JP4605613B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
第1のスイッチング素子(M0)の入力端子(4)とこの駆動回路(10)の間に第2のスイッチング素子(M7)または可変抵抗素子を設け、
前記第1のスイッチング素子(M0)の入力端子(4)に第3のスイッチング素子(M5)を設け、
さらに、前記第1のスイッチング素子(M0)の温度検出回路または電流検出回路(12)を設け、
この温度検出回路または電流検出回路(12)により、前記第3のスイッチング素子(M5)をオン、前記第2のスイッチング素子(M7)をオフまたは高インピーダンスとせしめることを特徴とするものである(図1参照)。
本実施形態では、第1のスイッチング素子であるパワーMOSFET(M0)が正常動作している場合には第2のスイッチング素子であるPチャネルMOSFET(M7)がオン状態、第3のスイッチング素子であるNチャネルMOSFET(M5)がオフ状態である。このため、駆動回路10の出力電圧はそのまま等価的に低いゲート抵抗を介して、第1のスイッチング素子であるパワーMOSFET(M0)のゲート端子(4)に印加される。
ところが、パワーMOSFETが過熱状態または過電流状態になった場合には制御回路(11)により、第2のスイッチング素子であるPチャネルMOSFET(M7)がオフ状態、第3のスイッチング素子であるNチャネルMOSFET(M5)がオン状態になる。この時、駆動回路10の出力端子は、第1のスイッチング素子であるパワーMOSFET(M0)のゲート端子と遮断される。このため、保護動作時の低いドレイン電流がNチャネルMOSFET(M5)によりバイパスされパワーMOSFET(M0)を高速に遮断できる。
本発明の他の実施形態では、パワーMOSFETの温度をできるだけ正確に測定するため、またはパワーMOSFETの電流をカレントミラー構成で検出するために、温度検出回路または電流検出回路は本体のパワーMOSFET(M0)と同一の第1の半導体チップ(104)に形成し、第2のスイッチング素子であるPチャネルMOSFET(M7)はパワーMOSFET(M0)のドレイン領域(図3の1000)に形成することが不可能なため、第2の半導体チップ(106)に形成し、両チップの分離のため絶縁板(105)を前記第2の半導体チップ(106)の下に設けて同一パッケージに実装した。このため、前述の高性能な過熱保護回路または過電流保護回路を内蔵したパワーMOSFETを従来と同じ小型のパッケージに実装できるという利点がある(図5参照)。
また、他の実施形態として、PチャネルMOSFETを絶縁層(1006または1002)を介してパワーMOSFETのドレイン領域(1000)と分離することも可能である(図3または図4参照)。
本発明のその他の目的と特徴は、以下の実施例から明らかとなろう。
従来の過熱遮断回路内蔵パワーMOSFETの回路例では、ゲート抵抗を5kΩ程度と高くし、前記保護回路用MOSFETには遮断状態に1〜2mA程度の大電流を流すことにより、外部ゲート端子の電圧を5〜10V程度降圧し、本体のパワーMOSFETを遮断していた。このため、従来の過熱遮断回路用パワーMOSFETは高周波のパルス駆動は不可能であり、また、ゲート遅延時間が大きくなるためスイッチング損失が大きくなるという問題があった。また、過熱遮断回路が働いた後のゲート電流が高いため、駆動回路の消費電力が高くなるという問題があった。
これに対し、図1の本発明の実施例では通常の駆動時には、等価的なゲート抵抗が小さいため高周波のパルス駆動が可能でスイッチング損失も小さいという利点がある。また、遮断動作時には等価的ゲート抵抗が高くなるため、過熱遮断回路が働いた後のゲート電流が小さく、過熱遮断のためのスイッチング時間が短くなるという利点がある。
本実施例の特長は、M7に用いるPチャネルMOSFETを絶縁層1006により本体パワーMOSFETと分離された領域に形成してある点である。このため、本実施例では、従来のパワーMOSFET製造プロセスとほぼ同様な低コストプロセスで図2に示した高性能化した過熱遮断回路パワーMOSFETを実現できるという利点がある。
例えば、以上の実施例では本体素子がパワーMOSFETの場合に関して述べたが、本発明の回路技術は本体素子として、バイポーラトランジスタや絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を用いた場合にも適用可能であることは言うまでもない。
104…M0と温度検出回路または電流検出回路を内蔵する第1の半導体チップ、105…絶縁板、106…M7を内蔵する第2の半導体チップ、107…第2の半導体チップ上の本体パワーMOSFETの内部ゲート用パッド、108…第2の半導体チップ上の本体パワーMOSFETの内部ゲート用パッド、109…第2の半導体チップ上の外部ゲート端子用パッド、110…第1の半導体チップ上の本体パワーMOSFETの内部ゲート用パッド111…第1の半導体チップ上の外部ソース用パッド、112…M7またはM12のゲート制御用端子パッド、113…第1の半導体チップ上の外部ゲート用パッド、104…M0と温度検出回路または電流検出回路を内蔵する第1の半導体チップ、
1000…N型基板またはN型エピタキシャル層、1001…高濃度N型埋込層、1002、1006、1009、1013…絶縁層、1003…高濃度N型多結晶シリコン層、1004…高濃度N型単結晶シリコン層、1005…P型ウエル拡散層、1007a、1007b、1007c…多結晶シリコン層、1008…P型チャネル拡散層、1010…多結晶シリコン層(制御回路用P型MOSFET部ゲート用)、1011a、1011b…高濃度P型拡散層、1012a、1012b…高濃度N型拡散層、1014、1015…電極層、
R1〜R8…抵抗、D1〜D6…ダイオ−ド、M0…パワーMOSFET、M1〜M5、M16、M17…制御用NチャネルMOSFET、M6、M7、M8〜M10…制御用PチャネルMOSFET、M11〜M15…制御用デプレッション型NチャネルMOSFET。
