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複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネル上に配された、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層を被覆し、前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層と、を有し、
前記シンチレータ保護層は、ホットメルト樹脂からなることを特徴とする放射線検出装置。
A sensor panel having a light receiving portion in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged ;
A scintillator layer disposed on the sensor panel for converting radiation into light;
The scintillator layer was coated, anda scintillator protection layer in close contact with the sensor panel,
The scintillator protective layer is made of a hot melt resin.
請求項1に記載の放射線検出装置において、前記センサーパネルは、前記受光部上に保護層を有することを特徴とする放射線検出装置。 A radiation detecting apparatus according to claim 1, wherein the sensor panel, the radiation detecting apparatus characterized by having a protective layer on the light-receiving portion. 請求項1に記載の放射線検出装置において、前記シンチレータ保護層に接し、前記シンチレータ層で変換された光を反射する反射層と、前記反射層を保護する反射層保護層とを更に含むことを特徴とする放射線検出装置。   2. The radiation detection apparatus according to claim 1, further comprising: a reflective layer that is in contact with the scintillator protective layer and reflects light converted by the scintillator layer; and a reflective layer protective layer that protects the reflective layer. Radiation detection device. 請求項1に記載の放射線検出装置において、前記シンチレータ保護層は、前記シンチレータ層と対向する領域の膜厚より前記対向する前記領域の外側の膜厚が加圧処理によって薄い領域を有することを特徴とする放射線検出装置。2. The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the scintillator protective layer has a region in which a film thickness outside the region opposed to the scintillator layer is thinner than a region opposed to the scintillator layer by pressure treatment. Radiation detection device. 請求項1からのいずれか1項に記載の放射線検出装置において、前記シンチレータ保護層と前記センサーパネルとが接する領域に加熱加圧処理により密着された領域を有することを特徴とする放射線検出装置。 A radiation detecting apparatus according to any one of claims 1 to 4, a radiation detecting apparatus characterized by having regions are contacted by the heating and pressurizing treatment to the region where said scintillator protection layer and the sensor panel is in contact . 請求項1からのいずれか1項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂がポリオレフィン系、ポリエステル系又はポリアミド系樹脂を主成分とする放射線検出装置。 The radiation detection apparatus according to any one of claims 1 to 5 , wherein the hot-melt resin has a polyolefin-based, polyester-based, or polyamide-based resin as a main component. 請求項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂がポリオレフィン系樹脂を主成分とすることを特徴とする放射線検出装置。 7. The radiation detection apparatus according to claim 6 , wherein the hot melt resin contains a polyolefin resin as a main component. 請求項1からのいずれか1項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂の溶融開始温度が、70℃以上、150℃以下であることを特徴とする放射線検出装置。 A radiation detecting apparatus according to any one of claims 1 to 7, the melting start temperature of the hot melt resin is, 70 ° C. or higher, the radiation detecting device, characterized in that at 0.99 ° C. or less. 請求項1からのいずれか1項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂の溶融粘度は100℃〜140℃において1×103〜1×104Pa・sであることを特徴とする放射線検出装置。 The radiation detection apparatus according to any one of claims 1 to 7 , wherein the hot melt resin has a melt viscosity of 1 × 10 3 to 1 × 10 4 Pa · s at 100 ° C. to 140 ° C. A radiation detection device. 請求項1からのいずれか1項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂の抗張力が40kg/cm2以上、300kg/cm2以下である放射線検出装置。 A radiation detecting apparatus according to any one of claims 1 7, wherein the tensile strength of the hot melt resin is 40 kg / cm 2 or more, the radiation detecting device is 300 kg / cm 2 or less. 請求項1から10のいずれか1項に記載の放射線検出装置において、前記シンチレータ層は、柱状結晶構造を有することを特徴とする放射線検出装置。11. The radiation detection apparatus according to claim 1, wherein the scintillator layer has a columnar crystal structure. 支持部材と、
前記支持部材上に配された放射線を光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層を被覆し前記支持部材と密着するシンチレータ保護層と、を有し、
前記シンチレータ保護層はホットメルト樹脂からなることを特徴とするシンチレータパネル。
A support member;
A scintillator layer for converting a radiation disposed on said support member to light,
Anda scintillator protection layer in close contact with the supporting member covering the scintillator layer,
The scintillator panel, wherein the scintillator protective layer is made of hot melt resin.
