JP4560292B2 - シリコンフィンガーコンタクタを有するコンタクトストラクチャ - Google Patents
シリコンフィンガーコンタクタを有するコンタクトストラクチャ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4560292B2 JP4560292B2 JP2003570139A JP2003570139A JP4560292B2 JP 4560292 B2 JP4560292 B2 JP 4560292B2 JP 2003570139 A JP2003570139 A JP 2003570139A JP 2003570139 A JP2003570139 A JP 2003570139A JP 4560292 B2 JP4560292 B2 JP 4560292B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact
- silicon
- substrate
- contactor
- contact structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Multi-Conductor Connections (AREA)
Description
従来の技術では、図3に示すようなプローブカードとプローブコンタクタは、手作業で製造され、そのため品質にばらつきがある。そのような品質のばらつきは、サイズ、周波数帯域、コンタクトフォース(接触力)、コンタクトレジスタンス(接触抵抗)等のばらつきとして現れる。従来技術のプローブコンタクタにおいて、コンタクトパフォーマンス(接触性能)の信頼性を低下させている他の要因は、プローブコンタクタと被テスト半導体ウエハが異なる温度膨張係数であることである。従って、温度が変化すると、コンタクト位置が変位してしまい、コンタクトフォース(接触力)、コンタクトレジスタンス(接触抵抗)、周波数帯域等に悪影響を与えてしまう。
また、本発明の他の目的は、半導体ウエハやパッケージICのようなコンタクトターゲットと電気的コミュニケーションを確立するためのコンタクトストラクチャであり且つ多数の半導体部品を並列・同時テストするに適したコンタクトストラクチャを提供することにある。
また、本発明の更に他の目的は、半導体ウエハやパッケージLSI等をテストするためのコンタクトストラクチャであり、手作業によるアセンブリや取り扱いをすることなく、半導体製造工程を介して製造することにより、均一な品質を達成したコンタクトストラクチャを提供することにある。
また、本発明の更に他の目的は、被試験半導体ウエハの温度膨張係数を補償することができ、半導体ウエハやパッケージLSI等をテストするためのプローブカードに搭載して用いるコンタクトストラクチャを提供することにある。
多数のコンタクタは、手作業を伴わず、半導体微細化製造技術を用いて基板上に同時に製造されるので、均一なコンタクト性能、高品質や高信頼性、また長寿命を達成することが可能である。また、コンタクタは、被試験デバイスと同じ基板材料により形成することができるので、被試験デバイスの温度膨張係数を補償し、位置的エラーを防止することができる。
図6は、コンタクト基板20上に複数のコンタクタ30を有する図5のコンタクトストラクチャの底面図である。実際のテストシステムでは、例えば数百のような多数のコンタクタ30が、図6に示すように配列される。相互接続トレース24、バイアホール23、電極22により、導電層35の先端から信号路を確立し、かつコンタクタ30の小間隔をプローブカードやICパッケージに適する大きな間隔にファンアウト(拡大)する。
図9Aの行程において、フォトレジスト層42が、シリコン基板40上に形成される。フォトレジスト層42は、シリコン基板40上にボロンドープ層を形成するためのものである。図に示していないが、フォトマスクが、フォトレジスト層42に位置合わせされ、フォトレジスト層はフォトマスクを介して紫外線のようなフォトエネルギーにより露光される。従って、図9Aの基板の上面図である図9Bに示すようなパターンがフォトレジスト上に形成される。特定部43は、紫外線を露光した結果としてキュア(凝固)されたフォトレジストを示している。フォトレジスト層42の露光されなかった部分は、溶解して洗い流され、特定部43がシリコン基板40上に残される。
コンタクト基板がシリコンにより構成される場合は、コンタクト基板の温度膨張は、被試験半導体ウエハの温度膨張を同じとなるので、相互間の位置変化を補償することができる。セラミック基板は、シリコン基板よりも優れた機械的強度や物理的安定性を有する。コンタクトストラクチャのシリコンベース40を、コンタクト基板20に形成された溝271または272に挿入し、例えば接着剤またはエポクシ樹脂を用いて固定する。
図13Aの行程において、ボロンドープ層248を、特定部243(エッチングにより除去する部分)以外の部分のシリコン基板240に形成する。二酸化シリコンSiO2のような誘電層252を、絶縁層としてボロンドープ層248上に形成する。また、二酸化シリコンSiO2層254を、エッチングマスクとしてシリコン基板240の下部表面に形成する。さらにエッチング窓256を、フォトリソグラフィーのプロセス(図示せず)を用いて規定し、上述した異方性エッチングをエッチング窓から実行する。
従って、半導体ウエハ300が上方に移動すると、コンタクタ30とコンタクトターゲット320は、互いに機械的および電気的に接触する。したがって、コンタクトターゲット320から電極22にいたるまでの信号路が形成される。相互接続トレース24、バイアホール23および電極22は、コンタクタ30の小ピッチ(間隔)をプローブカードまたはICパッケージに適合するような大きなピッチにファンアウト(拡大)する機能も果たす。
