JP4612876B2 - 放射線検出装置、シンチレータパネル、これらの製造方法及び放射線検出システム - Google Patents
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Description
また、本発明の放射線検出装置は、複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネル上に配された、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層の周囲における前記センサーパネルの領域において加熱加圧処理が施されて溶融したホットメルト樹脂が前記センサーパネルの表面の凹凸に入り込み、冷却による固化によって前記センサーパネルの表面に圧着された領域を有するとともに、前記シンチレータ層の表面及び側面と前記センサーパネルの表面の一部を被覆するように配されたシンチレータ保護層とを有し、前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄いことを特徴とする放射線検出装置である。
また本発明のシンチレータパネルは、支持部材と、前記支持部材上に配された放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層の周囲における前記支持部材の領域において加熱加圧処理が施されて溶融したホットメルト樹脂が前記支持部材の表面の凹凸に入り込み、冷却による固化によって前記支持部材の表面に圧着された領域を有するとともに、前記シンチレータ層の表面及び側面と前記支持部材の表面の一部を被覆するように配されたシンチレータ保護層とを有し、前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄いことを特徴とするシンチレータパネルである。
図1は本発明に係わる直接蒸着タイプの放射線検出装置の模式的平面図を示す。図2は、図1のA−A’断面図である。図1または図2において、1はガラス等の基板、2は光電変換素子、3は配線であり、光電変換素子2、配線3、及び薄膜トランジスタ(TFT)によって受光部15が構成されている。4は電気的接続部(取り出し配線)、5はセンサー保護層、6はシンチレータ下地層、11は配線接続部、であり、1〜6、11によって光検出器(センサーパネル)16が構成されている。また、7はシンチレータ層、8はシンチレータ保護層、9は反射層、10は反射層保護層であり、8〜10によってシンチレータ保護部材が構成されている。また、シンチレータ保護部材の、受光部15またはシンチレータ層7が形成された周囲の領域のセンサーパネル16と接触する領域にホットプレス部14が設けられている。また、12は配線部材、13は封止部材である。
1) 外部からの衝撃による破壊を防止する耐衝撃性を有する
2) 放射線源からの放射線を好適に透過する放射線透過性を有する
3) シンチレータ層7で発せられた光を好適に透過する光透過性を有する
4) シンチレータ層、センサーパネルまたは支持部材表面との高い密着性を有する
5) 透過光の光路差による解像度低下を防止する層厚の面内均一性を有する
6) 基板と反射層との熱膨張係数差に起因する応力を吸収する吸収性を有する
7) シンチレータ層及び受光部に悪影響を及ぼさない成膜(形成)温度を有する
8) 生産性に富んだ高い成膜(形成)速度を有する
9) 外気からの水分の侵入を防ぐ高い防湿性(耐湿性、非透水性)を有する
10) 柱状結晶を溶解する水、極性溶媒、溶剤などを含まない
11) 柱状結晶間へのしみ込みによる顕著な解像度の低下を招かない粘性を有する
12) エタノールなど医療器具の消毒用溶剤に不溶または微溶である特性を有する
上記の機能を満たすシンチレータ保護層8の材料としては、ホットメルト樹脂を用いることが好ましい。ホットメルト樹脂は、水や溶剤を含まない、室温で固体であり、100%不揮発性の熱可塑性材料からなる接着性樹脂と定義されるものである(Thomas.p.Flanagan,Adhesive Age,9,No3,28(1996))。ホットメルト樹脂は、樹脂温度が上昇すると溶融し、樹脂温度が低下すると固化するものである。また、ホットメルト樹脂は、加熱溶融状態で、他の有機材料、および無機材料に接着性をもち、常温で固体状態となり接着性を持たないものである。また、ホットメルト樹脂は極性溶媒、溶剤、および水を含んでいないので、潮解性を有するシンチレータ層(例えば、ハロゲン化アルカリからなる柱状結晶構造を有するシンチレータ層)に接触してもシンチレータ層を溶解しないため、シンチレータ保護層として使用され得る。ホットメルト樹脂は、熱可塑性樹脂を溶剤に溶かし溶媒塗布法によって形成された溶剤揮発硬化型の接着性樹脂とは異なる。またエポキシ等に代表される化学反応によって形成される化学反応型の接着性樹脂とも異なる。
(1)ホットメルト樹脂中に含まれる共重合体の含有量、
(2)ホットメルト樹脂中に含まれる共重合体におけるアクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸、メタクリル酸エステルの含有量、
(3)ホットメルト樹脂中に含まれる添加剤の含有量、
