JP2005512063A - コンタクトストラクチャとその製造方法およびそれを用いたコンタクトアセンブリ - Google Patents

Abstract

コンタクトターゲットとの電気接触を行うためのコンタクトストラクチャ。このコンタクトストラクチャは、コンタクタキャリヤと、複数のコンタクタとで構成されている。コンタクタキャリヤは、各コンタクタをそのコンタクタキャリヤにロックするためのスライデイング層を有する。その各コンタクタは、スライデイング層と係合する切り込みを形成した上部端と、その上部端とは反対方向でコンタクトターゲットと電気的接続を設けるためにコンタクトポイントとして機能する下部端と、その上部端と下部端の間に備えられ、スプリングとして機能する傾斜体部とで構成される。他の態様では、コンタクタは先にコンタクタアダプタに搭載され、次にそのコンタクタアダプタがコンタクタキャリヤに取り付けられる。

Description

この発明は、コンタクトストラクチャとその製造方法、およびそのコンタクトストラクチャを用いて構成したコンタクトアセンブリに関する。特に本発明は、多数のコンタクタを垂直方向に有するコンタクトストラクチャの構成、およびこのような多数のコンタクタを半導体ウエハ上に水平方向に製造し、そのコンタクタを半導体ウエハから取りはずし、コンタクトプローブアセンブリ、プローブカード、ＩＣチップ、あるいは他のコンタクト機構のようなコンタクトストラクチャを形成するために、そのコンタクタを基板上に垂直方向に搭載する方法に関する。

ＬＳＩやＶＬＳＩ回路のような高速、かつ高密度な電子部品をテストするにあたっては、多数のコンタクタを有するプローブカードのような高性能コンタクトストラクチャを使用する必要がある。他の応用として、例えばＩＣパッケージ等のリードとしてコンタクトストラクチャを使用してもよい。
本発明は、ＬＳＩやＶＬＳＩチップ、半導体ウエハ等のテスト、半導体ウエハやダイ等のバーンイン、あるいはパッケージされた半導体デバイスやプリント回路基板等のテストとバーンインに使用するコンタクトストラクチャおよびそのの製造方法に関するものである。さらに本発明は、ＩＣチップ、ＩＣパッケージ、他の電子デバイス等のリードやターミナルピンの形成のためにも応用できる。しかし、以下においては、説明の便宜のために、主として半導体ウエハテストに関連して本発明を説明する。

被試験半導体デバイスが半導体ウエハの場合は、ＩＣテスタのような半導体テストシステムは、自動的に半導体ウエハをテストするために、自動ウエハプローバのような基板ハンドラーと接続して用いられる。そのような例が図１に示されており、この図において半導体テストシステムは、一般に別のハウジングとして形成されテストヘッド１００を有している。テストヘッド１００はケーブル束１１０により、テストシステム本体に接続されている。テストヘッド１００と基板ハンドラー４００は、モーター５１０により駆動されるマニピュレータ５００により、互いに機械的および電気的に接続している。被試験半導体ウエハは、基板ハンドラー４００によって、テストヘッド１００のテスト位置に自動的に供給される。

テストヘッド１００において、被試験半導体ウエハには、半導体テストシステムにより生成されたテスト信号が供給される。被試験半導体ウエハ（半導体ウエハ上に形成したＩＣ回路）から、テスト信号の結果としての出力信号が発生され、半導体テストシステムに送信される。半導体テストシステムは、半導体ウエハからの出力信号を期待値データと比較することにより、半導体ウエハ上に形成したＩＣ回路が正しく機能しているかを検証する。

図１および図２において、テストヘッド１００と基板ハンドラー４００は、インターフェイス部１４０を介して互いに接続されている。インターファイス部１４０は、テストヘッドの電気的配線形状に固有の回路接続を有するプリント回路基板であるパフォーマンスボード１２０と、同軸ケーブル、ポゴピン、コネクタとにより構成している。テストヘッド１００は、多数のプリント回路基板（ピンエレクトロニクス）１５０を有し、それら回路基板は半導体テストシステムのテストチャンネル（テストピン）の数に対応している。プリント回路基板１５０のそれぞれは、パフォーマンスボード１２０に備えられた対応するコンタクトターミナル（接続端子）１２１と接続するためのコネクタ１６０を有している。

パフォーマンスボード１２０には、さらにフロッグリング１３０が、基板ハンドラー４００に対するコンタクト位置を正確に決定するために接続されている。フロッグリング１３０は、例えばＺＩＦコネクタまたはポゴピンのような、多数のコンタクトピン１４１を有している。それらのコンタクトピン１４１は、同軸ケーブル１２４を介して、パフォーマンスボード１２０のコンタクトターミナル１２１に接続している。

図２に示すように、テストヘッド１００は基板ハンドラー４００の上部に配置されており、インターフェイス部１４０を介して機械的および電気的に基板ハンドラー４００と接続している。基板ハンドラー４００では、チャック１８０上に被試験半導体ウエハ３００が搭載されている。この例では、プローブカード１７０は被試験半導体ウエハ３００の上部に備えられている。プローブカード１７０は、被試験半導体ウエハ３００上のＩＣ回路の回路端子あるいはコンタクトパッドのようなコンタクトターゲット（接触対象）と接触するために、多数のプローブコンタクタ（「カンチレバー」または「ニードル」とも言う）１９０を有している。

プローブカード１７０の電極（コンタクトパッド）は、フロッグリング１３０に備えられたコンタクトピン１４１と電気的に接続している。さらにコンタクトピン１４１は、同軸ケーブル１２４を介して、パフォーマンスボード１２０上のコンタクトターミナル１２１に接続している。それぞれのコンタクトターミナル１２１は、テストヘッド１００内の対応するプリント回路基板１５０に接続している。また、これらのプリント回路基板１５０は、数百のような多数の内部ケーブルを有するケーブル束１１０を介して、半導体テストシステム本体と接続している。

この構成の下で、チャック１８０上の半導体ウエハ３００の表面（コンタクトターゲット）に、プローブコンタクタ（ニードル）１９０が接触し、半導体ウエハ３００にテスト信号を印加し、かつ半導体ウエハ３００から結果出力信号を受信する。被試験半導体ウエハ３００からの結果出力信号は、半導体テストシステムにおいて期待値と比較され、半導体ウエハ３００上の回路が正しく機能しているかが検証される。

図３は、図２のプローブカード１７０の底面図を示している。この例では、プローブカード１７０は、ニードルまたはカンチレバーと呼ばれるプローブコンタクタ１９０が複数個搭載されたエポキシリングを有している。図２において半導体ウエハ３００を搭載したチャック１８０が上方に移動すると、コンタクタ１９０の先端は、半導体ウエハ３００上のコンタクトパッドまたはバンプ（コンタクトターゲット）と接触する。ニードル（コンタクタ）１９０の他端はワイヤ１９４に接続され、そのワイヤ１９４は更にプローブカード１７０に形成された送信ライン（図示せず）に接続されている。送信ラインは複数の電極（コンタクトパッド）１９７に接続されており、その電極１９７は更に第２図のポゴピン１４１に接続されている。

一般に、プローブカード１７０は、グラウンド層、パワー層、および信号伝送ライン層等による多数のポリイミド基板により構成された多層基板となっている。この技術分野では周知のように、それぞれの信号伝送ラインは、例えば５０オームのような特性インピーダンスとなるように、ポリイミド基板の誘電率や透磁率、プローブカード１７０内の信号経路のインダクタンスやキャパシタンス等のパラメターを設計している。従って、信号伝送ラインはインピーダンスマッチした信号路となっており、半導体ウエハに定常状態で電流を供給するとともに、過渡状態においても瞬間的な高ピーク電流を供給できるような高周波数伝送帯域を確立している。プローブカード１７０には、ノイズ除去の為に、キャパシタ１９３と１９５がパワー層とグラウンド層間に備えられている。

図４は、図３のプローブカード１７０の等価回路を示している。図４Ａと図４Ｂに示されているように、プローブカード１７０上の信号伝送ラインは、電極１９７から、ストリップライン１９６（インピーダンスマッチしている）、ワイヤ１９４、ニードル１９０にわたっている。ワイヤ１９４とニードル１９０はインピーダンスマッチしていないので、これらの部分は、図４Ｃに示すように、高周波数帯域では等価的にインダクタＬとして作用する。ワイヤ１９４とニードル１９０の全体の長さが例えば２０−３０ｍｍ程度にもなるので、被試験部品の高周波性能のテストは、この等価インダクタによって大きく制限される。

プローブカード１７０の周波数帯域を制限する他の要素は、図４Ｄと図４Ｅに示すパワーコンタクタとグラウンドコンタクタである。もしパワーラインが被試験部品に十分な電流を供給できるのであれば、被試験部品のテストにおける周波数帯域をさほど制限することはない。しかし、パワー供給のための直列接続したワイヤ１９４とニードル（コンタクタ）１９０（図４Ｄ）や、パワーと信号をグラウンドするための直列接続したワイヤ１９４とニードル１９０は、インダクタと等価になるので、高速電流は大きく制限される。

