of the scintillator layer 7 and the reflective layer protective layer (scintillator underlayer) 43. And a side surface and further a part of the surface of the reflective layer protective layer (scintillator underlayer) 43 is provided. The scintillator panel 40 is provided with a hot press portion 44, and this hot press portion 44 is preferably provided outside the region where the reflective layer 42 is formed. This is because when hot pressing is performed in the region on the reflective layer 42, the reflective layer 42 is deformed by heat, and the reflected light is not incident on a predetermined pixel, which may cause a reduction in resolution. In the present embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same numbers, and the description thereof is omitted. The scintillator protective layer 8 made of hot melt resin is formed by the same method except that a support member made of the support substrate 41, the reflective layer 42, and the scintillator base layer 43 is used instead of the sensor panel 16. As the support substrate 41, it is preferable to use various radiation transmissive substrates such as an amorphous carbon substrate, an Al substrate, a glass substrate, and a quartz substrate. As the reflective layer 42, it is preferable to use a metal with high reflectivity such as Al, Ag, Cr, Cu, Ni, Ti, Mg, Rh, Pt, and Au. As the reflective layer protective layer (scintillator underlayer) 43, it is preferable to use a transparent inorganic film such as LiF, MgF 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , TiO 2 , MgO, SiN and a transparent organic film such as polyimide. Further, as the reflective layer protective layer (scintillator base layer) 43, it is preferable to use a non-conductive material in order to prevent the occurrence of electrochemical corrosion between the reflective layer 42 and the scintillator layer 7. When a conductive material is used for the support substrate 41, an insulating layer is formed between the support substrate 41 and the reflective layer 42 in order to prevent electrochemical corrosion between the support substrate 41 and the reflective layer 42. It is preferable to do. As shown in FIGS. 11A and 11B, the scintillator panel 40 and the sensor panel 16 are bonded together by utilizing the adhesiveness of the scintillator protective layer 8 made of hot melt resin. After bonding, the periphery of the radiation detection apparatus (the sensor panel 16 and the scintillator panel 40) bonded by the sealing material 45 is sealed. Here, in the bonding, the sensor panel 16 and the scintillator panel 40 may be bonded together by separately using a general adhesive such as an epoxy resin. However, when a separate adhesive is used, the distance from the scintillator layer 7 to the light receiving unit 15 increases, and there is a possibility that the resolution is lowered due to scattering of light emitted from the scintillator layer 7. FIG. 12 shows a case where a warp correction layer 47 is provided on the scintillator panel 40 in a bonded type radiation detection apparatus. A warp correction layer 47 and an adhesive layer 46 are provided on the back surface of the scintillator panel (the surface opposite to the surface on which the scintillator layer 7 and the scintillator protection layer 8 are formed) of the radiation detection apparatus according to the embodiment described with reference to FIGS. Provided. Although the support substrate 41 may be warped due to the difference in thermal expansion and contraction between the support substrate 41 and the scintillator protection layer 8, the thermal expansion coefficient is almost equal to that of the hot melt resin used for the scintillator protection layer 8. A warp correction layer 47 made of a resin is formed on the back surface of the substrate 41 (the surface opposite to the surface on which the scintillator protection layer 8 is formed) via an adhesive layer 46.

［第４の実施の形態］
次に本発明に係わる放射線検出装置を用いた放射線検出システムについて図１３を用いて説明する。図１３に示すように、Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は、患者或いは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、放射線検出装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応して放射線検出装置６０４０のシンチレータは発光し、これを光電変換して電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観察できる。 [Fourth Embodiment]
Next, a radiation detection system using the radiation detection apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 13, the X-ray 6060 generated by the X-ray tube 6050 passes through the chest 6062 of the patient or subject 6061 and enters the radiation detection device 6040. This incident X-ray includes information inside the body of the patient 6061. The scintillator of the radiation detector 6040 emits light in response to the incidence of X-rays, and this is photoelectrically converted to obtain electrical information. This information is converted to digital, image processed by an image processor 6070, and can be observed on a display 6080 in the control room.

また、この情報は電話回線６０９０等の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールーム等ディスプレイ６０８１に表示又は光ディスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６１００によりフィルム６１１０に記録することもできる。   Further, this information can be transferred to a remote place by a transmission means such as a telephone line 6090, and can be displayed on a display 6081 such as a doctor room in another place or stored in a storage means such as an optical disk, and diagnosed by a remote doctor. It is also possible. It can also be recorded on the film 6110 by the film processor 6100.

以下に、具体的な実施例を挙げて本発明を詳しく説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with specific examples.

本実施例は、第１の実施の形態及び図１に示される直接蒸着タイプの放射線検出装置の例である。   This example is an example of the direct vapor deposition type radiation detection apparatus shown in the first embodiment and FIG.

厚さ０．７ｍｍのガラス基板１上の４３０ｍｍ×４３０ｍｍの領域に、アモルファスシリコンからなるフォトダイオード（光電変換素子）２、ＴＦＴ（不図示）、及びＡｌの配線３からなる、画素サイズ１６０μｍ×１６０μｍの画素を２次元的に配置して受光部１５を設けた。また、ガラス基板１の周囲の領域には、受光部１５から読み出される光電変換情報を読み出すＩＣ等の配線部材１２と電気的に接続するための、Ａｌの取り出し配線４、及び配線接続部１１を設けた。その後ＳｉＮからなるセンサー保護層５及びポリイミドからなるシンチレータ下地層（パッシベーション膜）６を配線接続部１１が形成された領域を除いて形成し、センサーパネル１６を得た。   A pixel size of 160 μm × 160 μm comprising a photodiode (photoelectric conversion element) 2 made of amorphous silicon, a TFT (not shown), and an Al wiring 3 in a region of 430 mm × 430 mm on a glass substrate 1 having a thickness of 0.7 mm. These pixels are two-dimensionally arranged to provide the light receiving unit 15. Further, in the area around the glass substrate 1, an Al extraction wiring 4 and a wiring connection portion 11 for electrically connecting to a wiring member 12 such as an IC for reading photoelectric conversion information read from the light receiving portion 15 are provided. Provided. Thereafter, a sensor protective layer 5 made of SiN and a scintillator underlayer (passivation film) 6 made of polyimide were formed except for the region where the wiring connection portion 11 was formed, and a sensor panel 16 was obtained.

得られたセンサーパネル１６の受光部１５上のシンチレータ下地層６上に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法により成膜時間４時間で厚さ５５０μｍ形成した。Ｔｌの添加濃度は０．１〜０．３ｍｏｌ％であった。ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶の頂面側（蒸着終了表面側）の柱径は平均約５μｍであった。形成されたＣｓＩ：Ｔｌを２００℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で２時間熱処理することによって、シンチレータ層７を得た。   CsI: Tl having a columnar crystal structure in which thallium (Tl) is added to cesium iodide (CsI) is formed on the scintillator underlayer 6 on the light receiving portion 15 of the obtained sensor panel 16 by vacuum deposition. A thickness of 550 μm was formed in 4 hours. The addition concentration of Tl was 0.1 to 0.3 mol%. The average column diameter of the CsI: Tl columnar crystal on the top side (deposition surface side) was about 5 μm. The scintillator layer 7 was obtained by heat-treating the formed CsI: Tl in a clean oven in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 2 hours.

次に、図４（ａ）〜（ｃ）に示されるように、エチレン−酢酸ビニル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂を１６０℃で溶融し、ダイコータ１７を用いてシンチレータ層７が設けられた領域の周囲の領域（シンチレータ層７の端部とシンチレータ下地層６の端部との間の領域）におけるシンチレータ下地層６の表面、シンチレータ層７の側面及び頂面を被覆する、厚さ１００μｍのホットメルト樹脂を形成した。形成されたホットメルト樹脂を室温まで放熱して固化し、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８を得た。本実施例では、上記エチレン酢酸ビニル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂として、ヒロダイン７５４４（ヒロダイン工業製）を用いた。   Next, as shown in FIGS. 4 (a) to 4 (c), a hot melt resin mainly composed of an ethylene-vinyl acetate copolymer is melted at 160 ° C., and a scintillator layer 7 is provided using a die coater 17. A thickness covering the surface of the scintillator underlayer 6, the side surface and the top surface of the scintillator layer 7 in a region around the region (region between the end of the scintillator layer 7 and the end of the scintillator underlayer 6) A 100 μm hot melt resin was formed. The formed hot melt resin was dissipated to room temperature and solidified to obtain a scintillator protective layer 8 made of hot melt resin. In this example, Hirodine 7544 (manufactured by Hirodine Kogyo) was used as a hot melt resin mainly composed of the ethylene vinyl acetate copolymer.

次に、厚さ４０μｍのＡｌからなる反射層９と、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる反射層保護層１０と、が積層して設けられた積層フィルムを、反射層９をシンチレータ保護層８側に向けて準備し、熱ラミネートローラ２７を用いて上記フィルムシートを、熱ラミネートローラ２７のローラ温度を１２０℃、ロール回転速度を０．２ｍ／ｍｉｎの条件でシンチレータ保護層８に接着し、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０からなるシンチレータ保護部材を得た。   Next, a reflective film 9 made of Al having a thickness of 40 μm and a reflective film protective layer 10 made of polyethylene terephthalate (PET) having a thickness of 50 μm are laminated to protect the reflective layer 9 with scintillator protection. Prepare for the layer 8 side, and adhere the film sheet to the scintillator protective layer 8 using the heat laminating roller 27 under the conditions of the roller temperature of the heat laminating roller 27 of 120 ° C. and the roll rotation speed of 0.2 m / min. Thus, a scintillator protection member comprising the scintillator protection layer 8, the reflection layer 9, and the reflection layer protection layer 10 was obtained.