の要素を単独あるいは2つ以上の要素の組み合わせにより変化させることによって制御することができる。以下にホットメルト樹脂に含まれる共重合体及び各種共重合体を構成する物質について説明する。
A. エチレン−酢酸ビニル共重合体は、エチレン単位;−CH2−CH2− と、酢酸ビニル;−CH2−CH(OCOCH3)−の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔(CH2−CH2)a−CH2−CH(OCOCH3)b−〕n (a,b,nは整数)
で示される。エチレンに対する酢酸ビニルの含有量は2〜40重量%であることが望ましい。ホットメルト樹脂の防湿性を高くするには酢酸ビニルの含有率を低くすることが好ましい。また、シンチレータとの接着力を高くするためには、酢酸ビニルの含有率を高くすることが好ましい。本発明におけるシンチレータ保護層8に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−酢酸ビニル共重合体の含有率が5〜20%であることが好ましい。
B. エチレン−アクリル酸共重合体(EAA)は、エチレン単位;−CH2−CH2− と、ポリエチレンの構造中にランダムにカルボキシル基が含まれた構造を有するアクリル酸;−CH2−CHCOOH− の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔(CH2−CH2)a−(CH2−CHCOOH)b−〕n (a,b,nは整数)
で示される。エチレンに対するアクリル酸の含有率は4〜20重量%であることが望ましい。上記酢酸ビニルと同様に、ホットメルト樹脂の防湿性を高くするにはアクリル酸の含有率を低くすることが好ましい。また、シンチレータ層との密着力を高くするためには、アクリル酸の含有率を高くすることが好ましい。本発明におけるシンチレータ保護層8に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−アクリル酸共重合体の含有率が5〜20%であることが望ましい。
C. エチレン−アクリル酸エステル共重合体は、
エチレン単位;−CH2−CH2− と、アクリル酸エステル;−CH2−CHCOOR− の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔(CH2−CH2)a−(CH2−CHCOOR)b−〕n (a,b,nは整数)
で示される(ここで、R:CH3,C2H5,C3H7のいずれかである)。エチレンに対するアクリル酸エステルの含有率は2〜35重量%であることが望ましい。上記同様に、ホットメルト樹脂の防湿性を高くするにはアクリル酸エステルの含有率を低くすることが好ましい。また、シンチレータ層との密着力を高くするためには、アクリル酸エステルの含有量を高くすることが好ましい。本発明におけるシンチレータ保護層8に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−アクリル酸エステル共重合体の含有率が8〜25%であることが望ましい。
D. エチレン−メタクリル酸共重合体は、
エチレン単位;−CH2−CH2− と、ポリエチレンの構造中にランダムにカルボキシル基が含まれる構造を有するメタクリル酸;−CH2−CCH3COOH− の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔(CH2−CH2)a−(CH2−CCH3COOH)b−〕n (a,b,nは整数)
で示される。エチレンに対するメタクリル酸の含有率は2〜20重量%であることが望ましい。上記同様に、ホットメルト樹脂の防湿率を高くするにはメタクリル酸の含有率を低くすることが好ましい。また、シンチレータ層との密着力を高くするためには、メタクリル酸の含有率を高くすることが好ましい。本発明におけるシンチレータ保護層8に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−メタクリル酸共重合体の含有率が5〜15%であることが望ましい。
E. エチレン−メタクリル酸エステル共重合体は、
エチレン単位;−CH2−CH2− と、メタクリル酸エステル;−CH2−CCH3COOR− の分子構造を有する物質の共重合体であり、一般式は、
−〔(CH2−CH2)a−(CH2−CCH3COOR)b−〕n (a,b,nは整数)
で示される。エチレンに対するメタクリル酸エステルの含有率は2〜25重量%であることが望ましい。上記同様に、ホットメルト樹脂の防湿率を高くするにはメタクリル酸エステルの含有率を低くすることが好ましい。また、シンチレータ層との密着力を高くするためには、メタクリル酸エステルの含有率を高くすることが好ましい。本発明におけるシンチレータ保護層8に用いるホットメルト樹脂としては、エチレン−メタクリル酸エステル共重合体の含有率が3〜15%であることが望ましい。