請求項12に記載のシンチレータパネルにおいて、前記シンチレータ保護層は、前記シンチレータ層と対向する領域の膜厚より前記対向する前記領域の外側の膜厚が加圧処理によって薄い領域を有することを特徴とするシンチレータパネル。13. The scintillator panel according to claim 12, wherein the scintillator protective layer has a region in which a film thickness outside the region facing the scintillator layer is thinner than a region facing the scintillator layer by pressure treatment. A scintillator panel. 請求項12又は13に記載のシンチレータパネルにおいて、前記支持部材は、支持基板と、前記支持基板上に配され、前記シンチレータ層で変換された光を反射する反射層と、前記反射層上に配され、前記反射層もしくは前記シンチレータ保護層と接するシンチレータ下地層と、を有することを特徴とするシンチレータパネル。 In the scintillator panel according to claim 12 or 13, wherein the supporting member comprises a supporting substrate, disposed on the supporting substrate, a reflective layer that reflects the converted light in the scintillator layer, on said reflective layer A scintillator panel, comprising: a scintillator base layer disposed in contact with the reflective layer or the scintillator protective layer. 請求項14に記載のシンチレータパネルにおいて、前記シンチレータ保護層と前記シンチレータ下地層とが接する領域に加熱加圧処理により圧着された領域を有することを特徴とするシンチレータパネル。 The scintillator panel according to claim 14 , further comprising a region bonded by heat and pressure treatment to a region where the scintillator protective layer and the scintillator underlayer are in contact with each other. 請求項15に記載のシンチレータパネルにおいて、前記反射層が設けられた領域の外側の前記シンチレータ下地層と前記シンチレータ保護層とが接する領域に、加熱加圧処理により密着された領域を有することを特徴とするシンチレータパネル。 The scintillator panel according to claim 15 , further comprising a region in contact with the scintillator underlayer and the scintillator protective layer outside the region provided with the reflective layer, which is in close contact with the heat and pressure treatment. And scintillator panel. 請求項12から16のいずれか1項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂がポリオレフィン系、ポリエステル系又はポリアミド系樹脂を主成分とすることを特徴とするシンチレータパネル。 The scintillator panel according to any one of claims 12 to 16 , wherein the hot-melt resin contains a polyolefin-based, polyester-based, or polyamide-based resin as a main component. 請求項17に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂がポリオレフィン系樹脂を主成分とすることを特徴とするシンチレータパネル。 The scintillator panel according to claim 17 , wherein the hot melt resin contains a polyolefin resin as a main component. 請求項12から16のいずれか1項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂の溶融開始温度が、70℃以上、150℃以下であることを特徴とするシンチレータパネル。 In the scintillator panel according to any one of claims 12 to 16, the melting start temperature of the hot melt resin, a scintillator panel, characterized in that 70 ° C. or more and 0.99 ° C. or less. 請求項12から16のいずれか1項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂の溶融粘度は100℃〜140℃において1×103〜1×104Pa・sであることを特徴とするシンチレータパネル。 In the scintillator panel according to any one of claims 12 to 16, the melt viscosity of the hot melt resin is characterized by a 1 × 10 3 ~1 × 10 4 Pa · s at 100 ° C. to 140 ° C. Scintillator panel. 請求項12から16のいずれか1項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂の抗張力が40kg/cm2以上、300kg/cm2以下であることを特徴とするシンチレータパネル。 In the scintillator panel according to any one of claims 12 to 16, wherein the tensile strength of the hot melt resin is 40 kg / cm 2 or more, a scintillator panel, characterized in that it is 300 kg / cm 2 or less. 請求項12から21のいずれか1項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記シンチレータ層は、柱状結晶構造を有することを特徴とするシンチレータパネル。The scintillator panel according to any one of claims 12 to 21, wherein the scintillator layer has a columnar crystal structure. 請求項12から22のいずれか1項に記載のシンチレータパネルと、前記シンチレータ層からの光を受光する複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、を有する放射線検出装置。A radiation detection apparatus comprising: the scintillator panel according to any one of claims 12 to 22; and a sensor panel having a light receiving unit in which a plurality of photoelectric conversion elements that receive light from the scintillator layer are arranged. 複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層と、を有する放射線検出装置の製造方法において、
前記シンチレータ層が形成された前記センサーパネルを用意し、溶融されたホットメルト樹脂を、前記シンチレータ層を直接被覆するよう設けて、前記シンチレータ保護層を形成する工程を含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
A sensor panel having a light receiving portion in which a plurality of photoelectric conversion elements arranged, wherein formed on the sensor panel, a scintillator layer for converting radiation into light, the scintillator protection layer in close contact with the sensor panel covering the scintillator layer In a method for manufacturing a radiation detection apparatus,
Radiation detection comprising preparing the sensor panel on which the scintillator layer is formed, and providing a molten hot melt resin so as to directly cover the scintillator layer to form the scintillator protective layer Device manufacturing method.