さらに、パワーライン上のサージパルスあるいはノイズを除去して被試験部品の正しい性能を検証するために、キャパシタ１９３とキャパシタ１９５がパワーラインとグラウンドラインの間に備えられている。キャパシタ１９３は、１０マイクロファラッドのような比較的に大きな値であり、必要に応じてスウィチでパワーラインから接続をはずすこともできる。キャパシタ１９５は、０．０１マイクロファラッドのような比較的小さいキャパシタンス値をとり、ＤＵＴの近くに固定的に取り付けられている。これらのキャパシタは、パワーラインにおける高周波成分を除去する機能を果たす。この結果、これらのキャパシタは、プローブコンタクタの高周波数性能を制限する。

従って、上述したもっとも広く使用されるプローブコンタクタでは、周波数帯域が約２００ＭＨｚ程度に制限されてしまい、最近の半導体部品をテストするには不十分である。半導体業界では、近い将来には、現在では１ＧＨｚ以上であるテスター自体の性能の周波数帯域に相当するだけの周波数帯域がプローブコンタクタに必要になると考えられている。また、テストのスループットを向上するために、プローブカードにより、特にメモリデバイスのような半導体部品を同時に多数取り扱えることが望ましい。

従来の技術では、図３に示すようなプローブカードとプローブコンタクタは、手作業で製造され、そのため品質にばらつきがある。そのような品質のばらつきは、サイズ、周波数帯域、コンタクトフォース（接触力）、コンタクトレジスタンス（接触抵抗）等のばらつきとして現れる。従来技術のプローブコンタクタにおいて、コンタクトパフォーマンス（接触性能）の信頼性を低下している他の要因は、プローブコンタクタと被テスト半導体ウエハが異なる温度膨張係数であることである。従って、温度が変化すると、コンタクト位置が変位してしまい、コンタクトフォース（接触力）、コンタクトレジスタンス（接触抵抗）、周波数帯域等に悪影響を与えてしまう。よって、次世代半導体テスト技術の要求を満たすことのできる、新概念によるコンタクトストラクチャが必要とされている。

従って、本発明の目的は、高周波帯域、高ピン数、高コンタクトパフォーマンス（接触性能）、そして高信頼性を有し、コンタクトターゲットと電気的接触する多数のコンタクタを有するコンタクトストラクチャを提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、スライデイング層を有するロックメカニズムを用いて多数のコンタクタとコンタクタキャリヤを容易にアセンプリできるコンタクトストラクチャを提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、コンタクタアダプタを用いて多数のコンタクタとコンタクタキャリヤを容易にアセンプリできるコンタクトストラクチャを提供することにある。

また、本発明のさらに他の目的は、半導体デバイスのテストのような応用において、多数の半導体部品を並列にかつ同時にテストするに適した、電気接続を確立するためのコンタクトストラクチャを提供することにある。
また、本発明のさらに他の目的は、コンタクトストラクチャを形成するにあたって、シリコン基板上に二次元的に多数のコンタクタを製造し、そのコンタクトタを取りはずして、コンタクト基板上に三次元的に搭載する方法を提供することにある。

本発明において、コンタクトストラクチャは、フォトリソグラフィー技術を用いてシリコン基板や誘電体基板のような基板の平坦表面に製造された多数のコンタクタにより形成されている。本発明のコンタクトストラクチャは、ＬＳＩやＶＬＳＩチップ、半導体ウエハおよびダイ、パッケージＩＣ、プリント回路基板等のような半導体デバイスのテストやバーンインに応用することができる。本発明のコンタクトストラクチャはさらに、ＩＣリードやピン等のような電子デバイスの一部として使用してもよい。

本発明の第１の態様は、コンタクトターゲットと電気的接続するためのコンタクトストラクチャの構成である。本発明のコンタクトストラクチャは、コンタクタキャリヤと複数のコンタクタとで構成されている。各コンタクタは、ロックメカニズムを構成する切り込み部を有しかつ垂直方向に延長した上部端と、その上部端とは反対方向に延長しコンタクトターゲットと電気的接続を形成するためのコンタクトポイントとして機能する下部端と、その上部端と下部端との間に備えられスプリングとして機能する傾斜体部とにより構成されている。

本発明の第２の態様は、コンタクタキャリヤと複数のコンタクタとで構成されたコンタクトストラクチャである。コンタクタはコンタクタアダプタを介してコンタクタキャリヤに搭載される。各コンタクタは、垂直方向に延長した上部端と、その上部端とは反対方向に延長しコンタクトターゲットと電気的接続を形成するためのコンタクトポイントとして機能する下部端と、その上部端と下部端との間に備えられスプリングとして機能する傾斜体部と、により構成されている。

本発明の更に別の態様は、シリコン基板上に二次元的に多数のコンタクタを形成し、そのコンタクトタを取りはずして、コンタクトストラクチャを構成する方法である。基板の平面上にコンタクタを形成するためには各種の製造方法を用いることができる。コンタクタは基板から取り外され、コンタクタキャリヤに搭載される。

本発明のさらに別の様態は、本発明のコンタクトストラクチャを有したプローブコンタクトアセンブリである。プローブコンタクトアセンブリは、複数のコンタクタを搭載したコンタクタキャリヤと、そのコンタクタキャリヤを搭載し、その表面に設けられた電極とコンタクタ間の電気コミュニケーションを確立するためのプローブカードと、複数のコンタクトピンを有し、そのプローブカードに取り付けられたとき、プローブカードと半導体テストシステム間をインターフェイスするためのするピンブロックとにより構成される。各コンタクタは、本発明の第１の様態において上述したような構成を有している。

本発明によれば、コンタクトストラクチャは、多数のコンタクタを有しており、各コンタクタは、スライデイング層により構成されるシフトロック機構を用いてコンタクタキャリヤに容易に固定させることができる。更に、コンタクトストラクチャは、高周波数帯域を有しており、均一な品質、高信頼性、長寿命、そして低価格を達成させることが可能である。また、コンタクタが被試験部品と同じ基板材料上に形成されているので、温度の変化により生じた位置エラーを補償させることが可能である。

更に、本発明のコンタクトストラクチャの製造プロセスにおいて、比較的単純な技術を用いて多数のコンタクタをシリコン基板上に水平方向に製造することが可能である。コンタクタは、基板上から取り除かれてコンタクタキャリヤに垂直方向に搭載した後、コンタクタの上部端に有するカットアウトにコンタクタキャリヤの上面層をスライドすることによりアセンブリされる。本発明により製造されたコンタクトストラクチャは、低価格で高能率、そして高い機械的強度と高信頼性を有する。

本発明の具体的内容を、図５−図１４を参照して説明する。本発明の説明には、「水平」や「垂直」等の用語が含まれている。発明者は、本発明に関わる構成要素の相対的な位置関係を説明するためにこれら用語を用いている。従って、本発明において、「水平」や「垂直」の用語の解釈には、地平線の水平または重力による垂直のような絶対的な意味のみに限定してはならない。

本発明によるコンタクトストラクチャの実施例を図５Ａおよび図５Ｂに示す。この例において各コンタクトストラクチャは、コンタクタキャリヤ２０と多数のコンタクタ３０とで構成されている。半導体テストの応用において、コンタクトストラクチャは、例えば、被試験半導体ウエハ３００のような半導体デバイス上に位置合わせされる。被試験半導体ウエハ３００が上方に移動すると、コンタクタ３０の下端は、半導体ウエハ３００上のコンタクトパッド３２０に接触して電気接続を確立する。

図５Ａおよび図５Ｂにおいて、コンタクトストラクチャ２０は、システムキャリヤ２２とスライデイング層（シフトロックプレート）２５により構成されている。スライデイング層２５は、システムキャリヤ２２上でスライド（シフト）することにより、コンタクタキャリヤ２０上のコンタクタ３０をロックする（シフトロック機構）。図５Ａはコンタクタ３０をコンタクタキャリヤ２０上にロックする前の状態を示し、図５Ｂはスライデイング層２５を移動しコンタクタ３０をコンタクタキャリヤ２０にロックした状態を示している。コンタクタキャリヤ２０は、シリコンやポリイミド、セラミックまたはガラスのような誘電体により構成すると好ましい。システムキャリヤ２２およびスライデイング層２５のそれぞれは、コンタクタ３０を搭載するためのスルーホールを備えている。

図５Ａおよび図５Ｂの例では、各コンタクタ３０は、上部端（ベース部）３３、傾斜体部（スプリング部）３２、および下部端（コンタクト部）３５により構成されている。各コンタクタを、コンタクタキャリヤ２０にロックするために、コンタクタの上部端３３にはスライデイング層２５を受け入れるための切り込み（ロック溝）３９が形成されている。各コンタクタ３０には、コンタクタキャリヤ２０に固定させるために、ストッパ３８を設けることが好ましい。すなわち、ストッパ３８は、システムキャリヤ２２の下表面に係合してコンタクタ３０の上方への移動を制限する。また、ストッパ３８は、スライデイング層２５が切り込み３９に係合するときに、そのスライデイング層２５との共働により、コンタクタ３０をコンタクタキャリヤ２０に確実にロックする機能を果たす。

傾斜体部３２は、上部端３３から下部端３５へ斜めに延長している。この上部端３３と下部端３５は、他の素子と電気コミュニケーションを確立するためにコンタクトポイントとして機能する。半導体テストの応用においては、上部端３３はテストシステムのプローブカードと接触し、下部端３５は半導体ウエハ３００上のコンタクトパッド３２０のようなコンタクトターゲットと接触する。