また、ホットメルト樹脂に添加する添加剤としては、例えば粘着付与剤や軟化剤が挙げられる。粘着付与剤としては例えばロジン,重合ロジン,水素添加ロジン,ロジンエステル等の天然樹脂及びその変成品,脂肪族化合物,脂環式化合物,芳香族,石油樹脂,テルペン樹脂,テルペン・フェノール樹脂,水素添加テルペン樹脂,クマロン樹脂などが挙げられる。また、軟化剤としては、例えばプロセスオイル,パラフィンオイル,ヒマシ油,ポリブテン,低分子量ポリイソプレン等が挙げられる。
(1) ホットメルト樹脂を溶融し、塗布装置を用いて溶融した樹脂を直接、シンチレータ層7の表面に塗布し形成する方法(図4で説明)。
(2) ホットメルト樹脂を反射層9と反射層保護層10とが積層されたシートに塗布してシンチレータ保護シートを形成し、シンチレータ保護シートを熱プレス、または熱ラミネートでシンチレータ層7の表面に形成する方法(図5、図6で説明)。
(3) 剥離基板上にホットメルト樹脂を作成してホットメルト樹脂シートを形成し、ホットメルト樹脂層側を熱プレスや熱ラミネート等でシンチレータ表面に形成し、その後剥離基板を剥がす方法。
(4) シンチレータ保護シートを作成し、真空プレス装置で圧着してシンチレータ表面に形成する方法(図7、図8で説明)。
図9は本発明の第2の実施の形態を示す模式図である。本実施の形態では、図9に示されるように第1の実施の形態に加えて、センサーパネル16裏面にそり矯正層33を設けている。シンチレータ保護層8をセンサーパネル上に熱処理を用いて形成すると、センサーパネル16とシンチレータ保護層8との間の熱膨張、熱収縮の相違によりセンサーパネル16にそりが発生する場合がある。またシンチレータ保護層8の厚さが、一定厚以上(例えば、100μm以上)に厚くなると、放射線検出装置の受光部15を形成したガラス等の基板1にそりが発生する場合がある。ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層8は100−160℃の温度によってセンサーパネル16のシンチレータ層7形成表面に設けられ、その後室温に戻りホットメルト樹脂は固化して形成される。したがって、ホットメルト樹脂が設けられる温度から室温に戻る温度差における、ホットメルト樹脂の熱膨張係数やホットメルト樹脂が形成されたシンチレータ保護フィルムの熱膨張係数と基板1の熱膨張係数との差異によって、基板1にそりが生じる。基板1にそりがあると、IC部品を搭載した配線部材12たとえばTCPをセンサーパネル16の電気的接続部4に異方導電性接着剤などの配線接続部11を用いて接着する際に、位置合わせが難しくなる。そこで本実施形態では、図9に示されるような、センサーパネル16の裏面に接着層32を介してそり強制層33を設けることでセンサーパネル16の基板1のそりを軽減できる。そり強制層33の材質は、そりの原因がホットメルト樹脂の場合にはホットメルト樹脂の熱膨張係数を有する材料、そりの原因が反射層9と反射層保護層の積層からなる積層シートの場合には積層シートの熱膨張係数を有する材料が好ましい。そり矯正層33に黒色等の着色材料を含有させて遮光機能をもたせることによって遮光層として用いてもよい。その際には、着色材料として、有機顔料や無機の顔料 を用いることが好ましい。有機顔料としては、ニトロ系色素、アゾ顔料、インダンスレン、チオインジゴペリノン、ペリレン、ジオキサジン、キナクリドン、フタロシアニン、イソインドリノン、キノフタロン系がある。無機顔料としては、カーボンブラック、黄鉛、カドミ黄、クローバーミリオン(オレンジ)ベンガラ、シュ、鉛丹、カドミ赤、ミネラルバイオレット(紫色)、コバルトブルー、コバルトグリーン、酸化クロム、酸化インジウム、酸化スズ、ビリジアン(緑)等がある。
図10、図11は他の実施形態を示す。本実施形態はセンサーパネル16と、ホットメルト樹脂層でシンチレータ層を覆ったシンチレータパネル40とを貼り合わせた、貼り合わせタイプの放射線検出装置を示す。図10(a)、(b)に示すように、シンチレータパネル40は、支持基板41上に、反射層42、反射層保護層(シンチレータ下地層)43、シンチレータ層7、シンチレータ保護層8を形成して作製される。シンチレータ層7が設けられる領域の外側における反射層保護層(シンチレータ下地層)43の表面には、支持基板41、反射層42の影響を受けて段差及びそれに伴う凹凸が存在する。ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層8はこの段差及び凹凸に溶融して入り込み、その後固化することによってシンチレータ層7及び反射層保護層(シンチレータ下地層)43の表面に密着し、シンチレータ層7の表面及び側面、さらに反射層保護層(シンチレータ下地層)43の表面の一部を被覆するように設けられる。シンチレータパネル40にはホットプレス部44が設けられ、このホットプレス部44は反射層42が形成された領域の外側において設けられるのが好ましい。反射層42上の領域でホットプレスを行うと、反射層42が熱により変形をおこし、反射光が所定の画素に入射されず、解像度低下の原因となる可能性があるためである。本実施の形態において、第1の実施形態と同様のものは、同じ番号により示され、説明は省略する。また、ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層8は、センサーパネル16の代わりに支持基板41、反射層42、シンチレータ下地層43からなる支持部材を用いたこと以外同様の方法により形成される。支持基板41としては、アモルファスカーボン基板やAl基板、ガラス基板、石英基板など種々の放射線透過性の基板を用いることが好ましい。反射層42としては、Al,Ag,Cr,Cu,Ni,Ti,Mg,Rh,Pt、およびAuなどの反射率の高い金属を用いることが好ましい。反射層保護層(シンチレータ下地層)43としては、LiF,MgF2,SiO2,Al2O3,TiO2,MgO,SiNの透明無機膜及びポリイミド等の透明有機膜を用いることが好ましい。また、反射層保護層(シンチレータ下地層)43としては、反射層42とシンチレータ層7との間で電気化学的腐食の発生を防止するために非導電性材料を用いることが好ましい。支持基板41に導電性材料を用いた場合には、支持基板41と反射層42との間での電気化学的腐食を防止するために、支持基板41と反射層42の間に絶縁層を形成することが好ましい。図11(a)、(b)に示すように、かかるシンチレータパネル40とセンサーパネル16をホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層8の接着性を利用して貼り合わせる。貼り合わせ後、封止材45により貼り合わされた放射線検出装置(センサーパネル16とシンチレータパネル40)の周囲を封止する。ここで、貼り合せにおいて、エポキシ樹脂等の一般的な接着材を別途用いてセンサーパネル16とシンチレータパネル40を貼り合わせてもよい。しかしながら別途接着材を用いると、シンチレータ層7から受光部15までの距離が大きくなり、シンチレータ層7で発せられた光の散乱による解像度の低下が起こる恐れがある。図12に貼り合わせタイプの放射線検出装置においてシンチレータパネル40にそり矯正層47を設けた場合を示す。図10及び図11を用いて説明した実施形態の放射線検出装置のシンチレータパネル裏面(シンチレータ層7及びシンチレータ保護層8が形成された面と反対側の面)にそり矯正層47を接着層46を介して設ける。支持基板41とシンチレータ保護層8との間の熱膨張、熱収縮の相違により支持基板41にそりが発生する場合があるが、シンチレータ保護層8に用いられるホットメルト樹脂とほぼ等しい熱膨張係数を有する樹脂からなるそり矯正層47を基板41の裏面(シンチレータ保護層8が形成された面と反対側の面)に接着層46を介して形成する。
次に本発明に係わる放射線検出装置を用いた放射線検出システムについて図13を用いて説明する。図13に示すように、X線チューブ6050で発生したX線6060は、患者或いは被験者6061の胸部6062を透過し、放射線検出装置6040に入射する。この入射したX線には患者6061の体内部の情報が含まれている。X線の入射に対応して放射線検出装置6040のシンチレータは発光し、これを光電変換して電気的情報を得る。この情報は、デジタルに変換されイメージプロセッサ6070により画像処理され制御室のディスプレイ6080で観察できる。
2 光電変換素子
3 配線
4 取り出し配線
5 光電変換素子の保護膜
6 蛍光体下地層
7 柱状蛍光体層
8 蛍光体保護層(ホットメルト樹脂層)
9 光反射層
10 反射層の保護層
11 配線接続部
12 配線部材
13 封止部材
14 ホットプレス部
15 受光部
16 センサーパネル
Claims (28)
- 複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネル上に配された、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層を被覆し、前記シンチレータ層の周囲において前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層と、
を有し、
前記シンチレータ保護層は、ホットメルト樹脂からなり、前記センサーパネルと密着する領域において、加熱加圧処理により圧着された領域を有し、
前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄い
ことを特徴とする放射線検出装置。 - 請求項1に記載の放射線検出装置において、前記センサーパネルは、前記受光部上に保護層を有することを特徴とする放射線検出装置。
- 請求項1に記載の放射線検出装置において、前記シンチレータ保護層に接し、前記シンチレータ層で変換された光を反射する反射層と、前記反射層を保護する反射層保護層とを更に含むことを特徴とする放射線検出装置。
- 請求項1から3のいずれか1項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂がポリオレフィン系、ポリエステル系又はポリアミド系樹脂を主成分とする放射線検出装置。
- 請求項4に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂がポリオレフィン系樹脂を主成分とすることを特徴とする放射線検出装置。
- 請求項1から5のいずれか1項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂の溶融開始温度が、70℃以上、150℃以下であることを特徴とする放射線検出装置。