多数のコンタクトストラクチャは、手作業なしで小形化製造技術を用いて同時に基板上に製造されるので、一定の品質、およびコンタクト性能の高信頼性、長寿命を達成することが可能である。更に、コンタクトストラクチャは、被試験デバイスと同じ基板材料上に形成することができるので、被試験デバイスの温度膨張係数を補償することができ、したがって位置的エラーを防止することができる。
Claims (13)
- コンタクトターゲットと電気接続を確立するためのコンタクトストラクチャにおいて、
複数のコンタクタと、
該複数のコンタクタをその表面に搭載したコンタクト基板と、により構成され、
上記複数のコンタクタの各コンタクタは、
両側端に傾斜部を有し、その角度はシリコン基板の結晶面に依存するシリコンベースと、
支持端と接触端を有して該シリコンベース上に形成され、該接触端がシリコンベースから充分に突出したシリコンビームと、
該シリコンビームの上部表面に形成され、所定の結晶面に沿って傾斜する端部として形成されたステップ部を有する導電層と、により構成され、
該コンタクタは、シリコンベースとシリコンビームの支持端とが該コンタクト基板の表面に接触するとともに、上記ステップ部上の導電層がワイヤボンディングのための水平面を形成するように接着剤により該コンタクト基板に搭載され、これによりシリコンビームを所定の傾斜方向に配置したことを特徴とするコンタクトストラクチャ。 - 上記シリコンビームの上記支持端と接触端のそれぞれは傾斜部を有し、その角度は上記結晶面に依存しており、上記支持端は該シリコンベースからわずかに突出して上記コンタクト基板の表面と接触している請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。
- 上記コンタクト基板はシリコンから形成構成されている、請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。
- 上記コンタクト基板はセラミックから構成されている請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。
- 上記コンタクト基板の表面に設けられた複数の接続トレースを更に有し、その接続トレースのそれぞれが対応する上記コンタクタの導電層の一端に接続されている請求項1に記載のコンタクトストラクチャ。
- 上記コンタクト基板に設けられた接続トレースと上記コンタクタの導電層との間は、ボンディングワイヤにより接続され、そのボンディングワイヤの一端はその導電層上に形成された上記ステップ部と接続される請求項5に記載のコンタクトストラクチャ。
- 上記コンタクト基板の上部表面と下部表面間にわたって形成され、上記接続トレースの他端に接続された複数のバイアホールと、
外部部品と電気接触するためにその複数のバイアホールに接続された複数の電極と、をさらに有して構成されている請求項5に記載のコンタクトストラクチャ。 - コンタクトターゲットと電気コミュニケーションを確立するためのコンタクトストラクチャの製造方法において、
(100)結晶面でカットされたシリコン基板を供給するステップと、
該シリコン基板の上部表面に第1エッチマスクパターンを形成するステップと、
該シリコン基板の上部表面に第1エッチング行程を実施して導電層用ステップ部を形成するステップと、
上記ステップ部を含む該シリコン基板の上部表面に第2エッチングマスクパターンを形成するステップと、
該シリコン基板の上部表面に第2エッチング行程を実施してコンタクタのシリコンビームを形成するステップと、
該シリコン基板の下部表面に第3エッチングマスクパターンを形成するステップと、
該シリコン基板の下部表面に第3エッチング行程を実施してコンタクタのシリコンベースを形成するステップと、
該シリコンビームの上部表面に導電材料をデポジットして上記ステップ部を有する導電層を形成するステップと、
上記各ステップを用いて形成した複数のコンタクタを、上記ステップ部上の導電層がワイヤボンディングのための水平面を形成するとともに、コンタクト基板上に所定の傾斜方向となるように搭載するステップと、
を有することを特徴とするコンタクトストラクチャの製造方法。 - 上記第2エッチング行程として異方性エッチングを実施すると、該シリコンベースにはその両側に傾斜部が形成され、その傾斜部の角度は、該シリコン基板の結晶面に依存する請求項8に記載のコンタクトストラクチャの製造方法。
- 上記第3エッチング行程として異方性エッチングを実施すると、該シリコンビームには支持端と接触端が形成され、その支持端と接触端のそれぞれは、その角度が該シリコン基板の結晶面により定まる傾斜部を有する請求項8に記載のコンタクトストラクチャの製造方法。
- 上記コンタクタを該コンタクト基板に搭載するステップは、上記シリコンベースと上記シリコンビームの支持端をそのコンタクト基板の表面に接着剤により接続して該シリコンビームを所定の傾斜方向に配置するステップを含む請求項10に記載のコンタクトストラクチャの製造方法。
- 上記コンタクタを上記コンタクト基板に搭載するステップは、上記シリコンベースとシリコンビームの支持端をそのコンタクト基板の表面に接着剤により接続して、そのシリコンビームを所定の傾斜方向に配置するステップと、コンタクト基板に形成した接続トレースを上記コンタクタに接続するステップとを有する請求項8に記載のコンタクトストラクチャの製造方法。
- 上記接続トレースを該コンタクタに接続するステップは、その接続トレースと導電層上の上記ステップ部との間にワイヤボンディングにより結合するステップを有する請求項12に記載のコンタクトストラクチャの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/078,603 US6535003B2 (en) | 1999-01-29 | 2002-02-19 | Contact structure having silicon finger contactor |