コンタクタ３０をコンタクタキャリヤ２０に搭載するためには、まず、コンタクタ３０をスライデイング層２５とシステムキャリヤ２２に設けられたスルーホールに挿入する。このためには、スライデイング層２５を、そのスライデイング層２５およびシステムキャリヤ２２のスルーホールの縦軸が互いに同じ位置に並ぶように、システムキャリヤ２２の表面上を水平方向に移動する。したがって図５Ａの例では、スライデイング層２５は右側に移動している。図５Ｂの例では、システムキャリヤ２２とスライデイング層２５のスルーホールに全てのコンタクタ３０を挿入した後、スライデイング層２５をコンタクタ３０の切り込み３９に係合するように左側へ水平方向に移動する。この方法により、全てのコンタクタ３０をコンタクタキャリヤ２０にロックする。

図５Ｃは、本発明のコンタクトストラクチャの別の例を示している。この例では、コンタクタキャリヤ２０は、システムキャリヤ２２、上部キャリヤ２４、スライデイング層２５、中間キャリヤ２６、および下部キャリヤ２８により構成されている。コンタクタキャリヤ２０は、シリコン、ポリイミド、セラミックまたはガラスのような誘電体から構成することが好ましい。システムキャリヤ２２は、上部キャリヤ、中間キャリヤ、下部キャリヤのそえぞれを支持し、且つそれらの間に所定の空間を形成する。

上部キャリヤ２４、中間キャリヤ２６、下部キャリヤ２８のそれぞれには、コンタクタ３０を搭載するためのスルーホールが設けられている。スライデイング層２５は、上部キャリヤ２４上を水平方向に移動可能に構成されている。図５Ａおよび図５Ｂを用いて上記で説明したように、スライデイング層２５にもコンタクタ３０を挿入するためのスルーホールが形成されている。各コンタクタ３０を、上部キャリヤ２４とスライデイング層２５のスルーホールに挿入した後、スライデイング層２５を左側に移動し、コンタクタ３０の切り込み３９にそのスライデイング層２５を係合させてコンタクタ３０をロックする。このメカニスムおよびプロセスは、図１２Ａ−図１２Ｃを参照して後でより詳細に説明する。

図５Ｃの例では、各コンタクタ３０は、全体的にカンチレバーの形状を有しており、上部端（ベース部）３３、傾斜体部（スプリング部）３２、直線体部３６、下部端（コンタクト部）３５、およびリターン部３７により構成されている。コンタクタ３０のそれぞれは、上部キャリヤ２４上のスライデイング層２５を受け入れるために、その上部端３３に切り込み３９が形成されている。また好ましくは、それぞれのコンタクタ３０をコンタクタキャリヤ２０に確実に搭載するために、ストッパ３４および３８が、各コンタクタに備えられている。ストッパ３８は、上部キャリヤ２４と接触することでコンタクタ３０の上方移動を制限し、ストッパ３４は、中間キャリヤ２６と接触することでコンタクタ３０の下方移動を制限する。

傾斜体部３２は、上部端３３から直線体部３６へと延長している。直線体部３６は、その傾斜体部３２と下部端３５との間で下方に延長している。上部端３３と下部端３５は、コンタクトポイントとして機能し、他の素子との電気コミュニケーションを確立する。半導体テストの応用においては、上部端３３はテストシステムのプローブカードと接触し、下部端３５は半導体ウエハ３００のコンタクタパッド３２０のようなコンタクトターゲットと接触する。

リターン部３７は、下部端３５から上方へ戻るように延長しており、直線体部３６と平行に並んでいる。すなわち、リターン部３７と直線体部３６との間には、下部キャリヤ２８のスルーホールに挿入された位置付近で隙間（ギャップ）Ｓを形成している。この構成により、下部キャリヤ２８のスルーホールに十分な幅を確保し、コンタクタ３０が変形される際の柔軟性を確保する。これはコンタクタ３０がコンタクトターゲットに対し押されるときに効果的であり、図７Ｂおよび図７Ｃを参照して後で説明する。

コンタクタ３０は、コンタクタキャリヤ２０に設けられたスルーホールを介してそのコンタクタキャリヤ２０に搭載されている。この例では、上部キャリヤ２４、スライデイング層２５、中間キャリヤ２６、下部キャリヤ２８のそれぞれは、コンタクタ３０を搭載するためのスルーホールを有している。上部端３３は上部キャリヤ２４の上表面から突出しており、下部端３５は下部キャリヤ２８の下表面から突出している。スライデイング層２５は、コンタクタ３０の上部端３３に形成された切り込み３９に係合するように上部キャリヤ２４上を移動可能に構成されており、これにより各コンタクタ３０をコンタクタキャリヤ２０上にロックする。

コンタクタ３０の中間体部は、中間キャリヤ２６に緩く結合されている。このため、コンタクタ３０の上部端は上部キャリヤ２４にロックされるが、その中間体部および下部端は多少の移動が可能になっている。したがって、コンタクトストラクチャが、半導体ウエハ３００のコンタクトパッド３２０のようなコンタクトターゲットに対して押されると、コンタクタ３０は容易に変形して下記のようなスプリング動作を行う。

コンタクタ３０の傾斜体部（スプリング部）３２は、スプリング機能を果たし、コンタクタ３０の上部端がプローブカードに固定され、コンタクタ３０の下部端がコンタクトターゲットに対して押されるときスプリング力を発生する。コンタクタ３０の下部端（コンタクトポイント）３５は、コンタクトパッド３２０の表面を削り付けることができるように、鋭利な形状とすることが好ましい。上記のスプリング機能による弾力により、コンタクトポイント３５のすり削り付け効果が促進される。このような削り付け作用により、コンタクトポイント３５がコンタクトパッド３２０の金属酸化表面を削り付けて、コンタクトパッド３２０の導電材料と電気接触をするので、コンタクトパフォーマンス（接触性能）がより向上する。

このような本発明のコンタクタを製造するための基本的なコンセプトを図６Ａおよび図６Ｂに示す。図６Ａに示すように、本発明においてコンタクタ３０は、シリコン基板４０の平面上に水平方向、すなわち２次元的に製造される。その後、コンタクタ３０は基板４０から取りはずされ、図５Ａ−図５Ｃに示すコンタクタキャリヤ２０上に垂直方向、すなわち３次元的に搭載される。一般に、基板４０はシリコン基板であるが、他の誘電体基板からも構成することができる。

上述したように、図６Ａおよび図６Ｂの例では、コンタクタ３０は、シリコン基板４０の平面上に、水平方向に製造される。そして図６Ｂにおいて、コンタクタ３０は、基板４０から接着部材９０に移転される。接着部材９０は、例えば、粘着テープ、粘着フィルム、粘着プレート等（以後「接着テープ」と総称する）である。もしくは、コンタクタ３０は、接着テープ９０を使わずに基板から取り外される。更に先のプロセスにおいて、接着テープ９０上のコンタクタ３０は、その後接着テープから取りはずされ、ピックアンドプレース機構を用いて、図５Ａ−図５Ｃに示すようなコンタクタキャリヤ２０に、垂直方向すなわち３次元的に搭載される。

図７Ａは、図５Ａおよび図５Ｂのコンタクトストラクチャに用いる本発明のコンタクタ３０の具体例を示す。図７Ｂおよび図７Ｃは、図５Ｃのコンタクトストラクチャに用いる本発明のコンタクタ３０の具体例を示す。図７Ｂは、コンタクタ３０がコンタクトターゲットに押されていない状態の正面図であり、図７Ｃは、コンタクタ３０がコンタクトターゲットに押されている状態の正面図である。

図５Ａ、図５Ｂを参照して上で説明したように、図７Ａのコンタクタ３０は、切り込み３９を有する上部端（ベース部）３３、傾斜体部（スプリング部）３２、および下部端（コンタクトポイント）３５により構成されている。図７Ｂ、図７Ｃの例では、コンタクタ３０は、切り込み３９を有する上部端（ベース部）３３、傾斜体部（スプリング部）３２、直線体部３６、下部端（コンタクト部）３５、およびリターン部３７により構成されている。各コンタクタ３０には、その上部端３３に切り込み３９が設けられており、各コンタクタ３０は、その切り込み３９に、スライデイング層２５を受け入れることにより、コンタクタキャリヤ２０にロックされる。

半導体テストの応用においては、図１３に示すように、上部端３３はテストシステムのプローブカードと接触し、下部端３５は被試験半導体ウエハのようなコンタクトターゲットと接触する。図５Ｃのコンタクタ３０がコンタクトキャリヤ２０に搭載されるとき、その上部端３３はコンタクタキャリヤ２０の上部キャリヤ２４の上表面から突出し、その下部端３５はコンタクタキャリヤ２０の下部キャリヤ２８の下表面から突出する。

図７Ｂの正面図に示すように、傾斜体部３２と直線体部３６の幅は、上部端３３または下部端３５よりも幅が狭くなっており、これにより柔軟性を高め、バネ動作を促進する。リターン部３７と直線体部３６と間の空隙（ギャップ）Ｓは、図７Ｃに示すようにバネ動作を更に促進する。すなわち、この空隙Ｓは、図７Ｃに示すように、直線体部３６と傾斜体部３２に水平方向の運動を促進させる。従って、この傾斜体部３２および直線体部３６の狭い幅による柔軟性の増加と下部端３５に形成された空隙Ｓにより、コンタクタ３０がコンタクトターゲットに対し押されたときに、傾斜体部３２と直線体部３６を容易に変形させることができる。