複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層を含むシンチレータ保護部材と、を有する放射線検出装置の製造方法において、
ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層を有するシンチレータ保護部材を形成する第1工程と、
前記シンチレータ層が形成された前記センサーパネルを用意し、前記シンチレータ保護層が前記シンチレータ層を直接被覆するように前記シンチレータ保護部材を前記シンチレータ層及び前記センサーパネルに密着させる第2工程と、
を含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
A sensor panel having a light receiving portion in which a plurality of photoelectric conversion elements arranged, wherein formed on the sensor panel, a scintillator layer for converting radiation into light, the scintillator protection layer in close contact with the sensor panel covering the scintillator layer A scintillator protection member containing
A first step of forming a scintillator protection member having a scintillator protection layer made of hot melt resin;
Preparing the sensor panel on which the scintillator layer is formed, a second step of closely attaching the scintillator protection member to the scintillator layer and the sensor panel so that the scintillator protection layer directly covers the scintillator layer;
The manufacturing method of the radiation detection apparatus characterized by including.
支持部材と、前記支持部材上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記支持部材と密着するシンチレータ保護層と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、
前記シンチレータ層が形成された前記支持部材を用意し、溶融されたホットメルト樹脂を、前記シンチレータ層を直接被覆するよう設けて前記シンチレータ保護層を形成する工程を含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
A support member, wherein formed on the supporting member, a scintillator layer for converting radiation into light, a scintillator protection layer in close contact with the supporting member covering the scintillator layer, in the manufacturing method of a scintillator panel having,
A scintillator panel comprising: a step of preparing the support member on which the scintillator layer is formed, and providing a molten hot melt resin so as to directly cover the scintillator layer to form the scintillator protective layer. Production method.
支持部材と、前記支持部材上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記支持部材と密着するシンチレータ保護層と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、
ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層を有するシンチレータ保護部材を形成する第1工程と、
前記シンチレータ層が形成された前記支持部材を用意し、前記シンチレータ保護層が前記シンチレータ層を直接被覆するように前記シンチレータ保護部材を前記シンチレータ層及び支持部材に密着させる第2工程と、
を含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
A support member, wherein formed on the supporting member, a scintillator layer for converting radiation into light, a scintillator protection layer in close contact with the supporting member covering the scintillator layer, in the manufacturing method of a scintillator panel having,
A first step of forming a scintillator protection member having a scintillator protection layer made of hot melt resin;
A second step of preparing the support member on which the scintillator layer is formed, and closely attaching the scintillator protection member to the scintillator layer and the support member so that the scintillator protection layer directly covers the scintillator layer;
A method of manufacturing a scintillator panel, comprising:
請求項26又は27の製造方法で製造したシンチレータパネルと複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルとを固定する工程を有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。28. A method for manufacturing a radiation detection apparatus, comprising a step of fixing a scintillator panel manufactured by the manufacturing method according to claim 26 or 27 and a sensor panel having a light receiving portion in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged. 