Claims (4)
- 第1、第2、第3外部端子を備え、第1半導体チップと第2半導体チップを同一パッケージ内に実装した半導体装置であって、
前記第1半導体チップは第1ソース端子用パッドと第1ゲート端子用パッドと、制御回路出力端子パッドと、制御回路電源端子パッドを備え、
前記第2半導体チップは第2ドレイン端子用パッドと第2ゲート端子用パッドと第2ソース端子用パッドを備え、
前記第1半導体チップの裏面は前記第1外部端子に接続され、
前記第1ソース端子用パッドは前記第3外部端子に接続され、
前記制御回路電源端子パッドと第2ソース端子用パッドは前記第2外部端子に接続され、
前記第1ゲート端子用パッドと前記第2ドレイン端子用パッド、及び前記制御回路出力端子パッドと第2ゲート端子用パッドはそれぞれ前記パッケージ内部で接続され、
前記第1外部端子は前記第1半導体チップと前記第2半導体チップが搭載される導電板と接続され、
前記第2半導体チップは絶縁板を介して前記導電板上に搭載され、
前記第1半導体チップはパワーMOSFETと温度検出回路とラッチ回路を含み、
前記パワーMOSFETのソース端子は前記第1ソース端子用パッドに、ゲート端子は第1ゲート端子用パッドにそれぞれ接続され、
前記パワーMOSFETのドレイン端子は前記第1半導体チップの裏面であり、
前記制御回路電源端子パッドと、前記温度検出回路と前記ラッチ回路の電源が接続され、
前記制御回路出力端子パッドには前記ラッチ回路の出力端子が接続され、
前記第2の半導体チップはPチャネルMOSFETを含み、
前記第2ドレイン端子用パッドと前記PチャネルMOSFETのドレイン端子、前記第2ゲート端子用パッドと前記PチャネルMOSFETのゲート端子、前記第2ソース端子用パッドと前記PチャネルMOSFETのソース端子がそれぞれ接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1半導体チップは前記導電板上で前記第3外部端子に近い側に配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2半導体チップは前記導電板上で前記第2外部端子に近い側に配置されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記導電板は一部が前記パッケージを形成する樹脂より一部が露出していることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
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---|---|---|---|---|
US5497285A (en) * | 1993-09-14 | 1996-03-05 | International Rectifier Corporation | Power MOSFET with overcurrent and over-temperature protection |
JP3663258B2 (ja) * | 1995-09-11 | 2005-06-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | 制御回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置 |
JP3544592B2 (ja) * | 1995-11-09 | 2004-07-21 | 株式会社ルネサステクノロジ | 制御回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置 |
DE59709662D1 (de) * | 1996-05-21 | 2003-05-08 | Infineon Technologies Ag | MOSFET mit Temperaturschutz |
US6057998A (en) | 1996-12-25 | 2000-05-02 | Hitachi, Ltd. | Insulated gate type semiconductor apparatus with a control circuit |
JP3884849B2 (ja) * | 1996-12-25 | 2007-02-21 | 株式会社ルネサステクノロジ | 制御回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置 |
JP3698323B2 (ja) * | 1997-01-24 | 2005-09-21 | 株式会社ルネサステクノロジ | パワースイッチ回路 |
JPH10215160A (ja) * | 1997-01-31 | 1998-08-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 保護機能付半導体スイッチング回路および溶接機および切断機 |
DE19722300A1 (de) * | 1997-05-28 | 1998-12-03 | Bosch Gmbh Robert | Übertemperatur-Schutzschaltung |
GB9716838D0 (en) * | 1997-08-08 | 1997-10-15 | Philips Electronics Nv | Temperature sensing circuits |
JP3613979B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2005-01-26 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 温度検出機能内蔵ドライバic |