図８Ａ−図８Ｌは、本発明のコンタクタ３０を製造するための製造プロセスの１例を示す概念図である。図８Ａにおいて、犠牲層４２を基板４０上に形成する。基板４０はシリコン基板が一般的であるが、例えばガラス基板あるいはセラミック基板等の誘電体基板でも実施可能である。犠牲層４２は、例えばケミカルべーパーデポジション（ＣＶＤ）等のデポジション（堆積）プロセスにより形成した二酸化シリコン（ＳｉＯ２）で構成されている。犠牲層４２は、この製造方法の後段階において、コンタクタ３０をシリコン基板から分離させる機能を果たす。

次に図８Ｂに示すように、アドヒージョンプロモータ（接着促進）層４４を、犠牲層４２上に、例えば蒸着等により形成する。アドヒージョンプロモータ層４４の構成材料例としては、例えば厚さが２００−１０００オングストロームのクロミウム（Ｃｒ）やチタニウム（Ｔｉ）がある。アドヒージョンプロモータ層４４は、図８Ｃに示す導電層４６のシリコン基板４０への接着を促進させる働きを有している。導電層４６の構成材料の例としては、例えば厚さが１０００−５０００オングストロームの銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）がある。導電層４６は、後の段階で用いる電気メッキプロセスにおいて、電気伝導を確立させる働きを有している。

次の段階においては、図８Ｄに示すように、フォトレジスト層４８を導電層４６上に形成し、その上には紫外線による露光をするために、フォトマスク５０を正確に位置合わせする。フォトマスク５０は、フォトレジスト層４８に生成するコンタクタ３０の２次元イメージを現している。このプロセスにおいて、この技術分野では周知のように、ポジテイブ反応またはネガテイブ反応のフォトレジストを使用することができる。例えばポジテイブ反応レジストを使用した場合、フォトマスク５０のオペーク（不透明）部により遮断されたフォトレジストの部分は、露光後にキュア（凝固）する。フォトレジストの構成材料の例には、Ｎｏｖｏｌａｋ、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、ＳＵ−８、フォトセンシテイブポリイミド等がある。次に現像行程において、フォトレジストの露光した部分を溶解して除去すると、図８Ｅに示すフォトレジスト層４８には隙間、すなわちパターン「Ａ」が残される。従って、図８Ｆの上面図に示すような、コンタクタ３０のイメージ（形状）を有したパターン、すなわち隙間「Ａ」が、フォトレジスト層４８上に形成される。

上述したフォトリソグラフィープロセスにおいて、この技術分野では周知のように、フォトレジスト層４８は、紫外線のみならず、電子ビームやＸ線等を使用して露光することも可能である。さらに、電子ビーム、Ｘ線、光源（レーザー）等により、コンタクタ３０の形状イメージ（パターンＡ）をフォトレジスト層４８上に直接形成することも可能である。

次に、図８Ｇに示すように、コンタクタ３０を形成するために、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、あるいはタングステン（Ｗ）等の金属、またはニッｋル・コバルト（ＮｉＣｏ）等の合金を、フォトレジスト層４８のパターン「Ａ」にデポジション（例えば電気メッキによる堆積）する。後で説明するように、互いのエッチング特性を区別するために、導電層４６と異なる導電材料を、コンタクタの材料として使用することが好ましい。次に図８Ｇに示すようなコンタクタ３０のメッキ過剰部分を、図８Ｈに示すように、研磨（平面化）プロセスにより取り除く。

コンタクタの一部の厚さを他と異ならせる場合には、上述の行程を、２回またはそれ以上繰り返して導電層を形成することができる。すなわち、第１層のコンタクタ（導電材料）を形成した後、必要とあれば、第１層のコンタクタ上に第２層やそれ以上の層を形成するために、図８Ｄ−図８Ｈの行程を繰り返す。

次の段階では、図８Ｉに示すように、フォトレジスト層４８を、レジスト除去のプロセスにより取り除く。一般的にはウエットケミカル法により取り除くが、フォトレジスト除去の他の例として、アセトンを基にした除去方法や、二酸化プラズマによる除去方法を用いてもよい。次に、図８Ｊに示すように、コンタクタ３０をシリコン基板から分離するために、犠牲層４２をエッチングにより取り除く。また、図８Ｋに示すように、さらにエッチング行程を行って、コンタクタ３０を、アドヒージョンプロモータ層４４と導電層４６からそれぞれ分離させる。

コンタクタ３０を分離するためのエッチング行程において、コンタクタ３０をエッチングせずに、アドヒージョンプロモータ層４４と導電層４６のみをエッチングするように、エッチング条件を設定する。すなわち、上述のようにコンタクタ３０をエッチングせずに導電層４６のみをエッチングするためには、コンタクタ３０の導電材料と導電層４６の材料を異ならせる。最後に図８Ｌの斜視図に示すように、コンタクタ３０を、他の全ての材料から分離する。上述した図８Ａ−図８Ｌの製造プロセス例では、簡明のために１つのコンタクタ３０のみしか示していないが、実際の製造プロセスにおいては、図６Ａ−図６Ｂに示すように、多数のコンタクタが同時に製造される。

図９Ａ−図９Ｄは、本発明のコンタクタを製造する方法の別の例を示す概念図である。この例では、コンタクタ３０を、シリコン基板４０から接着テープに移転させるために、接着テープ９０を製造プロセスに用いている。図９Ａ−図９Ｄは、この製造プロセスのうち、接着テープが関係する製造プロセスの後段階のみを示している。
図９Ａは、図８Ｉと同等の製造段階を示しており、レジスト除去法によりフォトレジスト層４８を取り除いた行程を示している。この図９Ａの行程において、接着テープ９０をコンタクタ３０の上面に当接させ、コンタクタ３０が接着テープ９０に接着するようにしている。図６Ｂ図に関して先に言及したように、本発明の態様において、接着フィルムや接着プレート等の他の接着用部材もこの接着テープ９０の概念に含まれている。また、磁気プレートや磁気テープ、電気的チャージされたプレートやテープ等、コンタクタ３０を引き付ける他の部材もこの接着テープ９０の概念に含まれる。

図９Ｂに示すプロセスでは、コンタクタ３０をシリコン基板４０から分離させるために、基板４０から犠牲層４２をエッチングにより取り除く。また、図９Ｃに示すように、コンタクタ３０をアドヒージョンプロモータ層４４と導電層４６から分離させるために、エッチングの行程が再度行われる。
上述したように、コンタクタ３０をエッチングせずに、導電層４６のみをエッチングするには、コンタクタ３０の材料と導電層４６の材料を、互いに異なるものとしなければならない。図９Ａ−図９Ｃに示す製造方法には、簡明のために１つのコンタクタしか示していないが、実際の製造プロセスにいては、多数のコンタクタ３０が同時に製造される。従って、図９Ｄの上面図に示すように、多数のコンタクタ３０が、シリコン基板や他の材料の基板から同時に分離され、接着テープ９０に移転される。

図１０Ａ−図１０Ｎは、コンタクタを基板から接着テープに移転する本発明のコンタクタ３０の製造方法のさらに別の例を示す概念図である。まず図１０Ａでは、電気メッキシード層（導電層）３４２を、シリコン基板３４０あるいはポリイミドまたはガラス等の材料による誘電体基板上に形成する。シード層３４２は、例えば厚さが１０００−５０００オングストロームの銅（Ｃｕ）あるいはニッケル（Ｎｉ）により構成されている。次に図１０Ｂに示すように、そのシード層３４２上に、クロム・インコネル層３４４を、例えばスパタリングの行程を用いて形成する。

次の段階の図１０Ｃでは、導電基板３４６をクロム・インコネル層３４４上に形成する。導電基板３４６は、厚さが１００−１３０マイクロメータの例えばニッケル・コバルト（ＮｉＣｏ）合金により構成されている。導電基板３４６を不導体化（パシベーション）した後、図１０Ｄに示すように、厚さが１００−１２０マイクロメータのフォトレジスト層３４８を導電基板３４６上に形成する。さらに、図１０Ｅに示すように、フォトレジスト層３４８を紫外線で露光するために、フォトマスク３５０を正確に位置合わせする。フォトマスク３５０には、フォトレジスト層３４８の表面に生成するコンタクタ３０の２次元イメージが印刷されている。

現像行程において、レジストの露光部を溶解し除去すると、図１０Ｆのフォトレジスト層３４８が残る。フォトレジスト層には、フォトマスク３５０が有するコンタクタのイメージ（形状）が印刷されたプレーテイング（メッキ）パターンが形成されている。図１０Ｇの行程において、フォトレジスト層３４８のプレーテイングパターンに、５０−６０マイクロメータの厚さでコンタクタ用導電材料を電気メッキする。導電材料の一例としては、ニッケル・コバルト（ＮｉＣｏ）の合金がある。このコンタクタ材料としてのニッケル・コバルト合金は、ニッケル・コバルトにより構成された導電基板３４６との間での接着力は大きくはならない。
コンタクタが２またはそれ以上の異なる厚さを有する場合は、上述の行程を繰り返して、２またはそれ以上の導電層数のコンタクタを製造する。すなわち、第１層のコンタクタ（導電材料）を形成した後、必要とあれば、第１層のコンタクタ上に第２層やそれ以上の層を形成するために、図１０Ｄ−図１０Ｇの行程が繰り返される。