請求項24または25に記載の放射線検出装置の製造方法において、前記工程又は前記第2工程後、前記シンチレータ保護層の前記センサーパネルと接する領域に加圧処理して前記シンチレータ保護層と前記センサーパネルとを密着させる工程を更に含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 26. The method of manufacturing a radiation detecting apparatus according to claim 24 or 25 , wherein after the step or the second step, the scintillator protective layer and the sensor panel are subjected to pressure treatment on a region of the scintillator protective layer that contacts the sensor panel. The manufacturing method of the radiation detection apparatus characterized by further including the process of closely_contact | adhering . 請求項29に記載の放射線検出装置の製造方法において、前記加圧処理が加熱処理を伴うことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。30. The method of manufacturing a radiation detection apparatus according to claim 29, wherein the pressurizing process is accompanied by a heating process. 請求項26または27に記載のシンチレータパネルの製造方法において、前記工程又は前記第2工程後、前記シンチレータ保護層の前記支持部材と接する領域に加圧処理して前記シンチレータ保護層と前記支持部材とを密着させる工程を更に含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。 28. The method of manufacturing a scintillator panel according to claim 26 or 27 , wherein after the step or the second step, the scintillator protective layer and the support member are subjected to pressure treatment on a region of the scintillator protective layer in contact with the support member. method of manufacturing a scintillator panel, characterized by further comprising the step of adhering the. 請求項31に記載のシンチレータパネルの製造方法において、前記加圧処理が加熱処理を伴うことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。32. The method of manufacturing a scintillator panel according to claim 31, wherein the pressurizing process is accompanied by a heating process. 請求項1から13及び23のいずれか1項に記載の放射線検出装置を具備するともに、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、前記放射線を発生させるための放射線源のうち1又は複数を具備することを特徴とする放射線検出システム。
While comprising the radiation detection device according to any one of claims 1 to 13 and 23 ,
Signal processing means for processing a signal from the radiation detection apparatus, recording means for recording a signal from the signal processing means, display means for displaying a signal from the signal processing means, and the signal processing A radiation detection system comprising: a transmission processing means for transmitting a signal from the means; and one or a plurality of radiation sources for generating the radiation.
複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネル上に配された、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
加熱による溶融によって前記シンチレータ層及び前記センサーパネルの表面の凹凸に入り込み、冷却による固化によって前記シンチレータ層及び前記センサーパネルの表面に接着されて、前記シンチレータ層の表面及び側面と前記センサーパネルの表面の一部を被覆するように配されたシンチレータ保護層とを有する放射線検出装置。
A sensor panel having a light receiving portion in which a plurality of photoelectric conversion elements are arranged ;
A scintillator layer disposed on the sensor panel for converting radiation into light;
By melt by heating enters the unevenness of the scintillator layer and the surface of the sensor panel, is adhered to the surface of the scintillator layer and the sensor panel by solidification by cooling, the upper and side surfaces of said scintillator layer the sensor panel surface A radiation detection device comprising a scintillator protective layer arranged to cover a part.
支持部材と、
前記支持部材上に配された放射線を光に変換するシンチレータ層と、
加熱による溶融によって前記シンチレータ層及び前記支持部材の表面の凹凸に入り込み、冷却による固化によって前記シンチレータ層及び前記支持部材の表面に接着されて、前記シンチレータ層の表面及び側面と前記支持部材の表面の一部を被覆するように配されたシンチレータ保護層とを有するシンチレータパネル。
A support member;
A scintillator layer for converting a radiation disposed on said support member to light,
Enters the melt by heating the uneven surface of the scintillator layer and said supporting member, bonded by solidification by cooling to the surface of the scintillator layer and said supporting member, the surface of the surface and the side surface and the support member of the scintillator layer A scintillator panel having a scintillator protective layer arranged to cover a part.