PCT/JP2003/001763 WO2003071289A1 (en) | 2002-02-19 | 2003-02-19 | Contact structure having silicon finger contactor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005518105A JP2005518105A (ja) | 2005-06-16 |
JP4560292B2 true JP4560292B2 (ja) | 2010-10-13 |
Family
ID=27752715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003570139A Expired - Fee Related JP4560292B2 (ja) | 2002-02-19 | 2003-02-19 | シリコンフィンガーコンタクタを有するコンタクトストラクチャ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6535003B2 (ja) |
JP (1) | JP4560292B2 (ja) |
KR (1) | KR100733945B1 (ja) |
CN (1) | CN100350254C (ja) |
DE (1) | DE10392306T5 (ja) |
MY (1) | MY142691A (ja) |
TW (1) | TWI277172B (ja) |
WO (1) | WO2003071289A1 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6858541B2 (en) * | 2002-08-05 | 2005-02-22 | Honeywell International, Inc. | Etch stop control for MEMS device formation |
US20040119485A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-24 | Koch Daniel J. | Probe finger structure and method for making a probe finger structure |
WO2005060719A2 (en) * | 2003-12-18 | 2005-07-07 | Lecroy Corporation | Resistive probe tips |
US7321234B2 (en) * | 2003-12-18 | 2008-01-22 | Lecroy Corporation | Resistive test probe tips and applications therefor |
US7459795B2 (en) * | 2004-08-19 | 2008-12-02 | Formfactor, Inc. | Method to build a wirebond probe card in a many at a time fashion |
KR100640632B1 (ko) * | 2005-01-29 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 프로브 카드 및 그 제조방법 |
KR100975904B1 (ko) | 2005-06-27 | 2010-08-16 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 콘택터, 그 콘택터를 구비한 콘택트 스트럭처, 프로브카드, 시험 장치, 콘택트 스트럭처 제조방법, 및 콘택트스트럭처 제조장치 |
KR101304031B1 (ko) * | 2005-07-08 | 2013-09-04 | 폼팩터, 인코포레이티드 | 상호 교환 가능한 프로브 인서트를 구비한 프로브 카드조립체 |
US20070089551A1 (en) | 2005-09-30 | 2007-04-26 | Sv Probe Ptd. Ltd. | Cantilever probe structure for a probe card assembly |
JP5232382B2 (ja) * | 2005-12-06 | 2013-07-10 | 株式会社エンプラス | プローブチップ及びプローブカード |
US7721430B2 (en) * | 2006-02-22 | 2010-05-25 | Sv Probe Pte Ltd. | Approach for fabricating cantilever probes |
JP2007248064A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-27 | Japan Electronic Materials Corp | 半導体素子検査装置 |
WO2008120547A1 (ja) | 2007-04-03 | 2008-10-09 | Advantest Corporation | コンタクタ及びコンタクタの製造方法 |
KR100806736B1 (ko) * | 2007-05-11 | 2008-02-27 | 주식회사 에이엠에스티 | 프로브 카드 및 그 제조방법 |
JP5100751B2 (ja) * | 2007-07-03 | 2012-12-19 | 株式会社アドバンテスト | プローブおよびプローブカード |
CN101720438A (zh) * | 2007-07-03 | 2010-06-02 | 株式会社爱德万测试 | 探针、探针卡及探针的制造方法 |