次の行程において、図１０Ｈに示すように、フォトレジスト層３４８を、レジストストリッピング法により取り除く。図１０Ｉでは、導電基板３４６を基板３４０上のクロム・インコネル層３４４から剥がし取る。導電基板３４６は、コンタクタ３０が比較的弱い接着力で付着している薄い基板である。コンタクタ３０を有する導電基板３４６の上面図を図１０Ｊに示す。
図１０Ｋは、コンタクタ３０の上面に接着テープ（中間プレート）９０を乗せて接着させるプロセスを示している。接着テープ９０とコンタクタ３０間の接着力は、コンタクタ３０と導電基板３４６間の接着力よりも強力である。従って、接着テープ９０を導電層３４６から取りはずすときには、図１０Ｌに示すように、コンタクタ３０は導電基板３４６から接着テープ９０へと移転する。図１０Ｍは、コンタクタ３０を有する接着テープ９０の上面図であり、図１０Ｎは、コンタクタ３０を有する接着テープ９０の断面図である。

図１１Ａと図１１Ｂは、コンタクタ３０を接着テープ９０から取り上げ（ピック）、それをコンタクタキャリヤ２０に搭載する（プレース）方法の一例を示す概念図である。図１１Ａと図１１Ｂに示すこの「ピックアンドプレース」作用は、図９Ａ−図９Ｄと図１０Ａ−図１０Ｎで説明したような、接着テープを用いた本発明の製造方法により製造したコンタクタに有利に適用できる。図１１Ａは、ピックアンドプレース・メカニズム８０の前半の動作を示す前面図である。図１１Ｂは、ピックアンドプレース・メカニズム８０の後半の動作を示す前面図である。
この例において、ピックアンドプレース・メカニズム８０は、コンタクタ３０を取り上げ（ピック）、それを配置（プレース）するためのトランスファー機構８４と、トランスファー機構８４をＸＹＺ方向に移動するための可動アーム８６および８７と、ＸＹＺ方向に位置調整できるテーブル８１および８２と、例えばＣＣＤイメージセンサー等を有するモニターカメラ７８とにより構成されている。トランスファー機構８４には、コンタクタ３０をサクション（吸引：ピック動作）およびサクション解除（吸引停止：プレース動作）するサクションアーム８５を有している。サクションフォース（吸引力）は、例えば真空等の負圧力により生成される。サクションアーム８５は、９０度のような所定の角度で回転する。

ピックアンドプレース・メカニズム８０の動作において、コンタクタ３０を有する接着テープ９０と、ボンデイング位置３２（またはスルーホール）を有するコンタクタキャリヤ２０を、ピックアンドプレース・メカニズム８０のそれぞれテーブル８１と８２に配置する。図１１Ａに示すように、トランスファー機構８４は、サクションアーム８５の吸引力により、コンタクタ３０を接着テープ９０から取り上げる（ピック）。コンタクタ３０を取り上げた後、サクションアーム８５は、図１１Ｂに示すように、例えば９０度回転する。従って、コンタクタ３０の方向は、水平方向から垂直方向へと変更される。この方向変更機能は、単なる１例であり、この技術分野の通常の知識を有する者は、コンタクタの方向を変更するには他の多くの方法があることが理解できるであろう。トランスファー機構８４は、コンタクタ３０をコンタクタキャリヤ２０上に配置する。各コンタクタ３０は、コンタクタキャリヤ２０とスライデイング層のスルーホールに挿入された後に、スライデイング層をスライドしてコンタクタキャリヤ２０にロックされる。

図１２Ａ−図１２Ｃは、スライデイング層（シフトロックプレート）２５を用いて、コンタクタ３０をコンタクタキャリヤ２０上にアセンプリし且つロックするプロセスを示す概念図である。スライデイング層２５は、コンタクタ３０の上部端３３に形成された切り込み３９に係合する。図１２Ａに示すように、コンタクタキャリヤ２０は、システムキャリヤ２２とその上表面に有するスライデイング層２５により構成されている。スライデイング層２５のスルーホール２９とシステムキャリヤ２２のスルーホール２３は、互いの縦軸が一致している。スベーサ２７を、スライデイング層２５とシステムキャリヤ２２との間の空間に設け、ロックをする前のスライデイング層２５の位置を確定してもよい。

そして、図１２Ｂに示すように、コンタクタ３０をシステムキャリヤ２２のスルーホール２３およびスライデイング層２５のスルーホール２９に挿入する。コンタクタ３０の切り込み３９は、コンタクタキャリヤ２０上において、スライデイング層２５と同じ高さ位置に配置される。コンタクタ３０の中間に形成されたストッパ３８は、システムキャリヤ２２の下表面と係合することにより、コンタクタ３０の上方への移動を禁止する。

全てのコンタクタ３０をスルーホールに挿入したとき、スペーサ２７をコンタクタキャリヤ２０から取り外す。これにより、スライデイング層２５は例えばスプリング力により左側へと戻る。従って、スライデイング層２５は、図１２Ｃに示すように、コンタクタ３０の上部端３３に形成された切り込み３９に係合する。スライデイング層２５を切り込み３９に挿入することで、コンタクタ３０とコンタクタキャリヤ２０を、容易に且つ確実に組み立てることができる（シフトロック）。更に、コンタクタキャリヤ２０が、上述したような、スライデイング層２５をバネ力による戻す機構を有していないときは、スライデイング層を手動で左側に移動し、図１２Ｂとは反対の位置の間隙にスベーサ２７を挿入して、スライデイング層２５の位置を維持することができる。

図１３は、本発明のコンタクトストラクチャを用いてプローブコンタクトアセンブリを構成するための、全体組立構造の例を示した断面図である。プローブコンタクトアセンブリは、図２に示すように、被試験デバイス（ＤＵＴ）と半導体テストシステムのテストヘッド間とのインターフェイスとして使用される。この例では、図１３に示すように、プローブコンタクタアセンブリは、コンタクトストラクチャの他に、プローブカード２６０と、ポゴピンブロック（フロッグリング）１３０を有している。

コンタクトストラクチャは、コンタクタキャリヤ２０とそのコンタクタキャリヤ２０上に搭載された複数のコンタクタ３０で形成される。コンタクタのそれぞれの上部端（ベース部）は、コンタクトパッドとしてコンタクタキャリヤ２０の上部表面から突出している。下部端（コンタクト部）３５はコンタクタキャリヤ２０の下表面から突出している。本発明のコンタクタは、上部端３３と下部端３５との間には、コンタクタキャリヤ２０から上方に傾斜したカンチレバー形状の傾斜体部（スプリング部）を有する。コンタクタ３０は望ましくはコンタクタキャリヤ２０にゆるめに取り付けられ、そのため半導体ウエハ３００やプローブカード２６０に対して押されるときに垂直方向および水平方向にわずかに変移することができる。

プローブカード２６０、ポゴピンブロック１３０、そしてコンタクトストラクチャは、互いに機械的および電気的に接続して、プローブコンタクトアセンブリを形成する。従って、ケーブル１２４とパフォーマンスボード１２０を介して、コンタクタ３０の接触点からテストヘッド１００（図２）までの電気通路が形成される。したがって、半導体ウエハ３００とプローブコンタクトアセンブリが押し合わされたとき、ＤＵＴ（ウエハ３００のコンタクトパッド３２０）とテストシステム間に電気通信が成立する。

ポゴピンブロック（フロッグリング）１３０は、図２のポゴピンブロックと等価であり、プローブカード２６０とパフォーマンスボード１２０との間のインターフェイスをする多数のポゴピンを有している。ポゴピンの上端には、同軸ケーブルのようなケーブル１２４が接続され、パフォーマンスボード１２０を介して図２のテストヘッド１００のプリント回路基板（ピンエレクトロニクスカード）１５０に信号を送信する。プローブカード２６０は、その上部表面と下部表面にエレクトロード（電極）２６２と２６５を多数有している。プローブコンタクトアセンブリが組み立てられると、コンタクタ３０のベース部３３は電極２６２に接触する。電極２６２と電極２６５は、ポゴピンブロック１３０のポゴピンのピッチ（間隔）に整合するように、コンタクトストラクチャのピッチをファンアウト（拡大）するための接続トレイス２６３に接続されている。コンタクタ３０はコンタクタキャリヤ２０上のスルーホールに緩く挿入されているので、半導体ウエハ３００に対して押されたとき、コンタクタ３０の傾斜体部３２は、電極２６２とコンタクトパッド３２０のそれぞれに対して弾性的接触力を生成する。

図１４は、本発明のコンタクトストラクチャを用いたプローブコンタクトアセンブリの他の例を示した断面図である。プローブコンタクトアセンブリは、図２に示すように、被試験デバイス（ＤＵＴ）とテストヘッド間のインターフェイスとして使用される。この例では、プローブコンタクトアセンブリは、導電エラストマ２５０、プローブカード２６０、およびコンタクトストラクチャの上部に備えられたポゴピンブロック（フロッグリング）１３０を有している。上述のように、コンタクタ３０には、傾斜体部３２がありそのスプリング作用が発揮されるので、このような導電エラストマは一般に必要ない。しかしその場合であっても、導電エラストマは、プローブカード２６０とコンタクトストラクチャ間のギャップ（プラナリティ）の不均一性を補正するのに有効である。

導電エラストマ２５０は、コンタクトストラクチャとプローブカード２６０の間に設けられている。プローブコンタクトアセンブリが組み立てられると、コンタクタ３０のベース部３３は、導電エラストマ２５０に接触する。導電エラストマ２５０の例は、垂直方向に導電ワイヤを多数有する柔軟なシートである。例えば、導電エラストマ２５０は、多数の列配列された金属フィラメントとシリコンゴムシートで構成されている。金属フィラメント（ワイヤ）は、図１４の垂直方向、すなわち導電エラストマ２５０の水平シートに対して直角に埋設されている。例えば金属フィラメント間のピッチは、シリコンゴムシートの厚さが約０．２ｍｍのとき、０．０５ｍｍかそれ以下である。そのような導電エラストマは、シンエツポリマー社の製造するものがあり、市場で入手できる。

本発明の第２の実施例を図１５−１９を参照して説明する。図１５は本発明の第２の実施例によるコンタクトストラクチャの断面図を示している。コンタクトストラクチャは、コンタクタキャリヤ４２０と、コンタクタアダプタ４２５と、複数のコンタクタ４３０とで構成されている。半導体テストへの応用において、コンタクトストラクチャは、例えば、被試験半導体ウエハ３００のような半導体部品上に位置合わせられる。被試験半導体ウエハ３００が上方に移動すると、コンタクタ４３０の下端は、半導体ウエハ３００上のコンタクトパッド３２０に接触して電気接続を確立する。

コンタクタキャリヤ４２０とコンタクタアダプタ４２５は、シリコン基板、あるいはポリイミド、セラミックまたはガラス等の誘電体基板から構成されている。コンタクタ４３０は、導電材料から構成され、または導電材料によりコーテイングされている。２以上のコンタクタ４３０が、コンタクタアダプタ４２５に取り付けられ、その各コンタクタアダプタ４２５は、コンタクタキャリヤ４２０に取り付けられる。各コンタクタアダプタ４２５には複数のコンタクタ４３０が搭載され、そのコンタクタアダプタ４２５は、図１７Ａ−図１７Ｄを用いて後で詳述する方法によりコンタクタキャリヤ４２０に取り付けられる。

図１５において、各コンタクタ４３０は、上部端（ベース部）４３３と、傾斜体部（スプリング部）４３２と、下部端（コンタクト部）４３５とにより構成されている。各コンタクタ４３０の上部端４３３から所定距離の位置にストッパ４３８が備えられ、各コンタクタ４３０をコンタクタアダプタ４２５に確実に搭載できるように構成している。すなわち、上部端４３３とストッパ４３８により、コンタクタアダプタ４２５の溝４２７に合致する切り込み４３９（図１６Ａ−１６Ｃ参照）をコンタクタ４３０に形成している。つまり、上部端４３３とストッパ４３８間の距離は、コンタクタアダプタ４２５の厚さとほぼ同一である。切り込み４３９、コンタクタアダプタ４２５、およびコンタクタキャリヤ４２０は、コンタクタ４３０をそのコンタクタキャリヤ４２０に容易に確実に搭載するためのロックメカニズムを形成している。

コンタクタ４３０の傾斜体部４３２は、コンタクタ４３０の上部端４３３から下部端４３５へ斜め方向に延長している。コンタクタ４３０の上部端４３３と下部端４３５は、他の素子と電気コミュニケーションを形成するためのコンタクトポイント（接触点）として機能する。半導体テストの応用においては、上部端４３３は、テストシステムのプローブカードと接触するためのベース部であり、下部端４３５は、半導体ウエハ３００上のコンタクトパッド３２０のようなコンタクトターゲットに接触するためのコンタクトポイントである。

上述したように、コンタクタ４３０は、コンタクタアダプタ４２５を介してコンタクタキャリヤ４２０に搭載されている。コンタクタ４３０の上部端４３３と下部端４３５のそれぞれは、コンタクタアダプタ４２５の上表面、下表面から突出している。コンタクタ４３０の傾斜体部（スプリング部）４３２は、バネ機能を果たし、コンタクタ４３０の下部端４３５がコンタクトパッド３２０のようなコンタクトターゲットに対して押されるときバネ力を発生する。コンタクタ４３０の下部端（コンタクトポイント）４３５は、コンタクトパッド３２０の表面を削り付けることができるように、鋭利な形状とすることが好ましい。上記のスプリング機能による弾力は、コンタクトポイント４３５の削り付け効果を促進する。このような削り付け作用により、コンタクトポイント４３５がコンタクトパッド３２０の金属酸化表面を削り付けて、コンタクトパッド３２０の導電材料と電気接触をするので、コンタクトパフォーマンス（接触性能）がより向上する。

図１６Ａ−図１６Ｃは、本発明のコンタクタ４３０の構成例を示す。図１５に基づいて上述したように、コンタクタ４３０は、上部端（ベース部）４３３と、傾斜体部（スプリング部）４３２と、下部端（コンタクトポイント）４３５とにより構成されている。切り込み（くぼみ）４３９は、各コンタクタ４３０が、コンタクタアダプタ４２５に形成された溝にうまく合致するように、コンタクタ４３０の上部端４３３とストッパ４３８から形成されている。
図１６Ａの例では、傾斜体部４３２は、斜め方向の延長した直線状ビームであり、バネ動作を促進する。図１６Ｂの例では、傾斜体部４３２は、その中間部でジグザグ形状に曲がった形状をなして、バネ動作を促進する。図１６Ｃの例では、切り込み４３９は、コンタクタ４３０の上部端４３３の片側だけに形成されている。このように、コンタクタ４３０は、コンタクタアダプタ４２５に正しく結合できる構成を有していれば、どのような形状のコンタクタも本発明のコンタクトストラクチャに用いることができる。

コンタクタ４３０の傾斜体部４３２は、好ましくは上部端４３３よりも幅（または厚さ）が小さくすることによりバネ動作を促進する。このように、傾斜体部４３２の幅が狭いので、コンタクタ４３０がコンタクトターゲットに対して押されたときに容易に変形することができる。図６および図８ー１０を用いて上述したように、コンタクタ４３０は、シリコン基板の水平表面上に水平方向に製造される。コンタクタ４３０の一部に、異なる厚さを形成するためには、導電材料によりコンタクタ４３０を形成するためのデポジション行程（例えば図８−図１０の製造行程における）を複数回繰り返す。

図１７Ａ−図１７Ｄは、本発明において、コンタクタアダプタ４２５を用いて、コンタクタ４３０をコンタクタキャリヤ４２０に容易且つ確実にアセンブリする行程を示す概念図である。図１７Ａに示すように、コンタクタ４３０は、その上部端４３３の両側に切り込み（くぼみ）４３９を設けている。切り込み４３９は、コンタクタアダプタ２５に確実に取り付けられるように、所定の長さ（上部端４３３とストッパ４３８間の距離）を有している。

コンタクタアダプタ４２５は、図１７Ｂに示すように、溝４２７とストッパ４２６を備えている。コンタクタ４３０の切り込み４３９とコンタクタアダプタ４２５の溝４２７は、互いに確実に合致するように形成されている。すなわち、コンタクタ４３０の切り込み４３９の幅と厚さは、コンタクタアダプタ４２５の溝４２７の幅と厚さと同一になっている。さらに、コンタクタ４３０の上部端４３３とストッパ４３８間の距離は、コンタクタアダプタ４２５の厚さと同一に形成されている。さらにコンタクタアダプタ４２５は、コンタクタキャリヤ４２０に搭載するためのストッパ４２６を備えている。

図１７Ｃでは、コンタクタ４３０は、コンタクタ４３０の切り込み４３９をコンタクタアダプタ４２５の溝４２７に合致させてコンタクタアダプタ４２５に搭載している。溝４２７にコンタクタ４３０を搭載したとき、コンタクタ４３０とコンタクタアダプタ４２５は、図１７Ｃの正面と互い同一平面になるように位置合わせられている。コンタクタ４３０とコンタクタアダプタ４２５を相互により確実に結合するために、接着剤（図示せず）を使用してもよい。

図１７Ｄでは、複数のコンタクタ４３０を搭載したコンタクタアダプタ４２５が、コンタクタキャリヤ４２０に挿入されている。図１７Ｄの例において、コンタクタキャリヤ４２０は、コンタクタ４３０を搭載したコンタクタアダプタ４２５を挿入するために複数のスロット４２４を備えている。各スロット４２４は、コンタクタアダプタ４２５のストッパ４２６と係合するためのステップ（ストッパ）４２８を有する。コンタクタ４３０を有するコンタクタアダプタ４２５をコンタクタキャリヤ４２０のスロット４２４に挿入することにより、コンタクタ４３０とコンタクタキャリヤ４２０は互いに容易に且つ確実に結合される。コンタクタアダプタ４２５のストッパ４２６は、スロット４２４に形成したステップ４２８と接触して、コンタクタ４３０の垂直方向の位置を規定している。

図１８は、本発明のコンタクトストラクチャを用いてプローブコンタクトアセンブリを形成するための、全体組立構造の例を示した断面図である。プローブコンタクトアセンブリは、図２に示すように、被試験デバイス（ＤＵＴ）と半導体テストシステムのテストヘッドとの間のインターフェイスとして使用される。この例では、図１８に示すように、プローブコンタクタアセンブリは、コンタクトストラクチャの他に、プローブカード２６０と、ポゴピンブロック（フロッグリング）１３０を有している。