JP4431761B2 (ja) * | 1998-01-27 | 2010-03-17 | 富士電機システムズ株式会社 | Mos型半導体装置 |
DE19817790A1 (de) * | 1998-04-21 | 1999-12-09 | Siemens Ag | Verpolschutzschaltung |
JP3319406B2 (ja) | 1998-09-18 | 2002-09-03 | 日本電気株式会社 | 比較増幅検出回路 |
JP2000112577A (ja) * | 1998-09-24 | 2000-04-21 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | バッテリ切換回路 |
JP2000311789A (ja) | 1999-02-26 | 2000-11-07 | Yazaki Corp | オートライトコントロールシステム |
JP2000312433A (ja) | 1999-02-26 | 2000-11-07 | Yazaki Corp | スイッチング・デバイス |
JP2000253570A (ja) | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Yazaki Corp | 電気自動車のモータ起電力制御システム |
JP2000312143A (ja) | 1999-02-26 | 2000-11-07 | Yazaki Corp | スイッチング・デバイス |
TW457767B (en) | 1999-09-27 | 2001-10-01 | Matsushita Electric Works Ltd | Photo response semiconductor switch having short circuit load protection |
KR100615463B1 (ko) * | 2000-02-02 | 2006-08-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지용 과열 보호 소켓 |
JP3534309B2 (ja) * | 2000-07-27 | 2004-06-07 | Necトーキン栃木株式会社 | 温度保護付き電池パック |
JP2002043868A (ja) * | 2000-07-28 | 2002-02-08 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2002299569A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-10-11 | Sanyo Electric Co Ltd | スイッチング用mosトランジスタの保護回路 |
US6969959B2 (en) * | 2001-07-06 | 2005-11-29 | Lutron Electronics Co., Inc. | Electronic control systems and methods |
DE10152527A1 (de) * | 2001-10-24 | 2003-05-08 | Delphi Tech Inc | Schaltungsanordnung zur Laststromüberwachung |
JP3802412B2 (ja) * | 2001-12-26 | 2006-07-26 | Necエレクトロニクス株式会社 | Mosトランジスタ出力回路 |
KR100457675B1 (ko) * | 2002-09-10 | 2004-11-18 | 동아전기부품 주식회사 | 블로워모터 속도조절용 구동 시스템 |
JP4250412B2 (ja) * | 2002-12-13 | 2009-04-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2005093763A (ja) * | 2003-09-18 | 2005-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JP4981267B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2012-07-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 過熱検出回路 |
JP4826786B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2011-11-30 | 日本電気株式会社 | 発熱保護回路及び方法 |
JP5138274B2 (ja) | 2007-05-25 | 2013-02-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP2009164288A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体素子及び半導体装置 |
JP5124292B2 (ja) * | 2008-01-10 | 2013-01-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 電力スイッチ回路 |
JP5152526B2 (ja) | 2009-04-24 | 2013-02-27 | 株式会社デンソー | 車載電力変換装置 |
JP5340018B2 (ja) * | 2009-05-01 | 2013-11-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5352500B2 (ja) * | 2010-03-02 | 2013-11-27 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