次に、ＩＣが設けられたＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）からなる配線部材１２を、ＡＣＦ（異方性接着材）を用いて１５０℃で圧着して配線接続部１１に接続し、図１に示される放射線検出装置を得た。   Next, the wiring member 12 made of TCP (tape carrier package) provided with an IC is pressure-bonded at 150 ° C. using ACF (anisotropic adhesive) and connected to the wiring connection portion 11, as shown in FIG. Obtained radiation detection device.

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、シンチレータ層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、シンチレータ層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。   The radiation detector produced as described above was stored in a 60 ° C., 90% temperature, humidity test tank for 1000 hours. As a result, there were no appearance defects such as misalignment of the scintillator layer 7 and peeling between layers. In addition, no deterioration of the emission intensity due to corrosion and deliquescence caused by water or solvent of the scintillator layer 7 was observed at all, and a highly reliable radiation detection apparatus was obtained.

本実施例では、実施例１のシンチレータ保護層８に用いられたホットメルト樹脂材料及び形成方法と、異なるホットメルト樹脂材料及び形成方法を用いたこと以外は、実施例１と同様の放射線検出装置を実施例１と同様の方法にて製造した。   In this example, the same radiation detection apparatus as that of Example 1 except that the hot melt resin material and the forming method used for the scintillator protective layer 8 of Example 1 were different from the hot melt resin material and the forming method. Was produced in the same manner as in Example 1.

実施例１と同様な方法により得られたセンサーパネル１６の受光部１５上のシンチレータ下地層６上に、実施例１と同様な方法により柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌからなるシンチレータ層７を得た。   A scintillator layer 7 made of CsI: Tl having a columnar crystal structure was obtained on the scintillator underlayer 6 on the light receiving portion 15 of the sensor panel 16 obtained by the same method as in Example 1 by the same method as in Example 1. .

次に、図５（ａ），（ｂ）に示されるように、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂をタンク２０内において１２０℃で溶融して準備する。また、厚さ２５μｍのＡｌからなる反射層９と厚さ２５μｍのＰＥＴからなる反射層保護層１０とを積層して形成され、ロール状に準備された積層シートを準備する。しわ取りロール２１，２２によってしわを伸ばされた積層シート上に、成形ロール２３，２４間において溶融されたホットメルト樹脂を、ダイコータ１７を用いて押し出しコート法によって塗布し、成形ロール２４によって成形され、冷却ロール２５によって冷却硬化される。その後切断手段によって所定のサイズに切り出し、シンチレータ保護層８となる厚さ７５μｍのホットメルト樹脂、反射層９、及び反射層保護層１０の積層構造からなるシンチレータ保護シートを得た。本実施例では、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂として、Ｏ−４１２１（倉敷紡績製）を用いた。   Next, as shown in FIGS. 5A and 5B, a hot melt resin mainly composed of an ethylene-acrylic acid ester copolymer is melted at 120 ° C. in the tank 20 and prepared. Also, a laminated sheet prepared by laminating a reflective layer 9 made of Al with a thickness of 25 μm and a reflective layer protective layer 10 made of PET with a thickness of 25 μm is prepared. A hot melt resin melted between the forming rolls 23 and 24 is applied to the laminated sheet that has been wrinkled by the wrinkle removing rolls 21 and 22 by an extrusion coating method using the die coater 17, and is formed by the forming roll 24. Then, it is cooled and hardened by the cooling roll 25. Thereafter, the sheet was cut into a predetermined size by a cutting means to obtain a scintillator protective sheet having a laminated structure of a hot melt resin having a thickness of 75 μm to be the scintillator protective layer 8, the reflective layer 9, and the reflective layer protective layer 10. In this example, O-4121 (manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd.) was used as a hot melt resin mainly composed of the ethylene-acrylic acid ester copolymer.

次に、図６（ａ），（ｂ）に示されるように、得られたシンチレータ保護シートをシンチレータ下地層６及びシンチレータ層７上に重ねて、シンチレータ層７が設けられた領域の周囲の領域（シンチレータ層７の端部とシンチレータ下地層６の端部との間の領域）におけるシンチレータ下地層６の表面、シンチレータ層７の側面及び頂面を被覆するように、熱ラミネートローラ２７によってホットメルト樹脂を加熱圧着処理する。熱ラミネートローラ２７及び搬送ローラ２８を用いて放射線検出装置を移動させて、シンチレータ下地層６上のシンチレータ保護シート上の所定の開始位置からシンチレータ層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして、所定の開始位置からシンチレータ層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。続いて放射線検出装置を平面で９０°回転させて再度、シンチレータ下地層６上のシンチレータ保護シート上の所定の開始位置からシンチレータ層７上を熱ラミネートローラ２７が相対的に移動するようにして、所定の開始位置からシンチレータ層７を挟んで対向する位置まで加熱圧着する。上記加熱圧着処理により、シンチレータ保護シートのシンチレータ保護層８と、シンチレータ下地層６、シンチレータ層７の側面及び頂面が密着され、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０からなるシンチレータ保護部材を得た。ここで、上記加熱圧着は、熱ラミネートローラ２７のローラ温度を１３０℃、ロール回転速度を０．１ｍ／ｍｉｎ、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2の条件で行った。 Next, as shown in FIGS. 6A and 6B, the obtained scintillator protective sheet is overlaid on the scintillator underlayer 6 and the scintillator layer 7, and the area around the area where the scintillator layer 7 is provided. Hot melt is applied by the hot laminating roller 27 so as to cover the surface of the scintillator underlayer 6, the side surface and the top surface of the scintillator layer 7 in the region between the end of the scintillator layer 7 and the end of the scintillator underlayer 6. The resin is thermocompression-bonded. The radiation detection apparatus is moved using the heat laminating roller 27 and the conveying roller 28, and the heat laminating roller 27 relatively moves on the scintillator layer 7 from a predetermined start position on the scintillator protective sheet on the scintillator underlayer 6. In this manner, the heat pressing is performed from a predetermined start position to a position facing the scintillator layer 7. Subsequently, the radiation detection apparatus is rotated by 90 ° in a plane, and again, the thermal laminating roller 27 is relatively moved on the scintillator layer 7 from a predetermined start position on the scintillator protective sheet on the scintillator underlayer 6, Thermocompression bonding is performed from a predetermined start position to a position facing the scintillator layer 7. By the thermocompression treatment, the scintillator protective layer 8 of the scintillator protective sheet, the scintillator underlayer 6, and the side surfaces and top surfaces of the scintillator layer 7 are brought into close contact with each other, and the scintillator protective layer 8, the reflective layer 9, and the reflective layer protective layer 10 are formed. A scintillator protection member was obtained. Here, the thermocompression bonding was performed under the conditions of a roller temperature of the heat laminating roller 27 of 130 ° C., a roll rotation speed of 0.1 m / min, and a pressure of 10 kg / cm 2 .

次に、実施例１と同様な方法により配線部材１２を配線接続部１１に接続し、図１に示される放射線検出装置を得た。   Next, the wiring member 12 was connected to the wiring connection portion 11 by the same method as in Example 1 to obtain the radiation detection apparatus shown in FIG.

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、シンチレータ層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、シンチレータ層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。   The radiation detector produced as described above was stored in a 60 ° C., 90% temperature, humidity test tank for 1000 hours. As a result, there were no appearance defects such as misalignment of the scintillator layer 7 and peeling between layers. In addition, no deterioration of the emission intensity due to corrosion and deliquescence caused by water or solvent of the scintillator layer 7 was observed at all, and a highly reliable radiation detection apparatus was obtained.

本実施例では、実施例２のシンチレータ保護層８に用いられたホットメルト樹脂材料と異なるホットメルト樹脂材料を用いたこと以外は、実施例２と同様の放射線検出装置を実施例２と同様の方法にて製造した。   In this example, the same radiation detection apparatus as that of Example 2 was used, except that a hot melt resin material different from the hot melt resin material used for the scintillator protective layer 8 of Example 2 was used. It was manufactured by the method.

実施例１、２と同様な方法により得られたセンサーパネル１６の受光部１５上のシンチレータ下地層６上に、実施例１、２と同様な方法により柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌからなるシンチレータ層７を得た。   A scintillator layer made of CsI: Tl having a columnar crystal structure is formed on the scintillator underlayer 6 on the light receiving portion 15 of the sensor panel 16 obtained by the same method as in the first and second embodiments. 7 was obtained.

次に、実施例２と同様な方法により、エチレン−メタクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂を厚さ１００μｍで積層シート上にシンチレータ保護層８として設け、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０の積層構造からなるシンチレータ保護シートを得た。本実施例では、上記エチレン−メタクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂として、Ｗ−４１１０（倉敷紡績製）を用いた。   Next, by the same method as in Example 2, a hot melt resin mainly composed of an ethylene-methacrylic acid ester copolymer was provided as a scintillator protective layer 8 on a laminated sheet with a thickness of 100 μm, and the scintillator protective layer 8, reflection A scintillator protective sheet having a laminated structure of the layer 9 and the reflective layer protective layer 10 was obtained. In this example, W-4110 (manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd.) was used as a hot melt resin mainly composed of the ethylene-methacrylic acid ester copolymer.

次に、実施例２と同様な加熱圧着処理により、シンチレータ保護シートのシンチレータ保護層８と、シンチレータ下地層６、シンチレータ層７の側面及び頂面が密着され、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０からなるシンチレータ保護部材を得た。ここで、上記加熱圧着は、熱ラミネートローラ２７のローラ温度を１２０℃、ロール回転速度を０．１ｍ／ｍｉｎ、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2の条件で行った。 Next, the scintillator protective layer 8 of the scintillator protective sheet, the side surface and the top surface of the scintillator underlayer 6, and the scintillator layer 7 are brought into close contact with each other by the same thermocompression treatment as in Example 2, and the scintillator protective layer 8, the reflective layer 9, And the scintillator protection member which consists of a reflection layer protective layer 10 was obtained. Here, the thermocompression bonding was performed under the conditions of a roller temperature of the thermal laminating roller 27 of 120 ° C., a roll rotation speed of 0.1 m / min, and a pressure of 10 kg / cm 2 .

次に、実施例１、２と同様な方法により配線部材１２を配線接続部１１に接続し、図１に示される放射線検出装置を得た。   Next, the wiring member 12 was connected to the wiring connection portion 11 by the same method as in Examples 1 and 2, and the radiation detection apparatus shown in FIG. 1 was obtained.

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、シンチレータ層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、シンチレータ層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。   The radiation detector produced as described above was stored in a 60 ° C., 90% temperature, humidity test tank for 1000 hours. As a result, there were no appearance defects such as misalignment of the scintillator layer 7 and peeling between layers. In addition, no deterioration of the emission intensity due to corrosion and deliquescence caused by water or solvent of the scintillator layer 7 was observed at all, and a highly reliable radiation detection apparatus was obtained.

本実施例では、実施例２のシンチレータ保護層８に用いられたホットメルト樹脂材料と異なるホットメルト樹脂材料を用いたこと及びシンチレータ保護シートのシンチレータ保護層８の表面を処理したこと以外は、実施例２と同様の放射線検出装置を実施例２と同様の方法にて製造した。   In this example, the embodiment was carried out except that a hot melt resin material different from the hot melt resin material used for the scintillator protective layer 8 of Example 2 was used and that the surface of the scintillator protective layer 8 of the scintillator protective sheet was treated. A radiation detection apparatus similar to that in Example 2 was produced in the same manner as in Example 2.

実施例１、２と同様な方法により得られたセンサーパネル１６の受光部１５上のシンチレータ下地層６上に、実施例１、２と同様な方法により柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌからなるシンチレータ層７を得た。   A scintillator layer made of CsI: Tl having a columnar crystal structure is formed on the scintillator underlayer 6 on the light receiving portion 15 of the sensor panel 16 obtained by the same method as in the first and second embodiments. 7 was obtained.

次に、実施例２と同様な方法により、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂を厚さ１００μｍで積層シート上にシンチレータ保護層８として設け、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０の積層構造からなるシンチレータ保護シートを得た。本実施例では、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂として、Ｈ−２５００（倉敷紡績製）を用いた。Ｈ−２５００は、密着付与剤等の添加剤の含有量が２０％以下であり、医療用消毒薬品であるエチルアルコールに１時間浸透しても重量変化が５％以下と耐薬品性の高い樹脂である。次にコロナ放電処理により、得られたシンチレータ保護シートのシンチレータ保護層８表面を表面エネルギーが４５×１０-3Ｊ／ｍ2となるように表面改質を行った。 Next, a hot melt resin mainly composed of an ethylene-acrylic acid ester copolymer is provided as a scintillator protective layer 8 on the laminated sheet by a method similar to that in Example 2, and the scintillator protective layer 8 A scintillator protective sheet having a laminated structure of the layer 9 and the reflective layer protective layer 10 was obtained. In this example, H-2500 (manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd.) was used as a hot melt resin mainly composed of the ethylene-acrylic acid ester copolymer. H-2500 is a resin with a high chemical resistance such that the content of additives such as adhesion-imparting agents is 20% or less, and the weight change is 5% or less even if it penetrates into ethyl alcohol, which is a medical disinfectant, for 1 hour. It is. Next, the surface of the scintillator protective layer 8 of the obtained scintillator protective sheet was subjected to surface modification by corona discharge treatment so that the surface energy was 45 × 10 −3 J / m 2 .

次に、実施例２と同様な加熱圧着処理により、シンチレータ保護シートの改質された表面を有するシンチレータ保護層８と、シンチレータ下地層６、シンチレータ層７の側面及び頂面が密着され、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０からなるシンチレータ保護部材を得た。ここで、上記加熱圧着は、熱ラミネートローラ２７のローラ温度を１３０℃、ロール回転速度を０．１ｍ／ｍｉｎ、圧力１０ｋｇ／ｃｍ2の条件で行った。 Next, the scintillator protective layer 8 having the modified surface of the scintillator protective sheet, the scintillator underlayer 6, and the side surfaces and the top surface of the scintillator layer 7 are brought into close contact with each other by the same thermocompression treatment as in Example 2 to protect the scintillator. A scintillator protective member comprising the layer 8, the reflective layer 9, and the reflective layer protective layer 10 was obtained. Here, the thermocompression bonding was performed under the conditions of a roller temperature of the heat laminating roller 27 of 130 ° C., a roll rotation speed of 0.1 m / min, and a pressure of 10 kg / cm 2 .

次に、実施例１、２と同様な方法により配線部材１２を配線接続部１１に接続し、図１に示される放射線検出装置を得た。   Next, the wiring member 12 was connected to the wiring connection portion 11 by the same method as in Examples 1 and 2, and the radiation detection apparatus shown in FIG. 1 was obtained.

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、シンチレータ層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、シンチレータ層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。   The radiation detector produced as described above was stored in a 60 ° C., 90% temperature, humidity test tank for 1000 hours. As a result, there were no appearance defects such as misalignment of the scintillator layer 7 and peeling between layers. In addition, no deterioration of the emission intensity due to corrosion and deliquescence caused by water or solvent of the scintillator layer 7 was observed at all, and a highly reliable radiation detection apparatus was obtained.

また、本実施例によって得られた放射線検出装置に医療用消毒薬品であるエチルアルコールが飛散してもシンチレータ保護層の剥離が生じず、防湿性の高いシンチレータ保護層を有する放射線検出装置が得られた。   Further, even when ethyl alcohol, which is a medical disinfectant, scatters in the radiation detection device obtained in this example, the scintillator protection layer does not peel off, and a radiation detection device having a highly moisture-proof scintillator protection layer is obtained. It was.

本実施例では、実施例４のシンチレータ保護シートの加熱圧着処理と異なる加熱圧着処理をしたこと、及びシンチレータ下地層６上に密着されたシンチレータ保護層８の所定の領域を加熱加圧処理したこと以外は、実施例４と同様の放射線検出装置を実施例４と同様の方法にて製造した。   In this example, a thermocompression treatment different from the thermocompression treatment of the scintillator protection sheet of Example 4 was performed, and a predetermined region of the scintillator protection layer 8 adhered to the scintillator underlayer 6 was subjected to a heat pressure treatment. Except for the above, a radiation detection apparatus similar to that of Example 4 was produced in the same manner as in Example 4.

実施例１、２と同様な方法により得られたセンサーパネル１６の受光部１５上のシンチレータ下地層６上に、実施例１、２と同様な方法により柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌからなるシンチレータ層７を得た。   A scintillator layer made of CsI: Tl having a columnar crystal structure is formed on the scintillator underlayer 6 on the light receiving portion 15 of the sensor panel 16 obtained by the same method as in the first and second embodiments. 7 was obtained.

次に、実施例２と同様な方法により、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂を厚さ１００μｍで積層シート上にシンチレータ保護層８として設け、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０の積層構造からなるシンチレータ保護シートを得た。本実施例では、実施例４と同様に、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂として、Ｈ−２５００（倉敷紡績製）を用いた。   Next, a hot melt resin mainly composed of an ethylene-acrylic acid ester copolymer is provided as a scintillator protective layer 8 on the laminated sheet by a method similar to that in Example 2, and the scintillator protective layer 8 A scintillator protective sheet having a laminated structure of the layer 9 and the reflective layer protective layer 10 was obtained. In this example, as in Example 4, H-2500 (manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd.) was used as a hot melt resin mainly composed of the ethylene-acrylic acid ester copolymer.