JP5011388B2 (ja) | 2007-07-24 | 2012-08-29 | 株式会社アドバンテスト | コンタクタ、プローブカード及びコンタクタの実装方法。 |
CN101946313B (zh) * | 2008-03-26 | 2012-09-26 | 爱德万测试株式会社 | 探针晶片、探针装置以及测试*** |
KR101221079B1 (ko) * | 2008-05-21 | 2013-01-11 | 가부시키가이샤 어드밴티스트 | 시험용 웨이퍼 유닛 및 시험 시스템 |
TWI367329B (en) * | 2008-06-19 | 2012-07-01 | King Yuan Electronics Co Ltd | Probe card assembly |
CN102353819B (zh) * | 2011-06-30 | 2014-04-09 | 南通华达微电子集团有限公司 | 大电流测试爪 |
TWI465726B (zh) * | 2012-01-10 | 2014-12-21 | Star Techn Inc | 具有強化探針電性觸點結構之積體電路測試卡 |
US9194887B2 (en) | 2012-11-15 | 2015-11-24 | Advantest America, Inc. | Fine pitch probes for semiconductor testing, and a method to fabricate and assemble same |
WO2019089611A1 (en) * | 2017-10-31 | 2019-05-09 | Formfactor, Inc. | Mems probe card assembly having decoupled electrical and mechanical probe connections |
WO2019155520A1 (ja) * | 2018-02-06 | 2019-08-15 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | プローブモジュールおよびプローブ |
CN109545722B (zh) * | 2018-12-11 | 2019-08-20 | 上海精测半导体技术有限公司 | 半导体生产***及其量测***和量测设备 |
US11828775B1 (en) | 2020-05-13 | 2023-11-28 | Microfabrica Inc. | Vertical probe arrays and improved methods for making using temporary or permanent alignment structures for setting or maintaining probe-to-probe relationships |
US11821918B1 (en) | 2020-04-24 | 2023-11-21 | Microfabrica Inc. | Buckling beam probe arrays and methods for making such arrays including forming probes with lateral positions matching guide plate hole positions |
JP7292921B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-06-19 | 株式会社日本マイクロニクス | 多ピン構造プローブ体及びプローブカード |
JP7393873B2 (ja) * | 2019-03-29 | 2023-12-07 | 株式会社日本マイクロニクス | 電気的接触子及びプローブカード |
KR102612764B1 (ko) * | 2022-05-24 | 2023-12-12 | 주식회사 티에스이 | 반도체 패키지의 테스트 장치 |
KR20240040502A (ko) | 2022-09-21 | 2024-03-28 | (주)케미텍 | 반도체 테스트 장치 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02221881A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-04 | Fuji Electric Co Ltd | 集積回路装置試験用プローブ |
JP2632136B2 (ja) * | 1994-10-17 | 1997-07-23 | 日本電子材料株式会社 | 高温測定用プローブカード |
US5621333A (en) * | 1995-05-19 | 1997-04-15 | Microconnect, Inc. | Contact device for making connection to an electronic circuit device |
US6420884B1 (en) * | 1999-01-29 | 2002-07-16 | Advantest Corp. | Contact structure formed by photolithography process |
JP2001330627A (ja) * | 2000-05-19 | 2001-11-30 | Advantest Corp | プローブ針構造体及びこれを用いるプローブカード |
-
2002
- 2002-02-19 US US10/078,603 patent/US6535003B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-17 TW TW092103218A patent/TWI277172B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-02-19 JP JP2003570139A patent/JP4560292B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-19 MY MYPI20030573A patent/MY142691A/en unknown