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4455534B2 (en) 2006-05-09 2010-04-21 株式会社東芝 Radiation detector and manufacturing method thereof
DE102006038969B4 (en) * 2006-08-21 2013-02-28 Siemens Aktiengesellschaft X-ray converter element and method for its production
WO2008093552A1 (en) * 2007-02-01 2008-08-07 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Scintillator panel
WO2008156004A1 (en) * 2007-06-19 2008-12-24 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Radiographic image conversion panel, its manufacturing method, and radiographic image pickup system
WO2009034864A1 (en) * 2007-09-12 2009-03-19 Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. Scintillator panel
WO2009144978A1 (en) * 2008-05-27 2009-12-03 コニカミノルタエムジー株式会社 Manufacturing method for radiographic image conversion panel, and radiographic image conversion panel
JP5197468B2 (en) * 2009-03-31 2013-05-15 富士フイルム株式会社 Radiation detector
JP5369979B2 (en) * 2009-08-05 2013-12-18 コニカミノルタ株式会社 Radiation image detection device
WO2011074249A1 (en) * 2009-12-18 2011-06-23 株式会社 東芝 Radiation detector and method for manufacturing same
WO2011125383A1 (en) * 2010-04-07 2011-10-13 コニカミノルタエムジー株式会社 Method of manufacturing flat panel detector
JP5607426B2 (en) 2010-05-28 2014-10-15 キヤノン株式会社 Radiation detection apparatus and radiation imaging system
JP5562134B2 (en) 2010-06-17 2014-07-30 キヤノン株式会社 Radiation detection apparatus, manufacturing method thereof, and radiation imaging system
JP2012177624A (en) * 2011-02-25 2012-09-13 Fujifilm Corp Radiation image detector and method for manufacturing radiation image detector
JP5728250B2 (en) * 2011-03-01 2015-06-03 キヤノン株式会社 Radiation detection apparatus, scintillator panel, manufacturing method thereof, and radiation detection system
JP5744570B2 (en) * 2011-03-02 2015-07-08 キヤノン株式会社 Radiation detection apparatus, method for manufacturing radiation detection apparatus, and radiation detection system
JP5498982B2 (en) * 2011-03-11 2014-05-21 富士フイルム株式会社 Radiography equipment
JP5623316B2 (en) * 2011-03-18 2014-11-12 富士フイルム株式会社 Radiation imaging apparatus and manufacturing method
JP5911274B2 (en) 2011-11-28 2016-04-27 キヤノン株式会社 Radiation detection apparatus and radiation imaging system
KR101405536B1 (en) 2012-10-19 2014-06-11 주식회사 아비즈알 Directly-Deposited Scintillator Panel and Manufacturing Method thereof
JP6114635B2 (en) * 2013-06-06 2017-04-12 東芝電子管デバイス株式会社 Radiation detector and manufacturing method thereof
JP5936584B2 (en) * 2013-08-29 2016-06-22 富士フイルム株式会社 Radiation image detection apparatus and manufacturing method
JP2015230175A (en) * 2014-06-03 2015-12-21 コニカミノルタ株式会社 Radiographic image detection apparatus and manufacturing method therefor
JP2018009803A (en) * 2016-07-11 2018-01-18 コニカミノルタ株式会社 Scintillator panel
JP6872404B2 (en) * 2016-09-08 2021-05-19 昭和電工パッケージング株式会社 Visible light reflection sheet for radiation detectors and radiation detectors
JP6995666B2 (en) * 2018-03-01 2022-01-14 キヤノン株式会社 Radiation imaging device and radiation imaging system
JP7353191B2 (en) * 2020-01-14 2023-09-29 キヤノン電子管デバイス株式会社 Radiation detection module and radiation detector

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5761520A (en) * 1980-09-09 1982-04-14 Toshiba Corp Sticking of protecting film on sensitized paper
JPS6263881A (en) * 1985-09-14 1987-03-20 Horiba Ltd Radiation detector
JP2000275398A (en) * 1999-03-26 2000-10-06 Kasei Optonix Co Ltd Fluorescent screen
JP2000284097A (en) * 1999-03-30 2000-10-13 Fuji Photo Film Co Ltd Radiation image conversion panel
JP3850190B2 (en) * 1999-10-26 2006-11-29 富士写真フイルム株式会社 Radiation image conversion panel
JP2002105874A (en) * 2000-10-03 2002-04-10 Toppan Printing Co Ltd Polyolefin floor material

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