- 請求項1から5のいずれか1項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂の溶融粘度は100℃〜140℃において1×103〜1×104Pa・sであることを特徴とする放射線検出装置。
- 請求項1から5のいずれか1項に記載の放射線検出装置において、前記ホットメルト樹脂の抗張力が40kg/cm2以上、300kg/cm2以下である放射線検出装置。
- 請求項1から8のいずれか1項に記載の放射線検出装置において、前記シンチレータ層は、柱状結晶構造を有することを特徴とする放射線検出装置。
- 支持部材と、
前記支持部材上に配された放射線を光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層を被覆し、前記シンチレータ層の周囲において前記支持部材と密着するシンチレータ保護層と、
を有し、
前記シンチレータ保護層はホットメルト樹脂からなり、前記支持部材と密着する領域において、加熱加圧処理により圧着された領域を有し、
前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄い
ことを特徴とするシンチレータパネル。 - 請求項10に記載のシンチレータパネルにおいて、前記支持部材は、支持基板と、前記支持基板上に配され、前記シンチレータ層で変換された光を反射する反射層と、前記反射層上に配され、前記反射層もしくは前記シンチレータ保護層と接するシンチレータ下地層と、を有することを特徴とするシンチレータパネル。
- 請求項11に記載のシンチレータパネルにおいて、前記シンチレータ保護層と前記シンチレータ下地層とが接する領域に加熱加圧処理により圧着された領域を有することを特徴とするシンチレータパネル。
- 請求項12に記載のシンチレータパネルにおいて、前記反射層が設けられた領域の外側の前記シンチレータ下地層と前記シンチレータ保護層とが接する領域に、加熱加圧処理により密着された領域を有することを特徴とするシンチレータパネル。
- 請求項10から13のいずれか1項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂がポリオレフィン系、ポリエステル系又はポリアミド系樹脂を主成分とすることを特徴とするシンチレータパネル。
- 請求項14に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂がポリオレフィン系樹脂を主成分とすることを特徴とするシンチレータパネル。
- 請求項10から13のいずれか1項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂の溶融開始温度が、70℃以上、150℃以下であることを特徴とするシンチレータパネル。
- 請求項10から13のいずれか1項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂の溶融粘度は100℃〜140℃において1×103〜1×104Pa・sであることを特徴とするシンチレータパネル。
- 請求項10から13のいずれか1項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記ホットメルト樹脂の抗張力が40kg/cm2以上、300kg/cm2以下であることを特徴とするシンチレータパネル。
- 請求項10から18のいずれか1項に記載のシンチレータパネルにおいて、前記シンチレータ層は、柱状結晶構造を有することを特徴とするシンチレータパネル。
- 請求項10から19のいずれか1項に記載のシンチレータパネルと、前記シンチレータ層からの光を受光する複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、を有する放射線検出装置。
- 複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層と、を有する放射線検出装置の製造方法において、
前記シンチレータ層が形成された前記センサーパネルを用意し、溶融されたホットメルト樹脂を、前記シンチレータ層と前記シンチレータ層の周囲の前記センサーパネルとを直接被覆するよう設けて、前記シンチレータ保護層を形成する工程と、
前記シンチレータ層の周囲において前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層の領域に加熱加圧処理を施して前記シンチレータ保護層と前記センサーパネルとを圧着させることによって、前記シンチレータ保護層のうち前記圧着された領域の厚みを当該領域の周囲の部分よりも薄くする工程と
を含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 - 複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、前記センサーパネル上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層を含むシンチレータ保護部材と、を有する放射線検出装置の製造方法において、
ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層を有するシンチレータ保護部材を形成する第1工程と、
前記シンチレータ層が形成された前記センサーパネルを用意し、前記シンチレータ保護層が前記シンチレータ層と前記シンチレータ層の周囲の前記センサーパネルとを直接被覆するように前記シンチレータ保護部材を前記シンチレータ層及び前記センサーパネルに密着させる第2工程と、
前記シンチレータ層の周囲において前記センサーパネルと密着するシンチレータ保護層の領域に加熱加圧処理を施して前記シンチレータ保護層と前記センサーパネルとを圧着させることによって、前記シンチレータ保護層のうち前記圧着された領域の厚みを当該領域の周囲の部分よりも薄くする工程と
を含むことを特徴とする放射線検出装置の製造方法。 - 支持部材と、前記支持部材上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記支持部材と密着するシンチレータ保護層と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、
前記シンチレータ層が形成された前記支持部材を用意し、溶融されたホットメルト樹脂を、前記シンチレータ層と前記シンチレータ層の周囲の前記支持部材とを直接被覆するよう設けて前記シンチレータ保護層を形成する工程と、
前記シンチレータ層の周囲において前記支持部材と密着するシンチレータ保護層の領域に加熱加圧処理を施して前記シンチレータ保護層と前記支持部材とを圧着させることによって、前記シンチレータ保護層のうち前記圧着された領域の厚みを当該領域の周囲の部分よりも薄くする工程と、
を含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。 - 支持部材と、前記支持部材上に形成され、放射線を光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を被覆し前記支持部材と密着するシンチレータ保護層と、を有するシンチレータパネルの製造方法において、
ホットメルト樹脂からなるシンチレータ保護層を有するシンチレータ保護部材を形成する第1工程と、
前記シンチレータ層が形成された前記支持部材を用意し、前記シンチレータ保護層が前記シンチレータ層と前記シンチレータ層の周囲の前記支持部材とを直接被覆するように前記シンチレータ保護部材を前記シンチレータ層及び支持部材に密着させる第2工程と、
前記シンチレータ層の周囲において前記支持部材と密着するシンチレータ保護層の領域に加熱加圧処理を施して前記シンチレータ保護層と前記支持部材とを圧着させることによって、前記シンチレータ保護層のうち前記圧着された領域の厚みを当該領域の周囲の部分よりも薄くする工程と、
を含むことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。 - 請求項23又は24の製造方法で製造したシンチレータパネルと複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルとを固定する工程を有することを特徴とする放射線検出装置の製造方法。
- 請求項1から9及び20のいずれか1項に記載の放射線検出装置を具備するともに、前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、前記放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線検出システム。
- 複数の光電変換素子が配された受光部を有するセンサーパネルと、
前記センサーパネル上に配された、放射線を光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層の周囲における前記センサーパネルの領域において加熱加圧処理が施されて溶融したホットメルト樹脂が前記センサーパネルの表面の凹凸に入り込み、冷却による固化によって前記センサーパネルの表面に圧着された領域を有するとともに、前記シンチレータ層の表面及び側面と前記センサーパネルの表面の一部を被覆するように配されたシンチレータ保護層と
を有し、
前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄い
ことを特徴とする放射線検出装置。 - 支持部材と、
前記支持部材上に配された放射線を光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層の周囲における前記支持部材の領域において加熱加圧処理が施されて溶融したホットメルト樹脂が前記支持部材の表面の凹凸に入り込み、冷却による固化によって前記支持部材の表面に圧着された領域を有するとともに、前記シンチレータ層の表面及び側面と前記支持部材の表面の一部を被覆するように配されたシンチレータ保護層と
を有し、
前記圧着された領域は、前記シンチレータ保護層のうち当該領域の周囲の部分よりも厚みが薄い
ことを特徴とするシンチレータパネル。
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