- 2003-02-19 DE DE10392306T patent/DE10392306T5/de not_active Withdrawn
- 2003-02-19 CN CNB038041774A patent/CN100350254C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-02-19 KR KR1020047012785A patent/KR100733945B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-02-19 WO PCT/JP2003/001763 patent/WO2003071289A1/en active Search and Examination
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020075021A1 (en) | 2002-06-20 |
WO2003071289A1 (en) | 2003-08-28 |
JP2005518105A (ja) | 2005-06-16 |
CN100350254C (zh) | 2007-11-21 |
US6535003B2 (en) | 2003-03-18 |
DE10392306T5 (de) | 2005-05-12 |
TW200304203A (en) | 2003-09-16 |
KR20040077971A (ko) | 2004-09-07 |
KR100733945B1 (ko) | 2007-06-29 |
CN1633600A (zh) | 2005-06-29 |
TWI277172B (en) | 2007-03-21 |
MY142691A (en) | 2010-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4560292B2 (ja) | シリコンフィンガーコンタクタを有するコンタクトストラクチャ | |
US6420884B1 (en) | Contact structure formed by photolithography process | |
KR100508419B1 (ko) | 마이크로 제조 프로세스에 의해 형성된 접점 구조물 | |
US6232669B1 (en) | Contact structure having silicon finger contactors and total stack-up structure using same | |
US6452407B2 (en) | Probe contactor and production method thereof | |
US6255727B1 (en) | Contact structure formed by microfabrication process | |
US6436802B1 (en) | Method of producing contact structure | |
US6250933B1 (en) | Contact structure and production method thereof | |
JP4863585B2 (ja) | コンタクトストラクチャ並びにその製造方法及びそれを用いたプローブコンタクトアセンブリ | |
US6218203B1 (en) | Method of producing a contact structure | |
JP2002196019A (ja) | コンタクトストラクチャ並びにその製造方法及びそれを使用したプローブコンタクトアセンブリ | |
KR20020093802A (ko) | 접촉 구조물 및 그 제조 방법과 그를 이용한 탐침 접촉조립체 | |
JP4560221B2 (ja) | コンタクトストラクチャとその製造方法 | |
JP2005512063A (ja) | コンタクトストラクチャとその製造方法およびそれを用いたコンタクトアセンブリ | |
KR20000057821A (ko) | 컨택트 구조물의 패키징 및 상호 접속부 | |
KR20010076322A (ko) | 접촉 돌기를 구비한 접촉 구조물 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051013 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090109 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090224 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100323 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100519 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100629 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100726 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130730 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |