JP3131595B2

JP3131595B2 - 反応性イオンエッチング用のマスク

Info

Publication number: JP3131595B2
Application number: JP09256636A
Authority: JP
Inventors: 功中谷
Original assignee: Japan Science and Technology Corp
Current assignee: Japan Science and Technology Agency
Priority date: 1997-09-22
Filing date: 1997-09-22
Publication date: 2001-02-05
Anticipated expiration: 2017-09-22
Also published as: JPH1192971A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この出願の発明は、反応性イ
オンエッチング用マスクに関するものである。さらに詳
しくは、この出願の発明は、磁気ディスクへの書き込み
読み出しに用いられる磁気ヘッド、磁気集積回路に組み
込まれるマイクロトランス、マイクロインダクター、磁
気センサー、さらにスピン散乱磁気抵抗効果素子、スピ
ンバルブ素子、強磁性トンネル接合素子、スピン電界効
果素子、スピンダイオード、スピントランジスターなど
の一群の量子効果磁気デバイス、また薄膜磁石、磁歪ア
クチュエーターなどの微少機械の構成部品などの製造に
有用な、磁性材料のドライエッチング装置等として特徴
づけられる、新しい反応性イオンエッチング用マスクに
関するものである。

【０００２】

【従来の技術とその課題】一般に超ＬＳＩ等の微小半導
体素子や磁気素子はリソグラフィー技術とエッチング技
術という２つのプロセスを組み合わせて製造されてい
る。リソグラフィー技術は被加工物質（半導体の薄膜や
磁性体の薄膜）の表面に塗布したレジスト膜等の感光膜
に微細図形を作る技術であり、これには紫外線を用いて
感光させるフォトリソグラフィ技術、電子線を用いて感
光させる電子線リソグラフィ技術、さらにイオン線を用
いて感光させるイオン線リソグラフィ技術がある。

【０００３】また、エッチング技術は、リソグラフィで
作製したレジストパターンを被加工物質の半導体薄膜や
磁性体薄膜に転写し、素子を作製する技術である。エッ
チング技術には、湿式エッチング法、アルゴンイオンミ
リング法、及び反応性イオンエッチング法がある。これ
らのエッチング方法の中で、反応性イオンエッチング法
は、リソグラフィーで作製したパターンを最も正確に転
写することができ、微細加工に最も適しており、かつエ
ッチング速さが速く、最も優れた方法である。現実に半
導体の大規模集積回路、半導体メモリーがこの方法によ
り作られている。

【０００４】反応性イオンエッチング法は反応性ガスの
プラズマ中に被加工物を置き電界を加えることにより、
被加工物の表面に対して垂直に入射するイオンにより、
化学的並びに物理的に被加工物の表面の原子を順次はぎ
取る方法であり、マスクで覆われていない個所を、マス
クの境界に沿って垂直に切り込んでいく異方的な加工が
可能である。そのために微細な鋭い形状の転写が可能な
方法である。反応性イオンエッチング法では、プラズマ
中で発生した反応性ガスのイオン、ラジカルなどの化学
的活性種が被加工物の表面に吸着し、被加工物と化学反
応をし、低い結合エネルギーをもつ表面反応層がまず形
成される。そこで、被加工物の表面はプラズマ中で電界
で加速された正イオンの垂直の衝撃にさらされているわ
けであるから、結合が緩んだ表面反応層はイオンのスパ
ッタリング作用により、あるいは蒸発作用によりはぎ取
られていく。このように反応性イオンエッチング法は化
学的作用と物理的作用とが同時に起こって進行するプロ
セスである。そのため特定の物質のみをエッチングする
という選択性が得られ、同時に加工対象物質の表面に垂
直に切り込んでいくという異方性が得られるわけであ
る。

【０００５】しかしながら、一方で、磁性材料に対して
は、長い間有効な反応性イオンエッチング法が見つから
ず、現実には磁性材料に対しては、湿式エッチング法と
アルゴンイオンミリング法が用いられ、それにより薄膜
磁気ヘッド、磁気センサー、マイクロトランスなどが製
造されている。磁性材料におけるこのような状況は、磁
性体の微細化並びに高密度集積化の指向を半導体に比べ
て著しく遅らせ、発展の障害となっていた。