コンタクトストラクチャは、コンタクタキャリヤ４２０とそのコンタクタキャリヤ上に搭載された複数のコンタクタ４３０で構成されている。各コンタクタの上部端（ベース部）４３３は、コンタクタキャリヤ４２０の上部表面から突出している。またコンタクタ４３０の下部端（コンタクト部）４３５は、コンタクタキャリヤ４２０の下表面から突出している。コンタクタ４３０は、コンタクタアダプタ４２５を介してコンタクタキャリヤ４２０上のスロット４２４（図１７Ｄ）に挿入されている。上述のように、傾斜体部（スプリング部）４３２は、上部端４３３と下部端４３５との間を斜め方向に延長している。傾斜体部４３２は、半導体ウエハ３００に対して押されるとスプリング性の接触力を発生する。

プローブカード２６０、ポゴピンブロック１３０、そしてコンタクトストラクチャは、互いに機械的および電気的に接続して、プローブコンタクトアセンブリを形成する。従って、ケーブル１２４とパフォーマンスボード１２０を介して、コンタクタ４３０の接触点からテストヘッド１００（図２）までの電気通路が形成される。したがって、半導体ウエハ３００とプローブコンタクトアセンブリが押し合わされたとき、ＤＵＴ（ウエハ３００のコンタクトパッド３２０）とテストシステム間に電気通信が成立する。

ポゴピンブロック（フロッグリング）１３０、プローブカード２６０およびケーブル１２４は、図１３および図１４に示したと同様であり、パフォーマンスボード１２０を介して図２のテストヘッド１００のプリント回路基板（ピンエレクトロニクスカード）１５０に信号を送信する。プローブコンタクトアセンブリが組み立てられると、コンタクタ４３０の上部端４３３は電極２６２に接触する。コンタクタキャリヤ４２０上に搭載されたコンタクタ４３０は、傾斜体部４３２を有するので、半導体ウエハ３００に対して押されたとき、コンタクタ４３０は容易に変形し、コンタクトパッド３２０対して弾性的接触力を生成する。

図１９は、本発明のコンタクトストラクチャを用いたプローブコンタクトアセンブリの他の例を示した断面図である。プローブコンタクトアセンブリは、図２に示すように、被試験デバイス（ＤＵＴ）とテストヘッド間のインターフェイスとして使用される。この例では、プローブコンタクトアセンブリは、導電エラストマ２５０、プローブカード２６０、コンタクトストラクチャの上部に備えられたポゴピンブロック（フロッグリング）１３０を有している。プローブコンタクトアセンブリが組み立てられると、コンタクタ４３０の上部端４３３は導電エラストマ２５０に接触する。図１４を参照して上述したように、導電エラストマは多数の導電ワイヤ２５２を垂直方向に有した、シリコンゴムのような柔軟なシートである。

本発明によれば、コンタクトストラクチャは、次世代半導体技術のテスト要件を満たすような高周波数帯域を有している。第１の実施例では、スライドプレートによりコンタクタをコンタクタキャリヤに固定するシフトロック機構を用いることにより、コンタクトストラクチャを容易に且つ確実に形成することができる。第２の実施例では、コンタクタアダプタによりコンタクタをコンタクタキャリヤに搭載することにより、コンタクトストラクチャを容易に且つ確実に形成することができる。手作業を用いることなく基板上に同時に多数のコンタクタを製造することができるので、そのコンタクトパフォーマンス（接続性能）は、均一な品質と、高信頼性、長寿命を達成することが可能である。

好ましい実施例しか明記していないが、上述した開示に基づき、添付した請求の範囲で、本発明の精神と範囲を離れることなく、本発明の様々な形態や変形が可能である。

図１は、テストヘッドを有する半導体テストシステムと基板ハンドラーとの構成上の関係を示した概念図である。 図２は、インターフェイス部を介して半導体テストシステムのテストヘッドを基板ハンドラーに接続するための構造をより詳細に示した展開図である。 図３は、複数のプローブコンタクタを搭載するためのエポキシリングを有する従来技術のプローブカード例を示した底面図である。 図４Ａ−図４Ｅは、それぞれ図３のプローブカードの等価回路を示した回路図である。 図５Ａ−図５Ｃは、シリコン基板上に水平方向に製造され、その後コンタクタキャリヤ上に垂直に搭載されたコンタクタを有する本発明のコンタクトストラクチャの構成例を示した概念図である。 図６Ａ−図６Ｂは、多数のコンタクタをシリコン基板の平表面上に形成し、後のプロセスにより取り除くという本発明の製造方法の基本コンセプトを示した概念図である。 図７Ａ−図７Ｃは、本発明のコンタクタの具体例を示した図であり、図７Ａおよび図７Ｂはコンタクトターゲットに対して押されていない状態でのコンタクタの正面図、そして図７Ｃはコンタクトターゲットに対して押されている状態でのコンタクタの正面図である。 図８Ａ−図８Ｌは、本発明のコンタクタを製造するための本発明の製造プロセスの１例を示した概念図である。 図９Ａ−図９Ｄは、本発明のコンタクタを製造するための本発明の製造プロセスの他の例を示した概念図である。 図１０Ａ−図１０Ｎは、基板の表面上に本発明のコンタクタを製造し、その後中間プレートにコンタクタを移動するための行程例を示した概念図である。 図１１Ａおよび図１１Ｂは、本発明のコンタクトストラクチャを構成するために、コンタクタを取り上げ（ピック）、コンタクタキャリヤ上に配置する（プレース）ためのピックアンドプレース機構の１例を示した概念図である。 図１２Ａ−図１２Ｃは、コンタクタを本発明のコンタクタキャリヤにアセンブリまたロックするプロセスを示した概念図である。 図１３は、本発明のコンタクトストラクチャを使用し、被試験半導体部品と半導体テストシステム間のインターフェイスとして用いるプローブコンタクトアセンブリの例を示した断面図である。 図１４は、本発明のコンタクトストラクチャを使用し、被試験半導体部品と半導体テストシステム間のインターフェイスとして用いるプローブコンタクトアセンブリの他の例を示した断面図である。 図１５は、コンタクタ、コンタクタキャリヤ、およびコンタクタアダプタを有する本発明のコンタクトストラクチャの構成例を示した断面図である。 図１６Ａ−図１６Ｃは、本発明のコンタクタの形状の例を示した前面図を示している。 図１７Ａ−図１７Ｄは、本発明のコンタクトストラクチャの例を示した斜視図であり、図１７Ａはコンタクタ、図１７Ｂはコンタクタアダプタ、図１７Ｃはコンタクタが搭載されたコンタクタアダプタ、そして図１７Ｄは図１７Ｃのコンタクタアダプタを搭載するコンタクタキャリヤの斜視図である。 図１８は、本発明のコンタクトストラクチャを使用し、被試験半導体部品と半導体テストシステム間のインターフェイスとして用いるプローブコンタクトアセンブリの構成例を示した断面図である。 図１９は、本発明のコンタクトストラクチャを使用し、被試験半導体部品と半導体テストシステム間のインターフェイスとして用いるプローブコンタクトアセンブリの他の構成例を示した断面図である。

Claims (24)

1. コンタクトターゲットと電気的接続を形成するためのコンタクトストラクチャにおいて：
   それぞれが、垂直方向に延長し、ロックメカニズムを構成するための切り込みを有する上部端と、その上部端とは反対方向に延長し、コンタクトターゲットと電気的接触を形成するためにコンタクトポイントとして機能する下部端を有する直線体部と、その下部端から直線体部と平行に並んでその間に所定ギャップを形成するリターン部と、その上部端と下部端との間に形成され、スプリングとして機能する傾斜体部とにより構成され、導電材料で形成された複数のコンタクタと、
   複数のコンタクタを搭載するためにその上表面にスライデイング層を有し、スルーホールにコンタクタを挿入した後に該コンタクタの切り込みに該スライデイング層を係合させるように構成したコンタクタキャリヤと、
   により構成され、各コンタクタの上部端は該コンタクタキャリヤの上表面から突出し、各コンタクタの下部端は該コンタクタキャリヤの下表面から突出することを特徴とするコンタクトストラクチャ。
2. 上記コンタクタキャリヤは、該上表面を有する上部キャリヤと、該下表面を有する下部キャリヤと、その上部キャリヤと下部キャリヤとの間に備えられた中間キャリヤとよりに構成されていることを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項１に記載のコンタクトストラクチャ。
3. 上記コンタクタキャリヤは、上記上部キャリヤ、中間キャリヤ、および下部キャリヤをそれぞれ支持するシステムキャリヤを有することを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項２に記載のコンタクトストラクチャ。
4. 上記上部キャリヤ、中間キャリヤ、および下部キャリヤのそれぞれには、コンタクタを搭載するためのスルーホールが形成されていることを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項２に記載のコンタクトストラクチャ。
5. 上記コンタクタは、上部キャリヤと係合して該コンタクタの上方への変移を制限する第１ストッパと、上記中間キャリヤと係合して該コンタクタの下方への変移を制限する第２ストッパとを有することを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項１に記載のコンタクトストラクチャ。
6. 上記コンタクタは、さらにコンタクトポイントを下部端に有する直線体部と、その直線体部の底部から並行に戻り、その間に所定の空隙を形成する戻り部とをさらに有することを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項１に記載のコンタクトストラクチャ。
7. コンタクトターゲットと電気的接続を形成するためのコンタクトストラクチャにおいて：
   導電材料で形成され、それぞれが、ロックメカニズムを構成するための切り込みを有する垂直方向に延長した上部端と、その上部端とは反対方向で、コンタクトターゲットと電気コミュニケーションを設けるためにコンタクトポイントとして機能する下部端と、その上部端と下部端の間に形成され、スプリングとして機能する傾斜体部とにより構成された複数のコンタクタと、
   垂直方向の溝を複数有し、コンタクタの上記切り込みとその溝を合致させて該コンタクタを搭載するコンタクタアダプタと、
   そのコンタクタを搭載した複数のコンタクタアダプタを搭載するためのスロットを有するコンタクタキャリヤと、
   により構成され、上記コンタクタを搭載したコンタクタアダプタはそのコンタクタキャリヤの該スロットに挿入され、各コンタクタの上部端は該コンタクタキャリヤの上表面で突出し、各コンタクタの下部端は該コンタクタキャリヤの下表面で突出することを特徴とするコンタクトストラクチャ。
8. 上記コンタクタは、コンタクタアダプタの溝に合致するときそのコンタクタアダプタの下表面と接触するストッパを有し、上記切り込みはコンタクタの上部端とストッパ間に形成されていることを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項７に記載のコンタクトストラクチャ。
9. 上記切り込みは、該コンタクタの両側に形成され、その切り込み間の幅は、コンタクタアダプタの溝の幅と同一であることを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項７に記載のコンタクトストラクチャ。
10. 上記切り込みは、コンタクタの片側に形成され、その切り込みの幅は、コンタクタアダプタの溝の幅と同一であることを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項１に記載のコンタクトストラクチャ。
11. 上記コンタクタアダプタは、該コンタクタキャリヤのスロットに形成されたステップと係合するためのストッパを有し、コンタクタアダプタがそのスロットに挿入されるときに該コンタクタの垂直方向の位置を特定することを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項７に記載のコンタクトストラクチャ。
12. コンタクトストラクチャを形成するための製造方法は：
    （ａ）犠牲層を基板の表面に形成するステップと、
    （ｂ）フォトレジスト層を該犠牲層上に形成するステップと、
    （ｃ）そのフォトレジスト層の表面に該コンタクタのイメージのパターンを現像するステップと、
    （ｄ）導電材料を堆積することにより、電気導電材料によるコンタクタを上記フォトレジスト層のパターンに形成するステップであり、各コンタクタは、ロックメカニズムを構成するための切り込みを有する上部端と、その上部端とは反対方向でコンタクトポイントとして機能する下部端と、その上部端と下部端の間に設けられ、スプリングとして機能する傾斜体部とで構成され、
    （ｅ）上記フォトレジスタ層を取り除くステップと、
    （ｆ）上記コンタクタをシリコン基板から分離するよう上記犠牲層を取り除くステップと、
    （ｇ）スライデイング層とスルーホールを備えたコンタクタキャリヤにコンタクタを搭載し、そのスライデイング層とコンタクタの上記切り込みを係合して該コンタクタをコンタクタキャリヤにロックするステップと、
    により構成されていることを特徴とするコンタクトストラクチャの製造方法。
13. 上記導電材料を堆積するステップの後に、そのコンタクタ上に接着テープを乗せて、そのコンタクタの上部表面とその接着テープを接着させるステップをさらに有することを特徴とする、請求項１２に記載のコンタクトストラクチャの製造方法。
14. 上記コンタクタをコンタクタキャリヤに搭載するステップは、コンタクタを引き寄せる吸引力をもつピックアンドプレース機構を用いて、接着テープからコンタクタを取り外して該コンタクタの方向を変更し、該コンタクタをコンタクタキャリヤに取り付けるステップを有することを特徴とする、請求項１３に記載のコンタクトストラクチャの製造方法。
15. コンタクトストラクチャを形成するための製造方法は：
    （ａ）ベース基板上に導電材料により構成した導電基板を形成するステップと、
    （ｂ）フォトレジスト層をその導電基板上に形成するステップと、
    （ｃ）コンタクタのイメージを有したフォトマスクを上記フォトレジスト層上に位置合わせし、フォトマスクを介して該フォトレジスト層を露光するステップと、
    （ｄ）そのフォトレジスト層の表面に該コンタクタのイメージのパターンを現像するステップと、
    （ｅ）導電材料を堆積することにより、電気導電材料によるコンタクタを上記フォトレジスト層のパターンに形成するステップであり、各コンタクタは、ロックメカニズムを構成するための切り込みを有する上部端と、その上部端とは反対方向でコンタクトポイントとして機能する下部端と、その上部端と下部端の間に設けられ、スプリングとして機能する傾斜体部とで構成され、
    （ｆ）上記フォトレジスタ層を取り除くステップと、
    （ｇ）上記コンタクタを有した上記導電基板を上記ベース基板から剥がし取るステップと、
    （ｈ）接着テープを上記導電基板上のコンタクタに当接して、該コンタクタをその接着テープに接着させるステップであり、その接着テープのコンタクタとの間の接着力は、導電基板とコンタクタとの間の接着力より大であり、
    （ｉ）上記導電基板を剥がし取ることにより、上記接着テープ上のコンタクタを導電基板から分離するステップと、
    （ｊ）スライデイング層とスルーホールを備えたコンタクタキャリヤにコンタクタを搭載し、そのスライデイング層とコンタクタの切り込みを係合して該コンタクタをコンタクタキャリヤにロックするステップと、
    により構成されていることを特徴とするコンタクトストラクチャの製造方法。
16. コンタクトターゲットと電気的接続を形成するためのプローブコンタクトアセンブリにおいて、
    スライデイング層と、そのスライデイング層によりロックして搭載した複数のコンタクタとより構成したコンタクタキャリヤと、
    そのコンタクタキャリヤを搭載し、電極と上記コンタクタとの間の電気的通信を確立するためのプローブカードと、
    該プローブカードに取り付けられたとき、該プローブカードと半導体テストシステムの間をインターフェイスするための複数のコンタクトピンを有するピンブロックと、
    により構成され、該コンタクタは、垂直方向に延長し、ロックメカニズムを構成するための切り込みを有する上部端と、その上部端とは反対方向に延長し、コンタクトターゲットと電気的接触を形成するためにコンタクトポイントとして機能する下部端を有する直線体部と、その上部端と下部端との間に形成され、スプリングとして機能する傾斜体部とにより構成されていることを特徴とするプローブコンタクトアセンブリ。
17. 上記コンタクタキャリヤは、上記複数のコンタクタを搭載するために上表面と下表面を有し、各コンタクタの上部端は該コンタクタキャリヤの上表面から突出し、各コンタクタの下部端は該コンタクタキャリヤの下表面から突出することを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項１６に記載のプローブコンタクトアセンブリ。
18. 上記コンタクタキャリヤは、該上表面を有する上部キャリヤと、該下表面を有する下部キャリヤと、その上部キャリヤと下部キャリヤとの間に備えられた中間キャリヤとよりに構成されていることを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項１６に記載のプローブコンタクトアセンブリ。
19. 上記上部キャリヤ、中間キャリヤ、および下部キャリヤのそれぞれは、コンタクタを搭載するためのスルーホールが形成されていることを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項１８に記載のプローブコンタクトアセンブリ。
20. コンタクトターゲットと電気的接続を形成するためのプローブコンタクトアセンブリにおいて、
    コンタクタの切り込みがコンタクタアダプタの溝に合致するように係合させて複数のコンタクタを搭載したコンタクタアダプタをスロットに挿入するように構成したコンタクタキャリヤと、
    そのコンタクタキャリヤを搭載し、電極と上記コンタクタとの間の電気的通信を確立するためのプローブカードと、
    該プローブカードに取り付けられたとき、該プローブカードと半導体テストシステムの間をインターフェイスするための複数のコンタクトピンを有するピンブロックと、
    により構成され、該コンタクタは、コンタクタアダプタの溝に合致するための切り込みを有する垂直方向に延長した上部端と、その上部端とは反対方向でコンタクトターゲットと電気的接続を形成するためのコンタクトポイントとして機能する下部端と、その上部端と下部端の間に形成され、スプリングとして機能する傾斜体部とで構成されることを特徴とするプローブコンタクトアセンブリ。
21. 上記コンタクタは、コンタクタアダプタの溝に合致するときそのコンタクタアダプタの下表面と接触するストッパを有し、切り込みはコンタクタの上部端とストッパ間に形成されていることを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項２０に記載のプローブコンタクトアセンブリ。
22. 上記切り込みは、該コンタクタの両側に形成され、その切り込み間の幅は、コンタクタアダプタの溝の幅と同一であることを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項２０に記載のプローブコンタクトアセンブリ。
23. 上記切り込みは、コンタクタの片側に形成され、その切り込みの幅は、コンタクタアダプタの溝の幅と同一であることを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項２０に記載のプローブコンタクトアセンブリ。
24. 上記コンタクタアダプタは、該コンタクタキャリヤのスロットに形成されたステップと係合するためのストッパを有し、コンタクタアダプタがそのスロット挿入されるとき該コンタクタの垂直方向の位置を特定することを特徴とする、コンタクトターゲットと電気的接続を形成するための請求項２０に記載のプローブコンタクトアセンブリ。

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