JP5486396B2 (ja) * | 2010-05-11 | 2014-05-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 負荷駆動回路 |
CN102035190B (zh) * | 2010-12-23 | 2013-06-12 | 上海贝岭股份有限公司 | 一种过流保护电路 |
JP5541349B2 (ja) * | 2012-11-27 | 2014-07-09 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US9406668B2 (en) | 2013-03-27 | 2016-08-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Power semiconductor element |
JP6503202B2 (ja) * | 2015-03-12 | 2019-04-17 | エイブリック株式会社 | 半導体装置 |
JP6894957B2 (ja) * | 2015-10-07 | 2021-06-30 | ローム株式会社 | 誤出力防止回路 |
JP2017163741A (ja) | 2016-03-10 | 2017-09-14 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | スイッチングレギュレータ |
JP6780445B2 (ja) * | 2016-10-31 | 2020-11-04 | 富士通株式会社 | 半導体装置、増幅回路、及び増幅回路装置 |
JP7224922B2 (ja) * | 2019-01-10 | 2023-02-20 | 株式会社東芝 | 高周波集積回路 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61194755A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS63318781A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Nissan Motor Co Ltd | 過電流保護機能を備えたmosfet |
JPH01109755A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Nec Corp | リードフレーム |
JPH02285932A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-26 | Nec Corp | 過電流保護回路 |
JPH05503190A (ja) * | 1989-12-07 | 1993-05-27 | ハリス・セミコンダクター・パテンツ・インコーポレーテッド | パワーmosfetトランジスタ回路 |
-
1993
- 1993-02-22 JP JP5031579A patent/JP3018816B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-06-22 JP JP17505599A patent/JP3446665B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-31 JP JP2003093135A patent/JP4007450B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-02-05 JP JP2007025328A patent/JP4437823B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-10-28 JP JP2009247256A patent/JP4605613B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61194755A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPS63318781A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-27 | Nissan Motor Co Ltd | 過電流保護機能を備えたmosfet |
JPH01109755A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Nec Corp | リードフレーム |
JPH02285932A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-26 | Nec Corp | 過電流保護回路 |
JPH05503190A (ja) * | 1989-12-07 | 1993-05-27 | ハリス・セミコンダクター・パテンツ・インコーポレーテッド | パワーmosfetトランジスタ回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000101080A (ja) | 2000-04-07 |
JP3018816B2 (ja) | 2000-03-13 |
JP3446665B2 (ja) | 2003-09-16 |
JP2003309264A (ja) | 2003-10-31 |
JP2010022069A (ja) | 2010-01-28 |
JPH06244414A (ja) | 1994-09-02 |
JP2007215181A (ja) | 2007-08-23 |
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JP4437823B2 (ja) | 2010-03-24 |
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