【０００６】磁性材料に対する反応性イオンエッチング
が困難な理由は、遷移金属元素を主成分としている磁性
材料は、今まで半導体材料用に開発されてきたすべての
エッチングガス（例えばＣＦ₄，ＣＣｌ₄，ＣＣｌ₂Ｆ
₂，ＣＣｌＦ₃，ＣＢｒＦ₃，Ｃｌ₂，Ｃ₂Ｆ₆，Ｃ₃
Ｆ₈，Ｃ₄Ｆ₁₀，ＣＨＦ₃，Ｃ₂Ｈ₂，ＳＦ₆，ＳｉＦ
₄，ＢＣｌ₃，ＰＣｌ₃，ＳｉＣｌ₄，ＨＣｌ，ＣＨＣ
ｌＦ₂など）は磁性材料とプラズマ中で反応するが、半
導体材料の反応生成物と比較して、はるかに結合エネル
ギーが大きい物質を生成するので、スパッター作用を受
けにくく、したがってエッチングはなされなかった。

【０００７】そこで、半導体技術からの類推ではなく、
新しい反応性イオンエッチング反応を探究する努力がな
され、最近本発明の発明者等により一酸化炭素（ＣＯ）
ガスとアンモニアガス（ＮＨ₃）の混合ガスプラズマを
用いる方法が発明された。この方法は、ＣＯの活性ラジ
カルにより被加工物である遷移金属元素を主成分とする
磁性材料の表面で遷移金属カーボニル化物（Ｆｅ（Ｃ
Ｏ）₅，Ｎｉ（ＣＯ）₄，Ｃｏ₂（ＣＯ）₈，Ｍｎ
₂（ＣＯ）₁₀，Ｃｒ（ＣＯ）₆，Ｖ（ＣＯ）₆，Ｍｏ
（ＣＯ）₆，Ｗ（ＣＯ）₆）を生成させ、真空中での蒸
発作用、あるいはイオンによるスパッター作用により、
それらをはぎ取り、エッチングすることを原理としてい
る。遷移金属カーボニル化物は遷移金属中で唯一の結合
エネルギーが小さい化合物である。しかしながら、プラ
ズマ中でＣＯガスは不均等化反応によりＣＯ₂とＣに分
解するため、導入したＣＯガスは反応に寄与することな
く、また遊離したＣ原子は遷移金属元素と反応し、安定
な遷移金属カーバイドを生成するので、エッチング反応
は起こらないのが普通である。ＮＨ₃ガスは遷移金属元
素の存在下で、上記の不均等化反応を遅らせる性質を示
し、ＣＯガスとＮＨ₃ガスをほぼ等量混合したガスのプ
ラズマ中で、目的の反応性イオンエッチングが進行す
る。

【０００８】この原理に基づく方法で、磁性材料のパー
マロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｆｅなど
の反応性イオンエッチングの実現が確認されている。こ
のように、磁性材料に対する優れた反応性イオンエッチ
ング法が見出されて、今後の技術的発展が期待されてい
るところであるが、従来では、ＣＯ−ＮＨ₃混合ガスプ
ラズマによるエッチングのためには、このエッチング反
応を受けにくいマスク物質としてスパッタリング法によ
り形成されるＳｉＯ₂膜が用いられていたことにより、
その加工精度や生産性には制約があるという問題が残さ
れていた。

【０００９】この従来のプロセスを図示すると図２のと
おりとなる。出発の形態は図２（ａ）に示すように、コ
ーニング７０５９ガラス基板（１）など適当な基板材料
の上に、加工対象物質の磁性合金、例えばパーマロイ
（Ｎｉ−Ｆｅ合金）（２）などをスパッタリング法によ
り形成し、その上にマスク材料とする石英（ＳｉＯ₂）
薄膜（３）を、その上に導電材料の例えば非晶質炭素膜
（４）をそれぞれスパッタリング法により形成し、さら
に電子線感光膜のレジスト（５）を例えばスピンコート
法などにより塗布したものである。ここでは非晶質炭素
膜（４）は電子線露光する際に対象物質が帯電しないた
めに必要な導電層であり、これはＳｉＯ₂（３）が絶縁
体であるために必要となる膜である。図２（ｂ）に示す
ように、電子線描画と現像処理によりレジストに所望の
図形を形成する。その後酸素イオンエッチングによりレ
ジスト図形をマスクとして、非晶質炭素層をエッチング
し、ＳｉＯ₂膜を図形に沿って露出させる（図２
（ｃ））。次ぎに例えば４フッ化炭素（ＣＦ₄）ガスの
プラズマを用いて、ＳｉＯ₂をエッチングし、その図形
をＳｉＯ₂膜に転写する。ＣＦ₄のイオンエッチングは
ＳｉＯ₂のみに有効なため、目的とする加工対象物質の
パーマロイには変化を与えない（図２（ｄ））。以上の
ようにして得られたＳｉＯ₂の図形をマスクとして、先
に述べたＣＯ−ＮＨ₃混合ガスプラズマを用いた反応性
イオンエッチング法により、ＳｉＯ₂に転写された図形
をパーマロイに転写する。この過程でレジスト膜、及び
非晶質炭素膜も同時にエッチングで取り除かれ、ＳｉＯ
₂がパーマロイの図形の上に残留する形で転写が完了す
る（図２（ｅ））。今まではこの方法による磁性材料の
パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｆｅ
などの反応性イオンエッチングによる微細加工が行われ
ている。

【００１０】しかしながら、以上のプロセスは、複雑で
生産性が悪いという問題点を有しているのみでなく、転
写が二回行われるため、転写図形の高い精度が得られな
いという問題点を有していた。この方法は電子線で露光
されなかった部分に対応した図形を最終的に残すという
方法であり、結果的に電子線で露光した図形を反転した
図形、すなわちネガ図形を与えるものである。しかしな
がら、磁性体の複雑な微細な構造体を作製する過程にお
いては、電子線露光した部分に対応した図形（ポジ図
形）を得ることも必要とされているのである。

【００１１】この出願の発明は、従来技術のこのような
問題を解決するものとしてなされたものであって、簡便
でかつ高い分解能と高い精度でエッチングを可能とし、
同時にポジ図形を作製することを可能とする新しいマス
ク材料とこれを用いたプロセス技術を提供することを目
的としている。

【００１２】

【課題を解決するための手段】この出願の発明は、上記
の課題を解決するものとして、プラズマによる反応性イ
オンエッチングのためのマスクであって、チタン、マグ
ネシウム、アルミニウム、ゲルマニウム、白金、パラジ
ウムおよびこれらの各々を、もしくは２種以上を主成分
とする合金あるいは化合物のうちの少なくとも１種で構
成されていることを特徴とする反応性イオンエッチング
用のマスク（請求項１）を提供する。

【００１３】また、この発明は、上記マスクについて、
一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガスのプラズマによ
る反応性イオンエッチング用のマスクであること（請求
項２）、磁性材料をエッチングする際の反応性イオンエ
ッチング用マスクであること（請求項３）も提供する。
さらにまた、この出願の発明は、一酸化炭素と含窒素化
合物との混合ガスのプラズマによる反応性イオンエッチ
ングのためのマスクであって、シリコンまたはシリコン
を主成分とする合金で構成されていることを特徴とする
反応性イオンエッチング用のマスク（請求項４）と、同
様に一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガスのプラズマ
による反応性イオンエッチングのためのマスクであっ
て、シリコンの化合物で構成されており、レジスト膜か
らのパターンの上に配設されてリフトオフによりマスク
とされることを特徴とする反応性イオンエッチング用の
マスク（請求項５）、並びに、これらを磁性材料をエッ
チングする際の反応性イオンエッチング用マスクとする
こと（請求項６）も提供する。

【００１４】

【発明の実施の形態】従来主として半導体技術で用いら
れているマスク物質は高分子材料であるレジスト自身で
ある。しかしながら各種の高分子レジストはＣＯ−ＮＨ
₃ガスプラズマ中において消耗が大きくマスクとしての
役割を果たさない。Ｃｒ，Ｗ，Ｍｏ，Ｍｎ，Ｎｂ，Ｔ
ａ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ，Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｇａ，Ｉｎ，Ｓｎなど金属元素及びそ
れらを主成分とする合金並びに化合物はＣＯ−ＮＨ₃ガ
スプラズマと反応し、スパッタリング作用によりそれら
自身がエッチングされ、消耗するのでマスク材料として
は適さない。またＺｎ，Ｃｄ，Ｐｂあるいはそれらを主
成分とする合金あるいは化合物は耐真空性が悪くマスク
材料として適さない。一方、Ｔｉ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，
Ｇｅ，Ｐｔ，並びにＰｄ及びそれらを主成分とする合金
あるいは化合物はＣＯ−ＮＨ₃ガスプラズマと反応しに
くく、マスク材料として好適であることが実験の結果明
らかになった。それらの中で、化学的安定性、結晶粒の
緻密さ、ピンホールのでき難さなどの用件から、最も望
ましい物質はＴｉ及びＴｉを主成分とする合金あるいは
化合物であった。

【００１５】そこで、この発明では、前記のとおりＴ
ｉ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｇｅ，Ｐｔ，Ｐｄおよびそれらの各々
もしくは２種以上を主成分とする合金、もしくはその化
合物の少くとも１種によってマスクを構成する。つま
り、Ｔｉ，Ｍｇ，Ａｌ，およびＧｅやＰｔ，Ｐｄの各々
の単体金属、Ｔｉ合金、Ｍｇ合金、Ａｌ合金、Ｇｅ合
金、Ｐｔ合金、Ｐｄ合金、Ｔｉ−Ｍｇ合金、Ｔｉ−Ａｌ
合金、Ｔｉ−Ｇｅ合金、Ｔｉ−Ｐｔ合金、Ｔｉ−Ｐｄ合
金、Ｍｇ−Ａｌ合金、Ｍｇ−Ｇｅ合金、Ｍｇ−Ｐｔ合
金、Ｍｇ−Ｐｄ合金、Ａｌ−Ｇｅ合金、Ａｌ−Ｐｔ合
金、Ａｌ−Ｐｄ合金、Ｇｅ−Ｐｔ合金、Ｇｅ−Ｐｄ合
金、Ｔｉ−Ｍｇ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ａｌ−Ｇｅ合金、Ｔ
ｉ−Ｍｇ−Ｇｅ合金、Ｔｉ−Ｍｇ−Ｐｔ合金、Ｔｉ−Ａ
ｌ−Ｐｄ合金、Ｍｇ−Ａｌ−Ｇｅ合金、ＴｉＯ₂、Ｍｇ
Ｆ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＮ、ＡｌＮ、ＭｇＮ，Ｇｅ
Ｏ₂、ＰｄＯ等のうちの少くとも１種によりマスクを構
成する。この場合の「少くとも１種」との規定は、マス
クの全体がこれらのうちの１種のみによって構成されて
もよいし、その部分複合により、あるいはその積層によ
り、さらにはマスクの露出している表面層が複数種によ
って構成されてもよいことを意味している。

【００１６】そしてまた、この発明では、シリコンまた
はシリコンを主成分とする合金、さらにはＳｉＯ₂，Ｓ
ｉ₃Ｎ₄等の化合物もマスクとすることができる。シリ
コンの合金については、前記のＴｉ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｇｅ
等との組合わせとすることが好ましいものとして例示さ
れる。たとえばＴｉ−Ｓｉ合金、Ｓｉ−Ａｌ合金、Ｓｉ
−Ｇｅ合金、Ｓｉ−Ｐｔ合金、Ｓｉ−Ｐｄ合金、Ｔｉ−
Ｓｉ−Ａｌ合金、Ｔｉ−Ｍｇ−Ｓｉ合金、Ａｌ−Ｍｇ−
Ｓｉ合金等が例示されることになる。

【００１７】ＳｉＯ₂については、マスクとしての使用
がこれまでに検討されているが、これまでは、２段転写
の方法である。これに対して、この発明ではリフトオフ
による新しいマスクとして使用する。これらのマスク
は、真空蒸着、スパッタリングやイオンプレーティン
グ、イオンビーム蒸着等の各種手段によって形成するこ
とができる。

【００１８】この発明のマスクについて、微細加工のプ
ロセスとして例示すると図１のとおりとなる。図１
（ａ）に示すとおり、微細加工プロセスの出発は加工対
象である磁性薄膜（２）はコーニング７０５９ガラスな
ど適当な基板材料（１）の上に形成し、その上にレジス
ト膜（５）を例えばスピンコート法で形成したものであ
る。この多層膜を電子線露光し、現像し、レジスト膜
（５）に所望のパターン（６）を形成する（図１
（ｂ））。その後、マスク物質、例えばＴｉ（７）を真
空蒸着し、リフトオフ法、すなわち高分子レジストを溶
解しＴｉマスク（８）を形成する（図１（ｄ））。次ぎ
にＣＯ−ＮＨ₃混合ガスプラズマによる反応性イオンエ
ッチング法により、磁性体の薄膜のＴｉマスクで覆われ
ていない個所だけを取り去ることにより、磁性体薄膜に
パターンが形成される（図１（ｅ））。微細加工を施し
た磁性体（９）を得る。なお、この過程ではＴｉのマス
クは除去されないまま残るので、Ｔｉマスクを除去した
いときには、例えばＣＣｌ₄ガスプラズマを用いる従来
法の反応性イオンエッチング法により、残留したＴｉマ
スクを除去する（図１（ｆ））。

【００１９】いずれの場合にも、この発明によって、エ
ッチング対象物質に対する汚染物質の再付着は認められ
ず、鋭く正確な形状のエッチングが可能となる。なお、
この発明が対象とする被エッチング物質については、以
上のとおりの磁性材料を代表的なものとし、この磁性材
料については、パーマロイをはじめ、遷移金属を主成分
とする磁性材料、たとえばＦｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｏ−Ｃ
ｒ合金、センダスト合金、Ｍｏ，希土類これら元素の合
金や化合物の各種のものでよい。

【００２０】また、マスクパターン形成のためのレジス
ト膜を用いる場合には、従来と同様の露光現象による有
機ポリマー膜の各種のものが用いられる。もちろん、直
接的なマスク形成であってもよい。エッチングのための
プラズマ用ガスは、磁性材料を対象とする場合、前記の
ようにＣＯガスとＮＨ₃またはアミン類の含窒素化合物
ガスの場合が好適に用いられる。

【００２１】以下、実施例を示し、さらに詳しく説明す
る。

【００２２】

【実施例】実施例１（Ｔｉマスク）図１に示すプロセスに従い反応性イオンエッチング装置
を用いた。エッチングの試料として、コーニング７０５
９ガラス基板（１）上にスパッタリング法で磁性材料薄
膜（２）としての厚さ４５０ｎｍのＦｅ薄膜を形成し、
その表面に電子線リソグラフィーとリフトオフ法によ
り、レジスト膜（５）から形成されたパターン（６）の
上に、マスク材料（７）としてＴｉを用い、微小な多数
のＴｉパッドを形成してマスク（８）として用いた。そ
の試料を、水冷を施した１３．５６ＭＨｚの高周波を印
可する下部電極上に置き、高周波電極とそれと対向した
接地電極の距離を３５ｍｍとした。ＣＯガス及びＮＨ₃
ガスを、それぞれ６．３ｃｃ／ｍｉｎ、及び６．８ｃｃ
／ｍｉｎの流量で反応容器に供給しながら、ターボ分子
ポンプにより排気し、内部を５．７×１０^-3Ｔｏｒｒの
圧力に保持した。試料を保持した下部電極に電極単位面
積当たり３．７Ｗ／ｃｍ²の高周波を印可し、ＣＯ−Ｎ
Ｈ₃混合ガスのグロー放電プラズマを発生させ、反応性
イオンエッチングを行った。エッチング時間は４．０分
間とした。エッチング反応後、マスク（８）として用い
たＴｉパッドに覆われている個所と、覆われていない個
所の間に生じた段差を繰り返し反射干渉計で測定し、単
位時間当たりのエッチング量を求めた。またエッチング
により生じた形状を電子顕微鏡で観察し、段差の平滑性
と鋭さ、ならびに汚染物質や再付着物質の有無に着目し
てエッチングの評価を行った。微細加工した磁性体
（９）としてパターニングされたＦｅ薄膜を得た。そ
の結果、Ｆｅ薄膜に対するエッチング速さは９０ｎｍ／
ｍｉｎであった。また曲率半径が約０．１μｍの鋭さ
で、深さ４００ｎｍの形状を作製することができた。

【００２３】たとえば図３（ａ）（ｂ）（ｃ）はＴｉマ
スクとした場合の（ａ）Ｆｅ薄膜（ｂ）Ｃｏ−９．８％Ｃｒ薄膜（ｃ）Ｎｉ−２０％Ｆｅ薄膜のエッチングの結果を例示した電子顕微鏡写真であり、
優れた加工精度が得られていることがわかる。実施例２（Ａｌマスク）実施例１と同様な条件で、Ａｌを真空蒸着し、リフトオ
フ法により、Ａｌマスクを作製し、Ｎｉ−Ｆｅ２０％Ｆ
ｅ合金の反応性イオンエッチングが可能であった。エッ
チングの速さは１２０ｎｍ／ｍｉｎであり、またエッチ
ングの形状は同様に良好であった。実施例３（Ｓｉマスク）実施例１と同様な条件で、Ｓｉを真空蒸着し、リフトオ
フ法により、Ｓｉマスクを作製し、Ｃｏ−９．８％Ｃｒ
合金の反応性イオンエッチングが可能であった。エッチ
ングの速さは１４０ｎｍ／ｍｉｎであり、エッチングの
形状は同様に良好であった。実施例３（Ｇｅマスク）実施例１と同様な条件で、Ｇｅを真空蒸着し、リフトオ
フ法により、Ｇｅマスクを作製し、Ｃｏ−９．８％Ｃｒ
合金の反応性イオンエッチングが可能であった。エッチ
ングの速さは１４０ｎｍ／ｍｉｎであり、エッチングの
形状は同様に良好であった。

【００２４】

【発明の効果】この発明の反応性イオンエッチング装置
を用いることにより、磁性合金を対象としたＣＯ−ＮＨ
₃混合ガスプラズマを用いる反応性イオンエッチングは
従来型反応性イオンエッチング装置を用いた場合に比べ
て、より効果的になる。すなわち、磁性合金に対するエ
ッチング速さは同一のエッチング条件の下で、約４倍に
なり、作業効率の向上に寄与する。またエッチング対象
物質がエッチングプロセスにおいて、汚染されることが
なく、エッチングにより除去された物質の再付着も問題
にならない程度に少なくすることができる。以上のよう
な作用効果により、磁気記録用の微細磁気ヘッド、マイ
クロトランス、マイクロ磁気素子、磁気センサー、磁気
抵抗効果素子、スピンダイオードやスピントランジスタ
ー、スピンバルブ素子、スピンバルブ磁気メモリー、ト
ンネル磁気抵抗効果素子などの製造が可能となる。また
将来の高密度磁気記録媒体のパターンド磁気記録媒体な
ども製造が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による磁性材料の微細加工のプロセス
図である。

【図２】従来技術による磁性材料の微細加工のプロセス
図である。

【図３】（ａ）（ｂ）（ｃ）は、各々、エッチング後の
状態を例示した図面に代わる電子顕微鏡写真である。

【符号の説明】

１基板物質２磁性材料薄膜３酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜４非晶質炭素膜５レジスト膜６レジストパターン７真空蒸着したマスク材料８マスク９微細加工を施した磁性体

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】プラズマによる反応性イオンエッチング
のためのマスクであって、チタン、マグネシウム、アル
ミニウム、ゲルマニウム、白金、パラジウムおよびこれ
らの各々を、もしくは２種以上を主成分とする合金ある
いは化合物のうちの少なくとも１種で構成されているこ
とを特徴とする反応性イオンエッチング用のマスク。
【請求項２】一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガス
のプラズマによる反応性イオンエッチング用マスクであ
る請求項１のマスク。
【請求項３】磁性材料をエッチングする際の反応性イ
オンエッチング用マスクである請求項１または２のマス
ク。
【請求項４】一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガス
のプラズマによる反応性イオンエッチングのためのマス
クであって、シリコンまたはシリコンを主成分とする合
金で構成されていることを特徴とする反応性イオンエッ
チング用のマスク。
【請求項５】一酸化炭素と含窒素化合物との混合ガス
のプラズマによる反応性イオンエッチングのためのマス
クであって、シリコンの化合物で構成されており、レジ
スト膜からのパターンの上に配設されてリフトオフによ
りマスクとされることを特徴とする反応性イオンエッチ
ング用のマスク。
【請求項６】磁性材料をエッチングする際の反応性イ
オンエッチング用マスクである請求項４または５のマス
ク。