次に、図７，図８に示されるように、得られたシンチレータ保護シートをシンチレータ下地層６及びシンチレータ層７上に重ねて真空プレス装置内の加熱ステージ３０上に設置する。シンチレータ層７が設けられた領域の周囲の領域（シンチレータ層７の端部とシンチレータ下地層６の端部との間の領域）におけるシンチレータ下地層６の表面、シンチレータ層７の側面及び頂面を被覆するように、加熱ヒータ２９、加熱ステージ３０、及びダイヤフラムゴムからなるプレス部材３１によってホットメルト樹脂を加熱圧着処理する。本加熱圧着処理では、まず、真空プレス装置内の加熱ステージ３０上にシンチレータ保護シートをシンチレータ層７上に重ねて得られた放射線検出装置を設置する。次に、プレス部材３１の放射線検出装置が配置された側の空間を減圧し、同時にプレス部材３１の放射線検出装置が配置された側と反対側の空間を加圧し、さらに加熱ステージ３０でセンサーパネル側から加熱しヒータ２９で真空プレス装置内を加熱することによってホットメルト樹脂が溶融して圧着される。ここで、上記加熱圧着処理は、真空プレス装置の加熱ヒータ２９及び加熱ステージ３０の温度を１３０℃、加圧時間を１分、圧力５ｋｇ／ｃｍ2の条件で行った。その後、加熱をとめて放熱により冷却し、放射線検出装置が配置された空間の減圧及び放射線検出装置が配置された反対側の空間の加圧をとめ、真空プレス装置内から放射線検出装置を取り出す。 Next, as shown in FIGS. 7 and 8, the obtained scintillator protective sheet is placed on the scintillator underlayer 6 and the scintillator layer 7 and placed on the heating stage 30 in the vacuum press apparatus. The surface of the scintillator underlayer 6, the side surface and the top surface of the scintillator layer 7 in the area around the area where the scintillator layer 7 is provided (the area between the end of the scintillator layer 7 and the end of the scintillator underlayer 6) The hot melt resin is subjected to thermocompression-bonding treatment by a heater 29, a heating stage 30, and a press member 31 made of a diaphragm rubber so as to cover them. In this thermocompression bonding process, first, a radiation detector obtained by stacking a scintillator protection sheet on the scintillator layer 7 is installed on the heating stage 30 in the vacuum press apparatus. Next, the space on the side where the radiation detection device of the press member 31 is disposed is depressurized, and simultaneously, the space on the side opposite to the side where the radiation detection device of the press member 31 is disposed is pressurized. By heating from the side and heating the inside of the vacuum press apparatus with the heater 29, the hot melt resin is melted and pressed. Here, the thermocompression treatment was performed under the conditions that the temperature of the heater 29 and the heating stage 30 of the vacuum press apparatus was 130 ° C., the pressing time was 1 minute, and the pressure was 5 kg / cm 2 . Thereafter, heating is stopped and cooling is performed by heat radiation, decompression of the space where the radiation detection device is disposed and pressurization of the opposite space where the radiation detection device is disposed are stopped, and the radiation detection device is taken out from the vacuum press device.

次に、４３０ｍｍ×３ｍｍの大きさの加熱プレス部を有する加熱プレス装置を用いて、取り出された放射線検出装置の、シンチレータ下地層６上に密着されたシンチレータ保護層８の所定の領域を加熱加圧処理（ホットプレス処理）することによって、シンチレータ保護層８がシンチレータ下地層６上の配線間隔に起因する凹凸を埋めるようにシンチレータ保護層８が入り込み、かつ、シンチレータ保護層８の他の領域より層厚が薄く形成されたホットプレス部１４が形成される。上記ホットプレス部１４が形成されることにより、凹凸によって発生しうる隙間部３１（図３（ｂ）参照）を埋めることができ、それによって、シンチレータ下地層６とシンチレータ保護層６の密着性の向上、及びシンチレータ下地層６とシンチレータ保護層８の界面における防湿性の向上といった効果が得られる。上記ホットプレス処理を放射線検出装置の各辺ごとに行い、ホットプレス処理された放射線検出装置を得た。上記ホットプレス処理は、加熱温度１７０℃、加圧圧力５ｋｇ／ｃｍ2、加熱加圧時間を１０秒として行った。 Next, a predetermined region of the scintillator protective layer 8 that is in close contact with the scintillator underlayer 6 of the extracted radiation detection device is heated and applied using a heating press device having a heating press unit having a size of 430 mm × 3 mm. By performing pressure treatment (hot press treatment), the scintillator protective layer 8 enters the scintillator protective layer 8 so as to fill the unevenness caused by the wiring interval on the scintillator underlayer 6, and from other regions of the scintillator protective layer 8. A hot press portion 14 having a thin layer thickness is formed. By forming the hot press portion 14, the gap portion 31 (see FIG. 3B) that may be generated due to the unevenness can be filled, and thereby the adhesion between the scintillator underlayer 6 and the scintillator protective layer 6 can be improved. The improvement and the effect of improving the moisture resistance at the interface between the scintillator underlayer 6 and the scintillator protective layer 8 are obtained. The hot press process was performed for each side of the radiation detection apparatus to obtain a hot detection processed radiation detection apparatus. The hot press treatment was performed at a heating temperature of 170 ° C., a pressing pressure of 5 kg / cm 2 , and a heating and pressing time of 10 seconds.

次に、上記ホットプレス処理された放射線検出装置に、実施例１、２と同様な方法により配線部材１２を配線接続部１１に接続し、図１に示される放射線検出装置を得た。   Next, the wiring member 12 was connected to the wiring connection portion 11 in the same manner as in Examples 1 and 2 to the hot-pressed radiation detection apparatus, and the radiation detection apparatus shown in FIG. 1 was obtained.

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、シンチレータ層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、シンチレータ層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。   The radiation detector produced as described above was stored in a 60 ° C., 90% temperature, humidity test tank for 1000 hours. As a result, there were no appearance defects such as misalignment of the scintillator layer 7 and peeling between layers. In addition, no deterioration of the emission intensity due to corrosion and deliquescence caused by water or solvent of the scintillator layer 7 was observed at all, and a highly reliable radiation detection apparatus was obtained.

本実施例では、実施例５のシンチレータ保護層８に用いられたホットメルト樹脂材料と異なるホットメルト樹脂材料を用いたこと以外は、実施例５と同様の放射線検出装置を実施例５と同様の方法にて製造した。   In this example, the same radiation detection apparatus as that of Example 5 was used, except that a hot melt resin material different from the hot melt resin material used for the scintillator protective layer 8 of Example 5 was used. It was manufactured by the method.

実施例１、２と同様な方法により得られたセンサーパネル１６の受光部１５上のシンチレータ下地層６上に、実施例１、２と同様な方法により柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌからなるシンチレータ層７を得た。   A scintillator layer made of CsI: Tl having a columnar crystal structure is formed on the scintillator underlayer 6 on the light receiving portion 15 of the sensor panel 16 obtained by the same method as in the first and second embodiments. 7 was obtained.

次に、実施例２と同様な方法により、エチレン−アクリル酸共重合体を主成分とするホットメルト樹脂を厚さ７５μｍで積層シート上にシンチレータ保護層８として設け、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０の積層構造からなるシンチレータ保護シートを得た。本実施例では、実施例４と同様に、上記エチレン−アクリル酸共重合体を主成分とするホットメルト樹脂として、Ｐ−２２００（倉敷紡績製）を用いた。   Next, a hot melt resin mainly composed of an ethylene-acrylic acid copolymer is provided as a scintillator protective layer 8 on the laminated sheet by a method similar to that in Example 2, and the scintillator protective layer 8 and the reflective layer are provided. 9 and a scintillator protective sheet having a laminated structure of the reflective layer protective layer 10 was obtained. In this example, as in Example 4, P-2200 (manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd.) was used as a hot melt resin mainly composed of the ethylene-acrylic acid copolymer.

次に、実施例５と同様な方法により、ホットプレス処理された放射線検出装置を得た。ここで、加熱圧着処理は、真空プレス装置の加熱ヒータ２９及び加熱ステージ３０の温度を１３０℃、加圧時間を１分、圧力５ｋｇ／ｃｍ2の条件で行った。また、ホットプレス処理は、加熱温度１７０℃、加圧圧力５ｋｇ／ｃｍ2、加熱加圧時間を１０秒として行った。 Next, a hot-pressed radiation detection apparatus was obtained by the same method as in Example 5. Here, the thermocompression treatment was performed under the conditions that the temperature of the heater 29 and the heating stage 30 of the vacuum press apparatus was 130 ° C., the pressing time was 1 minute, and the pressure was 5 kg / cm 2 . The hot press treatment was performed at a heating temperature of 170 ° C., a pressing pressure of 5 kg / cm 2 , and a heating and pressing time of 10 seconds.

次に、上記ホットプレス処理された放射線検出装置に、実施例１、２と同様な方法により配線部材１２を配線接続部１１に接続し、図１に示される放射線検出装置を得た。   Next, the wiring member 12 was connected to the wiring connection portion 11 in the same manner as in Examples 1 and 2 to the hot-pressed radiation detection apparatus, and the radiation detection apparatus shown in FIG. 1 was obtained.

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、シンチレータ層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、シンチレータ層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。   The radiation detector produced as described above was stored in a 60 ° C., 90% temperature, humidity test tank for 1000 hours. As a result, there were no appearance defects such as misalignment of the scintillator layer 7 and peeling between layers. In addition, no deterioration of the emission intensity due to corrosion and deliquescence caused by water or solvent of the scintillator layer 7 was observed at all, and a highly reliable radiation detection apparatus was obtained.

本実施例では、実施例５のシンチレータ保護層８に用いられたホットメルト樹脂材料と異なるホットメルト樹脂材料を用いたこと以外は、実施例５と同様の放射線検出装置を実施例５と同様の方法にて製造した。   In this example, the same radiation detection apparatus as that of Example 5 was used, except that a hot melt resin material different from the hot melt resin material used for the scintillator protective layer 8 of Example 5 was used. It was manufactured by the method.

実施例１、２と同様な方法により得られたセンサーパネル１６の受光部１５上のシンチレータ下地層６上に、実施例１、２と同様な方法により柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌからなるシンチレータ層７を得た。   A scintillator layer made of CsI: Tl having a columnar crystal structure is formed on the scintillator underlayer 6 on the light receiving portion 15 of the sensor panel 16 obtained by the same method as in the first and second embodiments. 7 was obtained.

次に、実施例２と同様な方法により、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂を厚さ１５０μｍで積層シート上にシンチレータ保護層８として設け、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０の積層構造からなるシンチレータ保護シートを得た。本実施例では、実施例４と同様に、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂として、Ｚ−２（倉敷紡績製）を用いた。   Next, by the same method as in Example 2, a hot melt resin mainly composed of an ethylene-acrylic acid ester copolymer was provided as a scintillator protective layer 8 on a laminated sheet with a thickness of 150 μm, and the scintillator protective layer 8 A scintillator protective sheet having a laminated structure of the layer 9 and the reflective layer protective layer 10 was obtained. In this example, as in Example 4, Z-2 (manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd.) was used as a hot melt resin mainly composed of the ethylene-acrylic acid ester copolymer.

次に、実施例５と同様な方法により、ホットプレス処理された放射線検出装置を得た。ここで、加熱圧着処理は、真空プレス装置の加熱ヒータ２９及び加熱ステージ３０の温度を１３０℃、加圧時間を１分、圧力５ｋｇ／ｃｍ2の条件で行った。また、ホットプレス処理は、加熱温度１７０℃、加圧圧力５ｋｇ／ｃｍ2、加熱加圧時間を１０秒として行った。 Next, a hot-pressed radiation detection apparatus was obtained by the same method as in Example 5. Here, the thermocompression treatment was performed under the conditions that the temperature of the heater 29 and the heating stage 30 of the vacuum press apparatus was 130 ° C., the pressing time was 1 minute, and the pressure was 5 kg / cm 2 . The hot press treatment was performed at a heating temperature of 170 ° C., a pressing pressure of 5 kg / cm 2 , and a heating and pressing time of 10 seconds.

次に、上記ホットプレス処理された放射線検出装置に、実施例１、２と同様な方法により配線部材１２を配線接続部１１に接続し、図１に示される放射線検出装置を得た。   Next, the wiring member 12 was connected to the wiring connection portion 11 in the same manner as in Examples 1 and 2 to the hot-pressed radiation detection apparatus, and the radiation detection apparatus shown in FIG. 1 was obtained.

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、シンチレータ層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、シンチレータ層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。   The radiation detector produced as described above was stored in a 60 ° C., 90% temperature, humidity test tank for 1000 hours. As a result, there were no appearance defects such as misalignment of the scintillator layer 7 and peeling between layers. In addition, no deterioration of the emission intensity due to corrosion and deliquescence caused by water or solvent of the scintillator layer 7 was observed at all, and a highly reliable radiation detection apparatus was obtained.

本実施例は、第２の実施の形態及び図９に示される直接蒸着タイプの放射線検出装置の例である。   This example is an example of the direct vapor deposition type radiation detection apparatus shown in the second embodiment and FIG.

本実施例では、実施例７のセンサーパネル１６の裏面に、センサーパネル１６とシンチレータ保護層８との間の熱膨張、熱収縮の相違によりセンサーパネル１６に発生するそりを矯正するためのそり矯正層３３を設けること以外は、実施例７と同様の放射線検出装置を実施例７と同様の方法にて製造した。   In the present embodiment, warpage correction for correcting warpage generated in the sensor panel 16 due to the difference in thermal expansion and contraction between the sensor panel 16 and the scintillator protective layer 8 is provided on the back surface of the sensor panel 16 of the seventh embodiment. A radiation detection apparatus similar to that in Example 7 was produced in the same manner as in Example 7 except that the layer 33 was provided.

実施例１、２と同様な方法により得られたセンサーパネル１６の受光部１５上のシンチレータ下地層６上に、実施例１、２と同様な方法により柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌからなるシンチレータ層７を得た。   A scintillator layer made of CsI: Tl having a columnar crystal structure is formed on the scintillator underlayer 6 on the light receiving portion 15 of the sensor panel 16 obtained by the same method as in the first and second embodiments. 7 was obtained.

次に、実施例２と同様な方法により、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂を厚さ１５０μｍで積層シート上にシンチレータ保護層８として設け、シンチレータ保護層８、反射層９、及び反射層保護層１０の積層構造からなるシンチレータ保護シートを得た。本実施例では、実施例４と同様に、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂として、Ｚ−２（倉敷紡績製）を用いた。   Next, by the same method as in Example 2, a hot melt resin mainly composed of an ethylene-acrylic acid ester copolymer was provided as a scintillator protective layer 8 on a laminated sheet with a thickness of 150 μm, and the scintillator protective layer 8 A scintillator protective sheet having a laminated structure of the layer 9 and the reflective layer protective layer 10 was obtained. In this example, as in Example 4, Z-2 (manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd.) was used as a hot melt resin mainly composed of the ethylene-acrylic acid ester copolymer.

次に、実施例５と同様な方法により、ホットプレス処理された放射線検出装置を得た。ここで、加熱圧着処理は、真空プレス装置の加熱ヒータ２９及び加熱ステージ３０の温度を１３０℃、加圧時間を１分、圧力５ｋｇ／ｃｍ2の条件で行った。また、ホットプレス処理は、加熱温度１７０℃、加圧圧力５ｋｇ／ｃｍ2、加熱加圧時間を１０秒として行った。上記加熱圧着処理の際に、センサーパネル１６のガラス基板１側に、接着材層３２としてＨ−２５００（倉敷紡績製）のホットメルト樹脂を介してそり矯正層３３としてＰＥＴを設けた。上記構成にすることにより、シンチレータ保護層８のホットメルト樹脂と接着材層３２のホットメルト樹脂の熱膨張係数、及び反射層保護層１０のＰＥＴとそり矯正層３３のＰＥＴの熱膨張係数が等しくなり、センサーパネル１６にそりを発生させることなく放射線検出装置を形成することができる。 Next, a hot-pressed radiation detection apparatus was obtained by the same method as in Example 5. Here, the thermocompression treatment was performed under the conditions that the temperature of the heater 29 and the heating stage 30 of the vacuum press apparatus was 130 ° C., the pressing time was 1 minute, and the pressure was 5 kg / cm 2 . The hot press treatment was performed at a heating temperature of 170 ° C., a pressing pressure of 5 kg / cm 2 , and a heating and pressing time of 10 seconds. During the thermocompression treatment, PET was provided as the warp correction layer 33 on the glass substrate 1 side of the sensor panel 16 via a hot melt resin of H-2500 (manufactured by Kurashiki Boseki) as the adhesive layer 32. With this configuration, the thermal expansion coefficients of the hot melt resin of the scintillator protective layer 8 and the hot melt resin of the adhesive layer 32 and the thermal expansion coefficients of the PET of the reflective layer protective layer 10 and the warp correction layer 33 are equal. Thus, the radiation detection apparatus can be formed without causing the sensor panel 16 to warp.

次に、上記ホットプレス処理された放射線検出装置に、実施例１、２と同様な方法により配線部材１２を配線接続部１１に接続し、図９に示される放射線検出装置を得た。   Next, the wiring member 12 was connected to the wiring connection portion 11 in the same manner as in Examples 1 and 2 to the hot-pressed radiation detection apparatus, and the radiation detection apparatus shown in FIG. 9 was obtained.

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、シンチレータ層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、シンチレータ層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。   The radiation detector produced as described above was stored in a 60 ° C., 90% temperature, humidity test tank for 1000 hours. As a result, there were no appearance defects such as misalignment of the scintillator layer 7 and peeling between layers. In addition, no deterioration of the emission intensity due to corrosion and deliquescence caused by water or solvent of the scintillator layer 7 was observed at all, and a highly reliable radiation detection apparatus was obtained.

本実施例は、第３の実施の形態及び図１０、１１に示されるシンチレータパネル及びそれを用いた貼り合わせタイプの放射線検出装置の例である。   This example is an example of the scintillator panel shown in the third embodiment and FIGS. 10 and 11 and a bonded type radiation detection apparatus using the scintillator panel.

厚さ０．７ｍｍのガラス基板１上の４３０ｍｍ×４３０ｍｍの領域に、アモルファスシリコンからなるフォトダイオード（光電変換素子）２、ＴＦＴ（不図示）、及びＡｌの配線３からなる、画素サイズ１６０μｍ×１６０μｍの画素１５を２次元的に配置して受光部１５を設けた。また、ガラス基板１の周囲の領域には、受光部１５から読み出される光電変換情報を読み出すＩＣ等の配線部材１２と電気的に接続するための、Ａｌの取り出し配線４、及び配線接続部１１を設けた。その後ＳｉＮからなるセンサー保護層５及びポリイミドからなるパッシベーション膜６を配線接続部１１が形成された領域を除いて形成し、センサーパネル１６を得た。   A pixel size of 160 μm × 160 μm comprising a photodiode (photoelectric conversion element) 2 made of amorphous silicon, a TFT (not shown), and an Al wiring 3 in a region of 430 mm × 430 mm on a glass substrate 1 having a thickness of 0.7 mm. The light receiving unit 15 is provided by two-dimensionally arranging the pixels 15. Further, in the area around the glass substrate 1, an Al extraction wiring 4 and a wiring connection portion 11 for electrically connecting to a wiring member 12 such as an IC for reading photoelectric conversion information read from the light receiving portion 15 are provided. Provided. Thereafter, the sensor protective layer 5 made of SiN and the passivation film 6 made of polyimide were formed except for the region where the wiring connection portion 11 was formed, and the sensor panel 16 was obtained.

次に、図１０（ａ），（ｂ）に示されるように、厚さ１ｍｍのアモルファスカーボン製の支持基板４１上に、厚さ３０００ÅのＡｌを蒸着して反射層４２を形成し、支持基板４１の反射層４２が形成された側の表面および反射層４２を被覆するようにポリイミドからなるシンチレータ下地層（反射層保護層）４３を形成して支持部材を得た。次に、シンチレータ下地層４３上に、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）にタリウム（Ｔｌ）が添加された、柱状結晶構造のＣｓＩ：Ｔｌを、真空蒸着法により成膜時間４時間で厚さ５５０μｍ形成した。Ｔｌの添加濃度は０．１〜０．３ｍｏｌ％であった。ＣｓＩ：Ｔｌの柱状結晶の頂面側（蒸着終了表面側）の柱径は平均約５μｍであった。形成されたＣｓＩ：Ｔｌを２００℃の窒素雰囲気下のクリーンオーブン内で２時間熱処理することによって、シンチレータ層７を得た。次に、エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂を１４０℃で溶融し、ダイコータ１７を用いてシンチレータ層７が設けられた領域の周囲の領域（シンチレータ層７の端部とシンチレータ下地層４３の端部との間の領域）におけるシンチレータ下地層４３の表面、シンチレータ層７の側面及び頂面を被覆する、厚さ１００μｍのホットメルト樹脂を形成した。形成されたホットメルト樹脂を室温まで放熱して固化し、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層８を得た。本実施例では、上記エチレン−アクリル酸エステル共重合体を主成分とするホットメルト樹脂として、Ｚ−２（倉敷紡績製）を用いた。上記構成及び製造工程により、シンチレータパネル４０を得た。   Next, as shown in FIGS. 10A and 10B, on the support substrate 41 made of amorphous carbon having a thickness of 1 mm, a reflective layer 42 is formed by vapor-depositing Al having a thickness of 3000 mm. A scintillator underlayer (reflective layer protective layer) 43 made of polyimide was formed so as to cover the surface of the reflective layer 42 on which the reflective layer 42 was formed and the reflective layer 42 to obtain a support member. Next, CsI: Tl having a columnar crystal structure in which thallium (Tl) was added to cesium iodide (CsI) was formed on the scintillator underlayer 43 by a vacuum deposition method with a thickness of 550 μm in a film formation time of 4 hours. . The addition concentration of Tl was 0.1 to 0.3 mol%. The average column diameter of the CsI: Tl columnar crystal on the top side (deposition surface side) was about 5 μm. The scintillator layer 7 was obtained by heat-treating the formed CsI: Tl in a clean oven in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 2 hours. Next, a hot melt resin mainly composed of an ethylene-acrylic acid ester copolymer is melted at 140 ° C., and a region around the region where the scintillator layer 7 is provided using the die coater 17 (an end portion of the scintillator layer 7). A hot melt resin having a thickness of 100 μm was formed to cover the surface of the scintillator base layer 43, the side surface and the top surface of the scintillator layer 7 in the region between the end of the scintillator base layer 43 and the scintillator base layer 43. The formed hot melt resin was dissipated to room temperature and solidified to obtain a scintillator protective layer 8 made of hot melt resin. In this example, Z-2 (manufactured by Kurashiki Boseki Co., Ltd.) was used as a hot melt resin mainly composed of the ethylene-acrylic acid ester copolymer. The scintillator panel 40 was obtained by the above configuration and manufacturing process.

得られたシンチレータパネル４０上にセンサーパネル１６を準備し、それらを真空プレス装置内の加熱ステージ３０上に設置し、プレス部材３１の放射線検出装置が配置された側の空間を減圧し、同時にプレス部材３１の放射線検出装置が配置された側と反対側の空間を加圧し、さらに加熱ステージ３０でセンサーパネル側から加熱しヒータ２９で真空プレス装置内を加熱することによってホットメルト樹脂が溶融して、センサーパネル１６とシンチレータパネル４０が接着される。ここで、上記接着処理は、真空プレス装置の加熱ヒータ２９及び加熱ステージ３０の温度を１４０℃、加圧時間を３分、圧力５ｋｇ／ｃｍ2の条件で行った。その後、加熱をとめて放熱により冷却し、放射線検出装置が配置された空間の減圧及び放射線検出装置が配置された反対側の空間の加圧をとめ、真空プレス装置内から放射線検出装置を取り出す。上記構成及び製造工程により、シンチレータパネル４０がセンサーパネル１６と接着されて形成された放射線検出装置が得られた。 The sensor panel 16 is prepared on the obtained scintillator panel 40, they are installed on the heating stage 30 in the vacuum press apparatus, and the space on the side where the radiation detection apparatus of the press member 31 is disposed is decompressed and simultaneously pressed. The space on the opposite side of the member 31 on which the radiation detection device is disposed is pressurized, heated from the sensor panel side by the heating stage 30, and heated in the vacuum press device by the heater 29, so that the hot melt resin is melted. The sensor panel 16 and the scintillator panel 40 are bonded. Here, the bonding treatment was performed under the conditions of the temperature of the heater 29 and the heating stage 30 of the vacuum press apparatus being 140 ° C., the pressing time being 3 minutes, and the pressure being 5 kg / cm 2 . Thereafter, heating is stopped and cooling is performed by heat radiation, decompression of the space where the radiation detection device is disposed and pressurization of the opposite space where the radiation detection device is disposed are stopped, and the radiation detection device is taken out from the vacuum press device. The radiation detection apparatus formed by adhering the scintillator panel 40 to the sensor panel 16 by the above configuration and manufacturing process was obtained.

次に、得られた放射線検出装置に、実施例１と同様な方法により配線部材１２を配線接続部１１に接続し、さらに流動性シリコーン樹脂（ＴＥＳ３２５、ＧＥ東芝シリコーン社製）からなる封止部材１１と、半流動性シリコーン樹脂（ＴＳＥ３２５３、ＧＥ東芝シリコーン社製）からなる封止材４５を形成し、図１１（ｂ）に示される放射線検出装置を得た。   Next, the wiring member 12 is connected to the wiring connection portion 11 in the same manner as in Example 1 in the obtained radiation detection apparatus, and further, a sealing member made of a fluid silicone resin (TES325, manufactured by GE Toshiba Silicone). 11 and a sealing material 45 made of a semi-fluid silicone resin (TSE3253, manufactured by GE Toshiba Silicone Co., Ltd.) was formed to obtain a radiation detection apparatus shown in FIG.

以上のようにして作製した放射線検出装置を、６０℃、９０％の温度、湿度試験槽に１０００時間保存した。その結果、シンチレータ層７の位置ずれ、各層間の剥離等の外観不良は発生しなかった。また、シンチレータ層７の、水や溶剤に起因する腐食及び潮解による発光強度の劣化も全く認められず、高信頼性の放射線検出装置が得られた。   The radiation detector produced as described above was stored in a 60 ° C., 90% temperature, humidity test tank for 1000 hours. As a result, there were no appearance defects such as misalignment of the scintillator layer 7 and peeling between layers. In addition, no deterioration of the emission intensity due to corrosion and deliquescence caused by water or solvent of the scintillator layer 7 was observed at all, and a highly reliable radiation detection apparatus was obtained.

表１に上記実施例で用いられたホットメルト樹脂の溶融粘度の温度依存性を示す。   Table 1 shows the temperature dependence of the melt viscosity of the hot melt resin used in the above examples.

本発明は、医療診断機器、非破壊検査機器等に用いられる、放射線検出装置やシンチレータパネルに用いられるものである。   The present invention is used for a radiation detection apparatus and a scintillator panel used for medical diagnostic equipment, non-destructive testing equipment, and the like.

本発明の第１の実施の形態に係わる放射線検出装置の模式的平面図である。1 is a schematic plan view of a radiation detection apparatus according to a first embodiment of the present invention. 図１に示す放射線検出装置のＡ−Ａ’における断面図である。It is sectional drawing in A-A 'of the radiation detection apparatus shown in FIG. （ａ）は、図２のＣ−Ｃ’における断面図、（ｂ）は図２のＤ−Ｄ’ における断面図である。(A) is sectional drawing in C-C 'of FIG. 2, (b) is sectional drawing in D-D' of FIG. （ａ）〜（ｃ）は、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層をシンチレータ層の形成する１の方法を説明するための図である。(A)-(c) is a figure for demonstrating 1 method of forming the scintillator protective layer which consists of hot-melt resin in a scintillator layer. （ａ）及び（ｂ）は、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層を形成する１の方法を説明するための図である。(A) And (b) is a figure for demonstrating the 1 method of forming the scintillator protective layer which consists of hot-melt resin. （ａ）及び（ｂ）は、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層をシンチレータ層の表面に形成する２の方法を説明するための図である。(A) And (b) is a figure for demonstrating the 2 methods of forming the scintillator protective layer which consists of hot-melt resin on the surface of a scintillator layer. ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層をシンチレータ層の表面に形成する３の方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 3 methods of forming the scintillator protective layer which consists of hot-melt resin on the surface of a scintillator layer. ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層をシンチレータ層の表面に形成する３の方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the 3 methods of forming the scintillator protective layer which consists of hot-melt resin on the surface of a scintillator layer. 本発明の第２の実施の形態に係わる放射線検出装置の断面図である。It is sectional drawing of the radiation detection apparatus concerning the 2nd Embodiment of this invention. （ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係わる放射線検出装置のシンチレータパネルを示す断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which shows the scintillator panel of the radiation detection apparatus concerning the 3rd Embodiment of this invention. （ａ）及び（ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係わる放射線検出装置及びその製造方法を示す断面図である。(A) And (b) is sectional drawing which shows the radiation detection apparatus concerning the 3rd Embodiment of this invention, and its manufacturing method. 本発明の第３の実施の形態に係わる放射線検出装置の別の形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another form of the radiation detection apparatus concerning the 3rd Embodiment of this invention. 本発明に係わる放射線検出装置を用いた放射線検出システムを説明する図である。It is a figure explaining the radiation detection system using the radiation detection apparatus concerning this invention. （ａ）及び（ｂ）は、ホットプレス処理の方法を示す図である。(A) And (b) is a figure which shows the method of a hot press process.

符号の説明Explanation of symbols

１ 基板
２ 光電変換素子
３ 配線
４ 取り出し配線
５ 光電変換素子の保護膜
６ 蛍光体下地層
７ 柱状蛍光体層
８ 蛍光体保護層（ホットメルト樹脂層）
９ 光反射層
１０ 反射層の保護層
１１ 配線接続部
１２ 配線部材
１３ 封止部材
１４ ホットプレス部
１５ 受光部
１６ センサーパネル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Photoelectric conversion element 3 Wiring 4 Extraction wiring 5 Protective film of photoelectric conversion element 6 Phosphor underlayer 7 Columnar phosphor layer 8 Phosphor protective layer (hot melt resin layer)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 9 Light reflection layer 10 Protection layer of reflection layer 11 Wiring connection part 12 Wiring member 13 Sealing member 14 Hot press part 15 Light-receiving part 16 Sensor panel

Claims (28)

複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネル上に配された、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層を被覆し、前記シンチレータ層の周囲において前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層と、
を有し、
前記シンチレータ保護層は、ホットメルト樹脂からなり、前記センサーパネルと密着する領域において、加熱加圧処理により圧着された領域を有し、
前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄い
ことを特徴とする放射線検出装置。 A sensor panel having a light receiving portion in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged;
A scintillator layer disposed on the sensor panel for converting radiation into light;
A scintillator protective layer that covers the scintillator layer and is in close contact with the sensor panel around the scintillator layer;
Have
The scintillator protection layer, Ri Do a hot-melt resin, in a region close contact with the sensor panel, has an area which is crimped by heat and pressure treatment,
The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the crimped region is thinner than a portion around the region of the scintillator protective layer . 請求項１に記載の放射線検出装置において、前記センサーパネルは、前記受光部上に保護層を有することを特徴とする放射線検出装置。   The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the sensor panel includes a protective layer on the light receiving unit. 請求項１に記載の放射線検出装置において、前記シンチレータ保護層に接し、前記シンチレータ層で変換された光を反射する反射層と、前記反射層を保護する反射層保護層とを更に含むことを特徴とする放射線検出装置。   2. The radiation detection apparatus according to claim 1, further comprising: a reflective layer that is in contact with the scintillator protective layer and reflects light converted by the scintillator layer; and a reflective layer protective layer that protects the reflective layer. Radiation detection device. 請求項１から３のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂がポリオレフィン系、ポリエステル系又はポリアミド系樹脂を主成分とする放射線検出装置。 The radiation detection apparatus according to any one of claims 1 to 3 , wherein the hot melt resin has a polyolefin-based, polyester-based, or polyamide-based resin as a main component. 請求項４に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂がポリオレフィン系樹脂を主成分とすることを特徴とする放射線検出装置。 5. The radiation detection apparatus according to claim 4 , wherein the hot melt resin contains a polyolefin resin as a main component. 請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂の溶融開始温度が、７０℃以上、１５０℃以下であることを特徴とする放射線検出装置。 A radiation detecting apparatus according to any one of claims 1 to 5, the melting start temperature of the hot melt resin is, 70 ° C. or higher, the radiation detecting device, characterized in that at 0.99 ° C. or less. 請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂の溶融粘度は１００℃〜１４０℃において１×１０3〜１×１０4Ｐａ・ｓであることを特徴とする放射線検出装置。 A radiation detecting apparatus according to any one of claims 1 to 5, the melt viscosity of the hot melt resin and characterized in that it is 1 × 10 3 ~1 × 10 4 Pa · s at 100 ° C. to 140 ° C. A radiation detection device. 請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂の抗張力が４０ｋｇ／ｃｍ2以上、３００ｋｇ／ｃｍ2以下である放射線検出装置。 A radiation detecting apparatus according to any one of claims 1 to 5, wherein the tensile strength of the hot melt resin is 40 kg / cm 2 or more, the radiation detecting device is 300 kg / cm 2 or less. 請求項１から８のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記シンチレータ層は、柱状結晶構造を有することを特徴とする放射線検出装置。 A radiation detecting apparatus according to any one of claims 1 8, wherein the scintillator layer, the radiation detecting apparatus characterized by having a columnar crystal structure. 支持部材と、
前記支持部材上に配された放射線を光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層を被覆し、前記シンチレータ層の周囲において前記支持部材と密着するシンチレータ保護層と、
を有し、
前記シンチレータ保護層はホットメルト樹脂からなり、前記支持部材と密着する領域において、加熱加圧処理により圧着された領域を有し、
前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄い
ことを特徴とするシンチレータパネル。 A support member;
A scintillator layer that converts radiation disposed on the support member into light;
A scintillator protective layer that covers the scintillator layer and is in close contact with the support member around the scintillator layer;
Have
The scintillator protection layer is Ri Do from the hot-melt resin, in a region close contact with the support member has a region which is crimped by heat and pressure treatment,
The scintillator panel according to claim 1, wherein the pressure-bonded region is thinner than a portion around the region of the scintillator protective layer . 請求項１０に記載のシンチレータパネルにおいて、前記支持部材は、支持基板と、前記支持基板上に配され、前記シンチレータ層で変換された光を反射する反射層と、前記反射層上に配され、前記反射層もしくは前記シンチレータ保護層と接するシンチレータ下地層と、を有することを特徴とするシンチレータパネル。 The scintillator panel according to claim 10 , wherein the support member is disposed on a support substrate, a reflective layer that is disposed on the support substrate and reflects light converted by the scintillator layer, and the reflective layer. A scintillator panel comprising: a scintillator underlayer in contact with the reflective layer or the scintillator protective layer. 請求項１１に記載のシンチレータパネルにおいて、前記シンチレータ保護層と前記シンチレータ下地層とが接する領域に加熱加圧処理により圧着された領域を有することを特徴とするシンチレータパネル。 12. The scintillator panel according to claim 11 , wherein the scintillator panel has a region that is pressure-bonded by a heat and pressure treatment in a region where the scintillator protective layer and the scintillator underlayer are in contact with each other. 請求項１２に記載のシンチレータパネルにおいて、前記反射層が設けられた領域の外側の前記シンチレータ下地層と前記シンチレータ保護層とが接する領域に、加熱加圧処理により密着された領域を有することを特徴とするシンチレータパネル。 13. The scintillator panel according to claim 12 , wherein the scintillator underlayer and the scintillator protective layer outside the region where the reflective layer is provided have a region that is in close contact with the scintillator protective layer by heat and pressure treatment. And scintillator panel. 請求項１０から１３のいずれか１項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂がポリオレフィン系、ポリエステル系又はポリアミド系樹脂を主成分とすることを特徴とするシンチレータパネル。 The scintillator panel according to any one of claims 10 to 13 , wherein the hot melt resin contains a polyolefin-based, polyester-based or polyamide-based resin as a main component. 請求項１４に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂がポリオレフィン系樹脂を主成分とすることを特徴とするシンチレータパネル。 15. The scintillator panel according to claim 14 , wherein the hot melt resin contains a polyolefin resin as a main component. 請求項１０から１３のいずれか１項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂の溶融開始温度が、７０℃以上、１５０℃以下であることを特徴とするシンチレータパネル。 14. The scintillator panel according to claim 10 , wherein a melting start temperature of the hot melt resin is 70 ° C. or higher and 150 ° C. or lower. 請求項１０から１３のいずれか１項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂の溶融粘度は１００℃〜１４０℃において１×１０3〜１×１０4Ｐａ・ｓであることを特徴とするシンチレータパネル。 14. The scintillator panel according to claim 10 , wherein the hot melt resin has a melt viscosity of 1 × 10 3 to 1 × 10 4 Pa · s at 100 ° C. to 140 ° C. 14. Scintillator panel. 請求項１０から１３のいずれか１項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂の抗張力が４０ｋｇ／ｃｍ2以上、３００ｋｇ／ｃｍ2以下であることを特徴とするシンチレータパネル。 14. The scintillator panel according to claim 10 , wherein the hot melt resin has a tensile strength of 40 kg / cm 2 or more and 300 kg / cm 2 or less. 請求項１０から１８のいずれか１項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記シンチレータ層は、柱状結晶構造を有することを特徴とするシンチレータパネル。 The scintillator panel according to any one of claims 10 to 18 , wherein the scintillator layer has a columnar crystal structure. 請求項１０から１９のいずれか１項に記載のシンチレータパネルと、前記シンチレータ層からの光を受光する複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、を有する放射線検出装置。 A radiation detection apparatus comprising: the scintillator panel according to any one of claims 10 to 19 ; and a sensor panel having a light receiving unit in which a plurality of photoelectric conversion elements that receive light from the scintillator layer are arranged. 複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層と、を有する放射線検出装置の製造方法において、
前記シンチレータ層が形成された前記センサーパネルを用意し、溶融されたホットメルト樹脂を、前記シンチレータ層と前記シンチレータ層の周囲の前記センサーパネルとを直接被覆するよう設けて、前記シンチレータ保護層を形成する工程と、
前記シンチレータ層の周囲において前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層の領域に加熱加圧処理を施して前記シンチレータ保護層と前記センサーパネルとを圧着させることによって、前記シンチレータ保護層のうち前記圧着された領域の厚みを当該領域の周囲の部分よりも薄くする工程と
を含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 A sensor panel having a light receiving portion in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged, a scintillator layer that is formed on the sensor panel and converts radiation into light, and a scintillator protective layer that covers the scintillator layer and adheres closely to the sensor panel In a method for manufacturing a radiation detection apparatus,
Prepare the sensor panel on which the scintillator layer is formed, and provide the melted hot melt resin so as to directly cover the scintillator layer and the sensor panel around the scintillator layer to form the scintillator protective layer And a process of
A region of the scintillator protective layer that is in close contact with the sensor panel in the periphery of the scintillator layer is subjected to a heat and pressure treatment so that the scintillator protective layer and the sensor panel are pressure-bonded, whereby the pressure-bonding of the scintillator protective layer is performed. A method of manufacturing a radiation detection apparatus, comprising: making a thickness of the region thinner than a portion around the region . 複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層を含むシンチレータ保護部材と、を有する放射線検出装置の製造方法において、
ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層を有するシンチレータ保護部材を形成する第１工程と、
前記シンチレータ層が形成された前記センサーパネルを用意し、前記シンチレータ保護層が前記シンチレータ層と前記シンチレータ層の周囲の前記センサーパネルとを直接被覆するように前記シンチレータ保護部材を前記シンチレータ層及び前記センサーパネルに密着させる第２工程と、
前記シンチレータ層の周囲において前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層の領域に加熱加圧処理を施して前記シンチレータ保護層と前記センサーパネルとを圧着させることによって、前記シンチレータ保護層のうち前記圧着された領域の厚みを当該領域の周囲の部分よりも薄くする工程と
を含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 A sensor panel having a light receiving portion in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged, a scintillator layer that is formed on the sensor panel and converts radiation into light, and a scintillator protective layer that covers the scintillator layer and adheres closely to the sensor panel A scintillator protection member containing
A first step of forming a scintillator protection member having a scintillator protection layer made of hot melt resin;
The sensor panel on which the scintillator layer is formed is prepared, and the scintillator protection member is attached to the scintillator layer and the sensor so that the scintillator protection layer directly covers the scintillator layer and the sensor panel around the scintillator layer. A second step of closely contacting the panel;
A region of the scintillator protective layer that is in close contact with the sensor panel in the periphery of the scintillator layer is subjected to a heat and pressure treatment so that the scintillator protective layer and the sensor panel are pressure-bonded, whereby the pressure-bonding of the scintillator protective layer is performed. A method of manufacturing a radiation detection apparatus, comprising: making a thickness of the region thinner than a portion around the region . 支持部材と、前記支持部材上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記支持部材と密着するシンチレータ保護層と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、
前記シンチレータ層が形成された前記支持部材を用意し、溶融されたホットメルト樹脂を、前記シンチレータ層と前記シンチレータ層の周囲の前記支持部材とを直接被覆するよう設けて前記シンチレータ保護層を形成する工程と、
前記シンチレータ層の周囲において前記支持部材と密着するシンチレータ保護層の領域に加熱加圧処理を施して前記シンチレータ保護層と前記支持部材とを圧着させることによって、前記シンチレータ保護層のうち前記圧着された領域の厚みを当該領域の周囲の部分よりも薄くする工程と、
を含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。 In a method of manufacturing a scintillator panel, comprising: a support member; a scintillator layer that is formed on the support member and converts radiation into light; and a scintillator protective layer that covers the scintillator layer and adheres closely to the support member.
The support member on which the scintillator layer is formed is prepared, and the scintillator protective layer is formed by providing a molten hot melt resin so as to directly cover the scintillator layer and the support member around the scintillator layer. Process ,
A region of the scintillator protective layer that is in close contact with the support member around the scintillator layer is subjected to heat and pressure treatment so that the scintillator protective layer and the support member are pressure-bonded. Making the thickness of the region thinner than the surrounding portion of the region;
A method of manufacturing a scintillator panel, comprising: 支持部材と、前記支持部材上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記支持部材と密着するシンチレータ保護層と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、
ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層を有するシンチレータ保護部材を形成する第１工程と、
前記シンチレータ層が形成された前記支持部材を用意し、前記シンチレータ保護層が前記シンチレータ層と前記シンチレータ層の周囲の前記支持部材とを直接被覆するように前記シンチレータ保護部材を前記シンチレータ層及び支持部材に密着させる第２工程と、
前記シンチレータ層の周囲において前記支持部材と密着するシンチレータ保護層の領域に加熱加圧処理を施して前記シンチレータ保護層と前記支持部材とを圧着させることによって、前記シンチレータ保護層のうち前記圧着された領域の厚みを当該領域の周囲の部分よりも薄くする工程と、
を含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。 In a method of manufacturing a scintillator panel, comprising: a support member; a scintillator layer that is formed on the support member and converts radiation into light; and a scintillator protective layer that covers the scintillator layer and adheres closely to the support member.
A first step of forming a scintillator protection member having a scintillator protection layer made of hot melt resin;
Prepare the supporting member to which the scintillator layer is formed, the scintillator layer and the support member the scintillator protection member so that said scintillator protection layer covering the said support member around the scintillator layer and the scintillator layer directly A second step of closely adhering to
A region of the scintillator protective layer that is in close contact with the support member around the scintillator layer is subjected to heat and pressure treatment so that the scintillator protective layer and the support member are pressure-bonded. Making the thickness of the region thinner than the surrounding portion of the region;
A method of manufacturing a scintillator panel, comprising: 請求項２３又は２４の製造方法で製造したシンチレータパネルと複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルとを固定する工程を有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 A method for manufacturing a radiation detection apparatus, comprising a step of fixing a scintillator panel manufactured by the manufacturing method according to claim 23 or 24 and a sensor panel having a light receiving portion in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged. 請求項１から９及び２０のいずれか１項に記載の放射線検出装置を具備するともに、前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線検出システム。 A signal processing means for processing a signal from the radiation detection apparatus, and a signal processing means for recording the signal from the signal processing means, comprising the radiation detection apparatus according to any one of claims 1 to 9 and 20 . comprising recording means, a display means for displaying the signal from said signal processing means, and transmission processing means for transmitting a signal from said signal processing means, a radiation source for generating the radiation A radiation detection system characterized by that. 複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネル上に配された、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層の周囲における前記センサーパネルの領域において加熱加圧処理が施されて溶融したホットメルト樹脂が前記センサーパネルの表面の凹凸に入り込み、冷却による固化によって前記センサーパネルの表面に圧着された領域を有するとともに、前記シンチレータ層の表面及び側面と前記センサーパネルの表面の一部を被覆するように配されたシンチレータ保護層と
を有し、
前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄い
ことを特徴とする放射線検出装置。 A sensor panel having a light receiving portion in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged;
A scintillator layer disposed on the sensor panel for converting radiation into light;
Enter the unevenness of the hot melt resin is a surface of the sensor panel heating and pressurizing treatment in the area of the sensor panel in the surrounding is melted is subjected of the scintillator layer, pressure on the surface of the front Symbol sensor panel by solidification by cooling and has a wear area, have a scintillator protection layer disposed to cover a portion of the surface and a side surface of the scintillator layer surface of the sensor panel,
The crimped region is thinner than the portion around the region of the scintillator protective layer.
A radiation detector characterized by that . 支持部材と、
前記支持部材上に配された放射線を光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層の周囲における前記支持部材の領域において加熱加圧処理が施されて溶融したホットメルト樹脂が前記支持部材の表面の凹凸に入り込み、冷却による固化によって前記支持部材の表面に圧着された領域を有するとともに、前記シンチレータ層の表面及び側面と前記支持部材の表面の一部を被覆するように配されたシンチレータ保護層と
を有し、
前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄い
ことを特徴とするシンチレータパネル。 A support member;
A scintillator layer that converts radiation disposed on the support member into light;
Enter the unevenness of the surface of the hot melt resin is the support member which heat and pressure treatment in the region of the support member at the periphery is melted is subjected of the scintillator layer, pressure on the surface of the front Symbol support member by a solidified by cooling and has a wear area, have a scintillator protection layer disposed to cover the portion of the surface of the support member and the surface and a side surface of the scintillator layer,
The crimped region is thinner than the portion around the region of the scintillator protective layer.
A scintillator panel characterized by that .
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